JP2012043711A - 励磁突入電流抑制装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電源母線1とスコット結線変圧器3との接続を開閉する遮断器2の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制装置6であって、スコット結線変圧器3側の三相交流電圧を計測して、遮断後のスコット結線変圧器3の三線間の残留磁束を演算し、最も大きな残留磁束の線間を検出し、電源母線1の三相交流電圧を計測して、スコット結線変圧器3の三線間の定常磁束を演算し、検出した線間において、残留磁束と定常磁束とが略一致する位相で、遮断器2の検出した線間に対応する二相を投入後、残りの相を投入する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置6の適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。なお、以降の図における同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、異なる部分について主に述べる。以降の実施形態も同様にして重複する説明を省略する。
図15は、本発明の第2の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置6Aの適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。
VDvw=−(√3/2)Vt−(1/2)Vm …式(2)
VDwu=(√3/2)Vt−(1/2)Vm …式(3)
これにより、変圧器電圧変換部610は、図18に示すスコット結線変圧器3の1次側に印加されている線間電圧Vuv,Vvw,Vwuと、pu値(定格に対する割合)で換算して、同じ電圧波形を求めることができる。
図19は、本発明の第3の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置6Bの適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。
VDt=(Vwu−Vvw)/2 …式(5)
図20〜図22を参照して、本実施形態に係る電源電圧変換部611による演算処理について説明する。
図29は、本発明の第4の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置6Cの適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。
図30は、本発明の第5の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置6Dの適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。
図31は、本発明の第6の実施形態に係る励磁突入電流抑制装置6Eの適用された電力系統システムの構成を示す構成図である。
Claims (10)
- 電源を備えた三相交流の電力系統と三相交流電圧を単相交流電圧に変換する変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制装置であって、
前記遮断器の前記変圧器側の三相交流電圧を計測する変圧器側三相交流電圧計測手段と、
前記変圧器側三相交流電圧計測手段により計測された三相交流電圧に基づいて、前記遮断器による前記変圧器の遮断後の前記変圧器の三線間の残留磁束を演算する残留磁束演算手段と、
前記残留磁束演算手段により演算された前記三線間の残留磁束のうち最も大きな残留磁束の線間を検出する線間検出手段と、
前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測する電源側三相交流電圧計測手段と、
前記電源側三相交流電圧計測手段により計測された三相交流電圧に基づいて、前記変圧器の三線間の定常磁束を演算する定常磁束演算手段と、
前記線間検出手段により検出された線間において、前記残留磁束演算手段により演算された残留磁束と前記定常磁束演算手段により演算された定常磁束とが略一致する位相を判断する第1の位相判断手段と、
前記第1の位相判断手段により判断された位相で、前記線間検出手段により検出された線間に対応する二相を投入する第1の投入手段と、
前記第1の投入手段による投入後、投入されていない相を投入する第2の投入手段と
を備えたことを特徴とする励磁突入電流抑制装置。 - 電源を備えた三相交流の電力系統と三相交流電圧を単相交流電圧に変換する変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制装置であって、
前記変圧器の単相交流電圧を計測する変圧器側単相交流電圧計測手段と、
前記変圧器側単相交流電圧計測手段により計測された前記変圧器の単相交流電圧を、前記変圧器の三相交流電圧に変換する変圧器側電圧変換手段と、
前記変圧器側電圧変換手段により変換された三相交流電圧に基づいて、前記遮断器による前記変圧器の遮断後の前記変圧器の三線間の残留磁束を演算する残留磁束演算手段と、
前記残留磁束演算手段により演算された前記三線間の残留磁束のうち最も大きな残留磁束の線間を検出する線間検出手段と、
前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測する電源側三相交流電圧計測手段と、
前記電源側三相交流電圧計測手段により計測された三相交流電圧に基づいて、前記変圧器の三線間の定常磁束を演算する定常磁束演算手段と、
前記線間検出手段により検出された線間において、前記残留磁束演算手段により演算された残留磁束と前記定常磁束演算手段により演算された定常磁束とが略一致する位相を判断する第1の位相判断手段と、
前記第1の位相判断手段により判断された位相で、前記線間検出手段により検出された線間に対応する二相を投入する第1の投入手段と、
前記第1の投入手段による投入後、投入されていない相を投入する第2の投入手段と
を備えたことを特徴とする励磁突入電流抑制装置。 - 電源を備えた三相交流の電力系統と主座変圧器及びT座変圧器を備えたスコット結線変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制装置であって、
前記主座変圧器の2次電圧を計測する主座2次電圧計測手段と、
前記主座2次電圧計測手段により計測された2次電圧に基づいて、前記遮断器による前記変圧器の遮断後の前記主座変圧器の残留磁束を演算する残留磁束演算手段と、
前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測する電源側三相交流電圧計測手段と、
前記電源側三相交流電圧計測手段により計測された三相交流電圧に基づいて、前記主座変圧器の定常磁束を演算する定常磁束演算手段と、
残留磁束演算手段により演算された残留磁束と前記定常磁束演算手段により演算された定常磁束とが略一致する位相を判断する第1の位相判断手段と、
前記第1の位相判断手段により判断された位相で、前記主座変圧器の1次巻線に対応する二相を投入する第1の投入手段と、
前記第1の投入手段による投入後、投入されていない相を投入する第2の投入手段と
を備えたことを特徴とする励磁突入電流抑制装置。 - 前記第2の投入手段は、励磁突入電流を抑制するように予め設定された時間後に投入すること
を特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の励磁突入電流抑制装置。 - 前記遮断器を少なくとも1回開放操作したときの前記変圧器の残留磁束及び前記遮断器の遮断位相を計測した情報を保持する計測情報保持手段と、
前記計測情報保持手段に保持された情報に基づいて、同一の遮断位相で前記遮断器を開放するための開放手段とを備え、
前記第1の投入手段は、前記開放手段による前記遮断位相に基づいて、前記遮断器を投入すること
を特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の励磁突入電流抑制装置。 - 電源を備えた三相交流の電力系統と三相交流電圧を単相交流電圧に変換する変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制方法であって、
前記遮断器の前記変圧器側の三相交流電圧を計測し、
計測した三相交流電圧に基づいて、前記遮断器による前記変圧器の遮断後の前記変圧器の三線間の残留磁束を演算し、
演算した前記三線間の残留磁束のうち最も大きな残留磁束の線間を検出し、
前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測し、
計測した三相交流電圧に基づいて、前記変圧器の三線間の定常磁束を演算し、
検出した線間において、演算した残留磁束と演算した定常磁束とが略一致する位相を判断し、
判断した位相で、検出した線間に対応する二相を投入し、
検出した線間に対応する二相を投入後、投入されていない相を投入すること
を含むことを特徴とする励磁突入電流抑制方法。 - 電源を備えた三相交流の電力系統と三相交流電圧を単相交流電圧に変換する変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制方法であって、
前記変圧器の単相交流電圧を計測し、
計測した前記変圧器の単相交流電圧を、前記変圧器の三相交流電圧に変換し、
変換した三相交流電圧に基づいて、前記遮断器による前記変圧器の遮断後の前記変圧器の三線間の残留磁束を演算し、
演算した前記三線間の残留磁束のうち最も大きな残留磁束の線間を検出し、
前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測し、
計測した三相交流電圧に基づいて、前記変圧器の三線間の定常磁束を演算し、
検出した線間において、演算した残留磁束と演算した定常磁束とが略一致する位相を判断し、
判断した位相で、検出した線間に対応する二相を投入し、
検出した線間に対応する二相を投入後、投入されていない相を投入すること
を含むことを特徴とする励磁突入電流抑制方法。 - 電源を備えた三相交流の電力系統と主座変圧器及びT座変圧器を備えたスコット結線変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制する励磁突入電流抑制方法であって、
前記主座変圧器の2次電圧を計測し、
計測した2次電圧に基づいて、前記遮断器による前記変圧器の遮断後の前記主座変圧器の残留磁束を演算し、
前記遮断器の前記電源側の三相交流電圧を計測し、
計測した三相交流電圧に基づいて、前記主座変圧器の定常磁束を演算し、
演算した残留磁束と演算した定常磁束とが略一致する位相を判断し、
判断した位相で、前記主座変圧器の1次巻線に対応する二相を投入し、
前記主座変圧器の1次巻線に対応する二相を投入後、投入されていない相を投入すること
を含むことを特徴とする励磁突入電流抑制方法。 - 前記投入されていない相の投入は、励磁突入電流を抑制するように予め設定された時間後に投入すること
を特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の励磁突入電流抑制方法。 - 前記遮断器を少なくとも1回開放操作したときの前記変圧器の残留磁束及び前記遮断器の遮断位相を計測した情報を保持し、
保持した情報に基づいて、同一の遮断位相で前記遮断器を開放し、
前記遮断位相に基づいて、前記遮断器を投入すること
を含むことを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか1項に記載の励磁突入電流抑制方法。
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