JP2012046425A - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】台座5を蓋材1bと別部材で構成すると共に、台座5の材料としてSiCと熱膨張係数がほぼ同じものを選択する。このようにすれば、SiC単結晶4の結晶成長後の冷却過程において蓋材1bにSiC多結晶が成長した影響で蓋材1bが変形したとしても、接合部材6を介して蓋材1bに貼り合わされた台座5にはその影響があまり伝わらない。さらに、台座5も加熱により熱膨張することになるが、台座5の熱膨張係数がSiCの熱膨張係数とほぼ同じになるようにしているため、SiC単結晶基板3は台座5の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。また、蓋材1bと台座5との間に薄板状の緩衝材7を配置し、緩衝材7の両面に接合部材8、9を配置する。これにより、より結晶成長後の蓋材1bの変形による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。
【選択図】図1
Description
本発明の参考形態について説明する。図1は、本参考形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させている様子を示した断面図である。
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態は、参考形態に対してSiC単結晶の製造装置の構成を変更したものであり、その他に関しては参考形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶の製造装置の構成を変更したものであり、その他に関しては参考形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
上記第1〜第2実施形態では、SiC単結晶の製造装置の容器の一例として円筒状の黒鉛製るつぼ1を例に挙げたが、これは単なる一例であり、黒鉛製るつぼ1の形状は必ずしも円筒状でなくても良いし、すべてが黒鉛製でなくても構わない。例えば、容器の外形が正多角柱形状であっても良いし、Ta(タンタル)等で内壁面がコーティングされていても良い。
Claims (3)
- 容器(1)内に、炭化珪素原料(2)と種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記炭化珪素原料(2)を加熱昇華させて前記炭化珪素単結晶基板(3)上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記容器(1)は、
一面が開口しており内部に前記炭化珪素原料(2)が配置される中空形状の本体(1a)と、
前記本体(1a)の前記開口する一面側に配置される蓋材(1b)と、
前記炭化珪素単結晶基板(3)が配置される台座(5)とを備え、
前記蓋材(1b)と前記台座(5)とが別部材で構成され、前記台座(5)が接合部材(6、8、9)を介して前記蓋材(1b)に貼り合わされた構成とされ、
さらに、前記蓋材(1b)と前記台座(5)との間に薄板状の緩衝材(7)が配置されており、該緩衝材(7)の両面に前記接合部材(8、9)が配置されることで、前記緩衝材(7)および前記接合部材(8、9)を介して前記蓋材(1b)に前記台座(5)が貼り合わされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記蓋材(1b)には凹部(1c)が形成されており、該凹部(1c)内に前記緩衝材(7)および前記接合部材(8、9)が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記凹部(1c)の深さよりも前記緩衝材(7)および前記接合部材(8、9)の厚みの方が厚くなっていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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WO2024060490A1 (zh) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种多孔碳化硅陶瓷晶体托及其制备方法与应用 |
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JP2004269297A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | SiC単結晶及びその製造方法 |
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