JP2012062419A - エラストマー材料、その製造方法、それを用いた柔軟導電材料およびトランスデューサ - Google Patents
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【解決手段】 エラストマー材料は、溶剤により抽出され、体積抵抗率が1×107Ω・cm未満の低抵抗不純物を含まない。また、柔軟導電材料は、当該エラストマー材料と導電剤とを有する。当該エラストマー材料は、例えば、架橋後のエラストマー材料を溶剤に浸漬し、該エラストマー材料から不純物を抽出した後、乾燥して製造することができる。また、再沈殿法により精製したゴムポリマーを用いて製造することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明のエラストマー材料は、溶剤により抽出され、体積抵抗率が1×107Ω・cm未満の低抵抗不純物を含まない。低抵抗不純物の有無は、エラストマー材料を溶剤に浸漬した時に抽出される抽出物により、判断すればよい。すなわち、抽出物がないか、あるいは、抽出物の体積抵抗率が1×107Ω・cm以上であれば、本発明のエラストマー材料に含まれる。
[第一の製造方法]
本発明の第一のエラストマー材料の製造方法は、抽出工程と乾燥工程とを有する。以下、各工程について説明する。
本工程は、架橋後のエラストマー材料を溶剤に浸漬し、該エラストマー材料から不純物を抽出する工程である。
本工程は、先の抽出工程で不純物を抽出した後のエラストマー材料を、乾燥させる工程である。
本発明の第二のエラストマー材料の製造方法は、沈殿工程と架橋工程とを有する。以下、各工程について説明する。
本工程は、原料のゴムポリマーを良溶媒に溶解したゴムポリマー溶液を、該ゴムポリマー中の不純物を溶解可能であって該ゴムポリマーを溶解しにくい貧溶媒に添加して、該ゴムポリマーを沈殿させる工程である。
本工程は、先の沈殿工程や再沈殿工程で沈殿したゴムポリマーを架橋する工程である。架橋方法については、上記本発明のエラストマー材料の実施形態において、説明した通りである。反応残渣が生じにくいという観点から、有機金属化合物のゾルゲル反応を利用する、あるいは、架橋剤等の添加剤として、低抵抗不純物となる物質を含まないものを用いることが望ましい。後者の架橋方法としては、ヒドロシリル架橋、エポキシ架橋等が挙げられる。
本発明の柔軟導電材料は、誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、複数の該電極と各々接続される配線と、を備えるトランスデューサにおいて、該電極および該配線の少なくとも一方に用いられる。本発明の柔軟導電材料は、上記本発明のエラストマー材料と、該エラストマー材料に配合される導電剤と、を有する。
本発明のトランスデューサは、誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備える。ここで、誘電膜は、上記本発明のエラストマー材料からなる。本発明のエラストマー材料の構成、および製造方法については、上述した通りである。よって、ここでは説明を割愛する。なお、本発明のトランスデューサにおいても、本発明のエラストマー材料の好適な態様を採用することが望ましい。以下、本発明のトランスデューサの例として、アクチュエータ、発電素子、およびスピーカの実施形態を説明する。なお、以下の実施形態においては、電極を本発明の柔軟導電材料から形成している。しかし、本発明のトランスデューサにおいては、電極材料として、必ずしも本発明の柔軟導電材料を採用しなくてもよい。
本発明のトランスデューサの第一例として、アクチュエータの実施形態を説明する。図1に、本実施形態のアクチュエータの断面模式図を示す。(a)は電圧オフ状態、(b)は電圧オン状態を各々示す。
本発明のトランスデューサの第二例として、発電素子の実施形態を説明する。図2に、本実施形態における発電素子の断面模式図を示す。(a)は伸長時、(b)は収縮時を各々示す。
本発明のトランスデューサの第三例として、スピーカの実施形態を説明する。まず、本実施形態のスピーカの構成について説明する。図3に、本実施形態のスピーカの斜視図を示す。図4に、図3のIV−IV断面図を示す。図3、図4に示すように、スピーカ4は、第一アウタフレーム40aと、第一インナフレーム41aと、第一誘電膜42aと、第一アウタ電極43aと、第一インナ電極44aと、第一振動板45aと、第二アウタフレーム40bと、第二インナフレーム41bと、第二誘電膜42bと、第二アウタ電極43bと、第二インナ電極44bと、第二振動板45bと、八つのボルト460と、八つのナット461と、八つのスペーサ462と、を備えている。
[実施例1のエラストマー材料]
まず、原料ゴムポリマーのニトリルゴム(日本ゼオン(株)製「Nipol(登録商標)DN003」)100質量部と、加硫助剤の酸化亜鉛2種(堺化学工業(株)製)5質量部とを、ロール練り機にて混練りした。続いて、架橋剤の硫黄(鶴見化学工業(株)製「サルファックスT−10」)0.44質量部と、加硫促進剤のテトラエチルチウラムジスルフィド(三新化学工業(株)製「サンセラー(登録商標)TET−G」)2.1質量部、およびN−シクロヘキシル−2−ベンゾチアジルスルフェンアミド(同社製「サンセラーCZ−G」)1質量部と、を添加して、ロール練り機にて混練りし、シート状のゴム組成物を製造した。次に、製造したゴム組成物を金型に充填し、150℃で18分間プレス架橋することにより、薄膜状のエラストマー材料を得た。そして、得られたエラストマー材料を、室温下でMEKに60分間浸漬して、不純物の抽出処理を行った。抽出後、エラストマー材料を溶剤から取り出して、100℃下で60分間乾燥させた。乾燥後のエラストマー材料を、実施例1のエラストマー材料とした。
まず、カルボキシル基含有水素化ニトリルゴム(ランクセス社製「テルバン(登録商標)XT8889」)95質量部を、アセチルアセトンに溶解して、ゴムポリマー濃度が12質量%の第一溶液を調製した。続いて、調製した第一溶液に、有機金属化合物のテトラ−n−ブトキシチタンの重合体(日本曹達(株)製「B−4」)6.5質量部を添加して、第二溶液を調製した。ここで、アセチルアセトンは、カルボキシル基含有水素化ニトリルゴム(ゴムポリマー)を溶解させる溶媒であると共に、テトラ−n−ブトキシチタン(金属アルコキシド化合物)のキレート剤である。その後、第二溶液を基材上に塗布し、この状態のまま室温下で二週間、乾燥、養生した後、150℃で60分間加熱して、薄膜状のエラストマー材料を得た。得られたエラストマー材料を、実施例2のエラストマー材料とした。
実施例2で得られたエラストマー材料を、室温下でMEKに60分間浸漬して、不純物の抽出処理を行った。抽出後、エラストマー材料を溶剤から取り出して、100℃下で60分間乾燥させた。乾燥後のエラストマー材料を、実施例3のエラストマー材料とした。
まず、カルボキシル基含有水素化ニトリルゴム(同上)95質量部を、MEK(良溶媒)に溶解して、濃度が12質量%のゴムポリマー溶液を調製した。次に、調製したゴムポリマー溶液を、10倍の体積のブタノール(貧溶媒A)に添加して、ゴムポリマーを沈殿させた。そして、沈殿したゴムポリマーを、80℃下で60分間乾燥させた。続いて、乾燥したゴムポリマーを、再びMEKに溶解して、濃度が12質量%のゴムポリマー溶液を調製した。そして、調製したゴムポリマー溶液を、10倍の体積のn−ヘキサン(貧溶媒B)に滴下して、ゴムポリマーを再沈殿させた。その後、再沈殿したゴムポリマーを、100℃下で30分間乾燥させて、精製されたカルボキシル基含有水素化ニトリルゴムを得た(以下、「精製ニトリルゴム」と称す)。
実施例1のエラストマー材料の製造過程で得られた、不純物の抽出処理を行う前の薄膜状のエラストマー材料を、比較例1のエラストマー材料とした。
実施例1のエラストマー材料の製造過程において、抽出処理によりエラストマー材料から抽出された不純物の量と、体積抵抗率と、を測定した。ここで、不純物を抽出したエラストマー材料は、比較例1のエラストマー材料である。したがって、抽出された不純物は、比較例1のエラストマー材料に含まれていた不純物ということになる。
実施例および比較例のエラストマー材料の体積抵抗率を、JIS K6271(2008)に準じて測定した。測定は、直流電圧100Vを印加して行った。体積抵抗率の測定結果を、上記表1にまとめて示す。表1に示すように、実施例1〜4のエラストマー材料の体積抵抗率は、いずれも1×1011Ω・cm以上であった。これに対して、比較例1のエラストマー材料の体積抵抗率は、1×1011Ω・cm未満であった。
次に、実施例および比較例のエラストマー材料を、各々誘電膜としてアクチュエータを構成し、アクチュエータの最大発生応力、最大電界強度、および駆動回数を測定した。まず、実験装置および実験方法について説明する。
まず、エポキシ基含有アクリルゴムポリマー(日本ゼオン(株)製「Nipol AR42W」)100質量部を、MEKに溶解して、濃度が12質量%のゴムポリマー溶液を調製した。次に、調製したゴムポリマー溶液に、導電剤(ケッチェンブラックインターナショナル(株)製「ケッチェンブラック(登録商標)EC−600JD」)10質量部を添加して、ビーズミルにより混練し、分散させた。このゴムポリマー溶液に、さらに、加硫促進剤のジメチルジチオカルバミン酸亜鉛(大内新興化学(株)製「ノクセラー(登録商標)PZ」)2.5質量部、およびジメチルジチオカルバミン酸第二鉄(大内新興化学(株)製「ノクセラーTTFE」)0.5質量部を添加して混合し、混合液を調製した。続いて、調製した混合液を基材上に塗布し、塗膜を約170℃で30分間加熱して、架橋反応を進行させた。得られた薄膜状の柔軟導電材料を、未抽出の柔軟導電材料と称す。
製造した二種類の柔軟導電材料を電極としてアクチュエータを構成し、アクチュエータの最大発生応力、最大電界強度、および駆動回数を測定した。誘電膜としては、上記実施例1のエラストマー材料を使用した。すなわち、まず、実施例1の誘電膜の表裏両面に、未抽出の柔軟導電材料からなる電極を貼着して、アクチュエータを作製した。次に、実施例1の誘電膜の表裏両面に、抽出後の柔軟導電材料からなる電極を貼着して、アクチュエータを作製した。以下、前者のアクチュエータを「参考例のアクチュエータ」、後者のアクチュエータを「実施例5のアクチュエータ」と称す。実験装置および実験方法については、先に行ったアクチュエータの評価と同じである(前出図6、図7参照)。参考例および実施例5のアクチュエータにおける最大発生応力、最大電界強度の測定結果、および耐久性の評価結果を、表2に示す。
12a、12b:配線 13:電源
3:発電素子(トランスデューサ) 30:誘電膜 31a、31b:電極
32a〜32c:配線
4:スピーカ(トランスデューサ)
40a:第一アウタフレーム 40b:第二アウタフレーム
41a:第一インナフレーム 41b:第二インナフレーム
42a:第一誘電膜 42b:第二誘電膜
43a:第一アウタ電極 43b:第二アウタ電極
44a:第一インナ電極 44b:第二インナ電極
45a:第一振動板 45b:第二振動板
430a、430b、440a、440b:端子 460:ボルト 461:ナット
462:スペーサ
5:アクチュエータ 50:誘電膜 51a、51b:電極 52:上側チャック
53:下側チャック
6:測定装置 60:抽出物 61:シャーレ 62a、62b:電極
63:電圧印加ソースメジャーユニット
Claims (10)
- 誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備えるトランスデューサに用いられるエラストマー材料であって、
溶剤により抽出され、体積抵抗率が1×107Ω・cm未満の低抵抗不純物が含まれないことを特徴とするエラストマー材料。 - 体積抵抗率は、1×1011Ω・cm以上である請求項1に記載のエラストマー材料。
- ゴムポリマーと有機金属化合物とから合成される請求項1または請求項2に記載のエラストマー材料。
- 前記誘電膜に用いられ、比誘電率は4以上である請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のエラストマー材料。
- 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエラストマー材料の製造方法であって、
架橋後のエラストマー材料を溶剤に浸漬し、該エラストマー材料から不純物を抽出する抽出工程と、
抽出後の該エラストマー材料を乾燥させる乾燥工程と、
を有することを特徴とするエラストマー材料の製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエラストマー材料の製造方法であって、
原料のゴムポリマーを良溶媒に溶解したゴムポリマー溶液を、該ゴムポリマー中の不純物を溶解可能であって該ゴムポリマーを溶解しにくい貧溶媒に添加して、該ゴムポリマーを沈殿させる沈殿工程と、
沈殿した該ゴムポリマーを架橋する架橋工程と、
を有することを特徴とするエラストマー材料の製造方法。 - 前記沈殿工程の後に、沈殿した前記ゴムポリマーを良溶媒に溶解してゴムポリマー溶液を調製し、該ゴムポリマー溶液を、該ゴムポリマー中の不純物を溶解可能であって該ゴムポリマーを溶解しにくい貧溶媒に添加して、該ゴムポリマーを再沈殿させる再沈殿工程を、少なくとも一回有する請求項6に記載のエラストマー材料の製造方法。
- 誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、複数の該電極と各々接続される配線と、を備えるトランスデューサにおいて、該電極および該配線の少なくとも一方に用いられる柔軟導電材料であって、
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のエラストマー材料と、
該エラストマー材料に配合される導電剤と、
を有することを特徴とする柔軟導電材料。 - 誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備えるトランスデューサであって、
前記誘電膜は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエラストマー材料からなることを特徴とするトランスデューサ。 - 前記電極は、請求項8に記載の柔軟導電材料からなる請求項9に記載のトランスデューサ。
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