JP2012049154A - フレキシブル多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 熱による絶縁層の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができるフレキシブル多層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 フレキシブル多層回路基板１の製造方法は、第１絶縁層１１と、第１導体層１２とを有する第１回路層１０、及び、第２絶縁層２１と、第２導体層２２とを有し、孔２６ａ、２６ｂが形成された第２回路層２０、を準備する準備工程Ｐ１と、第１導体層１２上の少なくとも１部に第２絶縁層２１が配置されると共に、孔２６ａ、２６ｂが第１導体層１２と重なるように、第２回路層２０を第１回路層１０上に積層する積層工程Ｐ２と、孔２６ａ、２６ｂを覆うように第２導体層２２上にはんだ３０ａ、１０ｂを配置する配置工程Ｐ３と、はんだ３０ａ、３０ｂのみを直接的に加熱し、はんだ３０ａ、３０ｂを溶融させて、はんだ３０ａ、３０ｂを第１導体層１２及び第２導体層２２と接続させる加熱工程Ｐ４と、を備える。
【選択図】 図２

Description

本発明は、フレキシブル多層回路基板の製造方法に関し、特に、熱による絶縁層の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができるフレキシブル多層回路基板の製造方法に関する。

携帯電話やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）に代表される小型電子機器には、一般的に、絶縁層上に導体層が形成された回路層が複数積層される多層回路基板が用いられている。下記特許文献１に記載の多層回路基板においては、それぞれの絶縁層上に形成された導体層同士を電気的に接続する手段として、スルーホールめっきが用いられている。このスルーホールめっきは、絶縁層に形成された孔の壁面に金属めっきを施して、この金属めっきにより、それぞれの絶縁層上に形成された導体層同士を電気的に接続するものである。

しかし、スルーホールめっきを多層回路基板に形成するには、高価な設備が必要であり、コストがかかるという問題がある。そこで、下記特許文献２に記載の多層プリント基板の製造方法においては、はんだを用いてそれぞれの絶縁層上に形成された導体層同士を電気的に接続している。

具体的には、まず、絶縁層としての基板上に導体層が設けられた複数のプリント基板が、互いに積層された多層基板を準備する。この多層基板には、中間層におけるプリント基板の導体層と、表面におけるプリント基板の導体層とが重なる位置において、中間層におけるプリント基板の導体層が露出するように孔が形成されている。そして、この孔を覆うようにはんだを配置して、はんだが配置された多層基板をリフロー処理する。このリフロー処理によりはんだが溶融して、一部のはんだが孔に入り込む。こうして、はんだが中間層におけるプリント基板の導体層、及び、表面におけるプリント基板の導体層に接続されて、それぞれの導体層同士が、はんだを介して電気的に接続されるというものである。

特開２０１０−１４０９８９号公報 特開２００９−１７６８４３号公報

上記特許文献２に記載の多層基板を構成するそれぞれのプリント基板においては、耐熱性に優れた紙フェノール製や紙エポキシ製の基板上に導体層が形成されている。従って、リフロー処理を行う際、それぞれのプリント基板は然程損傷を受けない。ところで、近年電子機器の小型化に伴い狭い空間内に多層回路基板を配置したいという要請があり、可撓性を有するフレキシブル多層回路基板が用いられている。しかし、フレキシブル多層回路基板においては、それぞれの絶縁層が、樹脂から構成されており、通常、このような樹脂は耐熱性に劣っている。従って、上記特許文献２に記載の多層プリント基板の製造方法のようなリフロー処理を用いて、それぞれの導体の電気的な接続を行うと、それぞれの絶縁層が熱により損傷を受けて歪んでしまう虞がある。

そこで、本発明は、熱による絶縁層の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができるフレキシブル多層回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明のフレキシブル多層回路基板の製造方法は、可撓性を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面上に設けられる第１導体層とを有する第１回路層、及び、可撓性を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の一方の面上に設けられる第２導体層とを有し、前記第２導体層及び前記第２絶縁層を貫通する孔が形成された第２回路層、を準備する準備工程と、前記第１導体層上の少なくとも一部に前記第２絶縁層が配置されると共に、前記孔が前記第１導体層と重なるように、前記第２回路層を前記第１回路層上に積層する積層工程と、前記孔を覆うように前記第２導体層上にはんだを配置する配置工程と、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみを直接的に加熱し、前記はんだを溶融させて、前記はんだを前記第１導体層及び前記第２導体層と接続させる加熱工程と、を備えることを特徴とするものである。

このようなフレキシブル多層回路基板の製造方法によれば、第２回路層に形成された孔が第１導体層と重なるようにして、第２回路層が第１回路層上に積層されるため、この孔を介して第１導体層が露出する。そして、この孔を覆うようにして第２導体層上に配置されたはんだを溶融することで、溶融したはんだが孔から第１導体層上まで流れ込む。こうして第１導体層及び第２導体層がそれぞれはんだに接続されて、第１導体層と第２導体層とが、はんだを介して電気的に接続される。このとき、はんだのみ、または、はんだ及び第２導体層のみを直接的に加熱して、はんだを溶融する。つまり、はんだを溶融する際、第１絶縁層及び第２絶縁層は、加熱されたはんだ等から伝導する熱により加熱されることがあっても、はんだ等と同様に直接的には加熱されない。従って、絶縁層の温度の上昇が抑制される。こうして、絶縁層が熱に弱い材料から成る場合であっても、熱による絶縁層の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができる。

また、上記フレキシブル多層回路基板の製造方法における前記加熱工程おいて、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみに、レーザを照射して加熱することが好ましい。

レーザは、狭小領域に照射することが可能であるため、このようなフレキシブル多層回路基板の製造方法によれば、加熱するはんだや第２導体層の領域が小さい場合であっても、はんだのみ、または、はんだ及び第２導体層のみをより適切に加熱することができる。

また、上記フレキシブル多層回路基板の製造方法における前記加熱工程において、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみに、抵抗により加熱した加熱体を接触させて加熱することが好ましい。

このようなフレキシブル多層回路基板の製造方法によれば、加熱体を直接はんだや第２導体層に接触させるため、加熱するはんだや第２導体層の領域が小さい場合であっても、はんだのみ、または、はんだ及び第２導体層のみをより適切に加熱することができる。

また、上記フレキシブル多層回路基板の製造方法における前記加熱工程の前において、前記多層基板の上に、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみが露出する開口が形成されたマスクを重ねるマスキング工程を更に備え、前記加熱工程において、放射熱による加熱を行うことが好ましい。

このようなフレキシブル多層回路基板の製造方法によれば、放射熱により広い領域を一度に加熱することができる。このとき多層基板の絶縁層はマスクにより保護されているため、放射熱により直接加熱されず、マスクの開口から露出しているはんだのみ、または、はんだ及び第２導体層のみをより適切に加熱することができる。

また、上記フレキシブル多層回路基板の製造方法において、前記マスクは、前記多層基板における表面の絶縁層と非接触状態とされることが好ましい。

このようなフレキシブル多層回路基板の製造方法によれば、放射熱により加熱されたマスクにより、絶縁層を損傷することを抑制することができる。

また、上記フレキシブル多層回路基板の製造方法において、前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方は、アンテナを含むこととしても良い。

以上のように本発明によれば、熱による絶縁層の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができるフレキシブル多層回路基板の製造方法が提供される。

本発明の第１実施形態に係るフレキシブル多層回路基板を示す平面図である。 図１のフレキシブル多層回路基板のII−II線での断面における構造の様子を示す図である。 図１のフレキシブル多層回路基板を製造する製造方法のフローチャートである。 積層工程の様子を示す図である。 積層工程後の多層基板の様子を示す図である。 配置工程後の多層基板の様子を示す図である。 加熱工程の様子を示す図である。 第２実施形態におけるマスキング工程後の多層基板の様子を示す図ある。 第２実施形態における加熱工程の様子を示す図である。

以下、本発明に係るフレキシブル多層回路基板の製造方法の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るフレキシブル多層回路基板を示す平面図であり、図２は、図１のフレキシブル多層回路基板のII−II線での断面における構造の様子を示す図である。

図１に示すように、本実施形態のフレキシブル多層回路基板１は、下側の層である第１回路層１０と、第１回路層１０上に積層された上側の層である第２回路層２０とを備える。

第１回路層１０は、第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１の一方の面上に設けられた第１導体層１２と、保護層１６とを備える。

第１絶縁層１１は、可撓性を有し、絶縁性の樹脂がフィルム状に形成された、絶縁性フィルムとされている。第１絶縁層１１の材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド等が挙げられる。

第１絶縁層１１上に設けられる第１導体層１２は、アンテナ１３と、アンテナ１３の両端に接続される一対の第１端子１５ａ、１５ｂとから構成されている。

アンテナ１３は、薄い導体が、外形が略四角形のループ状となる線路状に形成されている。また、一対の第１端子１５ａ、１５ｂは、それぞれ、直径がアンテナ１３の線路幅よりも大きな略円形に形成されている。そして、アンテナ１３の外側の端部には、第１端子１５ａが接続されており、アンテナ１３の内側の端部には、第１端子１５ｂが接続されている。

なお、アンテナ１３および第１端子１５ａ、１５ｂの材料は、特に限定されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）や、アルミニウム（Ａｌ）等の金属や、銀ペーストなどの各種金属ペーストやカーボンペースト等の導電性ペーストが挙げられる。また、アンテナ１３と第１端子１５ａ、１５ｂとを同様の材料から構成しても良く、それぞれ、別の材料から構成しても良い。

また、保護層１６は、第１端子１５ａ、１５ｂを除いて、第１絶縁層１１及び第１導体層１２の表面を覆っている。保護層１６の材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリイミド等が挙げられる。

第２回路層２０は、第２絶縁層２１と、第２絶縁層２１の一方の面上に設けられた第２導体層２２とを備える。なお、第１回路層１０と第２回路層２０との間には、図示しない接着剤が設けられており、第１回路層１０と第２回路層２０とが一体にされている。

第２絶縁層２１は、可撓性を有し、絶縁性の樹脂がフィルム状に形成された、絶縁性フィルムとされている。そして、第２絶縁層２１は、第１絶縁層１１の外周内に収まる大きさとされており、第１導体層１２における一対の第１端子１５ａ、１５ｂ及びアンテナ１３の一部を覆っている。第２絶縁層２１の材料としては、特に限定されないが、第１絶縁層１１の材料と同様の材料を挙げることができる。

第２絶縁層２１上に設けられる第２導体層２２は、一対の第２端子２５ａ、２５ｂとから構成されている。一対の第２端子２５ａ、２５ｂは、それぞれ略四角形の形状をしており、互いに略合同とされている。そして、第２端子２５ａは、第１導体層１２における一方の第１端子１５ａ及びアンテナ１３の一部を覆っており、第２端子２５ｂは、第１導体層１２における他方の第１端子１５ｂ及びアンテナ１３の一部を覆っている。なお、第２導体層の材料としては、特に限定されないが、第１導体層の材料と同様の材料を挙げることができる。

また、第２回路層２０には、第１導体層１２の一方の第１端子１５ａと、第２導体層２２の一方の第２端子２５ａとが重なる位置において、第２絶縁層２１、及び、第２端子２５ａを貫通する孔２６ａが形成されている。そして、孔２６ａ内には、はんだ３０ａが充填されると共に、はんだ３０ａは、第１端子１５ａ及び第２端子２５ａに接続されて、第１端子１５ａと第２端子２５ａとを電気的に接続している。さらに、第２回路層２０には、第１導体層１２の他方の第１端子１５ｂと、第２導体層２２の他方の第２端子２５ｂとが重なる位置において、第２絶縁層２１、及び、第２端子２５ｂを貫通する孔２６ｂが形成されている。そして、孔２６ｂ内には、はんだ３０ｂが充填されると共に、はんだ３０ｂは、第１端子１５ｂ及び第２端子２５ｂに接続されて、第１端子１５ｂと第２端子２５ｂとを電気的に接続している。

こうしてフレキシブル多層回路基板１は、第２端子２５ａ、２５ｂが外部端子とされた、アンテナ装置をされている。

次に、フレキシブル多層回路基板１の製造方法について説明する。

図３は、図１のフレキシブル多層回路基板１を製造する製造方法のフローチャートである。

図３に示すように、本実施形態のフレキシブル多層回路基板１の製造方法は、準備工程Ｐ１と、積層工程Ｐ２と、配置工程Ｐ３と、加熱工程Ｐ４とを備える。

（準備工程Ｐ１）
まず、第１回路層１０と、第２回路層２０とを準備する。第１回路層１０は、上述の第１絶縁層１１上に第１導体層１２を形成することにより準備される。第１導体層１２が金属からなる場合、アンテナ１３および第１端子１５ａ、１５ｂが所定のパターンとなるように、この金属をめっきする。また、第１導体層１２が導電性ペーストから成る場合、アンテナ１３および第１端子１５ａ、１５ｂが所定のパターンとなるように、例えば、スクリーン印刷法等の印刷により、導電性ペーストを第１絶縁層１１上に印刷する。また、アンテナ１３及び第１端子１５ａ、１５ｂの一方をめっきにより形成して、その後、アンテナ１３及び第１端子１５ａ、１５ｂの他方を導電性ペーストで形成しても良い。次に、第１端子１５ａ、１５ｂを除いて、第１絶縁層１１及び第１導体層１２の表面を保護層１６で覆う。保護層１６は、例えば、紫外線硬化性樹脂を塗布して、硬化させることにより形成すれば良い。こうして図４に示す第１回路層１０とされる。

また、第２回路層２０の準備においては、第１回路層１０と同様にして、第２導体層２２を第２絶縁層２１の一方の面上に形成し、第２導体層２２のそれぞれの第２端子２５ａ、２５ｂが設けられている位置において、第２端子２５ａ、２５ｂ及び第２絶縁層２１を貫通する孔２６ａ、２６ｂを形成する。これらの孔２６ａ、２６ｂは、図１に示すように、第２回路層２０が第１回路層１０に積層されたときに、それぞれ第１端子１５ａ、１５ｂと重なる位置となるように形成される。これらの孔２６ａ、２６ｂは、ドリル等の機械的手段や、レーザ等の熱的手段により、形成することができる。こうして図４に示す第２回路層２０とされる。

（積層工程Ｐ２）
次に、準備した第１回路層１０と第２回路層２０とを図４の矢印に示すように重ね合わせて、第１導体層１２上に第２絶縁層２１が配置されると共に、孔２６ａ、２６ｂが第１端子１５ａ、１５ｂと重なるように、第２回路層２０を第１回路層１０上に積層する。このとき図示しない接着剤により、第１回路層１０と第２回路層２０とを一体とする。この接着剤は、第２回路層が第１回路層１０の外形内に収まるように積層されるため、第２回路層の絶縁層２１における第１回路層１０側の表面に予め設けられていることが好ましい。こうして、図５に示すように、第２回路層が第１回路層上に積層された多層基板２が準備される。

（配置工程Ｐ３）
次に、孔２６ａ、２６ｂを覆うように第２導体層２２のそれぞれの第２端子２５ａ、２５ｂ上に、はんだ３０ａ、３０ｂを配置する。このとき、はんだ３０ａ、３０ｂは、クリームはんだ、或いは、固形のはんだのどちらでも良いが、クリームはんだであることが好ましい。はんだ３０ａ、３０ｂがクリームはんだであれば、配置したはんだ３０ａ、３０ｂが、作業中に第２端子２５ａ、２５ｂから他の位置にずれることを防止することができる。はんだ３０ａ、３０ｂがクリームはんだである場合、ディスペンサにより、はんだ３０ａ、３０ｂを塗布して配置しても良く、開口を有するメタルマスクを多層基板２上に配置して、メタルマスク上に配置されたクリームはんだをスキージで伸ばすことで、開口からはんだを多層基板２上に塗布して、その後、メタルマスクを取り除いて、はんだを配置しても良い。こうして、図６に示すように、はんだ３０ａ、３０ｂが配置された多層基板２とされる。

（加熱工程Ｐ４）
図７は、加熱工程の様子を示す図であり、具体的には、図７の（Ａ）は、レーザを用いて、加熱を行う様子を示し、図７の（Ｂ）は、はんだこて４１を用いて加熱を行う様子を示す。

レーザを用いてはんだ３０ａ、３０ｂを加熱する場合には、図７の（Ａ）に示すように、レーザＬをはんだ３０ａ、３０ｂのみに照射するか、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２導体層２２である第２端子２５ａ、２５ｂのみに照射する。こうして、はんだ３０、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２導体層２２のみが直接的に加熱される。

はんだこてを用いてはんだ３０ａ、３０ｂを加熱する場合には、図７の（Ｂ）に示すように、加熱したはんだこて４１をはんだ３０ａ、３０ｂのみに接触させるか、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２導体層２２である第２端子２５ａ、２５ｂのみにはんだこて４１を接触させる。こうして、はんだ３０、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２導体層２２のみが直接的に加熱される。なお、はんだこて４１は、抵抗４２により加熱される加熱体である。

そして、加熱されたはんだ３０ａが溶融して、孔２６ａ内に充填され、はんだ３０ａは、第１導体層１２の第１端子１５ａ及び第２導体層２２の第２端子２５ａと接続させる。同様に加熱されたはんだ３０ｂが溶融して、孔２６ｂ内に充填され、はんだ３０ｂは、第１導体層１２の第１端子１５ｂ及び第２導体層２２の第２端子２５ｂと接続させる。こうして、第１導体層１２の第１端子１５ａと第２導体層２２の第２端子２５ａとが電気的に接続され、第１導体層１２の第１端子１５ｂと第２導体層２２の第２端子２５ｂとが電気的に接続される。その後、はんだ３０ａ、３０ｂが冷却固化して、図１、図２に示すフレキシブル多層回路基板１を得る。

以上説明したように、本実施形態によるフレキシブル多層回路基板１の製造方法によれば、孔２６ａ、２６ｂが第１導体層１２のそれぞれの第１端子１５ａ、１５ｂと重なるようにして、第２回路層２０が第１回路層１０上に積層されるため、これらの孔２６ａ、２６ｂを介してそれぞれの端子１５ａ、１５ｂが露出する。そしてこれらの孔２６ａ、２６ｂを覆うように第２端子２５ａ、２５ｂ上に配置されたはんだ３０ａ、３０ｂを溶融することで、はんだ３０ａが孔２６ａ、２６ｂから第１端子１５ａ、１５ｂ上まで流れ込む。こうして第１端子１５ａ及び第２端子２５ａがそれぞれはんだ３０ａ、３０ｂに接続されて、第１端子１５ａ、１５ｂと第２端子２５ａ、２５ｂとが、はんだ３０ａ、３０ｂを介して電気的に接続される。このとき、はんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみを直接的に加熱して、はんだ３０ａ、３０ｂを溶融する。つまり、はんだ３０ａ、３０ｂを溶融する際、第１絶縁層１１及び第２絶縁層２１は、加熱されたはんだ３０ａ、３０ｂ等から伝導する熱により加熱されることがあっても、はんだ３０ａ、３０ｂ等と同様に直接的には加熱されない。従って、絶縁層１１、２１の温度の上昇が抑制される。こうして、絶縁層１１、２１が熱に弱い材料から成る場合であっても、熱による絶縁層１１、２１の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができる。

また、上記実施形態においては、孔２６ａ、２６ｂの底面が第１端子１５ａ、１５ｂの表面であるため、それぞれの孔２６ａ、２６ｂの底面において、はんだ３０ａ、３０ｂと第１端子１５ａ、１５ｂとが接続されるため、第１導体層が孔２６ａ、２６ｂを形成する壁面から露出する場合よりも、より確実にはんだ３０ａ、３０ｂと第１端子１５ａ、１５ｂとを接続することができる。

また、上記実施形態においては、レーザＬ、或いは、はんだこて４１により、はんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみを直接的に加熱するため、はんだ３０ａ、３０ｂや第２端子２５ａ、２５ｂの領域が小さい場合であっても、はんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみを適切に加熱することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図８、９を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の参照符号を付して、特に説明する場合を除き、重複する説明を省略する。

本実施形態は、加熱工程Ｐ４の前において、マスキング工程を更に備え、加熱工程Ｐ４において、放射熱による加熱を行う点において、第１実施形態のフレキシブル多層回路基板１の製造方法と異なる。

まず、第１実施形態と同様にして、準備工程Ｐ１、積層工程Ｐ２、配置工程Ｐ３を行う。

（マスキング工程）
次に、マスキング工程を行う。マスキング工程においては、配置工程Ｐ３により、はんだ３０ａ、３０ｂが配置された多層基板２の上に、マスク４５を重ねる。マスク４５には、はんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２導体層２２である第２端子２５ａ、２５ｂのみが露出するように、複数の開口４６ａ、４６ｂが形成されている。このときマスク４５は、第１絶縁層１１、及び、第２絶縁層２１から離れていることが好ましく、多層基板２から完全に離れていることがより好ましい。こうして、図８に示す、マスク４５により、多層基板２がマスキングされた状態となる。なお、マスク４５の材料としては、加熱工程Ｐ４に用いることのできる耐熱性を有する材料であれば、特に制限されないが、例えば、ステンレス鋼を挙げることができる。

（加熱工程Ｐ４）
次に多層基板２のはんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみを直接的に加熱する。具体的には、図９に示すようにマスク４５の上から放射加熱を行う。図９のマスク４５に向けられる矢印は、熱を示す。このとき、マスク４５に形成されている複数の開口４６ａ、４６ｂから、はんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみに直接的に熱が同時に放射される。こうして、はんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみが直接的に同時に加熱されると共に、絶縁層１１、２１は、マスク４５により熱から保護される。

このとき、上述のように、マスク４５が、少なくとも第１絶縁層１１、及び、第２絶縁層２１から離れていれば、放射熱によりマスク４５が加熱される場合においても、マスク４５の熱から絶縁層１１、１２を保護することができため好ましく、マスク４５が多層基板２から完全に離れていれば、マスク４５の熱から多層基板２全体を保護することができより好ましい。

こうして、第１実施形態と同様に、加熱されたはんだ３０ａ、３０ｂが溶融して、孔２６ａ、２６ｂ内に充填される。そして、はんだ３０ａは、第１導体層１２の第１端子１５ａ及び第２導体層２２の第２端子２５ａと接続され、はんだ３０ｂは、第１導体層１２の第１端子１５ｂ及び第２導体層２２の第２端子２５ｂと接続される。その後、第１実施形態と同様にして、はんだ３０ａ、３０ｂが冷却固化して、図１、図２に示すフレキシブル多層回路基板１を得る。

以上説明したように、本実施形態によるフレキシブル多層回路基板１の製造方法によれば、放射熱により広い領域を一度に加熱することができる。このとき多層基板２の第１絶縁層１１、第２絶縁層２１は、マスク４５により保護されているため、放射熱により直接加熱されず、マスク４５の開口４６ａ、４６ｂから露出しているはんだ３０ａ、３０ｂのみ、または、はんだ３０ａ、３０ｂ及び第２端子２５ａ、２５ｂのみを適切に加熱することができる。

さらに、上記実施形態においては、マスク４５に、複数の開口４６ａ、４６ｂが形成されているため、一度に複数個所において、第１導体層１２と第２導体層２２との電気的な接続を行うことができる。従って、フレキシブル多層回路基板１の生産の効率を上げることができる。

以上、本発明について、第１、第２実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、上記実施形態においては、第１導体層１２のみがアンテナ１３を有していたが、第２導体層２２にもアンテナを形成しても良い。この場合、アンテナ同士を接続して、より放射強度の強いアンテナとしたり、面積の小さいアンテナとすることができる。

また、上記実施形態においては、フレキシブル多層回路基板１として、アンテナ装置を例に説明したが、本発明はこれに限らず、他の回路にも応用できる。

また、第２実施形態において、マスク４５に形成された開口は複数とされたが、１つのみの開口が形成されても良い。

本発明によれば、熱による絶縁層の損傷を抑制して、層間の電気的な接続を行うことができるフレキシブル多層回路基板の製造方法が提供される。

１・・・フレキシブル多層回路基板
２・・・多層基板
１０・・・第１回路層
１１・・・第１絶縁層
１２・・・第１導体層
１３・・・アンテナ
１５ａ、１５ｂ・・・第１端子
１６・・・保護層
２０・・・第２回路層
２１・・・第２絶縁層
２２・・・第２導体層
２５ａ、２５ｂ・・・第２端子
２６ａ、２６ｂ・・・孔
３０ａ、３０ｂ・・・はんだ
４１・・・はんだこて
４２・・・抵抗
４５・・・マスク
４６ａ、４６ｂ・・・開口
Ｐ１・・・準備工程
Ｐ２・・・積層工程
Ｐ３・・・配置工程
Ｐ４・・・加熱工程

Claims (6)

1. 可撓性を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面上に設けられる第１導体層とを有する第１回路層、及び、可撓性を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の一方の面上に設けられる第２導体層とを有し、前記第２導体層及び前記第２絶縁層を貫通する孔が形成された第２回路層、を準備する準備工程と、
   前記第１導体層上の少なくとも一部に前記第２絶縁層が配置されると共に、前記孔が前記第１導体層と重なるように、前記第２回路層を前記第１回路層上に積層する積層工程と、
   前記孔を覆うように前記第２導体層上にはんだを配置する配置工程と、
   前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみを直接的に加熱し、前記はんだを溶融させて、前記はんだを前記第１導体層及び前記第２導体層と接続させる加熱工程と、
   を備えることを特徴とするフレキシブル多層回路基板の製造方法。
2. 前記加熱工程おいて、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみに、レーザを照射して加熱することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル多層回路基板の製造方法。
3. 前記加熱工程において、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみに、抵抗により加熱した加熱体を接触させて加熱することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル多層回路基板の製造方法。
4. 前記加熱工程の前において、前記多層基板の上に、前記はんだのみ、または、前記はんだ及び前記第２導体層のみが露出する開口が形成されたマスクを重ねるマスキング工程を更に備え、
   前記加熱工程において、放射熱による加熱を行うことを特徴とする請求項１フレキシブル多層回路基板の製造方法。
5. 前記マスクは、前記多層基板における表面の絶縁層と非接触状態とされることを特徴とする請求項４に記載のフレキシブル多層回路基板の製造方法。
6. 前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方は、アンテナを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のフレキシブル多層回路基板の製造方法。

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