JP2012069976A - Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】余分の酸化珪素膜を除くためのCMP研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が0.1重量%以上10.0重量%以下であるCMP研磨剤。
【選択図】なし
Description
また、本発明は、錯形成剤が一般式(I)
また、本発明は、錯形成剤がアセチルアセトンである前記のCMP研磨剤に関する。
また、本発明は、水溶性高分子が水溶性陰イオン性界面活性剤及び水溶性非イオン性界面活性剤からなる群選ばれる少なくとも1種である前記のいずれかのCMP研磨剤に関する。
また、本発明は、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて、表面に錯形成した酸化セリウム粒子を介して基板表面を研磨することを特徴とする基板の研磨方法に関する。
一般式(I)で示されるβ−ジケトンとセリウム粒子の錯形成は、一般式(II)
(添加液Aの作製)重量平均分子量6000で、アンモニウムイオンのモル数/ポリアクリル酸中のカルボキシル基のモル数=1のポリアクリル酸アンモニウム塩を脱イオン水で希釈し、3重量%の水溶液(添加液A)とした。
(研磨剤の作製)実施例1の添加液Bの作製において使用するアセチルアセトンの量を10g→1000gとし、それに伴い脱イオン水の量を8967g→7977gとすること以外は、実施例1と同一にしてCMP研磨剤を作製した。研磨剤のpHは6.6で、2次粒子径の中央値は250nmであった。
(研磨剤の作製)実施例1の添加液Bの作製において使用するアセチルアセトンを10g→0となくすこと、及びそれに伴い脱イオン水の量を8967g→8977gとすること以外は、実施例1と同一にしてCMP研磨剤を作製した。研磨剤のpHは6.8で、2次粒子径の中央値は280nmであった。
2 窒化珪素膜
3 酸化珪素膜
11 ウエハホルダ
12 リテーナ
13 半導体チップである基板
14 酸化珪素絶縁膜
15 研磨剤供給機構
16 酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含む研磨剤
17 研磨パッド
18 研磨定盤
Claims (5)
- 余分の酸化珪素膜を除くためのCMP研磨剤であって、
酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が0.1重量%以上10.0重量%以下であるCMP研磨剤。 - 錯形成剤がアセチルアセトンである請求項1又は2記載のCMP研磨剤。
- 水溶性高分子が水溶性陰イオン性界面活性剤及び水溶性非イオン性界面活性剤からなる群選ばれる少なくとも1種である請求項1から3に記載のいずれかのCMP研磨剤。
- 酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて、表面に錯形成した酸化セリウム粒子を介して基板表面を研磨し、余分の酸化珪素絶縁膜を除くことを特徴とする基板の研磨方法。
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