JP2012051760A - 炭化ケイ素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化ケイ素原料20を坩堝10に配置する工程と、坩堝10に配置された炭化ケイ素原料20を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料20を加熱する工程では、坩堝10に水素ガスを導入する。
【選択図】図1
Description
本実施形態に係る炭化ケイ素単結晶製造装置1について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る炭化ケイ素単結晶の製造方法に用いられる製造装置の断面図である。図1に示されるように、炭化ケイ素単結晶製造装置1(以下、適宜、単結晶製造装置1と略す)は、坩堝10、石英管50、チャンバ60、加熱コイル70とを備える。
本実施形態に係る炭化ケイ素単結晶(以下、適宜、単結晶と略す)の製造方法について、説明する。本実施形態に係る炭化ケイ素単結晶の製造方法は、工程S1及び工程S2を有する。
工程S1は、炭化ケイ素原料20及び種結晶30を準備する工程である。炭化ケイ素原料20は、どのような製造方法で製造されたものを準備しても構わない。例えば、化学気相成長法(CVD法)で製造された炭化ケイ素を炭化ケイ素原料20としてもよいし、ケイ素含有原料と炭素含有原料とから炭化ケイ素前駆体を生成し、生成された炭化ケイ素前駆体を焼成することで得られる炭化ケイ素を炭化ケイ素原料20としてもよい。この炭化ケイ素原料20を坩堝10に配置する。
工程S2は、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程である。坩堝蓋体10bを坩堝本体10aに取り付けた後、導入口65a及び排出口65bを除いて単結晶製造装置1から気体が流出・流入しないように密封する。
本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されない。
本実施形態における炭化ケイ素単結晶の製造方法によれば、炭化ケイ素原料20を加熱する工程では、坩堝10に水素ガス(水素分子)を導入する。導入された水素分子は、炭化ケイ素単結晶に存在する空孔の結合端と結合する。すなわち、水素分子は、深い準位を不活性化するため、結合端には、N型ドーパント及びP型ドーパントが結合しない。これによって、導入したN型ドーパント及びP型ドーパントは、それぞれ全てN型ドーパント及びP型ドーパントとして機能することが可能であるため、N型ドーパントとP型ドーパントのバランスをより制御することができる。
Claims (3)
- 炭化ケイ素原料を坩堝に配置する工程と、前記坩堝に配置された前記炭化ケイ素原料を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、
前記炭化ケイ素単結晶を成長させる工程では、前記坩堝に水素を導入する炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 前記水素には、水素原子が含まれる請求項1に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
- 前記坩堝の内部において、前記水素の密度が、5×1016/cm3以上になるように、前記水素を導入する請求項1又は2に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
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