JP2012062228A - Afi型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜は、緻密結晶層の少なくとも片面に柱状の結晶が成長したものである。
【選択図】図3
Description
基板に支持されたゼオライト膜(以下、ゼオライト支持膜と呼ぶ。)は、強度や取り扱いの点において優れるものの、多孔質基板を用いた場合にはゼオライト結晶が無配向で膜化しやすいなどの問題点もある。特に、一次元細孔を有するゼオライトでは、例えば、細孔が膜に対して平行に配置していれば、膜のガス透過・分離特性が劣化することにもつながる。そのために、一次元細孔が膜に対して垂直に配向していることが望まれ、配向ゼオライト支持膜の合成研究も盛んになされてきた(非特許文献2、3、4及び5)。
合成原料が、Al2O3、P2O5、(C2H5)3N、H2O及びpH調整剤の酸を含有し、合成原料に支持基板としての固体や液体を有しない。換言すれば、水熱合成用容器内にアルミナ、リン酸、(C2H5)3N、水、pH調製剤の酸を自立膜の主原料として含み、原料溶液と固体もしくは液体との界面は、反応容器内壁のみからなる。
以下、本発明の具体的な実施条件について説明する。
反応溶液の調製は以下のようにして行った。
Al源、P源、有機アミン、pH調整剤として、下記の試薬を用いた。
Al源:アルミナゾル[10wt%水溶液](川研ファインケミカル社製)
P源:オルトリン酸溶液[85wt%水溶液](和光純薬またはアルドリッチ)
有機アミン:トリエチルアミン((C2H5)3N)[99wt%+](東京化成または和光純薬)
pH調整剤:硫酸(東京化成)
Al2O3:P2O5:(C2H5)3N:H2O=1.0:1.0:3.0:550
次に、水141gに、撹拌下でアルミナゾル70.0gを分散させたものを溶液Bとする。
溶液Aを撹拌状態にある溶液Bに滴下し、溶液の均一化のために30分間撹拌を保持する。更に、撹拌を続けながら、硫酸を滴下することにより、pHを調整する。1時間の撹拌の後、溶液を所定の時間(その時間依存性に関しては以下の実施例中にて適宜示す。)静置する。
各原料を混合することにより得た反応溶液は、オートクレーブに密封後、加熱用オーブンに投入する。オーブン内のオートクレーブは静置しておく。所定の加熱(温度[Temp]、及びその保持時間[THeating]は、以下の実施例中にて適宜示す。)を終えたら、オートクレーブをオーブンから速やかに取り出し、流水により急冷する。
このようにして得た自立膜、及び粉末結晶には合成時に使用した(C2H5)3Nが一次元細孔内に存在するため、空気5(l)/min.の流量下で600℃にて60時間の焼成を行い、(C2H5)3Nを酸化反応により除去した。焼成後は、粉末粉砕試料(詳細は以下に示す。)が白色、自立膜は薄い肌色を呈した。
粉末XRDパターンは、Bragg−Brentano光学系を有するMacScience社 MXP−3TZを用い、Cu−Kα1,2線を使った試料照射幅一定の条件下にて室温測定した。
走査電子顕微鏡像(SEM)は、日立S−800を用い、加速電圧10kVにて2次電子像を観察した。
光学顕微鏡像は、オリンパス社BX−70型顕微鏡を用い、無偏光透過像を明・暗視野観察した。
<自立膜の作製>
出発原料のモル比、反応溶液のpH、熟成時間、加熱温度、及びその時間を表1に示す。
本実施例では、自立膜のみならず、膜形成に関与しないAlPO4−5粉末結晶も併せて得られた。
本実施例では、テフロン内筒の内径が8.7cm(面積にして60cm2相当)である。より大きな内径を有するテフロン内筒を用いれば、更に大きな面積を有する自立膜を得ることができる。
<自立膜のキャラクタリゼーション[粉末XRD、SEM、ガス吸着特性]>
自立膜の合成条件を表1に示す。
実施例1と同様にして、自立膜を合成した。
図5(a)に未焼成粉末結晶のXRDパターンを示し、(b)に焼成した粉末結晶のXRDパターンを示す。
未焼成粉末結晶の格子定数は、a=b=1.3653nm、c=0.8530nmの六方格子と見積もられた。
図6のXRDパターン直下に示された複数の縦棒の印は、図5と同様に、出現可能な回折線の位置を表し、実際の強度の強い回折線に対しては指数付けを行った。
未焼成自立膜の格子定数は、a=b=1.3653nm、c=0.8530nmの六方格子と見積もられた。
図7の左図は、自立膜の断面を観察したものである。自立膜面内方向は右上から左下方向である。
自立膜の膜厚は170μm程度である。図7より、自立膜面内方向から垂直方向に柱状の結晶が伸びていることがわかる。
<出発原料依存性>
本実施例における合成条件を表1に示す。
出発原料のAl源として、擬ベーマイト(Catapal B, Sasol North America社製)を用いて合成を行った。その結果、図9に示すように、複数枚に分裂した自立膜が作製された。これは、擬ベーマイトの解膠(アルミナゾル形成)が十分に行われていないうちに水熱反応を行ったためと考えられる。図中のスケールの目盛り単位はmmである。
本実施例における合成条件を表1に示す。
図10に、生成物(AlPO4−5)の(a)総収率、粉末収率、自立膜収率を示し、(b)AlPO4−5の面積の加熱時間依存性を示す。ここで、図10(b)中の縦棒は誤差を意味する。
図中の破線は、総収率の時間依存性に対する近似曲線を表したもので、下記式(1)の関数を表す。
自立膜合成はその使用目的により、以下に示す種々の合成条件から最適なものを選択することになるが、合成反応を十分に進める場合には、48時間以上の加熱を行うのが好ましい。
本実施例における合成条件を表1に示す。
図11に、水熱合成温度(Temp)を160〜200℃の間で変化させた場合のAlPO4−5総収率、自立膜収率、及び自立膜個別面積の結果を示す。なお、自立膜個別面積の定義については後述する。
本実施例における合成条件を表1に示す。
図12に、硫酸の滴下量を調整することにより、反応溶液のpHを2.45〜3.40の間で変化させて、AlPO4−5自立膜合成を行った際の自立膜の個別面積及び総面積を示す。加熱温度は190℃、加熱時間は48時間である。自立膜総面積については、測定誤差、個別面積に関し、統計的分布を誤差棒として表した。以下の図面においても、総面積と個別面積における誤差棒の定義は同様である。
本実施例における合成条件を表1に示す。
図13(a)〜(c)は、反応溶液を加熱前に室温にて静置(熟成)する時間(Taging)を0〜24時間と変化させた場合において生成される自立膜の写真を示す。Tagingは、それぞれ0、3、24hである。図中のスケールの目盛り単位はmmである。
本実施例における合成条件を表1に示す。
図15に、構造指向剤として用いるトリエチルアミン(TEA:(C2H5)3N)の量(TEA/Al2O3)を1〜6で変化させた場合の自立膜への寄与を、自立膜の総面積と個別面積とに分けてプロットした。反応溶液のpH=2.95(ただし、(C2H5)3N/Al2O=1、1.5の場合は除く。)である。加熱温度は190℃、加熱時間は48〜68時間とした。ここで総面積と個別面積とは、図12の場合と同じ定義である。なお、反応溶液が(C2H5)3N/Al2O=1及び1.5の場合では、硫酸滴下によるpH調整を行う前の段階で既にそれぞれpH=2.06、2.56であったため、そのまま水熱合成を行った。
図15から明らかなように、TEA/Al2O3=1.5〜6.0の広い範囲で自立膜が形成されるものの、合成容器の断面積である60cm2に相当する一枚の自立膜が形成されるのは、モル比がTEA/Al2O3=2〜4の範囲であり、この条件範囲が自立膜形成の点で最も望ましい。
本実施例における合成条件を表1に示す。
水溶液中の水の量(H2O/Al2O3)を150〜700で変化させ、自立膜の収率及び個別面積への寄与を、図16にプロットした。
本実施例における合成条件を表1に示す。
図17に、アルミナに対する酸化リンの量(P2O5/Al2O3)を変化させた場合の自立膜の収率及び総面積の変化をそれぞれプロットした。
<自立膜形成起点>
実施例1で示したように、本実施例における自立膜は合成容器であるテフロン内筒の底面にて形成されたものではない。すなわち、反応溶液の加熱途中に水溶液中のどこかで自立膜が形成され、重力による沈降を経て、合成容器の底に到達したものである。
ートの内側は中空となっている。具体的には、円錐台状のシート内に形成される自立膜が円形であれば、その直径を測り、対応する円錐台断面の直径と比較することにより、水溶液中で形成される自立膜の位置(高さ)を知ることができる。
図19は、図18による水熱反応で合成された本発明に係る多孔性自立膜の写真である。すなわち、図18を用いた水熱反応により合成された自立膜を示す。図中の中央の円形自立膜は、円錐台状テフロンシート内側の反応容器底部から回収したものである。その他の破片ディスクは、円錐台状テフロンシートの外側とテフロン内筒の間に形成された自立膜であり、その膜厚は100〜120μmであった。なお、図中のスケールの目盛り単位はmmである。
RoHS指令(2006年7月からEU圏で施行された電気・電子機器に対する特定有害物質使用制限指令)に基づく環境低負荷な、かつシンプルな手法によるゼオライト自立膜合成法を提供する。具体的には、従来、平滑基板(水銀等の液体金属を含む)や一次元多孔性基板、金属メッシュ基板などが必要となる一軸性配向膜をこれらの基板を使用することなく、自己組織的に合成できることから、低コスト、低エネルギー、低環境負荷によるゼオライト自立膜の提供が可能となった。
Claims (12)
- 緻密結晶層の少なくとも片面に柱状の結晶が成長したAFI型アルミノリン酸塩の多
孔性結晶自立膜。 - 膜厚が50〜2000μmであることを特徴とする請求項1に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜。
- 結晶c軸が緻密結晶層に対して垂直方向に配向することを特徴とする請求項1又は2に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜。
- 前記柱状の結晶が、六角柱状の結晶であり、緻密結晶層に対して垂直方向に成長することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜。
- 投影面積が、少なくとも50cm2以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜。
- Al2O3:P2O5:(C2H5)3N:H2O=1:0.5〜2.0:1.0〜6.0:150〜700(モル比)を含有する合成原料から反応溶液を形成し、前記反応溶液のpHを2.4以上3.4未満に調製するAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
- 前記合成原料を(C2H5)3N/Al2O3=1.0〜6.0(モル比)に調製し、配向性を制御することを特徴とする請求項6に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
- 前記反応溶液を温度160〜210℃において、6時間以上加熱することを特徴とする請求項6又は7に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
- 前記反応溶液を温度0〜50℃において、静置時間を0〜100時間の間で変化させることにより、前記膜厚及び/又は配向性を制御することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
- 前記合成原料のP2O5/Al2O3(モル比)を変化させることにより、前記膜厚及び/又は配向性を制御することを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
- 前記合成原料が、Al2O3、P2O5、(C2H5)3N、H2O及びpH調整剤の酸を含有し、前記合成原料に支持基板としての固体や液体を有しないことを特徴とする請求項6乃至10のいずれか1項に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
- 反応溶液の表面と空気の界面に、自立膜の結晶核及び/又は微結晶を生成することを特徴とする請求項6乃至11のいずれか1項に記載のAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜の製造方法。
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