JP2012053257A

JP2012053257A - 電気光学装置および電子機器

Info

Publication number: JP2012053257A
Application number: JP2010195441A
Authority: JP
Inventors: Masaya Watanabe; 賢哉渡辺
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2010-09-01
Filing date: 2010-09-01
Publication date: 2012-03-15

Abstract

【課題】プッシュダウン現象の影響を低減した電圧を電気光学素子に印加する。
【解決手段】画素回路１１は、書き込まれたデータに応じた電荷を一端及び他端の間に保持する第１保持容量Ｃ＋及び第２保持容量Ｃ−と、第１トランジスター１１１と第２トランジスター１１２と、第３トランジスター１１３と第４トランジスター１１４と、第５トランジスター１１５と第６トランジスター１１６とを有し、第１トランジスターがオフ状態からオン状態に切り替わった後で、第５トランジスターはオン状態からオフ状態に切り替わり、第１トランジスターがオン状態からオフ状態に切り替わる時点において、第５トランジスターはオフ状態であり、第２トランジスターがオフ状態からオン状態に切り替わった後で、第６トランジスターはオン状態からオフ状態に切り替わり、第２トランジスターがオン状態からオフ状態に切り替わる時点において、第６トランジスターはオフ状態である。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

特許文献１は、いわゆる面順次駆動を行う液晶表示装置を開示している。特許文献２は
、面順次駆動に関し、前後のフィールドのデータの影響を低減するため、データを補正す
る技術を開示している。特許文献３は、液晶の焼き付きを防止するため、正極性電圧と負
極性電圧とを交互に印加する技術を開示している。より具体的には、特許文献１の液晶表
示装置は、各画素について、保持容量（Ｃｓ）と、データを保持容量に書き込むための第
１トランジスター（Ｔｒ１）と、保持容量から液晶にデータを書き込むための第２トラン
ジスター（Ｔｒ２）とを有する（図１参照）。保持容量へのデータの書き込みはいわゆる
線順次により行われ、全画素の保持容量に書き込みが終わった後で、一括パルスにより第
２トランジスターがオンされ、全画素の液晶に一斉にデータが書き込まれる。

特開２００１−７５５３４号公報特開２００１−２５５８５８号公報特開２００９−２２３３２２号公報

例えば特許文献１の液晶装置においては、第２トランジスターがオフ状態になったとき
に、第２トランジスターのソースの電圧が、ゲート−ソース間の容量カップリングによっ
て降下する、いわゆるプッシュダウン現象が起こる場合がある。
本発明は、プッシュダウン現象の影響を低減した電圧を電気光学素子に印加する技術を
提供する。

本発明は、一端と他端の間に印加される電圧に応じた階調を示し、前記一端と前記他端
の間には、第１フィールドにおいて正極性の電圧が印加され、第２フィールドにおいて負
極性の電圧が印加され、前記第１フィールドおよび前記第２フィールドが交互に繰り返さ
れる電気光学素子と、前記第１フィールドにおいて前記電気光学素子に書き込まれるデー
タを示すデータ信号を供給する第１データ線と、前記第２フィールドにおいて前記電気光
学素子に書き込まれるデータを示すデータ信号を供給する第２データ線と、前記第１フィ
ールドにおいて前記データが書き込まれる電気光学素子を選択するための走査信号を供給
する第１走査線と、前記第２フィールドにおいて前記データが書き込まれる電気光学素子
を選択するための走査信号を供給する第２走査線と、前記第１フィールドにおいて前記電
気光学素子へのデータの書き込みを行うタイミングを制御するための第１信号を供給する
第１信号線と、前記第２フィールドにおいて前記電気光学素子へのデータの書き込みを行
うタイミングを制御するための第２信号を供給する第２信号線と、前記第１フィールドに
おいて前記データを補正するタイミングを制御するための第３信号を供給する第３信号線
と、前記第２フィールドにおいて前記データを補正するタイミングを制御するための第４
信号を供給する第４信号線と、前記第１フィールドにおいて共通電圧を与えるための第１
共通電圧線と、前記第２フィールドにおいて共通電圧を与えるための第２共通電圧線と、
前記電気光学素子への電圧の印加を制御する画素回路とを有し、前記画素回路は、前記第
１フィールドにおいて書き込まれたデータに応じた電荷を一端および他端の間に保持する
第１保持容量と、前記第２フィールドにおいて書き込まれたデータに応じた電荷を一端お
よび他端の間に保持する第２保持容量と、前記第１走査線に接続されたゲート、前記第１
データ線に接続されたソース、および前記第１保持容量の前記一端に接続されたドレイン
を有する第１トランジスターと、前記第２走査線に接続されたゲート、前記第２データ線
に接続されたソース、および前記第２保持容量の前記一端に接続されたドレインを有する
第２トランジスターと、前記第１信号線に接続されたゲート、前記第１保持容量の前記一
端に接続されたソース、および前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有す
る第３トランジスターと、前記第２信号線に接続されたゲート、前記第２保持容量の前記
一端に接続されたソース、および前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有
する第４トランジスターと、前記第３信号線に接続されたゲート、前記第１共通電圧線に
接続されたソース、および前記第１保持容量の前記他端に接続されたドレインを有する第
５トランジスターと、前記第４信号線に接続されたゲート、前記第２共通電圧線に接続さ
れたソース、および前記第２保持容量の前記他端に接続されたドレインを有する第６トラ
ンジスターとを有し、前記第１トランジスターがオフ状態からオン状態に切り替わった後
で、前記第５トランジスターはオン状態からオフ状態に切り替わり、前記第１トランジス
ターがオン状態からオフ状態に切り替わる時点において、前記第５トランジスターはオフ
状態であり、前記第２トランジスターがオフ状態からオン状態に切り替わった後で、前記
第６トランジスターはオン状態からオフ状態に切り替わり、前記第２トランジスターがオ
ン状態からオフ状態に切り替わる時点において、前記第６トランジスターはオフ状態であ
ることを特徴とする電気光学装置を提供する。
この電気光学装置によれば、第５トランジスターおよび第６トランジスターを有さない
場合と比較して、プッシュダウン現象の影響を低減した電圧を電気光学素子に印加するこ
とができる。

好ましい態様において、この電気光学装置は、前記電気光学素子に書き込まれたデータ
を前記第１フィールドにおいてリセットするタイミングを制御するための第５信号を供給
する第５信号線と、前記電気光学素子に書き込まれたデータを前記第２フィールドにおい
てリセットするタイミングを制御するための第６信号を供給する第６信号線とを有し、前
記画素回路が、前記第５信号線に接続されたゲート、前記第１共通電圧線に接続されたソ
ース、および前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有する第７トランジス
ターと、前記第６信号線に接続されたゲート、前記第２共通電圧線に接続されたソース、
および前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有する第８トランジスターと
を有し、前記第７トランジスターは、前記第１フィールドにおいて所定期間オン状態にな
り、前記第８トランジスターは、前記第２フィールドにおいて所定期間オン状態になって
もよい。
この電気光学装置によれば、各フィールドにおいて、電気光学素子に書き込まれたデー
タをリセットすることができる。

別の好ましい態様において、前記第７トランジスターは、前記第１フィールドの始期か
ら前記所定期間オン状態になり、前記第８トランジスターは、前記第２フィールドの始期
から前記所定期間オン状態になり、前記電気光学素子は、ノーマリーブラック型であって
もよい。
この電気光学装置によれば、各フィールドの始期に黒挿入期間を設けることができる。

さらに別の好ましい態様において、前記第７トランジスターは、前記第８トランジスタ
ーと異なる伝導型のチャネルを有してもよい。
この電気光学装置によれば、第７トランジスターおよび第８トランジスターを保護ダイ
オードとして機能させることができる。

さらに別の好ましい態様において、前記電気光学素子の前記他端には、前記第１フィー
ルドにおいて第１電圧が印加され、前記第２フィールドにおいて前記第１電圧よりも高い
第２電圧が印加され、前記第１共通電圧は前記第１電圧と等しく、前記第２共通電圧は前
記第２電圧と等しくてもよい。
この電気光学装置によれば、第１共通電圧が第１電圧とことなっている場合、または第
２共通電圧が第２電圧と異なっている場合と比較して電源電圧の数を低減することができ
る。

さらに別の好ましい態様において、前記画素回路は、複数の画素の各々に対して設けら
れ、一の画素の前記第１データ線と、前記一の画素に隣接する他の画素の前記第２データ
線との距離は、前記一の画素の前記第１データ線と、前記他の画素の前記第１データ線と
の距離よりも短くてもよい。
この電気光学装置によれば、隣接画素間のクロストークを低減することができる。

さらに別の好ましい態様において、前記第１保持容量と前記第２保持容量とは、カップ
リングしない程度に離間して配置されるか、または、前記第１保持容量と前記第２保持容
量との間にシールド配線が設けられてもよい。
この電気光学装置によれば、第１保持容量と第２保持容量のカップリングを低減するこ
とができる。

また、本発明は、上記いずれかの項に記載の電気光学装置を有する電子機器を提供する
。
この電子機器によれば、第５トランジスターおよび第６トランジスターを有さない場合
と比較して、プッシュダウン現象の影響を低減した電圧を電気光学素子に印加することが
できる。

電気光学装置１の構成を示すブロック図である。液晶パネル１０の構成を示す図である。液晶パネル１０の動作の概要を示すタイミングチャートである。画素回路１１の構成を示す図である。画素回路１１の動作を示すタイミングチャートである。変形例に係るプロジェクター２１００を例示する図である。

図１は、一実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。この例で、
電気光学装置１は、外部から入力される映像信号Ｖｉｄに応じた画像を表示する液晶表示
装置である。電気光学装置１は、液晶パネル１０と、制御回路２０とを有する。

制御回路２０は、液晶パネル１０を制御する回路である。この例で、制御回路２０は、
映像信号Ｖｉｄおよび同期信号Ｓｙｎｃに基づいて、データ信号Ｖｘ、制御信号Ｘｃｔｒ
、および制御信号Ｙｃｔｒを出力する。データ信号Ｖｘは、所定範囲内の階調値に変換さ
れた画像（映像）データを示す。制御信号Ｘｃｔｒおよび制御信号Ｙｃｔｒは、それぞれ
、液晶パネル１０においてデータ線および走査線の駆動制御に用いられる。さらに、制御
回路２０は、液晶パネル１０に共通電圧ＬＣＣＯＭを提供する。

図２は、液晶パネル１０の構成を示す図である。液晶パネル１０は、画素回路１１と、
走査線駆動回路１２と、データ線書き込み回路１３と、面順次選択回路１４と、ＶＣＯＭ
供給回路１５と、ｍ本の走査線ＧＬ＋と、ｍ本の走査線ＧＬ−と、ｎ本のデータ線ＤＬ＋
と、ｎ本のデータ線ＤＬ−と、共通電圧線ＶＣＯＭ＋と、共通電圧線ＶＣＯＭ−と、ｍ本
の信号線ｄｉｓと、ｍ本の信号線／ｐｒｅと、ｍ本の信号線ＳＡＬＬ＋と、ｍ本の信号線
ＳＡＬＬ−と、ｍ本の信号線ＳＨＺ＋と、ｍ本の信号線ＳＨＺ−とを有する。図２におい
て、ｍ本の走査線ＧＬ＋の各々は、ＧＬ１＋、ＧＬ２＋、ＧＬ３＋、…、ＧＬｍ＋という
ように添字を用いて区別される。他の信号線および走査線についても同様である。なお、
以下において、信号線とその信号線により伝達される信号とは、共通の符号を用いて説明
される。

画素回路１１は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置されている。ｍおよびｎは、ともに２
以上の自然数である。画素回路１１は、液晶を含む画素に、データ信号Ｖｘが示すデータ
を書き込む（すなわちデータに応じた電圧を印加する）ための回路である。液晶パネル１
０は、素子基板と、対向基板と、液晶層とを有する（いずれも図示略）。素子基板と対向
基板とは、一定の間隙を保って貼り合わせられている。素子基板のうち対向基板と対向す
る面には、走査線ＧＬ＋、走査線ＧＬ−、データ線ＤＬ＋、データ線ＤＬ−、共通電圧線
ＶＣＯＭ＋、共通電圧線ＶＣＯＭ−、信号線ｄｉｓ、信号線／ｐｒｅ、信号線ＳＡＬＬ＋
、信号線ＳＡＬＬ−、信号線ＳＨＺ＋、信号線ＳＨＺ−、および画素電極が設けられてい
る。図２において、走査線ＧＬ＋および走査線ＧＬ−が延びる方向をｘ軸と、データ線Ｄ
Ｌ＋およびデータ線ＤＬ−が延びる方向をｙ軸と定義する。この例で、ｘ軸とｙ軸は直交
している。ｘ軸およびｙ軸に直交する方向から見ると、走査線ＧＬ＋および走査線ＧＬ−
と、データ線ＤＬ＋およびデータ線ＤＬ−とは、交差している。この交差に対応して画素
回路１１が設けられている。画素電極は矩形形状を有し、透明性を有する材料で形成され
ている。対向基板には、対向基板電極が設けられている。液晶層は、画素電極と対向基板
電極とで挟まれている。液晶層には、画素電極と対向基板電極との電位差に応じた電圧が
印加される。

図３は、液晶パネル１０の動作の概要を示すタイミングチャートである。この例で、液
晶パネル１０は面順次駆動が可能である。データは、１行ずつ順番に保持容量に書き込ま
れる。書き込みを行う行は、走査信号ＧＬにより指定される。走査信号ＧＬがＨ（ハイ）
レベルになっている期間を「１水平走査期間」という。各水平走査期間において、データ
線書き込み回路１３は、データ信号Ｖｘから、データＤｋ（１≦ｋ≦ｎ）を生成する。例
えば、第１行の走査線ＧＬが選択されているとき、データ線書き込み回路１３は、第１行
のデータＤｋを生成する。データ線書き込み回路１３は、データＤｋに応じた信号を、デ
ータ線ＤＬに供給する。こうして、第１行の画素の保持容量にデータが書き込まれる。ｍ
行すべての保持容量にデータが書き込まれた後で、信号ＳＡＬＬがＬ（ロー）レベルから
Ｈレベルに変化すると、保持容量から各画素の液晶にデータが一斉に書き込まれる。

第１行から第ｍ行までの行を選択するのに要する時間を「フィールド」という。フィー
ルドは、１単位のデータの書き込みに用いられる時間の一例である。フィールドには、＋
フィールド（第１フィールドの一例）と−フィールド（第２フィールドの一例）とがある
。＋フィールドは、対向基板電極を基準として、液晶に正極性の電圧を印加するフィール
ドである。−フィールドは、液晶に負極性の電圧を印加するフィールドである。この例で
は、保持容量へのデータの書き込みと、保持容量から液晶へのデータの書き込みとは異な
るフィールドで行われる。例えば、＋フィールドにおいて保持容量に書き込まれたデータ
（−フィールドで表示すべきデータ）は、次の−フィールドにおいて保持容量から液晶に
書き込まれる。なお、図３においては、フィールドの極性を示す符号は省略されている。
画素回路１１の詳細は後述する。

再び図２を参照する。走査線ＧＬ＋は、＋フィールド用の走査線、すなわち、＋フィー
ルドにおいて表示されるデータの、保持容量への書き込みを行う行を指定するための信号
を供給するための信号線である。走査線ＧＬ＋は、第１フィールドにおいてデータが書き
込まれる電気光学素子を選択するための走査信号を供給する第１走査線の一例である。走
査線ＧＬ−は、−フィールド用の走査線、すなわち、−フィールドにおいて表示されるデ
ータの、保持容量への書き込みを行う行を指定するための信号線である。走査線ＧＬ−は
、第２フィールドにおいてデータが書き込まれる電気光学素子を選択するための走査信号
を供給する第２走査線の一例である。信号線ＳＨＺ＋は、＋フィールドにおいて表示され
るデータの書き込み時に、保持容量と共通電圧との短絡および開放を切り替えるための信
号線である。信号線ＳＨＺ＋は、第１フィールドにおいてデータを補正するタイミングを
制御するための第３信号を供給する第３信号線の一例である。信号線ＳＨＺ−は、−フィ
ールドにおいて表示されるデータの書き込み時に、保持容量と共通電圧との短絡および開
放を切り替えるための信号線である。信号線ＳＨＺ−は、第２フィールドにおいてデータ
を補正するタイミングを制御するための第４信号を供給する第４信号線の一例である。走
査線駆動回路１２は、クロック信号に基づいて、走査線を順次選択する信号を生成する。
走査線の選択は、＋フィールドにおいては走査線ＧＬ＋を１行目、２行目、・・・、ｎ行
目の順で、同様に−フィールドにおいては走査線ＧＬ−を１行目、２行目、・・・、ｎ行
目の順で行われる。走査線駆動回路１２は、生成した信号を走査線ＧＬ＋および走査線Ｇ
Ｌ−に供給する。さらに、走査線駆動回路１２は、クロック信号に基づいて、保持容量と
共通電圧との短絡および開放を切り替えるための信号を生成する。走査線駆動回路１２は
、生成した信号を信号線ＳＨＺ＋および信号線ＳＨＺ−に供給する。

データ線ＤＬ＋は、＋フィールドにおいて表示されるデータを伝送するためのデータ線
、すなわち、データ信号Ｖｘに応じた電圧を画素に供給するための信号線である。データ
線ＤＬ＋は、第１フィールドにおいて電気光学素子に書き込まれるデータを示すデータ信
号を供給する第１データ線の一例である。データ線ＤＬ−は、−フィールドにおいて表示
されるデータを伝送するためのデータ線である。データ線ＤＬ−は、第２フィールドにお
いて電気光学素子に書き込まれるデータを示すデータ信号を供給する第２データ線の一例
である。データ線書き込み回路１３は、画像データＶｘおよびクロック信号に基づいて、
階調値のデータＤｋを示すデータ信号をデータ線ＤＬ＋およびデータ線ＤＬ−に供給する
。

信号線ＳＡＬＬ＋は、＋フィールドにおいて表示されるデータの、保持容量から液晶へ
の書き込みを制御するための信号線である。信号線ＳＡＬＬ＋は、第１フィールドにおい
て電気光学素子へのデータの書き込みを行うタイミングを制御するための第１信号を供給
する第１信号線の一例である。信号線ＳＡＬＬ−は、−フィールドにおいて表示されるデ
ータの、保持容量から液晶への書き込みを制御するための信号線である。信号線ＳＡＬＬ
−は、第２フィールドにおいて電気光学素子へのデータの書き込みを行うタイミングを制
御するための第２信号を供給する第２信号線の一例である。信号線ｄｉｓは、＋フィール
ドにおいて液晶にかかる電圧をリセットするための信号を供給する信号線である。信号線
ｄｉｓは、電気光学素子に書き込まれたデータを第１フィールドにおいてリセットするタ
イミングを制御するための第５信号を供給する第５信号線の一例である。信号線／ｐｒｅ
は、−フィールドにおいて液晶にかかる電圧をリセットするための信号を供給する信号線
である。信号線／ｐｒｅは、電気光学素子に書き込まれたデータを第２フィールドにおい
てリセットするタイミングを制御するための第６信号を供給する第６信号線の一例である
。面順次選択回路１４は、クロック信号に基づいて、データの液晶への書き込みを制御す
るための信号を信号線ＳＡＬＬ＋および信号線ＳＡＬＬ−に供給する。さらに、面順次選
択回路１４は、クロック信号に基づいて、液晶にかかる電圧をリセットするための信号を
信号線ｄｉｓおよび信号線／ｐｒｅに供給する。

共通電圧線ＶＣＯＭ＋は、＋フィールド用の共通電圧（基準電圧）を与えるための電圧
線である。共通電圧線ＶＣＯＭ−は、−フィールド用の共通電圧を与えるための電圧線で
ある。この例で、共通電圧線ＶＣＯＭ＋および共通電圧線ＶＣＯＭ−は、画素領域の外で
それぞれ対向基板電圧線ＬＣＣＯＭと接続されている。ＶＣＯＭ供給回路１５は、共通電
圧を共通電圧線ＶＣＯＭ＋および共通電圧線ＶＣＯＭ−に供給する。

図４は、画素回路１１の構成を示す図である。画素回路１１は、電気光学素子への電圧
の印加を制御する回路の一例である。画素回路１１は、液晶素子ＬＣと、トランジスター
１１１と、トランジスター１１２と、トランジスター１１３と、トランジスター１１４と
、トランジスター１１５と、トランジスター１１６と、トランジスター１１７と、トラン
ジスター１１８と、保持容量Ｃ＋と、保持容量Ｃ−とを有する。この例で、トランジスタ
ー１１１、トランジスター１１２、トランジスター１１３、トランジスター１１４、トラ
ンジスター１１５、トランジスター１１６、トランジスター１１７、およびトランジスタ
ー１１８はＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスター）の一種である
ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）であり、ソース、ドレイン、およ
びゲート端子を有する。この例で、トランジスター１１１、トランジスター１１２、トラ
ンジスター１１３、トランジスター１１４、トランジスター１１５、トランジスター１１
６、およびトランジスター１１７はｎチャネルのＦＥＴであり、トランジスター１１８は
ｐチャネルのＦＥＴである。

トランジスター１１１（第１トランジスターの一例）は、走査信号ＧＬ＋に応じて、端
子Ｐｉｘ＋（保持容量Ｃ＋の一端）への電圧の書き込みを制御するトランジスターである
。トランジスター１１１において、ゲートは走査線ＧＬ＋に接続され、ソースはデータ線
ＤＬ＋に接続され、ドレインは端子Ｐｉｘ＋に接続されている。

トランジスター１１２（第２トランジスターの一例）は、走査信号ＧＬ−に応じて、端
子Ｐｉｘ−（保持容量Ｃ−の一端）への電圧の書き込みを制御するトランジスターである
。トランジスター１１２において、ゲートは走査線ＧＬ−に接続され、ソースはデータ線
ＤＬ−に接続され、ドレインは端子Ｐｉｘ−に接続されている。

トランジスター１１３（第３トランジスターの一例）は、書き込み信号ＳＡＬＬ＋に応
じて、保持容量Ｃ＋に書き込まれているデータの液晶素子ＬＣへの書き込み（転送）を制
御するトランジスターである。トランジスター１１３において、ゲートは信号線ＳＡＬＬ
＋に接続され、ソースは端子Ｐｉｘ＋に接続され、ドレインは液晶素子ＬＣに接続されて
いる。

トランジスター１１４（第４トランジスターの一例）は、書き込み信号ＳＡＬＬ−に応
じて、保持容量Ｃ−に書き込まれているデータの液晶素子ＬＣへの書き込みを制御するト
ランジスターである。トランジスター１１４において、ゲートは信号線ＳＡＬＬ−に接続
され、ソースは端子Ｐｉｘ−に接続され、ドレインは液晶素子ＬＣに接続されている。

トランジスター１１５（第５トランジスターの一例）は、信号ＳＨＺ＋に応じて、共通
電圧線ＶＣＯＭ＋と保持容量Ｃ＋の他端（端子ＰｉｘＨＺ＋）との短絡および開放を切り
替えるトランジスターである。トランジスター１１５において、ゲートは信号線ＳＨＺ＋
に接続され、ソースは共通電圧線ＶＣＯＭ＋に接続され、ドレインは端子ＰｉｘＨＺ＋に
接続されている。

トランジスター１１６（第６トランジスターの一例）は、信号ＳＨＺ−に応じて、共通
電圧線ＶＣＯＭ−と保持容量Ｃ−の他端（端子ＰｉｘＨＺ−）との短絡および開放を切り
替えるトランジスターである。トランジスター１１６において、ゲートは信号線ＳＨＺ−
に接続され、ソースは共通電圧線ＶＣＯＭ−に接続され、ドレインは端子ＰｉｘＨＺ−に
接続されている。

保持容量Ｃ＋（第１保持容量の一例）は、データ信号ＤＬ＋により書き込まれたデータ
に応じた電荷を保持する容量である。保持容量Ｃ＋において、一方の端子（端子Ｐｉｘ＋
）はトランジスター１１１のドレインおよびトランジスター１１３のソースに接続され、
他方の端子（端子ＰｉｘＨＺ＋）は、トランジスター１１５のドレインに接続されている
。

保持容量Ｃ−（第２保持容量の一例）は、データ信号ＤＬ−により書き込まれたデータ
に応じた電荷を保持する容量である。保持容量Ｃ−において、一方の端子（端子Ｐｉｘ−
）はトランジスター１１２のドレインおよびトランジスター１１４のソースに接続され、
他方の端子（端子ＰｉｘＨＺ−）は、トランジスター１１６のドレインに接続されている
。

液晶素子ＬＣは、一端（端子Ｌｉｑ、画素電極）と他端（端子ＬＣＣＯＭ、対向基板電
極）の間に印加される電圧に応じた階調（反射率または透過率）を示す電気光学素子の一
例である。この例で、端子ＬＣＣＯＭには、第１フィールドにおいて第１電圧が印加され
、第２フィールドにおいて第１電圧よりも高い第２電圧が印加される。液晶素子ＬＣにお
いて、端子Ｌｉｑはトランジスター１１３のドレインおよびトランジスター１１４のドレ
インに接続され、端子ＬＣＣＯＭは対向基板電圧線ＬＣＣＯＭに接続されている。液晶素
子ＬＣの階調は、＋フィールドのときは対向基板電圧ＬＣＣＯＭに対する端子Ｐｉｘ＋の
電圧によって、−フィールドのときは対向基板電圧ＬＣＣＯＭに対する端子Ｐｉｘ−の電
圧によって変化する。

トランジスター１１７（第７トランジスターの一例）は、信号ｄｉｓに応じて、共通電
圧線ＶＣＯＭ＋と端子Ｌｉｑとの短絡および開放を切り替えるトランジスターである。ト
ランジスター１１７において、ゲートは信号線ｄｉｓに接続され、ソースは共通電圧線Ｖ
ＣＯＭ＋に接続され、ドレインは液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑに接続されている。

トランジスター１１８（第８トランジスターの一例）は、信号／ｐｒｅに応じて、共通
電圧線ＶＣＯＭ−と端子Ｌｉｑとの短絡および開放を切り替えるトランジスターである。
トランジスター１１８において、ゲートは信号線／ｐｒｅに接続され、ソースは共通電圧
線ＶＣＯＭ−に接続され、ドレインは液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑに接続されている。

トランジスター１１５のゲート信号（信号ＳＨＺ＋）がオン状態（選択状態）の場合、
保持容量Ｃ＋の端子ＰｉｘＨＺ＋と共通電圧線ＶＣＯＭ＋とが短絡して、端子ＰｉｘＨＺ
＋の電圧は電圧ＶＣＯＭ＋と等しくなる。トランジスター１１５のゲート信号（信号ＳＨ
Ｚ＋）がオフ状態（非選択状態）の場合、保持容量Ｃ＋の端子ＰｉｘＨＺ＋と共通電圧線
ＶＣＯＭ＋とが開放され、保持容量Ｃ＋の端子ＰｉｘＨＺ＋は高インピーダンス状態（フ
ローティング状態）になる。

トランジスター１１６のゲート信号（信号ＳＨＺ−）がオン状態（選択状態）の場合、
保持容量Ｃ−の端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線ＶＣＯＭ−とが短絡して、端子ＰｉｘＨＺ
−の電圧は電圧ＶＣＯＭ−と等しくなる。トランジスター１１６のゲート信号（信号ＳＨ
Ｚ−）がオフ状態（非選択状態）の場合、保持容量Ｃ−の端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線
ＶＣＯＭ−とが開放され、保持容量Ｃ−の端子ＰｉｘＨＺ−は高インピーダンス状態にな
る。

信号ｄｉｓがＨレベルの場合、トランジスター１１７は液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑと共
通電圧線ＶＣＯＭ＋とを短絡する。信号ｄｉｓがＬレベルの場合、トランジスター１１７
は液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑと共通電圧線ＶＣＯＭ−とを開放する。端子Ｌｉｑは高イン
ピーダンス状態になる場合がある。この場合、端子Ｌｉｑの電圧が大きな負電圧となると
きがある。このようなとき、トランジスター１１７のゲート−ドレイン間は、保護ダイオ
ードとして機能する。

信号／ｐｒｅはＬアクティブの信号である。信号／ｐｒｅがＬレベルの場合、トランジ
スター１１８は、液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑと共通電圧線ＶＣＯＭ−とを短絡する。信号
／ｐｒｅがＨレベルの場合、トランジスター１１８は、液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑと共通
電圧線ＶＣＯＭ−とを開放する。後述するように、端子Ｌｉｑは高インピーダンス状態に
なる場合（トランジスター１１３、トランジスター１１４、トランジスター１１７、およ
びトランジスター１１８が同時にオフ状態なる場合）がある。この場合、端子Ｌｉｑは高
インピーダンス状態であるから、端子Ｌｉｑの電圧が大きな正電圧となるときがある。こ
のようなとき、トランジスター１１８のゲート−ドレイン間は、保護ダイオードとして機
能する。

図５は、画素回路１１の動作を示すタイミングチャートである。画素回路１１において
は、液晶素子ＬＣの劣化を低減するため、＋フィールドと−フィールドとが交互に繰り返
される。図５は、ある単一の画素に着目した場合のタイミングチャートを示している。対
向基板電圧ＬＣＣＯＭは、＋フィールドにおいて第１電圧Ｖ１であり、−フィールドにお
いて第２電圧Ｖ２である。ここで、Ｖ１＜Ｖ２である。共通電圧ＶＣＯＭ＋は、＋フィー
ルドのときの基準電圧であり、この例では第１電圧である（ＶＣＯＭ＋＝Ｖ１）。共通電
圧ＶＣＯＭ−は、−フィールドのときの基準電圧であり、この例では第２電圧である（Ｖ
ＣＯＭ−＝Ｖ２）。共通電圧ＶＣＯＭ＋と共通電圧ＶＣＯＭ＋との関係は、ＶＣＯＭ＋＜
ＶＣＯＭ−である。

図５のタイミングチャートは、説明の便宜上、＋フィールドの途中から始まっている。
タイミングチャートの開始時点において、走査信号ＧＬ−はオン状態であり、端子Ｐｉｘ
−の電圧はデータ電圧ＤＬ−と等しい。また、信号ＳＨＺ−はオン状態であり、端子Ｐｉ
ｘＨＺ−は共通電圧線ＶＣＯＭ−と短絡している。その後、時刻ｔ１１において、信号Ｓ
ＨＺ−がオフ状態に変化し、端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線ＶＣＯＭ−とは開放される。
さらにその後、時刻ｔ１２において、走査信号ＧＬ−がオフ状態に変化し、端子Ｐｉｘ−
とデータ信号線ＤＬ−とは開放される。このとき、トランジスター１１４におけるいわゆ
るプッシュダウン現象（ゲート−ドレイン間の容量カップリングにより、ドレインの電圧
が下がる現象）により、端子Ｐｉｘ−の電圧が降下する。プッシュダウン現象により降下
した電圧は、同一フィールド内では元に戻らない。しかし、この例では、走査信号ＧＬ−
がオン状態からオフ状態に変化する前に端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線ＶＣＯＭ−とが開
放されて高インピーダンス状態になっており、時刻ｔ１２において端子Ｐｉｘ−の電圧が
降下すると、端子ＰｉｘＨＺ−の電圧も一緒に降下する。すなわち、プッシュダウン現象
により端子Ｐｉｘ−の電圧が降下しても、端子Ｐｉｘ−と端子ＰｉｘＨＺ−との間の電圧
は、データが書き込まれたときの状態を維持している。時刻ｔ１３において、データ線Ｄ
Ｌ−の電圧は基準電圧（この例では第２電圧）に変化する。その後、時刻ｔ２０において
、対向基板電圧ＬＣＣＯＭは第１電圧から第２電圧に変化し、＋フィールドは終了する。

続く−フィールドでは、時刻ｔ２０において、Ｌレベルの信号／ｐｒｅがパルスで印加
される。信号／ｐｒｅがＬレベルになると、液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑが共通電圧ＶＣＯ
Ｍ−（この例では第２電圧であり、このフィールドの電圧ＬＣＣＯＭと同じ電圧である）
と短絡され、共通電位線ＶＣＯＭ−と同電位になる。すなわち、液晶ＬＣにかかる電圧は
ほぼゼロにリセットされる。仮に、液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑの電圧が＋フィールドの電
圧ＬＣＣＯＭと同じになったとしても、トランジスター１１３、トランジスター１１４、
トランジスター１１７、およびトランジスター１１８の耐圧を超えることはない。

時刻ｔ２１において、書き込み信号ＳＡＬＬ−がオン状態に変化し、端子Ｐｉｘ−に保
持されている電荷が端子Ｌｉｑに転送される。このとき、液晶素子ＬＣの容量と端子Ｐｉ
ｘ−の容量とで電荷再配分が起こり、端子Ｐｉｘ−の電圧が変化（この例では降下）する
。この例では、時刻ｔ２１以前に端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線ＶＣＯＭ−とが開放され
て、端子ＰｉｘＨＺ−が高インピーダンス状態になっているので、時刻ｔ２１において端
子Ｐｉｘ−の電圧が変化すると、端子ＰｉｘＨＺ−の電圧も一緒に変化する。すなわち、
端子ＰｉｘＨＺ−が高インピーダンス状態になってからの電圧変化（時刻ｔ１２および時
刻ｔ２１の変化）は積算されている。その後、時刻ｔ２２において、信号ＳＨＺ−がオフ
状態からオン状態に変化し、保持容量Ｃ−の端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線ＶＣＯＭ−と
が短絡される。これにより、走査信号ＧＬ−がオフ状態になってから（時刻ｔ１２以降）
の端子ＰｉｘＨＺ−の電圧の変化が、保持容量Ｃ−を介して端子Ｐｉｘ−に伝達される。
この伝達により端子Ｐｉｘ−の電圧は、データが書き込まれたときの電圧とほぼ等しい電
圧まで補正される。ここで、補正の度合いは、保持容量Ｃ−の値と端子Ｐｉｘ−の寄生容
量等との関係によって決まる。この例で、端子Ｐｉｘ−の電圧を補正するのに要する時間
（端子Ｐｉｘ−の電圧が安定するまでの時間）は、信号ＳＡＬＬ−がオン状態にある期間
と比べて十分短い。したがって、信号ＳＡＬＬ−がオン状態にある期間の大部分の時間に
おいて、容量Ｃ−で保持された端子Ｐｉｘ−の電圧（データが書き込まれたときの電圧と
ほぼ等しい電圧）が液晶素子ＬＣに印加される。

−フィールドにおいては、引き続き、次の＋フィールドで表示するための画像データの
書き込みが行われる。この時点で、信号ＳＡＬＬ＋はオフ状態であり、信号ＳＨＺ＋はオ
ン状態である。時刻ｔ２３において、走査信号ＧＬ＋がオン状態に変化し、端子Ｐｉｘ＋
はデータ信号線ＤＬ＋と短絡される。時刻ｔ２４において、データ信号ＤＬ＋がデータＤ
ｋを示す電圧に変化する。こうして、データが端子Ｐｉｘ＋に書き込まれる。このとき、
トランジスター１１５はオン状態である。すなわち、保持容量Ｃ＋の端子ＰｉｘＨｚ＋の
電圧は共通電圧ＶＣＯＭ＋と等しい。保持容量Ｃ＋は、書き込まれた電圧、すなわちデー
タ信号ＤＬ＋と共通電圧ＶＣＯＭ＋との差に相当する電圧を保持する。その後、時刻ｔ２
５において、信号ＳＨＺ＋がオフ状態に変化し、端子ＰｉｘＨＺ＋と共通電圧線ＶＣＯＭ
＋とは開放される。端子ＰｉｘＨＺ＋は高インピーダンス状態になる。時刻ｔ２６におい
て、走査信号ＧＬ＋がオフ状態に変化し、端子Ｐｉｘ＋とデータ信号線ＤＬ＋とは開放さ
れる。このとき、トランジスター１１１におけるプッシュダウン現象により、端子Ｐｉｘ
＋の電圧が降下する。プッシュダウン現象により降下した電圧は、同一フィールド内では
元に戻らない。しかし、この例では、走査信号ＧＬ＋がオン状態からオフ状態に変化する
前に端子ＰｉｘＨＺ＋と共通電圧線ＶＣＯＭ＋とが開放されて高インピーダンス状態にな
っており、時刻ｔ２６において端子Ｐｉｘ＋の電圧が降下すると、端子ＰｉｘＨＺ＋の電
圧も一緒に降下する。すなわち、プッシュダウン現象により端子Ｐｉｘ＋の電圧が降下し
ても、端子Ｐｉｘ＋と端子ＰｉｘＨＺ＋との間の電圧は、データが書き込まれたときの状
態を維持している。時刻ｔ２７において、データ信号ＤＬ＋の電圧は基準電圧（この例で
は第１電圧）に変化する。時刻ｔ３０において、対向基板電圧ＬＣＣＯＭは第２電圧から
第１電圧に変化し、−フィールドは終了する。

続く＋フィールドの動作を説明する。時刻ｔ３０において、Ｈレベルの信号ｄｉｓがパ
ルスで印加される。信号ｄｉｓがＨレベルになると、液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑが共通電
圧線ＶＣＯＭ＋（この例では第１電圧であり、このフィールドの電圧ＬＣＣＯＭと同じ電
圧である）と短絡され、共通電位線ＶＣＯＭ＋と同電位になる。すなわち、液晶ＬＣにか
かる電圧はほぼゼロにリセットされる。仮に、液晶素子ＬＣの電圧が−フィールドの電圧
ＬＣＣＯＭと同電圧になったとしても、トランジスター１１３、トランジスター１１４、
トランジスター１１７、およびトランジスター１１８の耐圧を超えることはない。

時刻ｔ３１において、書き込み信号ＳＡＬＬ＋がオン状態に変化し、端子Ｐｉｘ＋に保
持されている電荷が端子Ｌｉｑに転送される。このとき、液晶素子ＬＣの容量と端子Ｐｉ
ｘ＋の容量とで電荷再配分が起こり、端子Ｐｉｘ＋の電圧が変化（この例では上昇）する
。このとき端子ＰｉｘＨＺ＋と共通電圧線ＶＣＯＭ＋とは開放されて高インピーダンス状
態になっているので、端子Ｐｉｘ＋の電圧が変化すると、端子ＰｉｘＨＺ＋の電圧も一緒
に変化する。すなわち、端子ＰｉｘＨＺ＋と共通電圧線ＶＣＯＭ＋とが開放されてからの
電圧変化（時刻ｔ２６および時刻ｔ３１の変化）は積算されている。時刻ｔ３２において
、信号ＳＨＺ＋がオフ状態からオン状態に変化し、保持容量Ｃ＋の端子ＰｉｘＨＺ＋と共
通電圧線ＶＣＯＭ＋とが短絡される。これにより、走査信号ＧＬ＋がオフ状態になってか
らの端子ＰｉｘＨＺ＋の電圧の変化が、保持容量Ｃ＋を介して端子Ｐｉｘ＋に伝達される
。この伝達により端子Ｐｉｘ＋の電圧は、データが書き込まれたときの電圧とほぼ等しい
電圧まで補正される。ここで、補正の度合いは、保持容量Ｃ＋の値と端子Ｐｉｘ＋の寄生
容量等との関係によって決まる。この例で、端子Ｐｉｘ＋の電圧を補正するのに要する時
間（端子Ｐｉｘ＋の電圧が安定するまでの時間）は、信号ＳＡＬＬ＋がオン状態にある期
間と比べて十分短い。したがって、信号ＳＡＬＬ＋がオン状態にある期間の大部分の時間
において、容量Ｃ＋で保持された端子Ｐｉｘ＋の電圧（データが書き込まれたときの電圧
とほぼ等しい電圧）が液晶素子ＬＣに印加される。

＋フィールドにおいては、引き続き、次の−フィールドで表示するための画像データの
書き込みが行われる。時刻ｔ３３において、走査信号ＧＬ−がオン状態に変化し、端子Ｐ
ｉｘ−はデータ信号線ＤＬ−と短絡される。時刻ｔ３４において、データ信号ＤＬ−がデ
ータＤｋを示す電圧に変化する。こうして、データが端子Ｐｉｘ−に書き込まれる。この
とき、トランジスター１１６はオン状態である。すなわち、保持容量Ｃ−の端子ＰｉｘＨ
ｚ−の電圧は共通電圧ＶＣＯＭ−と等しい。保持容量Ｃ−は、書き込まれた電圧、すなわ
ちデータ信号ＤＬ−と共通電圧ＶＣＯＭ−との差に相当する電圧を保持する。その後、時
刻ｔ３５において、信号ＳＨＺ−がオフ状態に変化し、端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線Ｖ
ＣＯＭ−とは開放される。端子ＰｉｘＨＺ−は高インピーダンス状態になる。時刻ｔ３６
において、走査信号ＧＬ−がオフ状態に変化し、端子Ｐｉｘ−とデータ信号線ＤＬ−とは
開放される。このとき、トランジスター１１２におけるプッシュダウン現象により、端子
Ｐｉｘ−の電圧が降下する。プッシュダウン現象により降下した電圧は、同一フィールド
内では元に戻らない。しかし、この例では、走査信号ＧＬ−がオン状態からオフ状態に変
化する前に端子ＰｉｘＨＺ−と共通電圧線ＶＣＯＭ−とが開放されており、時刻ｔ３６に
おいて端子Ｐｉｘ−の電圧が降下すると、端子ＰｉｘＨＺ−の電圧も一緒に降下する。す
なわち、プッシュダウン現象により端子Ｐｉｘ−の電圧が降下しても、端子Ｐｉｘ−と端
子ＰｉｘＨＺ−との間の電圧は、データが書き込まれたときの状態を維持している。時刻
ｔ３７において、データ信号ＤＬ−の電圧は基準電圧に変化する。時刻ｔ４０において、
対向基板電圧ＬＣＣＯＭは第１電圧から第２電圧に変化し、＋フィールドは終了する。

続く−フィールドにおける動作は、既に説明したものと同様である。すなわち、時刻ｔ
４０、ｔ４１、ｔ４２、ｔ４３、ｔ４４、ｔ４５、ｔ４６、およびｔ４７における動作は
、時刻ｔ２０、ｔ２１、ｔ２２、ｔ２３、ｔ２４、ｔ２５、ｔ２６、およびｔ２７におけ
る動作と同様である。なお、図５では単一の画素に着目したタイミングチャートを例示し
たが、画素回路１１においては、走査線ＧＬは、一行ずつ順番に選択される。すなわち、
走査信号ＧＬは、走査線を１本ずつ順番に選択する信号である。

この例では、フィールドの極性が切り替わってから信号ＳＡＬＬがオン状態に変化する
までの間、液晶ＬＣに印加される電圧はほぼゼロである。例えば、時刻ｔ３０からｔ３１
までの間、液晶素子ＬＣの端子Ｌｉｑは第１電圧であり、これはこのフィールドの対向基
板電圧ＬＣＣＯＭと等しい。例えば、液晶素子ＬＣの液晶としてＶＡ（Vertical Alignme
nt）液晶等のノーマリーブラックの液晶を用いた場合、液晶ＬＣに印加される電圧はほぼ
ゼロであるとき、黒が表示される。すなわち、フィールドの極性が切り替わってから信号
ＳＡＬＬがオン状態に変化するまでの間を、黒挿入期間とすることができる。黒挿入期間
の長さは、信号ＳＡＬＬ＋をオン状態に変化させるタイミングにより調整される。動画の
応答特性によって映像の品質が異なる動画を表示する場合には、黒挿入期間が調整される
。

画素回路１１によれば、トランジスター１１１（トランジスター１１２）がオフ状態か
らオン状態に切り替わった後で、トランジスター１１５（トランジスター１１６）はオン
状態からオフ状態に切り替わり、トランジスター１１１（トランジスター１１２）がオン
状態からオフ状態に切り替わる時点において、トランジスター１１５（トランジスター１
１６）はオフ状態である。すなわち、保持容量Ｃ＋（保持容量Ｃ−）にデータを書き込む
ときには端子ＰｉｘＨＺ＋（端子ＰｉｘＨＺ−）は基準電圧である共通電圧線ＶＣＯＭ＋
（共通電圧線ＶＣＯＭ−）と短絡され、かつ、トランジスター１１１（トランジスター１
１２）においてプッシュダウン現象が起こる時点において、端子ＰｉｘＨＺ＋（端子Ｐｉ
ｘＨＺ−）は高インピーダンス状態である。プッシュダウン現象により端子Ｐｉｘ＋（端
子Ｐｉｘ−）の電圧が変化しても、端子ＰｉｘＨＺ＋（端子ＰｉｘＨＺ−）の電圧も一緒
に変化し、保持容量Ｃ＋（保持容量Ｃ−）に保持されている電荷はデータが書き込まれた
ときの状態をほぼ保っている。端子ＰｉｘＨＺ＋（端子ＰｉｘＨＺ−）と共通電圧線ＶＣ
ＯＭ＋（共通電圧線ＶＣＯＭ−）とを開放しない場合と比較すると、トランジスター１１
５（トランジスター１１６）を用いることにより、より正確な電圧を液晶素子ＬＣに印加
することができる。このとき、電圧の補正は画素回路１１により行われるから、外部にお
いて画素に書き込むデータ自体を補正しておく必要はない。

２次元動画を表示する場合、フレーム周波数として、例えば６０Ｈｚから１２０Ｈｚの
範囲の周波数が用いられる。３次元（３Ｄ）動画を表示する場合、左眼用および右眼用の
画像をそれぞれ６０Ｈｚから１２０Ｈｚで表示するため、全体としては１２０Ｈｚから２
４０Ｈｚの範囲の周波数がフレーム周波数として用いられる。３Ｄ動画の表示方法として
、線順次駆動方式が用いられた場合、特に、フレームの境界または＋フィールドと−フィ
ールドとの境界において、映像が重なって見える等、表示品質の低下が生じることがある
。画素回路１１は、面順次方式で動作し、線順次方式で動作する場合と比較すると表示品
質が向上する。また、画素回路１１はによれば、フィールドの先頭部分に黒挿入期間を設
けることができ、これによって表示品質を向上させることもできる。

本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以
下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち、２つ以上のものが組み合わせて用
いられてもよい。

上述の実施形態では、電気光学装置１が、信号線ｄｉｓ、信号線／ｐｒｅ、トランジス
ター１１７、およびトランジスター１１８を有する例を説明した。上記の例では、トラン
ジスター１１７は、＋フィールドにおいて所定期間オン状態になり、トランジスター１１
８は−フィールドにおいて所定期間オン状態になった。この構成により、液晶素子ＬＣに
書き込まれたデータをリセットすることができる。しかし、電気光学装置１は、信号線ｄ
ｉｓ、信号線／ｐｒｅ、トランジスター１１７、およびトランジスター１１８を有さなく
てもよい。

上述の実施形態では、トランジスター１１７が＋フィールドの始期（電圧ＬＣＣＯＭが
第２電圧から第１電圧に切り替わったとき）から所定期間オン状態になり、トランジスタ
ー１１８が−フィールドの始期（電圧ＬＣＣＯＭが第１電圧から第２電圧に切り替わった
とき）から所定期間オンになる例を説明した。また、上記の例では、液晶素子ＬＣがノー
マリーブラック型であった。この構成により、フィールドの始期（冒頭）に黒挿入期間を
設けることができる。黒挿入期間により、動画の応答特性を改善することができる。しか
し、トランジスター１１７およびトランジスター１１８がオン状態になる期間は、図５の
タイミングチャートで例示したものに限定されない。例えば、トランジスター１１７、＋
フィールドの始期（例えば時刻ｔ３０）以外から開始する所定期間（例えば時刻ｔ３０よ
り後であり時刻ｔ３１より前の時刻から開始する期間）オン状態になってもよい。トラン
ジスター１１８についても同様である。別の例で、信号ｄｉｓおよび信号／ｐｒｅがオン
状態になる時間すなわちパルス幅は、液晶が応答しない程度の時間に相当するものであっ
てもよい。この例で、信号ｄｉｓおよび信号／ｐｒｅがオン状態になる時間は、フィール
ドの始期から信号ＳＡＬＬがオン状態になるまでの時間（例えば時刻ｔ２０から時刻ｔ２
１まで）より短くてもよい。この場合、端子Ｌｉｑが高インピーダンス状態になるとき（
トランジスター１１３、トランジスター１１４、トランジスター１１７、およびトランジ
スター１１８が同時にオフ状態なるとき）があるが、既に説明したようにトランジスター
１１７またはトランジスター１１８が保護ダイオードとして機能するので、回路の信頼性
は確保される。さらに別の例で、信号ｄｉｓおよび信号／ｐｒｅの使い方を＋フィールド
と−フィールドで入れ替えてもよい。すなわち、−フィールドにおいて信号ｄｉｓをオン
状態にし、＋フィールドにおいて信号／ｐｒｅをオン状態にする構成が用いられてもよい
。さらに別の例で、液晶素子ＬＣはノーマリーホワイト型であってもよい。

上述の実施形態では、トランジスター１１７のチャネルの伝導型（図４ではｎ型）とト
ランジスター１１８のチャネルの伝導型（図４ではｐ型）とが異なる例を説明した。この
構成により、＋フィールドおよび−フィールドの双方において、トランジスター１１７ま
たはトランジスター１１８のゲート−ドレイン間が保護ダイオードとして機能した。しか
し、トランジスター１１７とトランジスター１１８とは、同一の伝導型のチャネルを有し
てもよい。

上述の実施形態では、共通電圧ＶＣＯＭ＋が対向基板電圧線ＬＣＣＯＭの第１電圧と等
しく、共通電圧ＶＣＯＭ−が第２電圧と等しい例を説明した。この構成により、電源電圧
の数を抑制することができる。しかし、共通電圧ＶＣＯＭ＋は対向基板電圧線ＬＣＣＯＭ
の第１電圧と異なっていてもよく、また、共通電圧ＶＣＯＭ−は第２電圧と異なっていて
もよい。また、上述の実施形態では、対向基板電圧線ＬＣＣＯＭの電圧が＋フィールドと
−フィールドとで変化する例を説明した。しかし、対向基板電圧線ＬＣＣＯＭの電圧は一
定であってもよい。この場合、電気光学素子に書き込まれたデータをリセットするタイミ
ングを制御するための信号線は１本あれば足りる。

一の画素の走査線ＧＬ−と、一の画素に隣接する他の画素のデータ線ＤＬ−との距離は
、一の画素のデータ線ＤＬ＋と、他の画素のデータ線ＤＬ＋との距離よりも短くてもよい
。すなわち、隣接する２つの画素において、データ線ＤＬ＋同士、または、データ線ＤＬ
−が隣接しないように、データ線ＤＬ＋およびデータ線ＤＬ−が配置されてもよい。この
構成により、クロストークを低減することができる。

保持容量Ｃ＋と保持容量Ｃ−とは、容量カップリングしない程度に離間して配置されて
もよい。または、保持容量Ｃ＋と保持容量Ｃ−との間にシールド配線が設けられてもよい
。この構成によれば、保持容量Ｃ＋と保持容量Ｃ−との間の容量カップリングを低減する
ことができる。

上述の実施形態では、トランジスター１１３（トランジスター１１４）がオフ状態から
オン状態に切り替わる時点（例えば、時刻ｔ２１、ｔ３１、およびｔ４１）において、ト
ランジスター１１５（トランジスター１１６）がオフ状態である例を説明した。この構成
によれば、保持容量Ｃ＋（保持容量Ｃ−）と液晶素子ＬＣとの間で電荷の再配分が起こる
ときも、端子ＰｉｘＨＺ＋（端子ＰｉｘＨＺ−）は高インピーダンス状態である。したが
って、この電荷再配分の影響を低減した電圧を液晶素子ＬＣに印加することができる。し
かし、トランジスター１１３（トランジスター１１４）がオフ状態からオン状態に切り替
わる時点において、トランジスター１１５（トランジスター１１６）はオン状態であって
もよい。

上述の実施形態では、あるフィールドにおいて表示されるデータの書き込みに際し、ト
ランジスター１１１（トランジスター１１２）がオン状態からオフ状態に切り替わる時お
よびトランジスター１１３（トランジスター１１４）がオフ状態からオン状態に切り替わ
る時を含む期間において、トランジスター１１５（トランジスター１１６）は継続してオ
フ状態である例を説明した。例えば、時刻ｔ３０から時刻ｔ４０までに＋フィールドにお
いて表示させるデータの書き込みに関し、トランジスター１１１がオン状態からオフ状態
に切り替わる時（時刻ｔ２６）およびトランジスター１１３がオフ状態からオン状態に切
り替わる時（時刻ｔ３１）を含む期間（時刻ｔ２５から時刻ｔ３２まで）において、トラ
ンジスター１１５は、継続してオン状態である。この構成によれば、プッシュダウン時お
よび電荷の再配分時の電圧変化を積算させることができる。しかし、トランジスター１１
１（トランジスター１１２）がオン状態からオフ状態に切り替わる時およびトランジスタ
ー１１３（トランジスター１１４）がオフ状態からオン状態に切り替わる時を含む期間に
おいて、トランジスター１１５（トランジスター１１６）は継続してオフ状態でなくても
よい。

図６は、変形例に係るプロジェクター２１００を例示する図である。プロジェクター２
１００は、電気光学装置１を用いた電子機器の一例である。プロジェクター２１００にお
いて、液晶パネル１０がライトバルブとして用いられている。この図に示されるように、
プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニッ
ト２１０２が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に
配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ
（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色
に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、
Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射
レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ
系２１２１を介して導かれる。

プロジェクター２１００において、液晶パネル１０を含む液晶表示装置が、Ｒ色、Ｇ色
、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられている。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよ
び１００Ｂの構成は、上述した液晶パネル１０と同様である。Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞ
れの原色成分の階調レベルを指定するに映像信号がそれぞれ外部上位回路から供給されて
、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００がそれぞれ駆動される。ライトバルブ１
００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム
２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ
色およびＢ色の光は９０度に屈折し、Ｇ色の光は直進する。したがって、各原色の画像が
合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４によってカラー画像が投
射される。

なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２
１０８によって、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィ
ルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロ
イックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇ
の透過像はそのまま投射される。したがって、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水
平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転さ
せた像を表示する構成となっている。また、図６では、電気光学装置１を透過型のプロジ
ェクターに用いた例を示したが、電気光学装置１は反射型のプロジェクターに用いられて
もよい。

電気光学装置１が用いられる電子機器としては、図６に例示したプロジェクターの他に
も、テレビジョンや、ビューファインダー型・モニタ直視型のビデオテープレコーダー、
カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークス
テーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。

電気光学装置１の構成は図１で例示されたものに限定されない。図１の制御回路２０は
機能ごとに複数の回路に分割されてもよい。また、液晶パネル１０の構成、特に画素の配
置は図２で例示したものに限定されない。２次元的に配置された画素を有するものであれ
ば、どのような構成であってもよい。さらに、電気光学素子は液晶素子に限定されない。
有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子等、液晶素子以外の電気光学素子が用いられても
よい。

１…電気光学装置、１０…液晶パネル、１１…画素回路、１２…走査線駆動回路、１３…
データ線書き込み回路、１４…面順次選択回路、１５…ＶＣＯＭ供給回路、２０…制御回
路、１００…ライトバルブ、１１１…トランジスター、１１２…トランジスター、１１３
…トランジスター、１１４…トランジスター、１１５…トランジスター、１１６…トラン
ジスター、１１７…トランジスター、１１８…トランジスター、２１００…プロジェクタ
ー、２１０２…ランプユニット、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、
２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群、２１２０…スクリーン、
２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４
…出射レンズ、ＧＬ…走査線、ＤＬ…データ線、ＶＣＯＭ…共通電圧線、ｄｉｓ…信号線
、／ｐｒｅ…信号線、ＳＡＬＬ…信号線、ＳＨＺ…信号線、ＬＣ…液晶素子、Ｃ…保持容
量

Claims

一端と他端の間に印加される電圧に応じた階調を示し、前記一端と前記他端の間には、
第１フィールドにおいて正極性の電圧が印加され、第２フィールドにおいて負極性の電圧
が印加され、前記第１フィールドおよび前記第２フィールドが交互に繰り返される電気光
学素子と、
前記第１フィールドにおいて前記電気光学素子に書き込まれるデータを示すデータ信号
を供給する第１データ線と、
前記第２フィールドにおいて前記電気光学素子に書き込まれるデータを示すデータ信号
を供給する第２データ線と、
前記第１フィールドにおいて前記データが書き込まれる電気光学素子を選択するための
走査信号を供給する第１走査線と、
前記第２フィールドにおいて前記データが書き込まれる電気光学素子を選択するための
走査信号を供給する第２走査線と、
前記第１フィールドにおいて前記電気光学素子へのデータの書き込みを行うタイミング
を制御するための第１信号を供給する第１信号線と、
前記第２フィールドにおいて前記電気光学素子へのデータの書き込みを行うタイミング
を制御するための第２信号を供給する第２信号線と、
前記第１フィールドにおいて前記データを補正するタイミングを制御するための第３信
号を供給する第３信号線と、
前記第２フィールドにおいて前記データを補正するタイミングを制御するための第４信
号を供給する第４信号線と、
前記第１フィールドにおいて共通電圧を与えるための第１共通電圧線と、
前記第２フィールドにおいて共通電圧を与えるための第２共通電圧線と、
前記電気光学素子への電圧の印加を制御する画素回路と
を有し、
前記画素回路は、
前記第１フィールドにおいて書き込まれたデータに応じた電荷を一端および他端の間に
保持する第１保持容量と、
前記第２フィールドにおいて書き込まれたデータに応じた電荷を一端および他端の間に
保持する第２保持容量と、
前記第１走査線に接続されたゲート、前記第１データ線に接続されたソース、および前
記第１保持容量の前記一端に接続されたドレインを有する第１トランジスターと、
前記第２走査線に接続されたゲート、前記第２データ線に接続されたソース、および前
記第２保持容量の前記一端に接続されたドレインを有する第２トランジスターと、
前記第１信号線に接続されたゲート、前記第１保持容量の前記一端に接続されたソース
、および前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有する第３トランジスター
と、
前記第２信号線に接続されたゲート、前記第２保持容量の前記一端に接続されたソース
、および前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有する第４トランジスター
と、
前記第３信号線に接続されたゲート、前記第１共通電圧線に接続されたソース、および
前記第１保持容量の前記他端に接続されたドレインを有する第５トランジスターと、
前記第４信号線に接続されたゲート、前記第２共通電圧線に接続されたソース、および
前記第２保持容量の前記他端に接続されたドレインを有する第６トランジスターと
を有し、
前記第１トランジスターがオフ状態からオン状態に切り替わった後で、前記第５トラン
ジスターはオン状態からオフ状態に切り替わり、
前記第１トランジスターがオン状態からオフ状態に切り替わる時点において、前記第５
トランジスターはオフ状態であり、
前記第２トランジスターがオフ状態からオン状態に切り替わった後で、前記第６トラン
ジスターはオン状態からオフ状態に切り替わり、
前記第２トランジスターがオン状態からオフ状態に切り替わる時点において、前記第６
トランジスターはオフ状態である
ことを特徴とする電気光学装置。
前記電気光学素子に書き込まれたデータを前記第１フィールドにおいてリセットするタ
イミングを制御するための第５信号を供給する第５信号線と、
前記電気光学素子に書き込まれたデータを前記第２フィールドにおいてリセットするタ
イミングを制御するための第６信号を供給する第６信号線と
を有し、
前記画素回路が、
前記第５信号線に接続されたゲート、前記第１共通電圧線に接続されたソース、および
前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有する第７トランジスターと、
前記第６信号線に接続されたゲート、前記第２共通電圧線に接続されたソース、および
前記電気光学素子の前記一端に接続されたドレインを有する第８トランジスターと
を有し、
前記第７トランジスターは、前記第１フィールドにおいて所定期間オン状態になり、
前記第８トランジスターは、前記第２フィールドにおいて所定期間オン状態になる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
前記第７トランジスターは、前記第１フィールドの始期から前記所定期間オン状態にな
り、
前記第８トランジスターは、前記第２フィールドの始期から前記所定期間オン状態にな
り、
前記電気光学素子は、ノーマリーブラック型である
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
前記第７トランジスターは、前記第８トランジスターと異なる伝導型のチャネルを有す
る
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
前記電気光学素子の前記他端には、前記第１フィールドにおいて第１電圧が印加され、
前記第２フィールドにおいて前記第１電圧よりも高い第２電圧が印加され、
前記第１共通電圧は前記第１電圧と等しく、
前記第２共通電圧は前記第２電圧と等しい
ことを特徴とする請求項１−４のいずれかの項に記載の電気光学装置。
前記画素回路は、複数の画素の各々に対して設けられ、
一の画素の前記第１データ線と、前記一の画素に隣接する他の画素の前記第２データ線
との距離は、前記一の画素の前記第１データ線と、前記他の画素の前記第１データ線との
距離よりも短い
ことを特徴とする請求項１−５のいずれかの項に記載の電気光学装置。
前記第１保持容量と前記第２保持容量とは、カップリングしない程度に離間して配置さ
れるか、または、前記第１保持容量と前記第２保持容量との間にシールド配線が設けられ
る
ことを特徴とする請求項１−６のいずれかの項に記載の電気光学装置。
請求項１−７のいずれかの項に記載の電気光学装置を有する電子機器。