JP2012069946A - 非導電性ナノワイヤー及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー、製造方法及びそれを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により、有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する。この方法によれば微細な非導電性ナノワイヤーを効果的に得られる。また、この非導電性ナノワイヤーを用いれば、効果的にトランジスタを製造できる。この態様のトランジスタ２１は、ゲート電極２６、絶縁層２５、及びソース電極２２、ドレイン電極２３及び非導電性ナノワイヤー２４の順に搭載されている。
【選択図】図８
【解決手段】有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により、有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する。この方法によれば微細な非導電性ナノワイヤーを効果的に得られる。また、この非導電性ナノワイヤーを用いれば、効果的にトランジスタを製造できる。この態様のトランジスタ２１は、ゲート電極２６、絶縁層２５、及びソース電極２２、ドレイン電極２３及び非導電性ナノワイヤー２４の順に搭載されている。
【選択図】図８
Description
本発明は，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー，及びその製造方法などに関する。より詳しくは，電解結晶成長法を非導電性ナノワイヤーの製造に応用した，微小な有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー，その製造方法及びそれを利用したトランジスタなどに関する。
単結晶を成長させる方法として，液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法，分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法，化学輸送（ＣＶＴ）法，化学気相成長（ＣＶＤ）法など数多くの方法が提案されている。これらの方法を用いることにより比較的大きな単結晶又は薄膜を得ることができる。また，電気分解反応を利用した結晶育成法である電解法によって結晶を育成する方法が知られている（例えば，実験化学講座１２物質の機能性第４版第４０ページから第４５ページ丸善発行）。また，電解法によって目に見える大きさのモット絶縁体が得られることこれまでに知られていた（例えば，「有機導電体の化学」斎藤軍治著丸善発行１４９ページなど）。
また，特開平６−３２１６８６号公報には，金属有機酸塩と炭素クラスターを溶解した有機溶媒中で，電解法によりカソード側で当該化合物の単結晶を成長させることを特徴とする，金属原子をドープした炭素クラスター化合物の製造方法が記載されている。
分子ナノワイヤーを製造する場合には，超高真空中での分子蒸着法や分子ビーム法を用いて製造することが知られていた。また，デンドリマーや閉殻分子を並べて分子ナノワイヤーを製造する方法やカーボンナノチューブを製造する方法が知られていた。
本発明者らは，導電性ナノワイヤーの新規な製造方法を開発した。そして，その製造方法により製造した有機化合物を用いた新規導電性ナノワイヤーは，下記特許文献１（ＷＯ０３／０７６３３２号公報）に開示されている。この導電性ナノワイヤーは，比較的高い導電性を有するものであった。
しかしながら，従来の単結晶の製造方法は，できるだけ大きな結晶を得ることを目的とするもので，ナノスケールの結晶を得るものではない。ましてや，非導電性ナノワイヤーを得ようとするものではないので，非導電性ナノワイヤーを得ようとする動機付けがなかった。また，従来の超高真空中での分子蒸着法や分子ビーム法などでは，モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造することはできなかった。さらに非導電性ナノワイヤーを用いたトランジスタを得ようとする動機付けもなかった。また，ＷＯ０３／０７６３３２号公報には，導電性ナノワイヤーの製造装置および製造方法が記載されているが，非導電性ナノワイヤーに関する製造方法は記載されていない。ましてや，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する方法は開示されていない。
そこで，本発明は，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー，その製造方法，及びその非導電性ナノワイヤーを用いたトランジスタを提供することを目的とする。
本発明は，基本的には，有機モット（Ｍｏｔｔ）絶縁体となる原料を用いれば，電極の形状や印加する電圧など所定の条件を満たした電解法により，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造できるという知見に基づくものである。この方法によれば微細な有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを効果的に得られるという知見に基づくものである。また，導電性ナノワイヤーによって作製されたトランジスタは，ゲート電圧を印加しない状態でＯＮの状態になるため，電力消費の面で問題があるが，本発明による非導電性ナノワイヤーを用いたトランジスタは，ゲート電極に電圧を印加しない常態でＯＦＦとなるため，好適なトランジスタ特性を有するトランジスタを提供できる。
１．非導電性ナノワイヤー 本発明の非導電性ナノワイヤー（単にナノワイヤーともよぶ）は，幅が構成分子１個分〜１μｍであり，長さが１ｎｍ〜５００μｍであり，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーである。すなわち，本発明の非導電性ナノワイヤーは，構成分子にフタロシアニンなどの有機物を含むが，導電性に乏しい非導電性ナノワイヤーである。ナノワイヤーの幅が，均一でない場合，たとえば，その最大幅をナノワイヤーの幅とすればよい。本明細書においてナノワイヤーとは，分子が規則的に整列した，幅分子１個分〜１μｍ，長さ分子２個分以上（たとえば，長さが１ｎｍ〜５００μｍ）の線状，湾曲したワイヤー状，ブロック状などの形状をした物質のことを指す。なお，本明細書において，非導電性ナノワイヤーとは，非導電性ナノワイヤー単独，又は複数のナノワイヤーの集合体（束状集合晶のような状態）のもの，又は電極間に存在するナノワイヤー全体を意味する。
非導電性ナノワイヤーとして，針状結晶があげられる。具体的には，幅が構成分子１個分〜１μｍのものや，１００ｎｍ〜１μｍ又は１ｎｍ〜２００ｎｍのものがあげられ，１０ｎｍ〜２００ｎｍであればより好ましい。比較的長いナノワイヤーであれば，単独で電極間を連結できるので好ましい。ただし，後述するように，短いナノワイヤーが複数連結して電極間を連結してもよい。ナノワイヤーの長さとして構成分子１個〜５００μｍ，又は１ｎｍ〜５００μｍがあげられるが， １０ｎｍ〜５０μｍでもよく，１０ｎｍ〜５μｍでもよく，１００ｎｍ〜５００ｎｍでもよい。針状結晶であるナノワイヤーの長さとして，１０ｎｍ〜１００μｍ，又は５０ｎｍ〜５００ｎｍがあげられる。本発明の非導電性ナノワイヤーとして，長軸ｌと短軸ｓの比（ｌ／ｓ）が，１以上であれば好ましく，２以上１００以下，５以上３０以下などがより好ましい。
非導電性ナノワイヤーのうち，直径（幅）が１ｎｍ〜１００ｎｍ，長さが１０ｎｍ〜１００μｍのものが６０％重量以上であることが好ましく，８０％重量以上であれば更に好ましく，９０％重量以上であればより好ましく，９５重量％以上であれば更に好ましく，９９重量％以上であれば特に好ましい。このような割合の非導電性ナノワイヤーを製造するためには，微小電極間に交流電圧を印加することが好ましい。
非導電性ナノワイヤーとして，非導電性ナノワイヤーを構成する分子が１列〜１００列規則正しく並んだ単位が繰り返され非導電性ナノワイヤーを構成しているものが好ましく，分子が１列〜５０列であればより好ましく，分子が１列〜２０列であれば更に好ましく，分子が１，２，３，４，または５列であってもよい。針状結晶の非導電性ナノワイヤーは，直線状でもよいし，ある程度湾曲したワイヤー状のものでもよい。なお，非導電性ナノワイヤーとしては，単結晶であることが好ましいが，不純物を含んでいてもよい。非導電性ナノワイヤーの形状としては，線状，柱状，円柱状，ブロック状があげられる，分子が規則的又は不規則に整列したものであれば特に限定されるものではない。非導電性ナノワイヤーは，基板上に成長したものが好ましく，電極上，電極周囲に成長することがより好ましく，電極間，とくにギャップ部間に成長したものが特に好ましい。
非導電性ナノワイヤーの伝導度は，要求される非導電性ナノワイヤーなどに応じて制御すればよいが，本発明では基本的には有機モット絶縁体を用いるため，一般的には，１Ｓ・ｃｍ−１以下のものとなる。非導電性ナノワイヤーの伝導度として，１Ｓ・ｃｍ−１以下があげられ，１ｘ１０−１０Ｓ・ｃｍ−１以上１Ｓ・ｃｍ−１以下でもよく，１ｘ１０−８Ｓ・ｃｍ−１以上１ｘ１０−２Ｓ・ｃｍ−１以下でもよく，１ｘ１０−５Ｓ・ｃｍ−１以上１ｘ１０−３Ｓ・ｃｍ−１以下でもよい。非導電性ナノワイヤーとして，非導電性ナノワイヤー自体がモット特性を有するものが好ましい。
なお，伝導度は，公知の方法により測定すればよい。たとえば，非導電性ナノワイヤーは，２つの電極間を接続するので，その状態で電極間に存在する非導電性ナノワイヤーの伝導度を測定すればよい。
非導電性ナノワイヤーの原料は，基本的には有機モット絶縁体となる原料であればよい。具体例としてＴＴＦ誘導体，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ誘導体，非導電性ナノワイヤーとして，有機化合物の結晶を含むものがあげられる。そして，有機化合物の結晶として，有機化合物錯体の単結晶又は有機化合物の単結晶からなるものがあげられる。有機化合物の結晶として，Ｋ・ＴＣＮＱ，Ｒｂ・ＴＣＮＱ，ＴＭＰＤ・ＴＣＮＱ，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ・ＴＣＮＱ，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ・Ｆ２ＴＣＮＱ，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ２ＡｕＣｌ２，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ２ＢｒＩＣｌ，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ２ＩＣｌ２，ＢＥＤＴ−ＴＴＦ２Ｃｕ２（ＣＮ）３，又は［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカル結晶（Ｍはメタル（金属）を示し，Ｌは軸配位子を示し，Ｐｃはフタロシアニンを示す。）のような有機化合物錯体の結晶又は単結晶があげられる。式中のＭとして，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｖがあげられ，好ましくはコバルト（Ｃｏ），銅（Ｃｕ）である。Ｌとして，ＣＮ，Ｃｌ，Ｏ，ＯＨ，ＮＨ３があげら
れ，好ましくはＣＮ又はＣｌである。なお，ＴＣＮＱは，７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）の略であり，ＴＭＰＤは，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルパラフェニレンジアミン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）の略であり，ＴＴＦはテトラチアフルバレン（ｔｅｔｒａｔｈｉｏｆｕｌｖａｌｅｎｅ）の略である。
れ，好ましくはＣＮ又はＣｌである。なお，ＴＣＮＱは，７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）の略であり，ＴＭＰＤは，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルパラフェニレンジアミン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）の略であり，ＴＴＦはテトラチアフルバレン（ｔｅｔｒａｔｈｉｏｆｕｌｖａｌｅｎｅ）の略である。
［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカル結晶の具体例として，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨ３ＯＨ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨＢｒ３結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨ２Ｃｌ２結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨＣｌ３結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ＣＨ３ＣＮ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２（ＣＨ３）２ＳＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２Ｈ２Ｏ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）Ｃｌ２］・２（ＣＨ３）２ＣＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ ２（ＣＨ３）２ＣＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ結晶，又は［Ｃｏ（Ｐｃ）Ｃｌ２］・ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ結晶があげられる。
２．非導電性ナノワイヤーの製造方法 本発明の非導電性ナノワイヤーの製造方法は，基本的には，有機モット絶縁体の原料を含む電解液を用い，最も近接した部位の間隔が１ｎｍ〜１００μｍである２本の電極から最大電位差を１０ｍＶ〜２０Ｖとする直流電圧または交流電圧のいずれかまたは両方を前記２本の電極に印加することにより非導電性ナノワイヤーを製造する工程を含む，非導電性ナノワイヤーの製造方法である。特に，交流電圧を前記２本の電極に印加することにより，前記２本の電極間に幅が１ｎｍ〜１μｍであり，長さが１ｎｍ〜５００μｍである非導電性ナノワイヤーを選択的に成長させることができる。従来の超高真空中での分子蒸着法や分子ビーム法などでは，モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造することはできなかった。しかしながら，本発明では，閉殻分子のＨＯＭＯから１分子につき１個電子が抜き取られ，ナノワイヤーの全部がＳＯＭＯとなった状態を作り出すことができ，有機モット絶縁体ナノワイヤーを作製することができる。本発明では，電気分解によってＳＯＭＯとなった分子が，電荷共鳴や電荷移動相互作用によって自己組織化し，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを成長させることができるのである。
２．１．電解装置 図１は，本発明の非導電性ナノワイヤーを製造するための電解装置の概略図である。本発明の電解装置は，２本の電極（４）と，電解セル（１）とを有する。また，前記２本の電極に印加する電圧を制御するための図示しない電圧制御装置，及び／または前記２本の電極に供給する電流を制御するための図示しない電流制御装置を有していてもよい。本発明の電解装置は，電解セルに非導電性ナノワイヤーを構成する分子を含む電解液を保持させ，電解液と前記２本の電極とが接触した状態で前記２本の電極に電圧を印加する（または，電流を供給する）ことにより非導電性ナノワイヤーを製造する。
なお，電解装置は，電極の電位を測定するための参照電極や電位測定装置，ＦＥＴとして機能させるためのゲート電極，制御用コンピュータを更に具備してもよい。電解セル（１）は，電解液（溶液）を保持する電解液保持部と，基板を差し込む基板差し込み部とを具備する。
図２は，電解セルの基板差し込み部を示す概念図である。図２ａは，基板差し込み部の周辺に絶縁物が設けられたものを示し，図２ｂは，銅線（２）が金線などの導線（７）により基板と接続されるものを示す。なお，図２ｂでは，接続部が銀ペーストなどの導電性ペーストにより接続されている。電解セルの基板差し込み部は，たとえば，図２ａに示されるように，例えば粘土状の絶縁物（６）を盛っておくことが好ましい。これは基板を保持するのと同時に電極を保護する役割を持つ。このような絶縁物としては，パテが好ましい。
本発明の基板は，少なくとも２本の電極をその上に搭載できるものであることが好ましい。基板の材質としては，ガラス基板や，シリコン基板，プラスチック基板などがあげられるが，フォトリソグラフィーや電子線リソグラフィーの基板として適するものであれば特に限定されるものではない。基板の形状としては，直方体が好ましい。基板の長さとしては，０．１ｍｍから１０ｃｍが好ましく，１ｍｍから５ｃｍであればより好ましく，１ｃｍから４ｃｍであればさらに好ましく，２ｃｍから３ｃｍであれば特に好ましい。基板は，不純物を含まないように洗浄された後用いられることが好ましい。
本発明における電極としては，基板上に設けられ，対向する（又は平行に並べられた）２本の電極を含むものが好ましい。図３は，対向する２本の電極の一部は絶縁物に覆われた絶縁部分を有する電極を示す概略図である。図３ａは，正面図，図３ｂは，断面図を示す。図４は，電極の面のうち，互いの電極にもっとも近い面以外の面を絶縁部分とする電極を示す概略図である。図４ａは，正面図，図４ｂは，断面図を示す。図５は，対向する突起部を有する電極を示す。図５ａは，正面図，図５ｂは，断面図を示す。図５の電極は，対向する突起部以外の部分を絶縁部分とするものが好ましい。このような絶縁部分を設けることで，非導電性ナノワイヤーが成長する部分を選択することができる。
また，図３ａ，図３ｂに示すように基板上（５）に設けられたゲート電極（１６）と，ゲート電極を被覆する絶縁層（１５）上に設けられた対向する２本の電極（４）とを含むものは，ナノワイヤーで電極を連結した後，ＦＥＴ電界効果トランジスタなどとして機能し得るため好ましい。
基板上に設けられる電極の材質としては，金，白金，銅，グラファイトなど導電性の材質のものがあげられ，これらのうちでは，白金が好ましいが，リソグラフィーに適したものであれば特に限定されるものではない。
電極は，基板上に少なくとも２本以上形成されることが好ましい。なお，電解セルが，電極のうち１本の役割を果たす電極であってもよい。また，ゲート電極や，参照電極がさらに設けられていてもよいし，電解液等の物性を測定するための電極がさらに設けられてもよい。
図６は，２つの電極の形状を示す概略図である。図６ａは，２つの電極が，その先端に，もう一方の電極方向へ電極が曲げる（対向する）突起部を有する電極のものを示す概略図である。図６ｂは，２つの電極が対向している（平行に並ぶ）ものの概略図である。図６ｃは，２つの電極が，それぞれの電極の途中に，もう一方の電極方向へ向けた（対向する）突起部を有するものを示す概略図である。電極として，図６ａ，図６ｂ，及び図６ｃに記載したものなどを適宜利用できるが，図６ａ又は図６ｃのような形状の電極が好ましい。このような形状であれば，対向する突起部間に効果的に非導電性ナノワイヤーを生成できるからである。さらに，対向する突起部（又はその先端部）以外を絶縁体で覆うものが好ましい。そのようにすれば，ナノワイヤーが成長する部分を制御することができることとなる。
電極の間隔（１１）としては，１ｎｍ〜１００μｍが好ましく，１ｎｍ〜１μｍであればより好ましく，１ｎｍ〜２００ｎｍであればさらに好ましいが，希望するナノワイヤーの長さに適するものであれば特に限定されるものではない。電極の幅としては，０．５ｎｍ〜１ｃｍが好ましく，０．５ｎｍ〜２００ｎｍあるいは１ｍｍ〜３ｍｍであればより好ましい。電極の長さとしては，１ｎｍ〜２５ｍｍが好ましい。
図７は，電極の対向する突起部の形状を説明するための概念図である。図７ａは，前記２本の対向する突起部の先端部が，互いに平行のものを示す図である。図７ｂは，対向する突起部が先細形状となるものを示す図である。図７ｃは，対向する突起部の先端が階段状に狭くなるものの例を示す図である。また，突起部の形状として，図７ａ，図７ｂ，及び図７ｃに記載したものがあげられるが，それらの突起部にさらに複数の細い突起部を有するくし状の先端部を有するものであってもよい。
電極は電解液に浸っていることが好ましく，電極の体積の２０％以上が浸っている場合が好ましく，５０％以上が浸っている場合は更に好ましく，８０％以上が浸っている場合は特に好ましい。また，電極間に電解液を滴下して基板上で電気分解を行うことも好ましい。
本発明においては，電極が基板上に形成されることが好ましい。電極を基板上に形成する方法としては，マスク蒸着法，フォトリソグラフィー法，および電子線リソグラフィー法およびこれらの方法を組合せた方法があげられるが，これらに限定されるものではない。
マスク蒸着法では，電極となるべき形状をくりぬいたマスクを基板にかぶせ，その上から金属膜を蒸着する。その後にマスクを基板から除去する。このようにして電極部分だけに金属膜が蒸着され，微小電極を作成することができる。
フォトリソグラフィー法による電極作成では，基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程と，金属膜形成工程で蒸着された金属膜の上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と，レジスト層形成工程により形成されたレジスト層を所望のパターンに感光させる感光工程と，感光させたレジスト層を現像する現像工程と，現像により残ったレジスト層をマスクとして，金属膜をエッチングするエッチング工程とを含む。レジスト層を形成するレジストとしては，いわゆるフォトレジストであれば特に限定されるものではない。
電子線リソグラフィー法による電極作成では，基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程と，金属膜形成工程で蒸着された金属膜の上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と，レジスト層形成工程により形成されたレジスト層を所望のパターンに電子線を照射する電子線照射工程と，電子線を照射したレジスト層を現像する現像工程と，現像により残ったレジスト層をマスクとして，金属膜をエッチングするエッチング工程とを含む。レジスト層を形成するレジストとしては，いわゆる電子線レジストであれば特に限定されるものではない。
２．２．電圧制御装置 電極に印加される電圧は，電極と連結した電圧制御装置により制御されることが好ましい。なお，電解セル中に参照電極があり，電極間の電位差を測定することができ，その測定結果に応じて電極に印加する電圧を制御することができることはより好ましい。電圧制御装置とともに，または電圧制御装置に変えて電極に供給する電流を制御する電流制御装置であってもよい。
２．３．電解液 本発明の非導電性ナノワイヤーの製造方法においては，電解装置を用いて行うことが好ましい。非導電性ナノワイヤーを製造する際には，有機モット絶縁体の原料を含む溶液（電解液）を用いることが好ましい。非導電性ナノワイヤーとなる物質を溶解させた電解液に電圧を印加する電解法により非導電性ナノワイヤーを製造できる。
有機モット絶縁体の原料を含む電解液における，有機モット絶縁体の原料は，対象となる有機モット絶縁体結晶の構成分子を含む原料があげられる。有機モット絶縁体の原料として，［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］（Ｍはメタル（金属）を示し，Ｌは軸配位子を示し，Ｐｃはフタロシアニンを示す。）の塩（カリウム塩，ナトリウム塩など）があげられる。Ｍとして，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｖがあげられる。Ｌとして，ＣＮ，Ｃｌ，Ｏ，ＯＨ，ＮＨ３があげられる。
非導電性ナノワイヤーとなる物質を溶解する溶媒としては，水又は有機溶剤があげられ，これらの中でも，メタノール，エタノール，プロパノールをはじめとするアルコール類；クロロメタン，ジクロロメタン，トリクロロエタン，ブロモメタン，ジブロモメタン，トリブロモメタン，テトラクロロプロパンなどのハロゲン化アルカン；アセトニトリル，アセトン，ベンゼン，ハロゲン化ベンゼン，１−クロロナフタレン，ジメチルスルホキシド，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，テトラヒドロフラン，ニトロベンゼン，ピリジンなどが好ましく，ジメチルスルホキシド，アセトニトリル，アセトン，エタノール，メタノールがより好ましく，ジクロロメタン，メタノールが更に好ましい。これらは１種又は２種以上を適宜混合して用いもよい。水又は有機溶剤の割合としては，例えば，非導電性ナノワイヤーとなる物質を飽和させたものがあげられるが，特に限定されるものではない。なお，この溶媒は，有機モット絶縁体を構成する原料となるものであってもよい。非導電性ナノワイヤーが［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカルであるときの溶媒は，水又は有機溶剤が好ましく，水，アルコール類，アセトン，アセトニトリル，クラウンエーテルのベンゾニトリル溶液，ジメチルスルホキシド，Ｎ，Ｎ？ジメチルホルムアミド，クロロホルム，ブロモホルム，ジクロロメタン，及びこれら２種以上の混合溶媒がより好ましく，アセトン，アセトニトリル，エタノール，メタノール，ジクロロメタン，ジベンゾ１８−クラウン−６の過剰ベンゾニトリル溶液，ブロモホルムとアセトニトリルの混合溶媒，ブロモホルムとアセトンの混合溶媒，クロロホルムとアセトニトリルの混合溶媒，ジメチルスルホキシド，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが特に好ましい。このような原材料と溶媒の組み合わせを用いることで，効果的に非導電性ナノワイヤーを得ることができる。
２．４．製造工程 本発明の非導電性ナノワイヤーの製造方法は，基本的には，上記電解セルに電解液を入れ，電極に電圧を印加するか，電流を流すことにより非導電性ナノワイヤーを製造するものである。電極に流される電流としては，直流電流でも交流電流でもよい。電極に流される電流としては，１ｎＡ〜１ｍＡが好ましく，１００ｎＡ〜１０μＡであればより好ましい。電極間の電位差としては，１０ｍＶ〜２０Ｖが好ましく，０．１Ｖ〜５Ｖであればより好ましく，０．１Ｖ〜３Ｖであれば特に好ましい。印加する電圧は，交流電圧が好ましく，周波数１ｍＨｚ〜１ｋＨｚが好ましく，５００ｍＨｚ〜１０Ｈｚがより好ましい。また，交流電圧の場合には，波形は正弦波，方形波，ノコギリ波などがあげられるが，正弦波，方形波が好ましく，方形波が特に好ましい。交流電圧の振幅として，１０ｍＶ〜２０Ｖが好ましく，１００ｍＶ〜５Ｖであればより好ましく，０．１Ｖ〜３Ｖが特に好ましい。電圧を印加する時間としては，例えば１０日以下があげられ，０．０１秒から１０日が好ましく，１秒から２日であればより好ましいが，得ようとする非導電性ナノワイヤーの大きさ，種類，印加する電圧，印加される電圧などにより適当な時間とすればよく，１分〜１０時間，又は１０分〜１時間であってもよい。電解液の温度として，−３０°Ｃ〜２００°Ｃが好ましく，−３０°Ｃ〜１２０°Ｃであればより好ましく，１５°Ｃ〜３０°Ｃであれば特に好ましいが，電解液が沸騰あるいは凝固していなければ特に限定されない。
３．トランジスタ 図面を用いて本発明のトランジスタを具体的に説明する。図８は，本発明のトランジスタの概略構成図である。図８（Ａ）は，本発明の第１の実施形態に係るトランジスタの正面図である。図８（Ｂ）は，図８（Ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図８（Ｂ）に示されるように，この態様のトランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３間が非導電性ナノワイヤー２４で連結されるトランジスタである。そして，トランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３と，ゲート電極２６との間に，絶縁層２５を具備する構造を有している。なお，この態様のトランジスタは，ゲート電極２６；絶縁層２５；及びソース電極２２，ドレイン電極２３及び非導電性ナノワイヤー２４の順に搭載されている。
この態様のトランジスタは，図８（Ｂ）に示されるように，ゲート電極２６の幅と絶縁層２５の幅がほぼ同じ幅とされている。このようなトランジスタであれば，ゲート電極と絶縁層が一体となったものを基板として用い，電解によりソース電極及びドレイン電極間を非導電性ナノワイヤーで連結することにより，製造できるので好ましい。
図９は，別の実施形態に係る本発明のトランジスタの概略構成図である。図９（Ａ）は，本発明の第２の実施形態に係るトランジスタの正面図である。図９（Ｂ）は，図９（Ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図９（Ｂ）に示されるように，この態様のトランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３間が非導電性ナノワイヤー２４で連結されるトランジスタである。そして，トランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３が，絶縁層２５を介して，ゲート電極２６を具備する構造を有している。この態様のトランジスタは，ゲート電極２６が絶縁層２５に埋もれており，ゲート電極の少なくとも二面以上が絶縁層で覆われている。また，ゲート電極２６の幅は，ソース電極２２及びドレイン電極２３の最外部間よりも狭く構成されている。すなわち，ゲート電極２６が，ソース電極２２及びドレイン電極２３の下部に存在しているが，ゲート電極２６は，ソース電極２２及びドレイン電極２３をはみ出さないようにされている。なお，図９（Ｂ）では，トランジスタが基板７上に形成されているが，基板は任意の要素であり，なくても構わない。
図１０は，別の実施形態に係る本発明のトランジスタの概略構成図である。図１０（Ａ）は，本発明の第３の実施形態に係るトランジスタの正面図である。図１０（Ｂ）は，図１０（Ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図１０（Ｂ）に示されるように，この態様のトランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３間が非導電性ナノワイヤー２４で連結されるトランジスタである。そして，トランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３が，絶縁層２５を介して，ゲート電極２６を具備する構造を有している。この態様のトランジスタは，ソース電極２２，ドレイン電極及びゲート電極２６が絶縁層２５に埋もれており，ゲート電極の少なくとも二面以上が絶縁層で覆われている。また，ゲート電極の幅は，ソース電極及びドレイン電極をあわせた部分の幅よりも狭く構成されている。なお，図１０（Ｂ）では，トランジスタが基板７上に形成されているが，基板は任意の要素であり，なくても構わない。
図１１は，上記とは別の実施形態に係る本発明のトランジスタの概略構成図である。図１１（Ａ）は，本発明の第４の実施形態に係るトランジスタの正面図である。図１１（Ｂ）は，図１１（Ａ）のＡ−Ｂ断面図である。図１１（Ｂ）に示されるように，この態様のトランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２３間が非導電性ナノワイヤー２４で連結されるトランジスタである。そして，トランジスタ２１は，ソース電極２２及びドレイン電極２２が，絶縁層２５を介して，ゲート電極２６を具備する構造を有している。この態様のトランジスタは，ゲート電極２６および絶縁層２５は非導電性ナノワイヤー２４の上を覆っている。また，ゲート電極の幅は，ソース電極及びドレイン電極をあわせた部分の幅と同じか，それよりも狭く構成されている。なお，図１１（Ｂ）では，トランジスタが基板２７上に形成されているが，基板は任意の要素であり，なくても構わない。
トランジスタを構成するソース電極，ゲート電極，ドレイン電極の材質は同じでも異なっても構わない。これらの電極の材質として，金，白金，銅，グラファイトなど導電性の材質のものがあげられ，これらのうちでは，金，または白金がより好ましいが，特に限定されるものではない。
ソース電極２２，及びドレイン電極２３は，図８〜図１１に示されるように，対向する２本の電極として構成されるものが好ましい。対向する２本の電極の一部が絶縁層で覆われたものや，互いの電極にもっとも近い面以外の面を絶縁層で覆うものであってもよい。そして，図８（Ａ）及び図９（Ａ）に示されるように，ソース電極とドレイン電極は，その途中又は先端部に，もう一方の電極方向へ向けた突起部（凸部）を有するものが好ましい。図１２は，ソース電極２２及びドレイン電極２３の突起部の例を示す図である。図１２（Ａ）は，先端部が互いに平行なものを示し，図１２（Ｂ）は，突起部の先端部が先に行くほど細くなる形状を有するものを示し，図１２（Ｃ）は，突起部の先端部が先に行くほど細くなる階段形状を有するものを示し，図１２（Ｄ）は，先端部に複数のくし状突起を有する形状のものを示す。そして，図中２４ａは，ソース電極２２及びドレイン電極２３を連結する非導電性ナノワイヤーを示し，２４ｂは成長が足りずソース電極２２及びドレイン電極２３間を連結できなかったものを示す。これらの突起部の中では，図１２（Ｂ）〜図１２（Ｄ）の突起部が好ましく，図１２（Ｄ）の突起部が特に好ましい。図１２（Ａ）の突起部では，平行する電極面全体から結晶が成長するので，結晶の成長が足りずソース電極２２及びドレイン電極２３間を連結できないか，トランジスタの特性を制御しにくいものが多くなる。一方，図１２（Ｂ）や図１２（Ｃ）の突起部では，幅が狭くなっている部分から結晶が成長するので，効果的にソース電極２２及びドレイン電極２３間を連結できる。一方，図１２（Ｄ）の突起部では，複数本，好ましくは２本〜１０本，より好ましくは３本〜７本のくし状突起部を有するので，いずれかのくし部から成長する結晶が十分に成長しなくても，ソース電極２２及びドレイン電極２３間を連結できることとなる。この複数の突起部は，たとえば図１２（Ｄ）に示されるように同じ長さの突起を並列に設けたものでもよいし，長さの異なる突起を並列に設けたものでもよい。なお，ナノワイヤーは，複数の突起部の先端から成長し，電極間を連結するものが好ましい。複数の突起間の間隔は，図１２（Ｄ）に示されるように等間隔のものがあげられるが，中央に近づくほど間隔が狭くなるようにしてもよい。さらに図１２（Ｂ）や図１２（Ｃ）のような先端部に複数の突起を設けたものであってもよい。電極の幅としては，０．５ｎｍ〜１ｃｍが好ましく，０．５ｎｍ〜２００ｎｍあるいは１ｍｍ〜３ｍｍであればより好ましい。電極の長さとしては，１ｎｍ〜２５ｍｍが好ましい。
ソース電極及びドレイン電極の間隔（最も近接した部分の距離）としては，１ｎｍ〜１００μｍがあげられ，１ｎｍ〜１μｍであればより好ましく，１ｎｍ〜２００ｎｍであればさらに好ましいが，希望するナノワイヤーの長さに適するものであれば特に限定されるものではない。この間隔は，ナノワイヤーの物性などに応じて適宜調整すればよい。
ソース電極及びドレイン電極の間には，ナノワイヤーが存在し，ソース電極及びドレイン電極を連結する。ソース電極及びドレイン電極の間に，ひとつのナノワイヤーのみが存在するものでもよいし，複数のナノワイヤーが存在してもよい。また，いくつかのナノワイヤーが単独でソース電極及びドレイン電極の間を連結してもよいし，複数のナノワイヤーが連結した状態でソース電極及びドレイン電極を連結してもよい。
絶縁層としては，二酸化ケイ素膜，金属酸化物の膜など公知の絶縁層があげられる。絶縁層の厚さとして，０．１ｎｍ〜５ｍｍがあげられる。
これらのトランジスタは，ゲート電極に電圧を印加しない状態では，通常ＯＮの状態となり，ソース電極２２及びドレイン電極２３間に電圧を印加すると電流が流れるが，閾値以上の電圧をゲート電極に印加するとＯＦＦの状態となり，ソース電極２２及びドレイン電極２３間に電圧を印加しても電流が流れなくな
る。
る。
本発明のトランジスタは，基本的にはＷＯ０３／０７６３３２号公報に開示された方法に従って製造すればよい。具体的には，上記した電解装置で電解を行うことにより電極間に非導電性ナノワイヤーを成長させ，電極間を連結し，これによりトランジスタを製造できる。
〔製造例１：電解セルの製造〕 市販されている試薬瓶を用いて図１で表される電解セルを製造した。図２ｂに表されるように，銅線と電極の上部とを金線で結んだ。電解液保持部は，試薬瓶の導体部分を用い，基板差し込み部は試薬瓶のキャップ部分を改造して用いた。基板差し込み部にはパテを盛った。試薬瓶の直径は，２３ｍｍであった。
〔製造例２：２０μｍ間隔の電極の製造〕 非導電性ナノワイヤー成長法に用いる電極をガラス基板上に製造した。２５×１０ｍｍのガラス基板を用意し，基板上に白金を蒸着した。フォトレジスト剤Ｓ１８１８（シプレイ・ファーイースト（株）製）を白金を蒸着した基板上にスピンコート塗布した。スピンコーターの回転数は，５０００ｒｐｍで，９０秒間回転塗布を行った。１１０℃で２分間乾燥して塗膜を形成した。フォトレジスト剤を塗布した基板に電極の形のマスクを通して，水銀灯光源のマスクアライナーを用いて露光した。ＭｉｃｒｏＰｏｓｉｔ ＤｅｖｅｌｏＰｅｒ ＭＦ３１９（シプレイ・ファーイースト（株）製）を用いて６０秒間現像を行った。この際，非露光部分は完全に溶解した。ついで純水を用いて洗浄を行った。その後，ドライエッチング装置（サムコ 株式会社ＲＩＥ−１０ＮＲ）を用いてエッチングを行った。その後，剥離液に浸し，マスクを基板から除去した。このようにして，酸化膜付きシリコン基板上に白金電極を形成した。それぞれの電極の幅は，１ｍｍ，それぞれの電極の長さは，２．０ｃｍ〜２．３ｃｍ，電極の間隔は２０μｍであった。
〔製造例３：２０μｍ間隔の電極の製造〕 非導電性ナノワイヤー成長法に用いる電極を酸化膜付きシリコン基板上に製造した。３０×１０ｍｍの酸化膜付きシリコン基板を用意し，基板上に白金を蒸着した。フォトレジスト剤Ｓ１８１８（シプレイ・ファーイースト（株）製）を白金を蒸着した基板上にスピンコート塗布した。スピンコーターの回転数は，５０００ｒｐｍで，９０秒間回転塗布を行った。１１０℃で２分間乾燥して塗膜を形成した。フォトレジスト剤を塗布した基板に電極の形のマスクを通して，水銀灯光源のマスクアライナーを用いて露光した。ＭｉｃｒｏＰｏｓｉｔ ＤｅｖｅｌｏＰｅｒ ＭＦ３１９（シプレイ・ファーイースト（株）製）を用いて６０秒間現像を行った。この際，非露光部分は完全に溶解した。ついで純水を用いて洗浄を行った。その後，ドライエッチング装置（サムコ 株式会社ＲＩＥ−１０ＮＲ）を用いてエッチングを行った。その後，剥離液に浸し，マスクを基板から除去した。このようにして，酸化膜付きシリコン基板上に白金電極を形成した。それぞれの電極の幅は，１ｍｍ，それぞれの電極の長さは，２．０ｃｍ〜２．３ｃｍ，電極の間隔は２０μｍであった。
〔製造例４：ナノ間隔電極の製造〕 非導電性ナノワイヤーの製造方法に用いる電極を酸化膜付きシリコン基板上に製造した。３０×１０ｍｍの酸化膜付きシリコン基板を用意し，電子線レジストとしてＺＥＰ５２Ａ（日本ゼオン（株）製）を，スピンコーターを用いて塗布した。乾燥後，電子線リソグラフィ装置ＥＬＳ−７７００（エリオニクス）で先端部分を露光した。露光後，電子線レジストの現像処理を行った。現像後，スパッタ装置でチタンを５ｎｍ蒸着後，金を１００ｎｍ蒸着した。電子線レジストを剥離後，フォトレジストＳ１８１８（シプレイ・ファーイースト（株）製）を塗布，乾燥後，露光，現像し，再度チタンを５ｎｍ蒸着後，金を１００ｎｍ蒸着した。剥離液に浸してフォトレジスト剤を剥離した。このようにして，電極を作成した。
容器にＫ・［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］５ｍｇ，メタノール１４ｍｌを加え溶解させたところ，溶け残りのある飽和電解液となった。この電解液をシリンジフィルター（孔径２００ｎｍ）を用いて濾過し，電解液保持部に加えた。基板差し込み部に製造例２の電極基板を挿入しパテを用いて電極基板を定位置に固定した。電極の上部と電解セルの銅線の間に金線を渡し，銀ペーストで固定した。基板保持部を電解液保持部と結合させた後，銅線に電源，およびデジタルマルチメータを接続した。電極に，２．５Ｖ，２．０ｋＨｚの交流電圧を掛け，２分間静置した。この際の溶解液の温度は，２３℃であった。このようにして得られた非導電性ナノワイヤーは，長さ１００ｎｍ〜１μｍ，幅は５０ｎｍ〜５００ｎｍの柱状であった。この際得られた，非導電性ナノワイヤーのＳＥＭ写真を図１３に示す。
電極基板を製造例３のものとし，電解期間を３分をとした以外は，実施例１と同様にして非導電性ナノワイヤーを得た。 このようにして得られた非導電性ナノワイヤーは，長さ５００ｎｍ〜２μｍ，幅５０ｎｍ〜２００ｎｍの柱状であった。この際得られた，非導電性ナノワイヤーのＳＥＭ写真を図１４に示す。
電解期間を１０分をとした以外は，実施例２と同様にして非導電性ナノワイヤーを得た。 このようにして得られた非導電性ナノワイヤーは，長さ３００μｍ〜５μｍ，幅５０ｎｍ〜３００ｎｍの針状であった。この際得られた，非導電性ナノワイヤーのＳＥＭ写真を図１５に示す。
印加交流電圧を３．０Ｖ，電解期間を５分とした以外は，実施例２と同様にして非導電性ナノワイヤーを得た。このようにして得られた非導電性ナノワイヤーは，長さ１００ｎｍ〜１μｍ，幅５０ｎｍ〜５００ｎｍの柱状であった。この際得られた，非導電性ナノワイヤーのＳＥＭ写真を図１６に示す。
電極基板を製造例４のものとし，電解期間を５分，印加電圧を２．５Ｖとした以外は，実施例１と同様にして非導電性ナノワイヤーを得た。 このようにして得られた非導電性ナノワイヤーは，長さ１００ｎｍ〜２μｍ，幅５０ｎｍ〜５００ｎｍの柱状であった。この際得られた，非導電性ナノワイヤーのＳＥＭ写真を図１７に示す。
１ 電解セル２ 銅線３ 基板差し込み部４ 電極５ 基板６ 絶縁物７ 金８ 銀ペースト１１ 間隔１２ 突起部
Claims (17)
- 幅が構成分子１ｎｍ〜１μｍであり， 長さが１ｎｍ〜５００μｍであり， 有機化合物の結晶を含む有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー。
- 伝導度が１Ｓ・ｃｍ−１以下である請求項１に記載の非導電性ナノワイヤー。
- 前記有機モット絶縁体が，有機化合物錯体の単結晶，又は有機化合物の単結晶からなる，請求項１に記載の非導電性ナノワイヤー。
- 前記有機化合物の結晶が，ｄｍｉｔ錯体類；若しくは，テトラチアフルバレン誘導体，ポルフィリン誘導体，フタロシアニン誘導体，又はこれらの錯体；により構成される請求項１に記載の非導電性ナノワイヤー。
- 前記有機モット絶縁体が，［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカル結晶（Ｍは金属を示し，Ｌは軸配位子を示し，Ｐｃはフタロシアニンを示す。）からなる請求項１に記載の非導電性ナノワイヤー。
- 前記［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカル結晶が，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨ３ＯＨ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨＢｒ３結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨ２Ｃｌ２結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨＣｌ３結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ＣＨ３ＣＮ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２（ＣＨ３）２ＳＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２Ｈ２Ｏ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）Ｃｌ２］・２（ＣＨ３）２ＣＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２（ＣＨ３）２ＣＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ結晶，又は［Ｃｏ（Ｐｃ）Ｃｌ２］・ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ結晶である請求項５に記載の非導電性ナノワイヤー。
- 有機モット絶縁体の原料を含む電解液を用い， 最も近接した部位の間隔が１ｎｍ〜１００μｍである２本の電極から最大電位差を１０ｍＶ〜２０Ｖとする直流電圧または交流電圧のいずれかまたは両方を前記２本の電極に印加することにより非導電性ナノワイヤーを製造する工程を含む， 有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーの製造方法。
- 交流電圧を前記２本の電極に印加することにより， 前記２本の電極間に幅が１ｎｍ〜１μｍであり，長さが１ｎｍ〜５００μｍである非導電性ナノワイヤーを製造する請求項７に記載の非導電性ナノワイヤーの製造方法。
- ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極を具備し， 前記ソース電極及びドレイン電極が，有機化合物の結晶を含む有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーで連結されるトランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極と，ゲート電極との間に，絶縁層を具備する請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極の最も近接した部位の距離が，１ｎｍ〜１００μｍである請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記非導電性ナノワイヤーの幅が１ｎｍ〜１μｍであり，長さが１ｎｍ〜５００μｍである，請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記非導電性ナノワイヤーの伝導度が１Ｓ・ｃｍ−１以下である請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極は，それぞれ突起部を有し， 前記突起部は，先端部に複数のくし状突起を有する請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記非導電性ナノワイヤーが，有機化合物錯体の単結晶又は有機化合物の単結晶からなる請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記有機化合物の結晶が，［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカル結晶（Ｍは金属を示し，Ｌは軸配位子を示し，Ｐｃはフタロシアニンを示す。）である請求項９に記載のトランジスタ。
- 前記［Ｍ（Ｐｃ）Ｌ２］中性ラジカル結晶が，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨ３ＯＨ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨＢｒ３結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨ２Ｃｌ２結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２ＣＨＣｌ３結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ＣＨ３ＣＮ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２（ＣＨ３）２ＳＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２Ｈ２Ｏ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）Ｃｌ２］・２（ＣＨ３）２ＣＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・２（ＣＨ３）２ＣＯ結晶，［Ｃｏ（Ｐｃ）（ＣＮ）２］・ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ結晶，又は［Ｃｏ（Ｐｃ）Ｃｌ２］・ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ結晶である請求項１６に記載のトランジスタ。
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