JP2012065293A - 振動片、振動片の製造方法、振動子、振動デバイスおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】製造が簡単で、周波数調整を簡単かつ高精度に行うことができる振動片、この振動片の製造方法を提供すること、また、この振動片を備える信頼性に優れた振動子、振動デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】振動片２は、基部２７と、基部２７からＹ軸方向に延出しＺ軸方向に屈曲振動する振動腕２８と、振動腕２８に設けられ、振動腕２８を屈曲振動させる圧電体素子２２と、振動腕２８の圧電体素子２２よりも先端側に設けられた質量部５１とを有している。また、圧電体素子２２は、少なくとも、第１の電極層２２２と、第２の電極層２２６と、これらの間に位置する圧電体層２２３とを有している。また、質量部５１は、少なくとも１つの膜部を有し、この膜部は、圧電体素子２２を構成する層のうちのいずれか１つの層と同じ材料で構成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、振動片、振動片の製造方法、振動子、振動デバイスおよび電子機器に関するものである。

水晶発振器等の振動デバイスとしては、複数の振動腕を備える音叉型の振動片を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
例えば、特許文献１に記載の振動片は、基部と、この基部から互いに平行となるように延出する３つの振動腕と、各振動腕上に下部電極膜、圧電体膜および上部電極膜がこの順で成膜されて構成された圧電体素子とを有する。このような振動片において、各圧電体素子は、下部電極膜と上部電極膜との間に電界が印加されることにより、圧電層を伸縮させ、振動腕を基部の厚さ方向（いわゆる面外方向）に屈曲振動させる。

このような振動片においては、一般に、振動腕の先端部上に金属膜を設け、この金属膜の一部をレーザー光の照射により除去して、振動腕の屈曲振動の周波数（共振周波数）の調整が行われる（例えば、特許文献２参照）。
例えば、特許文献２には、各振動腕が横方向（面内方向）に屈曲振動する振動片の周波数調整方法が開示されている。特許文献２に記載の周波数調整方法では、板状をなす振動腕の両板面上にそれぞれ同じパターンで周波数調整用の金属膜（錘部）が成膜されている。そして、レーザー光の照射により、振動腕の一方の板面上の金属膜の一部と他方の板面上の金属膜の一部とを同時に除去して粗調整を行い、その後、アルゴンイオンビームの照射により、金属腕の一方の板面上の金属膜の一部をさらに除去して微調整を行う。
特許文献１に記載の面外振動型の振動片に特許文献２に記載の金属膜（錘部）を適用することにより周波数調整を可能な構成とすることができる。しかしながら、このような場合には、特許文献１に記載の面外振動型の振動片に錘部材を設ける工程が増え、振動片の製造が煩雑化するという問題がある。

特開２００９−５０２２号公報 特開２００８−１６０８２４号公報

本発明の目的は、製造が簡単で、周波数調整を簡単かつ高精度に行うことができる振動片、この振動片の製造方法を提供すること、また、この振動片を備える信頼性に優れた振動子、振動デバイスおよび電子機器を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の振動片は、第１の方向と該第１の方向に直交する第２の方向とを含む平面上に設けられた基部と、
前記基部から前記第１の方向に延出し、前記平面の法線方向に屈曲振動する振動腕と、
前記振動腕に設けられ、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子と、
前記振動腕に設けられた質量部と、を有し、
前記圧電体素子は、少なくとも、第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に位置する圧電体層とを有し、
前記質量部は、少なくとも１つの膜部を有し、
前記膜部は、前記圧電体素子を構成する層のうちのいずれか１つの層と同じ材料で構成されたことを特徴とする。
これにより、質量部を圧電体素子と一括形成することができる。そのため、製造が簡単で、周波数調整を簡単かつ高精度に行うことができる振動片を提供することができる。

［適用例２］
本発明の振動片では、前記圧電体素子は、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に位置する絶縁体層を有したことが好ましい。
これにより、第１の電極層と第２の電極層との間をより確実に絶縁することができる。
［適用例３］
本発明の振動片では、前記圧電体素子は、前記振動腕と前記第１の電極層との間に位置する下地層を有したことが好ましい。
これにより、第１の電極層の振動腕からの剥離や、第２の電極層の絶縁体層からの剥離を防止または抑制することができる。

［適用例４］
本発明の振動片では、前記質量部の厚さは、前記圧電体素子の厚さ以下であることが好ましい。
これにより、質量部の重さ（質量）を、周波数調整をするのに不都合ない範囲で抑えることができる。したがって、周波数調整を簡単かつ高精度に行うことができると共に、振動腕を安定して屈曲振動させることができる。

［適用例５］
本発明の振動片では、前記質量部は、前記振動腕の先端側に設けられた先端側質量部と、前記先端側質量部よりも基端側に設けられた基端側質量部と、を有したことが好ましい。
これにより、先端側質量部を周波数の粗調整用として用い、基端側質量部を周波数の微調整用として用いることができる。そのため、振動片の周波数調整を簡単かつ高精度に行うことができる。

［適用例６］
本発明の振動片では、前記基端側質量部は、前記振動腕の基端から前記第１の方向の全長の１／２を超えた領域に設けられており、かつ、密度が２．２０（１０^３ｋｇ／ｍ^３）以上、８．９２（１０^３ｋｇ／ｍ^３）以下の材料で構成されたことが好ましい。
このような範囲内にある材料を用いて基端側質量部を形成することにより、振動片の周波数調整（微調整）を効率的に行うことができる。

［適用例７］
本発明の振動片では、前記先端側質量部は、密度が８．９２（１０^３ｋｇ／ｍ^３）より大きい材料で構成された部分を有したことが好ましい。
このような範囲内にある材料を用いて基端側質量部を形成することにより、振動片の周波数調整（粗調整）を効率的に行うことができる。

［適用例８］
本発明の振動片では、前記第１の電極層および前記第２の電極層は、異なる材料で構成されたことが好ましい。
これにより、質量部の構成材料の選択肢が増し、より適した質量の質量部を形成することができる。

［適用例９］
本発明の振動片では、前記振動腕は、前記平面に対し水平な第１面と、該第１面に対向する第２面と、を有し、
前記質量部は、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方の面上に設けられたことが好ましい。
圧電体素子が設けられている面（第１面）に設ける場合には、質量部の形成がより簡単となる。また、圧電体素子が設けられている面と反対側の面（第２面）に設ける場合には、質量部の一部を除去して周波数調整を行う際に、除去された屑が圧電体素子に付着するのを効果的に防止または抑制することができる。これにより、周波数調整をより高精度に行うことができるとともに、振動片の信頼性を維持することができる。また、第１面と第２面の両面に設ける場合には、一方の面に同じ質量の質量部を設ける場合と比較して、質量部の第１の方向における長さを抑えることができる。そのため、振動片の小型化を図ることができる。

［適用例１０］
本発明の振動片では、前記振動腕は、前記第２の方向に複数並んで設けられ、隣り合う２つの前記振動腕が互いに反対方向に屈曲振動することが好ましい。
これにより、互いに隣り合う２つの振動腕の漏れ振動を互いに相殺させることができる。その結果、振動漏れの少ない振動片を実現することができる。

［適用例１１］
本発明の振動片の製造方法は、第１の方向と該第１の方向に直交する第２の方向とを含む平面上に形成される基部と、
前記基部から前記第１の方向に延出し、前記平面の法線方向に屈曲振動する振動腕と、
前記振動腕に設けられ、少なくとも第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に位置する圧電体層とを有し、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子と、前記振動腕に設けられた質量部とを有する振動片の製造方法であって、
前記質量部は、前記圧電体素子と一括して形成されることを特徴とする。
これにより、質量部を圧電体素子と一括形成することができる、すなわち同時に作り込むことができるため、振動片の製造の簡易化（少工程化）を図ることができる。

［適用例１２］
本発明の振動子は、本発明の振動片と、
前記振動片を収納したパッケージと、を備えたことを特徴とする。
これにより、信頼性に優れた振動子を提供することができる。
［適用例１３］
本発明の振動デバイスは、本発明の振動片と、
前記振動片に接続された発振回路と、を備えたことを特徴とする。
これにより、信頼性に優れた発振器等の振動デバイスを提供することができる。
［適用例１４］
本発明の電子機器は、本発明の振動片を備えたことを特徴とする。
これにより、信頼性に優れた携帯電話、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ等の電子機器を提供することができる。

本発明の第１実施形態に係る振動子を示す断面図である。 図１に示す振動子を示す上面図である。 図１に示す振動子を示す下面図である。 （ａ）は、図２中のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は、図２中のＢ−Ｂ線断面図である。 図２に示す振動片の動作を説明するための斜視図である。 本発明の第２実施形態に係る質量部を説明するための断面図である。 本発明の第３実施形態に係る質量部を説明するための断面図である。 振動腕に形成された質量部の形成位置と周波数の関係を示すグラフである。 振動腕に形成する質量部の構成材料の密度と周波数が増減する境界位置の関係を示すグラフである。 先端側質量部および基端側質量部の構成の一例を示す図である。 本発明の振動片を備える電子機器（ノート型パーソナルコンピューター）である。 本発明の振動片を備える電子機器（携帯電話機）である。 本発明の振動片を備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。

以下、本発明の振動片、振動片の製造方法、振動子、振動デバイスおよび電子機器を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る振動子を示す断面図、図２は、図１に示す振動子を示す上面図、図３は、図１に示す振動子を示す下面図、図４は、（ａ）は、図２中のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は、図２中のＢ−Ｂ線断面図、図５は、図２に示す振動片の動作を説明するための斜視図である。

なお、各図では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示している。また、以下では、Ｙ軸に平行な方向（第１の方向）をＹ軸方向、Ｘ軸に平行な方向（第２の方向）を「Ｘ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（第１の方向と第２の方向とを含む平面の法線方向）をＺ軸方向と言う。また、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１では、説明の便宜上、振動基板２１上に形成された複数の圧電体素子や複数の配線層については、図示を省略している。
図１に示す振動子１は、振動片２と、この振動片２を収納するパッケージ３とを有する。

以下、振動子１を構成する各部を順次詳細に説明する。
１．振動片
まず、振動片２について説明する。
振動片２は、図２に示すような３脚音叉型の振動片である。この振動片２は、振動基板２１と、この振動基板２１上に設けられた圧電体素子２２、２３、２４および接続電極４１、４２と、質量部５１、５２、５３とを有している。

振動基板２１は、基部２７と、３つの振動腕２８、２９、３０とを有している。
振動基板２１の構成材料としては、所望の振動特性を発揮することができるものであれば、特に限定されず、各種圧電体材料および各種非圧電体材料を用いることができる。
例えば、かかる圧電体材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。特に、振動基板２１を構成する圧電体材料としては水晶（Ｘカット板、ＡＴカット板、Ｚカット板等）が好ましい。水晶で振動基板２１を構成すると、振動基板２１の振動特性（特に周波数温度特性）を優れたものとすることができる。また、エッチングにより高い寸法精度で振動基板２１を形成することができる。

また、かかる非圧電体材料としては、例えば、シリコン、石英等が挙げられる。特に、振動基板２１を構成する非圧電体材料としてはシリコンが好ましい。シリコンで振動基板２１を構成すると、振動基板２１の振動特性を優れたものを比較的安価に実現することができる。また、基部２７に集積回路を形成するなどして、振動片２と他の回路素子との一体化も容易である。また、エッチングにより高い寸法精度で振動基板２１を形成することができる。

このような振動基板２１において、基部２７は、Ｚ軸方向を厚さ方向とする略板状をなしている。また、図１および図３に示すように、基部２７は、薄肉に形成された薄肉部２７１と、この薄肉部２７１よりも厚肉に形成された厚肉部２７２とを有し、これらがＹ軸方向に並んで設けられている。
また、薄肉部２７１は、後述する各振動腕２８、２９、３０と等しい厚さとなるように形成されている。したがって、厚肉部２７２は、そのＺ軸方向での厚さが各振動腕２８、２９、３０のＺ軸方向での厚さよりも大きい部分である。

このような薄肉部２７１および厚肉部２７２を形成することにより、振動腕２８、２９、３０の厚さを薄くして振動腕２８、２９、３０の振動特性を向上させるとともに、振動片２を製造する際のハンドリング性を優れたものとすることができる。
そして、基部２７の薄肉部２７１の厚肉部２７２とは反対側には、３つの振動腕２８、２９、３０が接続されている。

振動腕２８、２９は、基部２７（薄肉部２７１）のＸ軸方向での両端部に接続され、振動腕３０は、基部２７（薄肉部２７１）のＸ軸方向での中央部に接続されている。
３つの振動腕２８、２９、３０は、互いに平行となるように基部２７からそれぞれ延出して設けられている。より具体的には、３つの振動腕２８、２９、３０は、基部２７からそれぞれＹ軸方向（Ｙ軸の矢印方向）に延出するとともに、Ｘ軸方向に並んで設けられている。

この振動腕２８、２９、３０は、それぞれ、長手形状をなし、その基部２７側の端部（基端部）が固定端となり、基部２７と反対側の端部（先端部）が自由端となる。
また、各振動腕２８、２９、３０は、長手方向での全域に亘って幅が一定となっている。なお、各振動腕２８、２９、３０は、幅の異なる部分を有していてもよい。
また、振動腕２８、２９、３０は、互いに同じ長さとなるように形成されている。なお、振動腕２８、２９、３０の長さは、各振動腕２８、２９、３０の幅、厚さ等に応じて設定されるものであり、互いに異なっていてもよい。
なお、振動腕２８、２９、３０の各先端部には、必要に応じて、基端部よりも横断面積が大きい質量部（ハンマーヘッド）を設けてもよい。この場合、振動片２をより小型なものとしたり、振動腕２８、２９、３０の屈曲振動の周波数をより低めたりすることができる。

図４（ａ）に示すように、このような振動腕２８の上面２８１上には、質量部５１が設けられている。この質量部５１は、例えば、エネルギー線の照射により一部または全部が除去されることにより質量を減少させて、振動腕２８の共振周波数を調整するためのものである。同様に、振動腕２９の上面２９１上には、質量部５２が設けられ、また、振動腕３０の上面３０１上には質量部５３が設けられている。これら質量部５１、５２、５３については、後に詳述する。

また、図４（ｂ）に示すように、このような振動腕２８上には、圧電体素子２２が設けられ、また、振動腕２９上には、圧電体素子２３が設けられ、さらに、振動腕３０上には、圧電体素子２４が設けられている。これにより、振動腕２８、２９、３０自体が圧電性を有していなかったり、振動腕２８、２９、３０が圧電性を有していても、その分極軸や結晶軸の方向がＺ軸方向での屈曲振動に適していなかったりする場合でも、比較的簡単かつ効率的に、各振動腕２８、２９、３０をＺ軸方向に屈曲振動させることができる。また、振動腕２８、２９、３０の圧電性の有無、分極軸や結晶軸の方向を問わないので、各振動腕２８、２９、３０の材料の選択の幅が広がる。そのため、所望の振動特性を有する振動片２を比較的簡単に実現することができる。
圧電体素子２２は、通電により伸縮して振動腕２８をＺ軸方向に屈曲振動させる機能を有する。また、圧電体素子２３は、通電により伸縮して振動腕２９をＺ軸方向に屈曲振動させる機能を有する。また、圧電体素子２４は、通電により伸縮して振動腕３０をＺ軸方向に屈曲振動させる機能を有する。

このような圧電体素子２２は、図４（ｂ）に示すように、振動腕２８上に、第１の下地層２２１、第１の電極層２２２、圧電体層（圧電薄膜）２２３、絶縁体層２２４、第２の下地層２２５、第２の電極層２２６がこの順で積層されて構成されている。同様に、圧電体素子２３は、振動腕２９上に、第１の下地層２３１、第１の電極層２３２、圧電体層（圧電薄膜）２３３、絶縁体層２３４、第２の下地層２３５、第２の電極層２３６がこの順で積層されて構成されている。また、圧電体素子２４は、振動腕３０上に、第１の下地層２４１、第１の電極層２４２、圧電体層（圧電薄膜）２４３、絶縁体層２４４、第２の下地層２４５、第２の電極層２４６がこの順で積層されて構成されている。

以下、圧電体素子２２を構成する各層を順次詳細に説明する。なお、圧電体素子２３、２４の各層の構成については、圧電体素子２２と同様であるため、その説明を省略する。
［第１の電極層］
第１の電極層２２２は、基部２７上から振動腕２８上にその延出方向（Ｙ軸方向）に沿って設けられている。

本実施形態では、振動腕２８上において、第１の電極層２２２の長さは、振動腕２８の長さよりも短くなっている。
また、本実施形態では、第１の電極層２２２の長さ（圧電体素子２２の長さ）は、振動腕２８の長さの１／２程度に設定されている。これにより、振動片２のＣＩ値を低く維持することができ、優れた振動特性を発揮することができる。なお、第１の電極層２２２の長さが、振動腕２８の長さの１／２よりも短い場合、振動片のＣＩ値が大きくなり、充分な振動特性が得られない場合がある。

このような第１の電極層２２２は、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明電極材料により形成することができる。

中でも、第１の電極層２２２の構成材料としては、金を主材料とする金属（金、金合金）、白金を用いるのが好ましく、金を主材料とする金属（特に金）を用いるのがより好ましい。
Ａｕは、導電性に優れ（電気抵抗が小さく）、酸化に対する耐性に優れているため、電極材料として好適である。また、ＡｕはＰｔに比しエッチングにより容易にパターニングすることができる。さらに、第１の電極層２２２を金または金合金で構成することにより、圧電体層２２３の配向性を高めることもできる。

また、第１の電極層２２２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、第１の電極層２２２が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、前述したような第１の電極層２２２の導電性を優れたものとすることができる。

［第１の下地層］
第１の電極層２２２、振動基板２１の構成材料によっては、これらの密着性が低い場合がある（例えば、第１の電極層２２２を金で構成し、振動基板２１を水晶で構成する場合）。そのため、本実施形態のように、第１の電極層２２２と振動基板２１との間に第１の下地層２２１を設けるのが好ましい。

第１の下地層２２１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ等で構成されている。これにより、第１の下地層２２１と振動腕２８との密着性、および、第１の下地層２２１と第１の電極層２２２との密着性をそれぞれ優れたものとすることができる。その結果、第１の電極層２２２が振動腕２８から剥離するのを防止し、振動片２の信頼性を優れたものとすることができる。
第１の下地層２２１の平均厚さは、第１の下地層２２１が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、前述したような密着性を高める効果を発揮することができれば、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましい。

［圧電体層］
圧電体層２２３は、第１の電極層２２２上に振動腕２８の延出方向（Ｙ軸方向）に沿って設けられている。また、振動腕２８の延出方向（Ｙ軸方向）における圧電体層２２３の長さは、同方向（Ｙ軸方向）における第１の電極層２２２の長さに略等しい。
これにより、圧電体層２２３のＹ軸方向の全域に亘って前述したように第１の電極層２２２の表面状態により圧電体層２２３の配向性を高めることができる。そのため、振動腕２８の長手方向（Ｙ軸方向）において圧電体層２２３を均質化することができる。

また、圧電体層２２３の基部２７側の端部（すなわち圧電体層２２３の基端部）は、振動腕２８と基部２７との境界部を跨ぐように設けられている。これにより、圧電体素子２２の駆動力を振動腕２８に効率的に伝達させることができる。また、振動腕２８と基部２７との境界部における剛性の急激な変化を緩和することができる。そのため、振動片２のＱ値を高めることができる。

このような圧電体層２２３の構成材料（圧電体材料）としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ_３）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等が挙げられるが、ＡＩＮ、ＺｎＯを用いるのが好ましい。

中でも、圧電体層２２３の構成材料としては、ＺｎＯ、ＡｌＮを用いるのが好ましい。ＺｎＯ（酸化亜鉛）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、ｃ軸配向性に優れている。そのため、圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成することにより、振動片２のＣＩ値を低減することができる。また、これらの材料は、反応性スパッタリング法により成膜することができる。
また、圧電体層２２３の平均厚さは、５０〜３０００ｎｍであるのが好ましく、２００〜２０００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、圧電体層２２３が振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、圧電体素子２２の駆動特性を優れたものとすることができる。

［絶縁体層］
絶縁体層２２４は、圧電体層２２３を保護するとともに、第１の電極層２２２と第２の電極層２２６との間の短絡を防止する機能を有している。絶縁体層２２４は、例えば、ＳｉＯ_２（酸化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミ）、ＳｉＮ（窒化ケイ素）等で構成されている。
絶縁体層２２４の平均厚さは、特に限定されないが、５０〜５００ｎｍであるのが好ましい。かかる厚さが前記下限値未満であると、前述したような短絡を防止する効果が小さくなる傾向となり、一方、かかる厚さが前記上限値を超えると、圧電体素子２２の特性に悪影響を与えるおそれがある。

［第２の電極層］
第２の電極層２２６は、振動腕２８の延出方向に沿って設けられている。
また、振動腕２８の延出方向における第２の電極層２２６の長さは、圧電体層２２３の長さに略等しい。これにより、第２の電極層２２６と前述した第１の電極層２２２との間に生じる電界により、振動腕２８の延出方向（Ｙ軸方向）において圧電体層２２３の全域を伸縮させることができる。そのため、振動効率を高めることができる。

このような第２の電極層２２６は、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明電極材料により形成することができる。
また、第２の電極層２２６の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、第２の電極層２２６が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、第２の電極層２２６の導電性を優れたものとすることができる。

［第２の下地層］
第２の電極層２２６および絶縁体層２２４の構成材料によっては、これらの密着性が低い場合がある（例えば、第２の電極層２２６を金で構成し、絶縁体層２２４をＳｉＯ_２で構成する場合）。そのため、本実施形態のように、第２の電極層２２６と絶縁体層２２４との間に第２の下地層２２５を設けるのが好ましい。

第２の下地層２２５は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ等で構成されている。これにより、第２の下地層２２５と絶縁体層２２４との密着性、および、第２の下地層２２５と第２の電極層２２６との密着性をそれぞれ優れたものとすることができる。その結果、第２の電極層２２６が絶縁体層２２４から剥離するのを防止し、振動片２の信頼性を優れたものとすることができる。

第２の下地層２２５の平均厚さは、第２の下地層２２５が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、前述したような密着性を高める効果を発揮することができれば、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましい。
このような圧電体素子２２においては、第１の電極層２２２と第２の電極層２２６との間に電圧が印加されると、圧電体層２２３にＺ軸方向の電界が生じる。この電界により、圧電体層２２３は、Ｙ軸方向に伸張または収縮し、振動腕２８をＺ軸方向に屈曲振動させる。

同様に、圧電体素子２３においては、第１の電極層２３２と第２の電極層２３６との間に電圧が印加されると、圧電体層２３３は、Ｙ軸方向に伸張または収縮し、振動腕２９をＺ軸方向に屈曲振動させる。また、圧電体素子２４においては、第１の電極層２４２と第２の電極層２４６との間に電圧が印加されると、圧電体層２４３は、Ｙ軸方向に伸張または収縮し、振動腕３０をＺ軸方向に屈曲振動させる。

このような圧電体素子２２、２３、２４において、前述した第１の電極層２２２、２３２は、図示しない貫通電極および配線からなる導通部を介して、第２の電極層２４６に電気的に接続されている。そして、第２の電極層２４６は、図２に示すように、基部２７の上面に設けられた接続電極４１に電気的に接続されている。これにより、第１の電極層２２２、２３２および第２の電極層２４６は、それぞれ、接続電極４１に電気的に接続されている。

また、第１の電極層２４２は、図示しない貫通電極および配線からなる導通部を介して、第２の電極層２２６、２３６に電気的に接続されている。そして、第２の電極層２２６、２３６は、図２に示すように、配線４３を介して、基部２７の上面に設けられた接続電極４２に電気的に接続されている。これにより、第１の電極層２４２および第２の電極層２２６、２３６は、接続電極４２に電気的に接続されている。

また、接続電極４１、４２および配線４３等は、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデンン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明電極材料により形成することができる。また、これらは、第１の電極層２２２、２３２、２４２または第２の電極層２２６、２３６、２４６と同時に一括形成することができる。

このような構成の振動片２においては、接続電極４１と接続電極４２との間に電圧（各振動腕２８、２９、３０を振動させるための電圧）が印加されると、第１の電極層２２２、２３２および第２の電極層２４６と、第１の電極層２４２および第２の電極層２２６、２３６とが逆極性となるようにして、前述した圧電体層２２３、２３３、２４３にそれぞれＺ軸方向の電圧が印加される。これにより、圧電体材料の逆圧電効果により、ある一定の周波数（共振周波数）で各振動腕２８、２９、３０を屈曲振動させることができる。このとき、図５に示すように、振動腕２８、２９は、互いに同方向に屈曲振動し、振動腕３０は、振動腕２８、２９とは反対方向に屈曲振動する。

このように、隣り合う２つの振動腕を互いに反対方向に屈曲振動させることにより、隣り合う２つの振動腕２８、３０および２９、３０により生じる漏れ振動を互いに相殺することができる。その結果、振動漏れを防止することができる。
また、各振動腕２８、２９、３０が屈曲振動すると、接続電極４１、４２間には、圧電体材料の圧電効果により、ある一定の周波数で電圧が発生する。これらの性質を利用して、振動片２は、共振周波数で振動する電気信号を発生させることができる。

（質量部）
次いで、質量部５１、５２、５３について説明する。
質量部５１、５２、５３は、前述したように、エネルギー線の照射により一部または全部が除去されることにより質量を減少させて、振動腕２８、２９、３０の共振周波数を調整するための錘である。

質量部５１、５２、５３は、振動腕２８、２９、３０の上面２８１、２９１、３０１上に設けられている。すなわち、質量部５１、５２、５３は、振動腕２８、２９、３０の圧電体素子２２、２３、２４が設けられている面上に形成されている。このような配置とすることにより、後述する振動片２の製造方法にて、質量部５１、５２、５３と圧電体素子２２、２３、２４との一括形成をより簡単に行うことができる。
質量部５１は、図４（ａ）に示すように、振動腕２８上に、第１の膜部５１１、第２の膜部５１２、第３の膜部５１３、第４の膜部５１４、第５の膜部５１５および第６の膜部５１６がこの順で積層されて構成されている。

同様に、質量部５２は、振動腕２９上に、第１の膜部５２１、第２の膜部５２２、第３の膜部５２３、第４の膜部５２４、第５の膜部５２５および第６の膜部５２６がこの順で積層されて構成されている。
また、質量部５３は、振動腕３０上に、第１の膜部５３１、第２の膜部５３２、第３の膜部５３３、第４の膜部５３４、第５の膜部５３５および第６の膜部５３６がこの順で積層されて構成されている。

以下、振動腕２８上に設けられた質量部５１について詳述する。なお、振動腕２９上に設けられた質量部５２および振動腕３０上に設けられた質量部５３は、質量部５１と同様であるため、その説明を省略する。
［第１の膜部］
第１の膜部５１１は、振動腕２８の上面２８１に形成されている。このような第１の膜部５１１は、圧電体素子２２の第１の下地層２２１と同じ構成材料で構成されている。また、第１の膜部５１１の厚さ（平均厚さ）は、第１の下地層２２１の厚さ（平均厚さ）とほぼ等しい。

［第２の膜部］
第２の膜部５１２は、第１の膜部５１１の上面に形成されている。このような第２の膜部５１２は、圧電体素子２２の第１の電極層２２２と同じ構成材料で構成されている。また、第２の膜部５１２の厚さ（平均厚さ）は、第１の電極層２２２の厚さ（平均厚さ）とほぼ等しい。

［第３の膜部］
第３の膜部５１３は、第２の膜部５１２の上面に形成されている。このような第３の膜部５１３は、圧電体素子２２の圧電体層２２３と同じ構成材料で構成されている。また、第３の膜部５１３の厚さ（平均厚さ）は、圧電体層２２３の厚さ（平均厚さ）とほぼ等しい。

［第４の膜部］
第４の膜部５１４は、第３の膜部５１３の上面に形成されている。このような第４の膜部５１４は、圧電体素子２２の絶縁体層２２４と同じ構成材料で構成されている。また、第４の膜部５１４の厚さ（平均厚さ）は、絶縁体層２２４の厚さ（平均厚さ）とほぼ等しい。

［第５の膜部］
第５の膜部５１５は、第４の膜部５１４の上面に形成されている。このような第５の膜部５１５は、圧電体素子２２の第２の下地層２２５と同じ構成材料で構成されている。また、第５の膜部５１５の厚さ（平均厚さ）は、第２の下地層２２５の厚さ（平均厚さ）とほぼ等しい。

［第６の膜部］
第６の膜部５１６は、第５の膜部５１５の上面に形成されている。このような第６の膜部５１６は、圧電体素子２２の第２の電極層２２６と同じ構成材料で構成されている。また、第６の膜部５１６の厚さ（平均厚さ）は、第２の電極層２２６の厚さ（平均厚さ）とほぼ等しい。

以上のように、質量部５１は、複数（６つ）の膜部５１１、５１２、５１３、５１４、５１５および５１６を有し、各膜部５１１、５１２、５１３、５１４、５１５および５１６は、圧電体素子２２を構成する複数の層のうちのいずれか１つの層と同じ材料で構成されている。

質量部５１をこのような構成とすることにより、次のような効果を発揮することができる。すなわち、振動腕２８上に、質量部５１と圧電体素子２２とを一括形成（すなわち質量部５１と圧電体素子２２とを同時に（同じ工程内で）形成）することができるため、振動片２の製造工程の削減を図り、振動片２の製造の簡易化を図ることができる。
具体的には、後述する製造方法でも説明するように、第１の膜部５１１を第１の下地層２２１と一括形成し、次いで、第２の膜部５１２を第１の電極層２２２と一括形成し、次いで、第３の膜部５１３を圧電体層２２３と一括形成し、次いで、第４の膜部５１４を絶縁体層２２４と一括形成し、次いで、第５の膜部５１５を第２の下地層２２５と一括形成し、第６の膜部５１６を第２の電極層２２６と一括形成することにより、質量部５１と圧電体素子２２とを一括形成することができる。そのため、例えば、質量部５１を別途形成する工程を省くことができ、振動片２の製造の簡易化を図ることができる。

特に、本実施形態では、質量部５１を構成する各膜部５１１、５１２、５１３、５１４、５１５および５１６が、それぞれ、対応する圧電体素子２２の層とほぼ等しい厚さとなっている。そのため、後述する製造方法でも説明するように、各種成膜方法によって成膜された膜の膜厚を部分的に調節する（例えば、第１の膜部５１１に相当する部分の膜厚を他の部分に対して薄くする）必要がなく、振動片２の製造のさらなる容易化を図ることができる。

このような質量部５１の厚さは、圧電体素子２２の厚さ以下であるのが好ましい。これにより、質量部５１の重さ（質量）を、周波数調整をするのに不都合ない範囲で抑えることができる。すなわち、質量部５１が過度に重くなることを防止または抑制することができ、周波数調整を簡単かつ高精度に行うことができると共に、振動腕２８を安定して屈曲振動させることができる。
なお、本実施形態のように、各膜部５１１、５１２、５１３、５１４、５１５および５１６の厚さをそれぞれ圧電体素子２２の対応する層の膜厚と等しくすることにより、確実に、質量部５１の厚さを圧電体素子２２の厚さ以下とすることができる。

（周波数の調整方法）
次に、振動片２の周波数調整方法について説明する。なお、以下では、振動腕２８の周波数調整を代表的に説明するが、振動腕２９、３０の周波数調整も振動腕２８の周波数調整と同様である。
まず、周波数調整前（未調整）の振動片２を用意する。このとき、振動腕２８上には前述したような質量部５１が設けられている。また、周波数調整前の振動腕２８の周波数（共振周波数）は、目標とする周波数（共振周波数）に対して低くなるように設定されている。

そして、エネルギー線の照射により、質量部５１の一部を必要に応じて除去する。例えば、質量部５１の一部をレーザー光の照射により除去した場合、質量部５１の除去された部分は、ライン状、ドット状等の形状をなす。これにより、質量部５１の質量が減少するため、振動腕２８の周波数が高められる。
このような周波数調整に用いるエネルギー線は、振動腕２８の悪影響を与えずに、質量部５１の必要部位を除去することができるものであれば、特に限定されず、放射線、電子線、レーザー、イオンビーム等が挙げられるが、炭酸ガスレーザー、エキシマーレーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザーを用いるのが好ましい。これにより、簡単かつ確実に質量部５１の一部を所望量だけ除去することができる。

（振動片の製造方法）
ここで、前述した振動片２の製造方法（本発明の製造方法）の一例について簡単に説明する。
振動片２の製造方法は、［Ａ］振動腕２８、２９、３０上に第１の下地層２２１、２３１、２４１および第１の膜部５１１、５２１、５３１を形成する工程と、［Ｂ］第１の下地層２２１、２３１、２４１上に第１の電極層２２２、２３２、２４２を形成すると共に、第１の膜部５１１、５２１、５３１上に第２の膜部５１２、５２２、５３２を形成する工程と、［Ｃ］第１の電極層２２２、２３２、２４２上に圧電体層２２３、２３３、２４３を形成すると共に、第２の膜部５１２、５２２、５３２上に第３の膜部５１３、５２３、５３３を形成する工程と、［Ｄ］圧電体層２２３、２３３、２４３上に絶縁体層２２４、２３４、２４４を形成すると共に、第３の膜部５１３、５２３、５３３上に第４の膜部５１４、５２４、５３４を形成する工程と、［Ｅ］絶縁体層２２４、２３４、２４４上に第２の下地層２２５、２３５、２４５を形成すると共に、第４の膜部５１４、５２４、５３４上に第５の膜部５１５、５２５、５３５を形成する工程と、［Ｆ］第２の下地層２２５、２３５、２４５上に第２の電極層２２６、２３６、２４６を形成すると共に、第５の膜部５１５、５２５、５３５上に第６の膜部５１６、５２６、５３６を形成する工程とを有する。

以下、各工程について説明する。
［Ａ］
まず、振動基板２１を形成するための基板を用意し、この基板をエッチングすることにより、振動基板２１を形成する。
より具体的に説明すると、例えば、上記基板が水晶基板である場合、水晶基板の薄肉部２７１となる部分を、ＢＨＦ（buffer hydrogen fluoride）をエッチング液として用いた異方性エッチングにより除去して薄肉化する。その後、その薄肉化された部分を、上記と同様の異方性エッチングにより部分的に除去して、振動腕２８、２９、３０を形成する。これにより、振動基板２１が形成される。

その後、振動腕２８、２９、３０上に第１の下地層２２１、２３１、２４１および第１の膜部５１１、５２１、５３１を形成する。
この第１の下地層２２１、２３１、２４１および第１の膜部５１１、５２１、５３１の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特にスパッタリング法もしくは真空蒸着法）を用いるのが好ましい。また、第１の下地層２２１、２３１、２４１および第１の膜部５１１、５２１、５３１の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
なお、第１の下地層２２１、２３１、２４１および第１の膜部５１１、５２１、５３１は、同一の成膜工程で一括形成される。

［Ｂ］
次いで、第１の下地層２２１、２３１、２４１上に第１の電極層２２２、２３２、２４２を形成すると共に、第１の膜部５１１、５２１、５３１上に第２の膜部５１２、５２２、５３２を形成する。
この第１の電極層２２２、２３２、２４２および第２の膜部５１２、５２２、５３２の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特にスパッタリング法もしくは真空蒸着法）を用いるのが好ましい。また、第１の電極層２２２、２３２、２４２および第２の膜部５１２、５２２、５３２の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
なお、第１の電極層２２２、２３２、２４２および第２の膜部５１２、５２２、５３２は、同一の成膜工程で一括形成される。
ここで、必要に応じて、配線等は、工程［Ａ］、［Ｂ］にて同時に形成する。

［Ｃ］
次いで、第１の電極層２２２、２３２、２４２上に圧電体層２２３、２３３、２４３を形成すると共に、第２の膜部５１２、５２２、５３２上に第３の膜部５１３、５２３、５３３を形成する。
この圧電体層２２３、２３３、２４３および第３の膜部５１３、５２３、５３３の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特に反応性スパッタリング法）を用いるのが好ましい。また、圧電体層２２３、２３３、２４３および第３の膜部５１３、５２３、５３３の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。また、圧電体層２２３、２３３、２４３および第３の膜部５１３、５２３、５３３をパターニングする際に、不要部分の除去にはウェットエッチングを用いるのが好ましい。
なお、圧電体層２２３、２３３、２４３および第３の膜部５１３、５２３、５３３は、同一の成膜工程で一括形成される。

［Ｄ］
次いで、圧電体層２２３、２３３、２４３上に絶縁体層２２４、２３４、２４４を形成すると共に、第３の膜部５１３、５２３、５３３上に第４の膜部５１４、５２４、５３４を形成する。
この絶縁体層２２４、２３４、２４４および第４の膜部５１４、５２４、５３４の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特に反応性スパッタリング法）を用いるのが好ましい。また、絶縁体層２２４、２３４、２４４および第４の膜部５１４、５２４、５３４の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。また、絶縁体層２２４、２３４、２４４および第４の膜部５１４、５２４、５３４をパターニングする際に、不要部分の除去にはウェットエッチングを用いるのが好ましい。
なお、絶縁体層２２４、２３４、２４４および第４の膜部５１４、５２４、５３４は、同一の成膜工程で一括形成される。

［Ｅ］
次いで、絶縁体層２２４、２３４、２４４上に第２の下地層２２５、２３５、２４５を形成すると共に、第４の膜部５１４、５２４、５３４上に第５の膜部５１５、５２５、５３５を形成する。
この第２の下地層２２５、２３５、２４５および第５の膜部５１５、５２５、５３５の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特にスパッタリング法もしくは真空蒸着法）を用いるのが好ましい。また、第２の下地層２２５、２３５、２４５および第５の膜部５１５、５２５、５３５の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
なお、第２の下地層２２５、２３５、２４５および第５の膜部５１５、５２５、５３５は、同一の成膜工程で一括形成される。

［Ｆ］
次いで、第２の下地層２２５、２３５、２４５上に第２の電極層２２６、２３６、２４６を形成すると共に、第５の膜部５１５、５２５、５３５上に第６の膜部５１６、５２６、５３６を形成する。
この第２の電極層２２６、２３６、２４６および第６の膜部５１６、５２６、５３６の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特にスパッタリング法もしくは真空蒸着法）を用いるのが好ましい。また、第２の電極層２２６、２３６、２４６および第６の膜部５１６、５２６、５３６の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。

なお、第２の電極層２２６、２３６、２４６および第６の膜部５１６、５２６、５３６は、同一の成膜工程で一括形成される。
その後、必要に応じて、前述したような周波数調整を行う。
なお、この周波数調整は、振動片２をパッケージ３内に収納する前に行ってもよいし、振動片２をパッケージ３内に収納した後に行ってもよい。

以上説明したようにして振動片２を製造することができる。このような製造方法によれば、圧電体素子２２、２３、２４と質量部５１、５２、５３とを一括形成することができるため、振動片２の製造方法の簡易化を図ることができる。
以上、振動片２の構成および製造方法について説明したが、振動片２の構成については、本実施形態に限定されない。

例えば、本実施形態の圧電体素子２２は、第１の下地層２２１、第１の電極層２２２、圧電体層２２３、絶縁体層２２４、第２の下地層２２５、第２の電極層２２６がこの順で積層されて構成されているが、圧電体素子２２の機能を発揮するための最低限の要素である第１の電極層２２２、圧電体層２２３および第２の電極層２２６を有していれば、圧電体素子２２の構成は特に限定されない。例えば、第１の電極層２２２、圧電体層２２３および第２の電極層２２６以外の層（すなわち、第１の下地層２２１、絶縁体層２２４、第２の下地層２２５）のうちの少なくとも１つを省略してもよい。また、反対に、少なくとも１つの層を追加してもよい。圧電体素子２３、２４についても同様である。

また、本実施形態の質量部５１は、その構成（層構成）が圧電体素子２２と同じであるが、これに限定されず、異なっていてもよい。すなわち、質量部５１は、第１の膜部５１１、第２の膜部５１２、第３の膜部５１３、第４の膜部５１４、第５の膜部５１５および第６の膜部５１６から任意に選択した１つの単層または２つ以上５つ以下の複層で構成されていてもよい。例えば、質量部５１は、第１の膜部５１１の単層で構成されていてもよいし、第１の膜部５１１と第２の膜部５１２が積層した積層体として構成されていてもよい。

質量部５１が有する膜部の数をいくつにし、かつ膜部の構成材料を圧電体素子２２を構成する各層のうちのいずれの層と同じとするかは、例えば、１）質量部５１に求められている質量、２）圧電体素子２２を構成する各層の構成材料の密度などから、最適な組み合わせを選択することができる。
この観点からすれば、圧電体素子２２を構成する各層（特に、第１の電極層２２２および第２の電極層２２６）の構成材料をそれぞれ異ならせることが好ましい。これにより、質量部５１の構成の選択の自由度が増加し、質量部５１の質量をより適したものとすることができる。

２．パッケージ
次に、振動片２を収容・固定するパッケージ３について説明する。
パッケージ３は、図１に示すように、板状のベース基板３１と、枠状の枠部材３２と、板状の蓋部材３３とを有している。ベース基板３１、枠部材３２および蓋部材３３は、下側から上側へこの順で積層されている。ベース基板３１と枠部材３２とは、後述のセラミック材料等で形成されており、互いに一体に焼成されることで接合されている。そして、枠部材３２と蓋部材３３は、接着剤あるいはろう材等により接合されている。そして、パッケージ３は、ベース基板３１、枠部材３２および蓋部材３３で画成された内部空間Ｓに、振動片２を収納している。なお、パッケージ３内には、振動片２の他、振動片２を駆動する電子部品（発振回路）等を収納することもできる。

ベース基板３１の構成材料としては、絶縁性（非導電性）を有しているものが好ましく、例えば、各種ガラス、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックス材料、ポリイミド等の各種樹脂材料などを用いることができる。
また、枠部材３２および蓋部材３３の構成材料としては、例えば、ベース基板３１と同様の構成材料、Ａｌ、Ｃｕのような各種金属材料、各種ガラス材料等を用いることができる。特に、蓋部材３３の構成材料として、ガラス材料等の光透過性を有するものを用いた場合、振動片２をパッケージ３内に収容した後であっても、蓋部材３３を介して前述した質量部にレーザーを照射し、前記金属被覆部を除去して振動片２の質量を減少させることにより（質量削減方式により）、振動片２の周波数調整を行うことができる。

このベース基板３１の上面には、固定材３６を介して、前述した振動片２が固定されている。この固定材３６は、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、シリコーン系等の接着剤で構成されている。このような固定材３６は、未硬化（未固化）の接着剤をベース基板３１上に塗布し、さらに、この接着剤上に振動片２を載置した後、その接着剤を硬化または固化させることにより形成される。これにより、振動片２（基部２７）がベース基板３１に確実に固定される。

なお、この固定は、導電性粒子を含有するエポキシ系、ポリイミド系、シリコーン系等の導電性接着剤を用いて行ってもよい。
また、ベース基板３１の上面には、一対の電極３５ａ、３５ｂが内部空間Ｓに露出するように形成されている。
この電極３５ａは、例えばワイヤーボンディング技術により形成された金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）３８を介して、前述した接続電極４２に電気的に接続されている。また、電極３５ｂは、例えばワイヤーボンディング技術により形成された金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）３７を介して、前述した接続電極４１に電気的に接続されている。

なお、一対の電極３５ａ、３５ｂと接続電極４１、４２との接続方法は、これに限定されず、例えば、導電性接着剤により行ってもよい。この場合、例えば、振動片２の図示とは表裏反転するか、振動片２の下面に接続電極４１、４２を形成すればよい。
また、ベース基板３１の下面には、４つの外部端子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄが設けられている。

これら４つの外部端子３４ａ〜３４ｄのうち、外部端子３４ａ、３４ｂは、それぞれ、ベース基板３１に形成されたビアホールに設けられた導体ポスト（図示せず）を介して電極３５ａ、３５ｂに電気的に接続されたホット端子である。また、他の２つの外部端子３４ｃ、３４ｄは、それぞれ、パッケージ３を実装用基板に実装するときに、接合強度を高めたり、パッケージ３と実装用基板との間の距離を均一化したりするためのダミー端子である。

このような電極３５ａ、３５ｂおよび外部端子３４ａ〜３４ｄは、それぞれ、例えば、タングステンおよびニッケルメッキの下地層に、金メッキを施すことで形成することができる。
なお、パッケージ３内部に電子部品を収納した場合、ベース基板３１の下面には、必要に応じて、電子部品の特性検査や、電子部品内の各種情報（例えば、振動子の温度補償情報）の書き換え（調整）を行うための書込端子が形成されていてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２実施形態に係る質量部を説明するための断面図である。なお、図６は、図２中のＡ−Ａ線断面図に対応する図である。
以下、第２実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態は、質量部の配置が異なる以外は、第１実施形態とほぼ同様である。なお、図６では、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。また、本実施形態では、振動腕２８上に設けられた質量部５１Ａについて代表的に説明するが、振動腕２９、３０上に設けられた質量部５２Ａ、５３Ａについても同様である。
図６に示すように、質量部５１Ａは、振動腕２８の下面２８２上に設けられている。質量部５１Ａの構成は、前述した第１実施形態の質量部５１と同様であるため、その説明を省略する。

このように、質量部５１Ａを、圧電体素子２２が設けられている面（上面２８１）と反対側の面上に設けることにより、周波数調整時に、レーザーで質量部５１Ａを削った際に発生する削り屑が圧電体素子２２に付着するのを防止でき、圧電体素子２２の信頼性の低下を防止または抑制することができると共に、削り屑による周波数ずれを抑制することができる。
また、以上説明したような第２実施形態によれば、前述した第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図７は、本発明の第３実施形態に係る質量部を説明するための断面図である。なお、図７は、図２中のＡ−Ａ線断面図に対応する図である。
以下、第３実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態は、質量部の配置が異なる以外は、第１実施形態とほぼ同様である。なお、図７では、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。また、本実施形態では、振動腕２８上に設けられた質量部５１Ｂについて代表的に説明するが、振動腕２９、３０上に設けられた質量部５２Ｂ、５３Ｂについても同様である。
図７に示すように、振動腕２８の上面２８１および下面２８２上に、それぞれ、質量部５１Ｂが設けられている。各質量部５１Ｂの構成は、前述した第１実施形態の質量部５１と同様であるため、その説明を省略する。

このように、振動腕２８の両面（上面２８１および下面２８２）にそれぞれ質量部５１Ｂを設けることにより、前述した第１、第２実施形態のように、振動腕２８の一方の面に同じ質量の質量部を設ける場合と比較して、質量部５１ＢのＹ軸方向における長さを抑えることができる。そのため、振動片２の小型化を図ることができる。
なお、本実施形態では、一対の質量部５１Ｂは、互いに同じ構成をなしているが、これに限定されず、互いに異なる構成であってもよい。例えば、一方の質量部５１Ｂを第１の膜部、第２の膜部および第３の膜部で構成し、他方の膜部を第４の膜部、第５の膜部および第６の膜部で形成してもよい。
また、以上説明したような第３実施形態によれば、前述した第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図８は、振動腕に形成された質量部の形成位置と周波数の関係を示すグラフ、図９は、振動腕に形成する質量部の構成材料の密度と周波数が増減する境界位置の関係を示すグラフ、図１０は、先端側質量部および基端側質量部の構成の一例を示す図である。

以下、第２実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態は、質量部の構成が異なる以外は、第１実施形態とほぼ同様である。なお、図８では、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。また、本実施形態では、振動腕２８上に設けられた質量部について代表的に説明するが、振動腕２９、３０上に設けられた質量部についても同様である。

本実施形態の説明に先立って、本実施形態の理解のために、面外振動を行う振動片２における質量部と周波数の関係について詳細に説明する。なお、以下では、振動腕２８について代表して説明する。
面外振動を行う振動片２において、振動片２の共振周波数をｆ、振動腕２８の全長をＬ、振動腕２８の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）をｔとすると、ｆ∝（ｔ／Ｌ^２）という関係がある。つまり、面外振動を行う振動片２の共振周波数は、振動腕２８の振動方向の厚みｔに比例し、振動腕２８の全長Ｌの二乗に反比例する。

このような基本的な特性を基に、発明者は、基部２７に一本の振動腕が形成された振動片のモデルとして、ＸＹ平面内にある振動腕の一方の面上に金属膜または絶縁膜等からなる質量部を形成し、それを振動腕の先端側から削除していったときの周波数の変化をシュミレーションして考察を行った。図８がそのグラフであり、縦軸に規格化された周波数の変化Δｆをとり、横軸に振動腕の全長Ｌに対する質量部の基部側の端部からの長さをとっている。また、Δｆは、振動腕に周波数調整用の質量部を形成しないときの周波数をｆ０とし、周波数調整用の質量部を形成したときの周波数をｆとしたとき、Δｆ＝（ｆ−ｆ０）／ｆ０とし、さらに、Δｆの最大値が１となるようにΔｆ（規格化）＝Δｆ／（Δｆの最大値）として周波数変化量を規格化した値である。なお、このグラフは、質量部として金（Ａｕ）膜を形成した場合のデータである。

図８のグラフによれば、振動腕に形成した質量部を先端側から除去していくと、周波数は順次高くなるように変化し、振動腕のほぼ中央部で周波数の変化がゼロになる。そして、さらに質量部を基端側に向かって除去していくと、今度は周波数が順次低くなるように変化する。また、周波数の変化量は、振動腕の中央部に近いほど小さくなっている。
このような現象は、次の理由から生じるものであると推測される。すなわち、振動腕の長さ方向の中央部付近を境にして、振動腕の先端側では、質量部の錘効果が支配的となり、質量部の除去により周波数は高くなる方向に変化する。一方、振動腕の長さ方向の中央部付近から基端側では、厚み効果が支配的となり、質量部の除去により周波数は低くなる方向に変化する。このように、質量部が金で構成されている場合、振動腕の長さ方向のほぼ中央部に周波数変化の方向が異なる境界が存在する。

図９のグラフでは、縦軸を周波数調整したときに周波数変化の増減が切り替わる境界位置とし、横軸を質量部を構成する構成材料の密度（１０^３ｋｇ／ｍ^３）とし、質量部を構成しうる各材料をプロットしている。なお、境界位置は、振動腕の全長をＬとし、振動腕の基端側からの割合で示している。例えば、縦軸が０．５Ｌよりも大きいときは、振動腕の先端側に境界位置があり、縦軸が０．５Ｌよりも小さいときは、振動腕の基端側に境界位置があることを示している。

図９のグラフに示すように、振動腕に形成する質量部の構成材料の密度によって周波数変化の方向が異なる境界位置に差があり、構成材料の密度が小さいほど境界位置が振動腕の先端側に存在することがわかる。
例えば、質量部をＡｕで構成した場合、その密度は、１９．３（１０^３ｋｇ／ｍ^３）であり、境界位置は、振動腕の基端からおよそ０．４３Ｌの位置にあり、振動腕の長さ方向の中央よりも基端側に位置している。また、質量部ＳｉＯ_２で構成した場合、その密度は、２．２０（１０^３ｋｇ／ｍ^３）と前述のＡｕよりも小さく、境界位置は、振動腕の始端からおよそ０．６Ｌの位置にあり、振動腕の長さ方向の中央よりも先端側に位置している。

このように、発明者は、振動腕の長さ方向の中央付近に周波数変化の方向が異なる境界が存在することを見出した。さらに、この境界の位置は、質量部の構成材料の密度によって変化し、密度が小さくなると境界の位置が振動腕の中央から先端側に移動する傾向があることを発見した。そして、これらの検知に基づき、本発明者は、本発明（本実施形態）を創出するに至った。

図１０に示すように、質量部５１Ｃが振動腕２８の上面２８１に設けられている。このような質量部５１Ｃは、振動腕２８の先端部に設けられた先端側質量部５１Ｃａと、先端側質量部５１Ｃａより基端側に設けられた基端側質量部５１Ｃｂとを有している。これら２つの質量部５１Ｃａ、５１Ｃｂのうちの先端側質量部５１Ｃａは、周波数粗調整用の質量部であり、基端側質量部５１Ｃｂは、周波数微調整用の質量部である。このように、用途の異なる２つの質量部を設けることにより、振動片２の周波数調整を効率的かつ高精度に行うことができる。

先端側質量部５１Ｃａは、密度Ｄ（１０^３ｋｇ／ｍ^３）が、Ｄ＞８．９２である材料で構成された部分を有している。かかる密度を有する材料としては、図９のグラフに示すように、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどが挙げられる。このように、Ｄ＞８．９２である材料で構成された部分を有する先端側質量部５１Ｃａは、振動腕２８の先端部において除去することによる周波数変化量が大きく、振動片２の周波数の粗調整用の質量部として最適である。

基端側質量部５１Ｃｂは、密度Ｄ（１０^３ｋｇ／ｍ^３）が、２．２０≦Ｄ≦８．９２である材料で構成されている。かかる密度を有する材料としては、図９のグラフに示すように、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌなどの金属材料や、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の金属酸化物や、ＡｌＮ等の窒化物が挙げられる。このように、２．２０≦Ｄ≦８．９２である材料で構成された基端側質量部５１Ｃｂは、周波数変化の方向が異なる境界が振動腕２８の長さ方向の中央より先端側に位置するものとなる。
このような基端側質量部５１Ｃｂは、振動腕２８の長さ方向の中央より先端側に設けられている。これにより、圧電体素子２２（第１の電極層２２２および第２の電極層２２６）を振動腕２８の中央付近（１／２Ｌ）まで長く形成することができる。そのため、振動片のＣＩ値の増大を防止でき、振動片２の振動特性が優れたものとなる。

また、基端側質量部５１Ｃｂは、周波数変化の方向が異なる境界を含む（跨ぐ）ように設けられている。これにより、基端側質量部５１Ｃｂの先端側を除去すれば周波数を高めることができ、基端側質量部５１Ｃｂの基端側を除去すれば周波数を低めることができる。
ここで、先端側質量部５１Ｃａおよび基端側質量部５１Ｃｂは、それぞれ、圧電体素子２２を構成する各層のうちの少なくとも１つの層と同じ構成材料で構成されている。そのため、先端側質量部５１ＣａをＤ＞８．９２である材料で構成された部分を有するものとし、基端側質量部５１Ｃｂを２．２０≦Ｄ≦８．９２である材料で構成する場合には、圧電体素子２２を構成する複数の層に、Ｄ＞８．９２である材料で構成された層と、２．２０≦Ｄ≦８．９２である材料で構成された層とが少なくとも１つずつ含まれている必要がある。

このような圧電体素子２２としては、特に限定されないが、例えば、第１の下地層２２１をＣｒ（Ｄ＝７．１９）で構成し、第１の電極層２２２をＡｕ（Ｄ＝１９．３）で構成し、圧電体層２２３をＺｎＯ（Ｄ＝５．６８）で構成し、絶縁体層２２４をＳｉＯ_２（Ｄ＝２．２）で構成し、第２の下地層２２５をＣｒ（Ｄ＝７．１９）で構成し、第２の電極層２２６をＡｕ（Ｄ＝１９．３）で構成したものを用いることができる。

そして、例えば、図１０（ａ）に示すように、先端側質量部５１Ｃａを、Ｃｒ層（第１の下地層２２１に対応する層）とＡｕ層（第１の電極層２２２に対応する層）との積層構造とし、基端側質量部５１ＣｂをＳｉＯ_２（絶縁体層２２４に対応する層）で構成することにより、上述した構成を簡単に達成することができる。なお、基端側質量部５１ＣｂをＺｎＯやＣｒで構成してもよい。また、Ｃｒ層は、振動腕２８とＡｕ層との密着性を向上させるための下地層であるため、必要に応じて省略してもよい。

また、圧電体素子２２の他の構成としては、例えば、第１の下地層２２１をＣｒ（Ｄ＝７．１９）で構成し、第１の電極層２２２をＡｕ（Ｄ＝１９．３）で構成し、圧電体層２２３をＺｎＯ（Ｄ＝５．６８）で構成し、絶縁体層２２４をＳｉＯ_２（Ｄ＝２．２）で構成し、第２の下地層２２５を省略し、第２の電極層２２６をＡｌ（Ｄ＝２．７）で構成したものを用いることができる。

そして、例えば、図１０（ｂ）に示すように、先端側質量部５１Ｃａを、Ｃｒ層（第１の下地層２２１に対応する層）とＡｕ層（第１の電極層２２２に対応する層）との積層構造とし、基端側質量部５１ＣｂをＣｒ層（第１の下地層２２１に対応する層）とＡｌ（第２の電極層２２６に対応する層）との積層構造とすることにより、上述した構成を簡単に達成することができる。なお、Ｃｒ層は、振動腕２８とＡｕ層との密着性を向上させるための下地層であるため、必要に応じて省略してもよい。

（周波数の調整方法）
次に、本実施形態の振動片２の周波数調整方法について説明する。なお、以下では、振動腕２８の周波数調整を代表的に説明するが、振動腕２９、３０の周波数調整も振動腕２８の周波数調整と同様である。
振動片２の周波数調整方法は、［１］振動片２（周波数調整前）を用意する工程と、［２］先端側質量部５１Ｃａを除去することによる周波数粗調整工程と、［３］基端側質量部５１Ｃｂを除去することにより周波数微調整工程とを有する。

以下、各工程［１］、［２］、［３］を順次説明する。
［１］
まず、周波数調整前（未調整）の振動片２を用意する。
このとき、振動腕２８上には、先端側質量部５１Ｃａおよび基端側質量部５１Ｃｂが設けられている。また、このとき、振動腕２８の周波数（共振周波数）は、目標とする周波数（共振周波数）に対して低くなるように設定されている。

［２］
（粗調整）
まず、エネルギー線の照射により、先端側質量部５１Ｃａの一部または全部を必要に応じて除去する。なお、この粗調整において除去される先端側質量部５１Ｃａの形状、部位およびその除去量は、必要に応じて適宜設定されるものであり、例えば、先端側質量部５１Ｃａの一部をレーザー光の照射により除去した場合、先端側質量部５１Ｃａの除去された部分は、ライン状、ドット状等の形状をなす。
このような粗調整により、先端側質量部５１Ｃａの質量を減少させることができ、振動腕２８の周波数が高まる。また、この粗調整は、振動腕２８の周波数（共振周波数）が後述する微調整で調整可能な範囲内となるように目標とする周波数（共振周波数）に対して若干低くなるように行われる。

［３］
（微調整）
まず、エネルギー線の照射により、基端側質量部５１Ｃｂの先端側の部分の一部または全部を必要に応じて除去する。当該部分を除去することにより、前述したように、振動腕２８の周波数（共振周波数）を微少に高めることができる。そして、振動腕２８の周波数（共振周波数）を所定の値と一致させる。
なお、先端側から中央部に向かうに連れて、基端側質量部５１Ｃｂの除去量に対する周波数の変化量が小さくなるため、より高精度な周波数調整が必要な場合には、中央部よりの部位を除去することが効果的である。

また、例えば、基端側質量部５１Ｃｂの先端側を除去し過ぎたことによって、振動腕２８の周波数が所定値よりも高くなってしまう場合が考えられる。この時には、エネルギー線の照射により、基端側質量部５１Ｃｂの基端側の部分の一部または全部を除去すればよい。当該部分を除去することにより、前述したように、振動腕２８の周波数を微少に低くすることができるため、振動腕２８の周波数を所定値に合わせ込むことが可能となる。このように、基端側質量部５１Ｃｂによれば、振動腕２８の周波数を高める方向、低める方向のいずれの方向へも微調整することが可能なため、周波数の高精度な調整が可能となる。
以上説明したような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
以上説明したような各実施形態の振動片は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。

ここで、本発明の振動片を備える電子機器について、図１１〜図１３に基づき、詳細に説明する。
図１１は、本発明の振動片を備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルタ、共振器、基準クロック等として機能する振動子１が内蔵されている。

図１２は、本発明の振動片を備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、フィルタ、共振器等として機能する振動子１が内蔵されている。

図１３は、本発明の振動片を備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。

このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルタ、共振器等として機能する振動子１が内蔵されている。
なお、本発明の振動片を備える電子機器は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。

以上、本発明の振動片、振動片の製造方法、振動子、振動デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、上記実施例においては、質量部にエネルギー線を照射させて周波数調整を行う例について説明したが、これに限らず、イオンエッチング、サンドブラスト、ウェットエッチングにより質量部の質量を減少させても良い。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
例えば、前述した実施形態では、振動片が３つの振動腕を有する場合を例に説明したが、振動腕の数は、１つまたは２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。
また、本発明の振動デバイスは、振動片に発振回路を接続することにより、水晶発振器（ＳＰＸＯ）、電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）等の圧電発振器の他、ジャイロセンサー等に適用される。

１‥‥振動子 ２‥‥振動片 ２１‥‥振動基板 ２２‥‥圧電体素子 ２２１‥‥第１の下地層 ２２２‥‥第１の電極層 ２２３‥‥圧電体層 ２２４‥‥絶縁体層 ２２５‥‥第２の下地層 ２２６‥‥第２の電極層 ２３‥‥圧電体素子 ２３１‥‥第１の下地層 ２３２‥‥第１の電極層 ２３３‥‥圧電体層 ２３４‥‥絶縁体層 ２３５‥‥第２の下地層 ２３６‥‥第２の電極層 ２４‥‥圧電体素子 ２４１‥‥第１の下地層 ２４２‥‥第１の電極層 ２４３‥‥圧電体層 ２４４‥‥絶縁体層 ２４５‥‥第２の下地層 ２４６‥‥第２の電極層 ２７‥‥基部 ２７１‥‥薄肉部 ２７２‥‥厚肉部 ２８‥‥振動腕 ２８１‥‥上面 ２８２‥‥下面 ２９‥‥振動腕 ２９１‥‥上面 ３０‥‥振動腕 ３０１‥‥上面 ３‥‥パッケージ ３１‥‥ベース基板 ３２‥‥枠部材 ３３‥‥蓋部材 ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ‥‥外部端子 ３５ａ‥‥電極 ３５ｂ‥‥電極 ３６‥‥固定材 ３７‥‥金属ワイヤー ３８‥‥金属ワイヤー ４１‥‥接続電極 ４２‥‥接続電極 ４３‥‥配線 ５１‥‥質量部 ５１１‥‥第１の膜部 ５１２‥‥第２の膜部 ５１３‥‥第３の膜部 ５１４‥‥第４の膜部 ５１５‥‥第５の膜部 ５１６‥‥第６の膜部 ５１Ａ‥‥質量部 ５１Ｂ‥‥質量部 ５１Ｃ‥‥質量部 ５１Ｃａ‥‥先端側質量部 ５１Ｃｂ‥‥基端側質量部 ５２‥‥質量部 ５２１‥‥第１の膜部 ５２２‥‥第２の膜部 ５２３‥‥第３の膜部 ５２４‥‥第４の膜部 ５２５‥‥第５の膜部 ５２６‥‥第６の膜部 ５２Ａ‥‥質量部 ５２Ｂ‥‥質量部 ５３‥‥質量部 ５３１‥‥第１の膜部 ５３２‥‥第２の膜部 ５３３‥‥第３の膜部 ５３４‥‥第４の膜部 ５３５‥‥第５の膜部 ５３６‥‥第６の膜部 ５３Ａ‥‥質量部 ５３Ｂ‥‥質量部 １００‥‥表示部 １１００‥‥パーソナルコンピューター １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッターボタン １３０８‥‥メモリ １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥入出力端子 １４３０‥‥テレビモニター １４４０‥‥パーソナルコンピューター Ｓ‥‥内部空間

Claims (14)

1. 第１の方向と該第１の方向に直交する第２の方向とを含む平面上に設けられた基部と、
   前記基部から前記第１の方向に延出し、前記平面の法線方向に屈曲振動する振動腕と、
   前記振動腕に設けられ、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子と、
   前記振動腕に設けられた質量部と、を有し、
   前記圧電体素子は、少なくとも、第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に位置する圧電体層とを有し、
   前記質量部は、少なくとも１つの膜部を有し、
   前記膜部は、前記圧電体素子を構成する層のうちのいずれか１つの層と同じ材料で構成されたことを特徴とする振動片。
2. 前記圧電体素子は、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に位置する絶縁体層を有したことを特徴とする請求項１に記載の振動片。
3. 前記圧電体素子は、前記振動腕と前記第１の電極層との間に位置する下地層を有したことを特徴とする請求項２に記載の振動片。
4. 前記質量部の厚さは、前記圧電体素子の厚さ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の振動片。
5. 前記質量部は、前記振動腕の先端側に設けられた先端側質量部と、前記先端側質量部よりも基端側に設けられた基端側質量部と、を有したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の振動片。
6. 前記基端側質量部は、前記振動腕の基端から前記第１の方向の全長の１／２を超えた領域に設けられており、かつ、密度が２．２０（１０^３ｋｇ／ｍ^３）以上、８．９２（１０^３ｋｇ／ｍ^３）以下の材料で構成されたことを特徴とする請求項５に記載の振動片。
7. 前記先端側質量部は、密度が８．９２（１０^３ｋｇ／ｍ^３）より大きい材料で構成された部分を有したことを特徴とする請求項５または６に記載の振動片。
8. 前記第１の電極層および前記第２の電極層は、異なる材料で構成されたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の振動片。
9. 前記振動腕は、前記平面に対し水平な第１面と、該第１面に対向する第２面と、を有し、
   前記質量部は、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方の面上に設けられたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の振動片。
10. 前記振動腕は、前記第２の方向に複数並んで設けられ、隣り合う２つの前記振動腕が互いに反対方向に屈曲振動することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の振動片。
11. 第１の方向と該第１の方向に直交する第２の方向とを含む平面上に形成される基部と、
    前記基部から前記第１の方向に延出し、前記平面の法線方向に屈曲振動する振動腕と、
    前記振動腕に設けられ、少なくとも第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に位置する圧電体層とを有し、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子と、前記振動腕に設けられた質量部とを有する振動片の製造方法であって、
    前記質量部は、前記圧電体素子と一括して形成されることを特徴とする振動片の製造方法。
12. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の振動片と、
    前記振動片を収納したパッケージと、を備えたことを特徴とする振動子。
13. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の振動片と、
    前記振動片に接続された発振回路と、を備えたことを特徴とする振動デバイス。
14. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の振動片を備えたことを特徴とする電子機器。

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