JP2012043201A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い読み取り性能を備えたセンサ回路を含む表示装置を提供する。
【解決手段】画素回路と、カップリング電極と、カップリング電極との間にカップリング容量を形成する検知電極12Eと、検知電極12Eの電位を読み出す手段と、を含むとともに、複数の画素回路の間の領域に配置されたセンサ回路12と、複数の画素回路が配列した行方向に沿って延びて配置された複数の走査線GLと、複数の画素回路が配列した列方向に沿って延びて配置された複数の信号線SLと、センサ回路12を駆動する期間において、複数の信号線SLを、検知電極12Eへプリチャージ電圧を給電するためのプリチャージ配線PRL、および、検知電極12Eの電位を読み出すための読み出し配線ROL、として駆動するとともに、カップリング電極の電位を変化させるためのカップリングパルス配線CPLを駆動するように構成された駆動回路YD、XDと、を備えた表示装置。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。
ユーザインタフェースの形としてタッチパネル機能を具備した表示装置を搭載した携帯電話や携帯情報端末、パーソナルコンピュータなどの電子機器が開発されている。このようなタッチパネル機能を具備した電子機器では、液晶表示装置や有機EL表示装置などの表示装置に、別途タッチパネル基板を貼り合わせることでタッチパネル機能を付加することが検討されている。
また、近年、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等によりガラス基板等の透明な絶縁基板上にさまざまな材料で薄膜を形成し、切削や研削等の作業を繰り返し行うことにより、走査線や信号線からなる表示素子や、光センサ素子等を形成して、画像読み取り装置を製造する技術が研究されている。
また、画像読み取り装置の読み取り方式として、光センサ素子等に替えて導電性の電極を配置し、この電極と指等との間の容量変化によりパネル表面の指やペン等の情報を検知するいわゆる静電容量方式により接触位置を検出する技術が研究されている。
特開2004−93894号公報
例えば、表示装置を構成する基板上にセンサ回路を内蔵することによりタッチパネル機能を実現すると、製造工程のばらつきにより基板上のセンサ回路の特性にばらつきが生じ、タッチパネル機能の不感領域が出来てしまうことがあった。また使用環境における静電ノイズの変化により、タッチパネル機能が動作しなくなる恐れがあった。
また、指やペン等の有無による検知電極の電圧差を検出する場合、電圧の絶対値が大きくするためにアナログデジタル変換回路への入力電圧範囲を拡大すると、回路部品にかかるコストが高くなることがあった。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであって、高い読み取り性能を備えたセンサ回路を含むとともに、低コスト化を実現する表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様による表示装置は、絶縁性基板上にマトリクス状に配置された画素回路と、カップリング電極と、前記カップリング電極との間にカップリング容量を形成する検知電極と、前記検知電極の電位を読み出す手段と、を含むとともに、前記複数の画素回路の間の領域に配置されたセンサ回路と、前記複数の画素回路が配列した行方向に沿って延びて配置された複数の走査線と、前記複数の画素回路が配列した列方向に沿って延びて配置された複数の信号線と、前記画素回路を駆動する期間において、前記走査線を駆動して前記信号線を介して対応する前記画素回路に対応する映像信号を書き込み、前記センサ回路を駆動する期間において、複数の前記信号線を、前記検知電極へプリチャージ電圧を給電するためのプリチャージ配線、および、前記検知電極の電位を読み出すための読み出し配線、として駆動するとともに、前記カップリング電極の電位を変化させるためのカップリングパルス配線を駆動するように構成された駆動回路と、を備える。
第1実施形態に係る表示装置の一構成例を説明するための図である。 図1に示す表示装置の偏光板の一構成例を説明するための図である。 図1に示す表示装置の偏光板の他の構成例を説明するための図である。 図1に示す表示装置の表示パネルの一構成例を説明するための平面図である。 図4に示す表示パネルの表示画素の一構成例を説明するための平面図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路の一構成例を説明するための等価回路図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路の一構成例を説明するための平面図である。 図4に示す表示パネルの表示画素およびセンサ回路の配置位置の一例を説明するための等価回路図である。 図4に示す表示パネルにおいてセンサ回路の駆動方法の一例を説明するためのタイミングチャートである。 センサ回路に供給するプリチャージ電圧とセンサ回路の出力電圧との関係の一例を示す図である。 センサ回路のプリチャージ電圧が2.4Vのときの出力時間と出力信号線電圧との関係の一例を示す図である。 センサ回路のプリチャージ電圧が2.6Vのときの出力時間と出力信号線電圧との関係の一例を示す図である。 図4に示す表示パネルにおいてセンサ回路を駆動するタイミングの一例を説明するための図である。 図4に示す表示パネルにおいてセンサ回路を駆動するタイミングの他の例を説明するための図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路および駆動配線の配置位置の一例を説明するための図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路および駆動配線の配置位置の一例を説明するための図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路および駆動配線の配置位置の一例を説明するための図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路および駆動配線の配置位置の一例を説明するための図である。 図4に示す表示パネルのセンサ回路および駆動配線の配置位置の一例を説明するための図である。 第2実施形態に係る表示装置におけるセンサ回路の駆動方法の一例を説明するための図である。 第2実施形態に係る表示装置において、センサ回路のプリチャージ電圧の設定方法の一例を説明するための図である。 第2実施形態に係る表示装置にいて、センサ回路のプリチャージ電圧の設定方法の一例を説明するためのフローチャートである。 一実施形態に係る表示装置において、表示パネルの回路基板の一構成例を説明するための図である。 一実施形態に係る表示装置において、表示パネルの回路基板の一構成例を説明するための図である。 一実施形態に係る表示装置において、表示パネルの回路基板の一構成例を説明するための図である。 一実施形態に係る表示装置において、表示パネルの回路基板の一構成例を説明するための図である。
以下、本発明の一実施形態に係る表示装置および表示装置の駆動方法について、図面を参照して説明する。
図1に本実施形態に係る表示装置の一断面を示す。本実施形態に係る表示装置は、表示部DYPを含む液晶表示パネルPNLと、液晶表示パネルPNLの背面側に配置された照明ユニットと、液晶表示パネルPNLと照明ユニットとを支持するフレーム40と、液晶表示パネルPNLの表示部DYPを露出させるようにフレーム40に取り付けられるベゼルカバー50と、フレーム40の背面側に配置された回路基板60と、ベゼルカバー50上に接着剤70により固定された保護ガラスPGLと、を備えている。保護ガラスPGLは、液晶表示パネルPNLの表示部DYPを外部からの衝撃から保護している。なお、保護ガラスPGLは、省略することも可能である。
照明ユニットは、図示しない光源と、光源から入射された光を液晶表示パネルPNL側に向けて出射する導光体32と、液晶表示パネルPNLと導光体32との間に配置された光学シートとして、プリズムシート34および拡散シート36と、液晶表示パネルPNLとは反対側の導光体32の主面と対向するように配置された反射シート38と、を備えている。プリズムシート34および拡散シート36は、導光体32から出射された光を集光および拡散する。
液晶表示パネルPNLは、アレイ基板10と、アレイ基板10と対向するように配置された対向基板20と、アレイ基板10と対向基板20との間に挟持された液晶層LQと、マトリクス状に配置された複数の表示画素を含む表示部DYPと、を備えている。アレイ基板10は液晶層LQと反対側の主面に取り付けられた偏光板10Aを備えている。対向基板20は液晶層LQと反対側の主面に取り付けられた偏光板20Aを備えている。
図2に、液晶表示パネルPNLの構成の一例を説明するための図を示す。偏光板20Aは、偏光層L1と帯電防止層L2と、偏光層L1を透明絶縁性基板に固定する導電糊L3と、を備えている。帯電防止層L2は、その抵抗値が例えば6.3×1010(Ω/□)である。導電糊L3はその抵抗値が例えば5.2×1010(Ω/□)である。
帯電防止層L2や導電糊L3が配置されない場合、保護ガラスPGLの表面や偏光板20Aの表面に指先やペン先等が接触すると、指先やペン先等で接触したときの電荷が接触部に残ってしまうため、指先やペン先が離れた後も接触し続けていると認識されてしまい、離脱の反応が鈍くなることがあった。
これに対し、偏光板20Aの表面において電荷を抜けやすくするために、例えば1.0×10(Ω/□)以上の抵抗の材料の帯電防止層L2や導電糊L3を設けてこれらをグランドと接続することで、指先やペン先等との容量変化も検知可能で、さらに接触時の電荷残りを分散させて、離脱時の反応を高速にすることができる。
したがって、例えば金属製の細いペンで入力した場合でも、容量変化を精度良く検出することができる。さらに、センサ回路12が帯電して誤動作することを防止することができる。また、偏光板20Aの抵抗値をかえることで、実際に触れている面積に対して出力される面積をかえることもできる。
また、IPS(In-Plane Switching)やFFS(Fringe-Field Switching)のような表示モードを採用した表示装置では、静電気による焼き付き対策として、対向基板20の透明絶縁性基板上に透明電極層を形成したり、導電性の偏光板としたりする場合がある。本実施形態にかかる表示装置では、帯電防止層L2および導電糊L3により焼き付きを防止することができる。なお、帯電防止層L2と導電糊L3とはいずれか一方が設けられればよい。
フレーム40は、照明ユニットと液晶表示パネルPNLとを重ねた状態で収容する。照明ユニットと液晶表示パネルPNLとは、フレーム40により、その平面方向(D1−D2平面)において位置決めされる。
図3に、液晶表示パネルPNLと、ベゼルカバー50との構成の一例を説明するための図を示す。ベゼルカバー50は、液晶表示パネルPNLの表示部DYPを露出させる窓50Wを備えている。ベゼルカバー50は、導電糊付両面テープTPにより偏光板20Aの帯電防止層L2と固定され電気的に接続される。ベゼルカバー50はグランドと接続され、帯電防止層L2がベゼルカバー50を介してグランドと電気的に接続される。
回路基板60は、例えばフレキシブル基板FC1(図2に示す)により液晶表示パネルPNLのアレイ基板10の一端と電気的に接続されている。フレキシブル基板FC1はベゼルカバー50のスリット50Sを介してフレーム40の背面側に屈曲するように、回路基板60とアレイ基板10との間に延びて配置される。
図4に、液晶表示パネルPNLの一構成例の平面図を概略的に示す。本実施形態に係る表示装置の液晶表示パネルPNLは、アレイ基板10と、アレイ基板10に対向するように配置された対向基板20と、アレイ基板10および対向基板20間に挟持された液晶層LQと、マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示部DYPと、表示部DYPの周囲に配置された駆動回路XD、YDと、を備えている。
アレイ基板10は、透明絶縁基板(図示せず)と、透明絶縁基板上において複数の表示画素のそれぞれに対応してマトリクス状に配置された画素電極PEと、絶縁層を介して複数の画素電極PEと対向するように配置された共通電極CEと、画素電極PEが配列する行に沿って配置された複数の走査線GL、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGと、画素電極PEが配列する列に沿って配置された複数の信号線SLと、走査線GLと信号線SLとが交差する位置近傍に配置された画素スイッチSWPと、センサ回路12と、を備えている。
本実施形態では、信号線SLは、センサ回路12を駆動する期間においてセンサ回路12への信号を供給するカップリングパルス線CPL、プリチャージ線PCL、および、読み出し線ROLとしても用いられる。
液晶表示パネルPNLの端部には、フレキシブル基板FC1、FC2の一端が電気的に接続されている。フレキシブル基板FCの他端には回路基板60が電気的に接続されている。回路基板60は、センサ回路12を駆動する信号を入力するとともに、センサ回路12の出力信号を外部信号源(図示せず)へ出力する。
回路基板60は、マルチプレクサMUXと、D/A変換部DACと、A/D変換部ADCと、外部信号源との間で信号を送受信するインタフェース部I/Fと、を備えている。センサ回路12からの出力信号は、マルチプレクサMUXにより所定のタイミングでA/D変換部ADCへ供給され、デジタル信号に変換されて、インタフェース部I/Fに供給される。インタフェース部I/Fは、受信したデジタル信号を外部信号源へ出力する。外部信号源は、受信したデジタル信号により座標計算を行なって、指先やペン先等が接触した座標位置を検出する。外部信号源は表示のための信号を出力することも行なう。
図5に、表示画素PXにおけるアレイ基板10の構成の一例を示す。画素電極PEは、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電性材料によって形成されている。画素電極PEは、複数のスリットSLと、スリットSLにより形成される電極部PE1とを備えている。スリットSLおよび電極部PE1は、行方向D1に対して線対称となるように屈曲して延びるとともに、所定の間隔を置いて行方向D1に並んで配置されている。
共通電極CEは、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電性材料によって形成されている。共通電極CEは、絶縁層(図示せず)を介して画素電極PEの電極部PE1およびスリットSLに対向している。本実施形態では、共通電極CEは、絶縁層を介して画素電極PEの下層に配置されている。
画素スイッチSWPは、例えば薄膜トランジスタ(TFT : Thin Film Transistor)であって、ゲート電極は対応する走査線GLと電気的に接続され(あるいは一体に形成され)、ソース電極は対応する信号線SLと電気的に接続され(あるいは一体に形成され)、ドレイン電極は対応する画素電極と電気的に接続されている(あるいは一体に形成されている)。
図4に示すように、駆動回路は、複数の走査線GL、複数のプリチャージゲート線PG、および、複数の読み出しゲート線RGを駆動する走査線駆動回路YDと、複数の信号線SLを駆動する信号線駆動回路XDと、共通電極駆動回路(図示せず)と、を備えている。
走査線駆動回路YDには複数の走査線GL、複数のプリチャージゲート線PG、および、複数の読み出しゲート線RGが電気的に接続されている。走査線駆動回路YDは、複数の走査線GLに画素スイッチSWPをオンする(ソース−ドレインパスを導通させる)ためのゲート電圧を供給して、走査線GLを順次駆動する。また、走査線駆動回路YDは、複数のプリチャージゲート線PGおよび複数の読み出しゲート線RGを所定のタイミングで駆動して、センサ回路12を駆動させる。
信号線駆動回路XDには複数の信号線SLが電気的に接続されている。信号線駆動回路XDは、ソース−ドレインパスが導通した画素スイッチSWPを介して、信号線SLから画素電極PEへ映像信号を供給する。
共通電極駆動回路は、共通電極CEに共通電圧を供給する。共通電極駆動回路は、必要に応じて、液晶表示装置の極性反転方式に対応するように液晶層LQに印加される電圧の極性を反転させて、共通電極CEに供給する電圧の極性を反転するように構成されている。
走査線駆動回路YDと信号線駆動回路XDと共通電極駆動回路との動作は、タイミングコントローラTCONおよび外部信号源から供給される信号により制御される。アレイ基板10の端部には、例えばフレキシブル配線基板FC1、FC2を介してタイミングコントローラTCONが搭載された回路基板60が電気的に接続される。
画素電極PEと共通電極CEとに供給された電圧により画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差が生じると、画素電極PEの上部の液晶層LQにおいてアレイ基板10の基板面と略平行な方向の電界成分(以下、横電界という)が生じる。この横電界を含む電界によって、液晶層LQに含まれる液晶分子の配向状態が制御される。
なお、本実施形態に係る表示装置では、信号線SLと共通電極CEとの間にも横電界が生じる。したがって、本実施形態では、画素電極PEの上部だけでなく信号線SLの上部の液晶層LQにも横電界が印加され、液晶分子の配向状態が制御される。
図6にセンサ回路12の等価回路の一例を示す。センサ回路12は、接触体の有無による検知容量の変化を検出するための検知電極12E、外部から信号を入力するためのプリチャージ線PRL、カップリングパルス線CPL、外部へ出力を取り出すための読み出し線ROL、外部からの信号入力のタイミングを制御するためのプリチャージゲート線PG、外部へ出力を取り出すタイミングを制御するための読み出しゲート線RG、プリチャージ電圧を検知電極12Eへ書き込み、かつ保持するためのプリチャージスイッチSWA、検知容量の有無による検知電極電圧差を生じさせるためのカップリング容量C1、検知電極12Eに生じた電圧差を増幅するための増幅用スイッチSWB、および、増幅された電圧差を読み出し線ROLへ出力し、かつ保持するための読み出し用スイッチSWCを備えている。
信号線駆動回路XDは、センサ回路12の読み出し線ROLに、読み出しプリチャージスイッチSWDを介して、読み出し線プリチャージ線RPRからプリチャージ信号を供給する。信号線駆動回路XDは、読み出しプリチャージスイッチSWD、読み出し線プリチャージゲート線PRG、および、読み出し線プリチャージ線RPRを備えている。プリチャージ線PRL、カップリングパルス線CPL、および、読み出し線ROLは信号線SLと共通の配線を用いている。
プリチャージスイッチSWAは例えばp型の薄膜トランジスタであって、ゲート電極がプリチャージゲート線PGと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ソース電極がプリチャージ線PRLと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ドレイン電極が検知電極12Eと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)ている。
増幅用スイッチSWBは例えばp型の薄膜トランジスタであって、ゲート電極が検知電極12Eと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ソース電極がカップリングパルス線CPLと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ドレイン電極が読み出し用スイッチSWCのソース電極と電気的に接続され(あるいは一体に構成され)ている。
読み出し用スイッチSWCは例えばp型の薄膜トランジスタであって、ゲート電極が読み出し線ROLと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ソース電極が増幅用スイッチSWBのドレイン電極と電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ドレイン電極が読み出し線ROLと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)ている。
プリチャージスイッチSWDは例えばp型の薄膜トランジスタであって、ゲート電極にはプリチャージゲート線PRGと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ソース電極が読み出し線プリチャージ線RPRと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)、ドレイン電極が読み出し線ROLと電気的に接続され(あるいは一体に構成され)ている。
図7にセンサ回路12の一構成例を示す。カップリングパルス線CPLは、検知電極12Eとの間にカップリング容量C1を形成するカップリング電極CLを備えている。カップリング電極CLは、検知電極12Eの端部と対向するようにカップリングパルス線CPLから延びている。図5に示す場合、カップリング電極CLは、カップリングパルス線CPLが延びる方向D2と略直行する方向D1に延びている。
対向基板20は、透明絶縁性基板(図示せず)と、透明絶縁性基板上において表示画素PXに配置された着色層(図示せず)と、表示部DYPの周囲および表示画素PXの周囲の領域に配置された遮光層(図示せず)と、を備えている。
着色層は、赤色の主波長の光を透過する赤色着色層と、緑色の主波長の光を透過する緑色着色層と、青色の主波長の光を透過する青色着色層と、を備えている。赤色着色層と緑色着色層と、青色着色層とのそれぞれは、複数の表示画素PXの列方向D2に延びて配置され、行方向D1に周期的に並んで配置される。
表示画素PXは、赤色着色層を含む赤色表示画素PXRと、緑色着色層を含む緑色表示画素PXGと、青色着色層を含む青色表示画素PXBと、を備えている。赤色表示画素PXRと緑色表示画素PXGと青色表示画素PXBとは、表示画素ユニットPXUを構成する。
図8に、センサ回路12の配置の一例を示す。センサ回路12は、4行4列の表示画素ユニットPXUに少なくとも1つ配置されている。図8では、表示画素PXの構成が1行ごとに行方向D1に対して線対称となるように反転するように設計されている。表示画素PXは、表示画素PXの行は、2行毎に間隔を空けて並んでいる。センサ回路12は、表示画素PXの2行と表示画素PXの2行との間の領域に設けられている。
本実施形態に係る表示装置は、対向基板20の透明絶縁基板上に指先やペン先等により接触された位置と接触されない位置とを、センサ回路12の出力電圧の差により検出することが可能に構成されている。
図9に、本実施形態に係る表示装置の駆動方法の一例を説明するためのタイミングチャートを示す。プリチャージゲート線駆動波形(プリチャージゲート信号波形)は、プリチャージゲート線PGに印加され、プリチャージ用スイッチSWAのゲ−ト電極端子に入力される。この結果、プリチャージパルスがオンレベル(ローレベル)のタイミングでプリチャージ線PRLからプリチャージ電圧Vprcがプリチャージ用スイッチSWAを通じて検知電極12Eに書き込まれる。
読み出し線プリチャージゲート線駆動波形は、読み出し線ROLに外部のスイッチ(プリチャージスイッチSWD)を介して読出し線ROL用のプリチャージ電圧を書き込むための信号であって、これにより読み出し線ROLの初期の電圧が設定される。
カップリングパルス線駆動波形は、カップリングパルス線CPLに印加され、電圧変動の際にカップリング容量C1を介して検知電極12Eの電位を変動させる。検知電極電位波形は検知電極12Eの電位変動を示したものであり、検知電極電位(指なし)と、検知電極電位(指あり)との間に電圧差を生じさせることができる。
増幅用スイッチSWBのゲート−ソース(GS)間電圧波形は検知電極12Eで生じた電圧差が増幅用スイッチSWBの動作点の差に反映されることを示している。ゲート−ソース(GS)間電圧(指なし)とゲート−ソース(GS)間電圧(指あり)とで電圧差が生じる。読み出しゲート線駆動波形は、読み出しゲート線RGに印加され、読み出し用スイッチSWCのゲ−ト電極端子に入力される。
この結果、パルスがオンレベルのタイミングでカップリングパルスの変動後の電位が増幅用スイッチSWB、および読み出し用スイッチSWCを介して読み出し線ROLに出力される。読出し線出力電圧波形はこの電圧変動を示したものであり、出力電圧(指あり)と出力電圧(指なし)との間には電圧差が生じる。
センサ回路12を駆動する場合、まず、タイミングコントローラTCON(あるいは外部に設けられた制御回路、あるいはTFT基板上に設けられた制御回路)は走査線駆動回路YDを制御して、プリチャージゲート線PGに印加する電圧をロー(L)レベルにしてプリチャージスイッチSWAをオンさせる。タイミングコントローラTCON(あるいは外部に設けられた制御回路、あるいはTFT基板上に設けられた制御回路)は信号線駆動回路XDを制御してプリチャージ線PRLにプリチャージ電圧を印加して、スイッチSWAを介して検知電極12Eにプリチャージ電圧を印加する。
同時に、タイミングコントローラTCON(あるいは外部に設けられた制御回路、あるいはTFT基板上に設けられた制御回路)は、読み出し線プリチャージゲート線PRGにローレベルの電圧を印加してプリチャージスイッチSWDをオンさせ、プリチャージスイッチSWDを介して読み出し線ROLに読み出し線プリチャージ電圧(例えば0V)を印加する。読み出し線電圧は0Vとなる。
次に、タイミングコントローラTCON(あるいは外部に設けられた制御回路、あるいはTFT基板上に設けられた制御回路)は、プリチャージスイッチSWA、SWDをオフさせた後、信号線駆動回路XDを制御して、カップリングパルス線CPLをハイ(H)レベルとする。カップリングパルスがローレベルからハイレベルへ変化すると、カップリング容量C1により検知電極12Eの電位に電圧が重畳される。このとき、検知電極12Eに重畳される電圧の大きさは、検知電極12Eに結合される容量によって異なる。
例えば、検知電極12Eの上方の対向基板20に指やペン先等が接触している場合には、検知電極12Eと指との間に容量が生じる。検知電極12Eの上方において指先やペン先等が接触している場合には、指先やペン先等が無い場合と比較して検知電極12Eに重畳される電圧の大きさが小さくなる。
検知電極12Eの電位に応じて、増幅用スイッチ(アンプ)SWBのオン抵抗が異なる。本実施形態では、検知電極12Eの上方において指先やペン先等が接触している場合には増幅用スイッチ(アンプ)SWBのオン抵抗が低下し、検知電極12Eの上方において指先やペン先等が接触していない場合には増幅用スイッチ(アンプ)SWBのオン抵抗が比較的高くなる。
次に、タイミングコントローラTCON(あるいは外部に設けられた制御回路、あるいはTFT基板上に設けられた制御回路)は走査線駆動回路YDを制御して、読み出しゲート線RGの電圧をローレベルとして読み出し用スイッチSWCをオンさせる。検知電極12Eの上方において指先やペン先等が接触している場合には、読み出し用スイッチSWCがオンすると、増幅用スイッチ(アンプ)SWBおよび読み出し用スイッチSWCを介してカップリングパルスが読み出し線ROLへ供給される方向に働く。
したがって、指先やペン先等が接触している場合には、読み出し線ROLの電位がプリチャージ電圧からカップリングパルス電位に向かって変化する。指先やペン先等が接触していない場合には、指先やペン先等が接触している場合よりも読み出し線ROLの電位の変化が小さくなる。
読み出し線ROLには、予め書き込まれた読み出し線プリチャージ信号が保持されており、読み出しゲート線RGがオンすると同時に高電位側に向かって徐々に変動し始め、読み出し線出力期間Tread内までは変動を持続するが、読み出しゲート線が再びオフすると、それ以降は一定の電圧が保持される。
そこで、読み出しゲートがオンしてからの出力期間Treadでの出力電圧(指あり)と出力電圧(指なし)との出力電圧差を検出することにより指先やペン先等が接触している位置を検出することが可能となる。
この方式の場合、出力期間Treadを大きくとる程出力電圧差は大きくなるので、検出感度が向上する。従って読み出し線出力期間Treadは可能な限り大きくとる方が検出性能が高くなり有利となる。
プリチャージ線PRLはセンサ回路12ごとに独立している。そこでプリチャージ線PRLごとにプリチャージスイッチSWAを個別に設け、その印加電圧(プリチャージ電圧)を個別に制御する。それによりセンサ回路12のS/N(signal/noise)を個々に制御することが出来る。
図10に、プリチャージ電圧Vprcとセンサ回路12の出力電圧(読み出し線ROLの電圧)との関係の一例のグラフを示す。グラフは条件によって左右にシフトしているが、出力電圧が略6V以上8V以下でS/Nは最大になる。そこで、出力電圧を常に監視し、出力電圧が略6V以上8V以下になるようにプリチャージ電圧Vprcを調整することでS/Nが最大になるようにすることができる。個々のセンサ回路12についてプリチャージ電圧を調整することで、全てのセンサ回路12のS/Nを全て最大に維持することが可能となる。
図11は、プリチャージ電圧Vprcの違いによるセンサ回路12の出力電圧と出力時間との関係の一例を示したグラフである。図12は、プリチャージ電圧Vprcを大きくした場合の、センサ回路12の出力電圧と出力時間との関係の一例を示したグラフである。図11および図12のグラフを比較すると、プリチャージ電圧Vprcを大きくすることで、規程電圧V1に達するまでに時間を要していることがわかる。
出力時間は長いほどセンサ回路12のS/Nは向上するが、本実施形態ではセンサ回路12の読み出し線ROLは画素電極PEへ映像信号を供給する信号線SLを共有しているため、センサ回路12の動作時間は有限である。そのため、むやみにプリチャージ電圧Vprcを大きくしてしまっては、センサ回路12の動作時間内に接触の有無に関わらず、規程の電圧まで達しない場合があった。
そこで、例えば外部に設けられた制御回路で規程電圧V1に達する時間を常に監視し、プリチャージ電圧Vprcを最適にすることで、センサ回路12の動作時間内で最大のS/Nを得る。個々のセンサ回路12についてプリチャージ電圧Vprcを調整することで、全てのセンサ回路12のS/Nを全て最大に維持することが可能となる。
また、全ての信号線SLの電圧を調整することはプリチャージ電圧出力回路の個数が膨大になるので、コストアップの要因となる場合がある。そこで、ある程度の信号線SLを束ねて、表示部DYPのエリアごとにプリチャージ電圧Vprcを調整することで、S/Nの最大化とコスト低減とを実現することができる。
図13に、センサ回路12の駆動のタイミングの一例を説明するための図を示す。図13では、例えば、表示部DYPは600行×800列の表示画素PXを含み、150×200のセンサ回路12が配置されている表示装置においてセンサ回路12を駆動する場合を示している。
走査線駆動回路YDおよび信号線駆動回路XDは、1水平(1H)期間において、1行分の映像信号を画素電極PEに書き込み、1垂直期間(1V)において、表示部DYPに表示される1画面分の映像信号を画素電極PEに書き込むように制御される。1垂直期間は例えば16.7msecであって、600水平期間と垂直ブランク期間(Vブランク)とを含む。
本実施形態では、4水平期間(4H)において、まず4行分の映像信号を対応する画素電極PEに書き込み、続いてセンサ回路12を駆動する。走査線駆動回路YDと信号線駆動回路XDとは、4水平期間単位でこの動作を繰り返す。
センサ回路12は、4行4列の表示画素ユニットPXUに1つ配置されているため、4行の表示画素PXを駆動する期間に1行のセンサ回路12を駆動すると、1垂直期間において表示部DYPに配置された全部のセンサ回路12を駆動することができる。
図14に、センサ回路12の駆動タイミングの他の例を説明するための図を示す。図14に示す場合では、走査線駆動回路YDと信号線駆動回路XDとは、1垂直期間において、まず全部の画素電極PEに順次映像信号を書き込み、続いて全てのセンサ回路12を順次駆動する。
なお、センサ回路12の駆動は、全ての垂直期間において行なわれてもよく、数垂直期間毎に行なってもよい。例えば、タッチパネル機能を停止するモードでは、センサ回路12を駆動しないようにし、タッチパネル機能のスタンバイモードでは、数垂直期間毎にセンサ回路12を駆動するように、走査線駆動回路YDと信号線駆動回路XDとを制御してもよい。
また、図13では4水平期間で1度、1行分のセンサ回路12を駆動し、図14では1垂直期間で1度1行分のセンサ回路12を駆動しているが、センサ回路12を駆動するタイミングはこれらのタイミングに限られない。例えば、1垂直期間を2つの期間に分割し、1/2垂直期間のそれぞれにおいて映像信号の書き込みが終了した後にセンサ回路12を駆動するようにしてもよい。この場合、偶数行目のセンサ回路12と奇数行目のセンサ回路12とを1/2垂直期間毎に交互に駆動する(インタレース駆動を行なう)ように走査線駆動回路YDと信号線駆動回路XDとが構成されてもよい。
図15に、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGの配置位置の例を概略的に示す。センサ回路12は、表示画素ユニットPXUが配列する4行4列のブロックBK毎に1つ配置されている。センサ回路12は、4行4列に配置された表示画素ユニットPXUの3行目と4行目との間の領域に、走査線GLが延びる方向と略平行な方向に並んで配置されている。
プリチャージゲート線PGは、第1行のブロックBKにおいて並んで配置されたセンサ回路12に沿って延びた第1枝配線PG1と、第1行の隣の第2行のブロックBKにおいて並んで配置されたセンサ回路12に沿って延びた第2枝配線PG2と、を備えている。
読み出しゲート線RGは、第1行のブロックBKにおいて並んで配置されたセンサ回路12に沿って延びた第1枝配線RG1と、第1行の隣の第2行のブロックBKにおいて並んで配置されたセンサ回路12に沿って延びた第2枝配線RG2と、を備えている。
このようにプリチャージゲート線PGと読み出しゲート線RGとを構成すると、走査線駆動回路YDは、2行単位でセンサ回路12を駆動することが可能となる。2行単位でセンサ回路12を駆動すると、増幅能力が略2倍となりセンサ回路12のS/N差を大きくすることができる。
図16に、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGの配置位置の他の例を概略的に示す。図16に示す場合では、センサ回路12の配置位置は図15に示す場合と同じであり、プリチャージゲート線PGと読み出しゲート線RGとの配置が異なっている。
プリチャージゲート線PGは、ブロックBKの各行において、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域と、3行目と4行目の表示画素ユニットPXUの間の領域とにおいて、走査線GLと略平行な方向に延びた配線と、これらの配線の端部を接続する配線とによりループ状に構成されている。
同様に、読み出しゲート線RGは、ブロックBKの各行において、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域と、3行目と4行目の表示画素ユニットPXUの間の領域とにおいて、走査線GLと略平行な方向に延びた配線と、これらの配線の端部を接続する配線とによりループ状に構成されている。
このように、プリチャージゲート線PGと読み出しゲート線RGとを構成すると、配線左右端において信号の差が小さくなり、S/Nを向上させることができる。
図17に、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGの配置位置の他の例を概略的に示す。図17に示す場合では、センサ回路12の配置位置は図15に示す場合と同じであり、プリチャージゲート線PGと読み出しゲート線RGとの配置が異なっている。
プリチャージゲート線PGおよび読み出しゲート線RGは、奇数行目のブロックBKに配置されたセンサ回路12と、偶数行目のブロックBKに配置されたセンサ回路12とで信号を供給する方向が異なっている。
プリチャージゲート線PGおよび読み出しゲート線RGは、奇数行目のブロックBKでは、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域においてセンサ回路12に沿って延びて配置されている。
偶数行目のブロックBKでは、プリチャージゲート線PGおよび読み出しゲート線RGは、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域を経由して、列方向における反対側から3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域においてセンサ回路12に沿って延びて配置されている。
このように、プリチャージゲート線PGと読み出しゲート線RGとを構成すると、列方向における表示部DYPの両端において信号の差が小さくなり、S/Nを向上させることができる。
図18に、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGの配置位置の他の例を概略的に示す。センサ回路12は、表示画素ユニットPXUが配列する4行4列のブロックBK毎に1つ配置されている。センサ回路12は、4行4列に配置された表示画素ユニットPXUの1行目と2行目との間の領域、あるいは、3行目と4行目との間の領域に配置されている。
第1ブロックBK1において、センサ回路12が1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域に配置されている。第2ブロックBK2では、センサ回路12は3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域に配置される。第1ブロックBK1と第2ブロックBK2とは、信号線SLが延びる方向(行方向)および走査線GLが延びる方向(列方向)において交互に並んで配置されている。
プリチャージゲート線PGは、ブロックBKの各行において、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びて、さらに、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びる、略J字状に配置されている。
同様に、読み出しゲート線RGは、ブロックBKの各行において、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びて、さらに、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向の延びる、略J字状に配置されている。
このように、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGを配置すると、表示部DYPの左右端において信号の差が小さくなり、S/Nを向上させることができる。
図19に、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGの配置位置の他の例を概略的に示す。センサ回路12は、表示画素ユニットPXUが配列する4行4列のブロックBK毎に1つ配置されている。センサ回路12は、4行4列に配置された表示画素ユニットPXUの1行目と2行目との間の領域、あるいは、3行目と4行目との間の領域に配置されている。
センサ回路12は、奇数列目のブロックBKにおいて、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域に配置されている。センサ回路12は、偶数列目のブロックBKにおいて、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域に配置されている。
プリチャージゲート線PGは、奇数行目のブロックBKにおいて、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びて、さらに、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向の延びる、略J字状に配置されている。偶数行目のブロックにおいて、プリチャージゲート線PGは、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びて、さらに、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向の延びる、略J字状に配置されている。
同様に、読み出しゲート線RGは、奇数行目のブロックBKにおいて、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びて、さらに、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向の延びる、略J字状に配置されている。偶数行目のブロックにおいて、読み出しゲート線RGは、1行目と2行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向に延びて、さらに、3行目と4行目との表示画素ユニットPXUの間の領域において走査線GLと略平行な方向の延びる、略J字状に配置されている。
このように、センサ回路12、プリチャージゲート線PG、および、読み出しゲート線RGを配置すると、表示部DYPの左右端において信号の差が小さくなり、S/Nを向上させることができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る表示装置および表示装置の駆動方法について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において上述の第1実施形態に係る表示装置および表示装置の駆動方法と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係る表示装置では、指やペンの先端が接触しているか否かを、読み出し線ROLの電位が基準電圧に達するまでの時間により検出している。回路基板60は、読み出し線ROLの電位が基準電圧に達するまでの時間を比較する比較器(図示せず)をさらに備えている。この点以外は上述の第1実施形態に係る表示装置と同様である。
図20に、本実施形態に係る表示装置において、読み出しゲート線RGの駆動波形と、読み出し線ROLの出力電圧波形と、の一例を示す。読み出しゲート線RGの駆動波形、および、読み出し線ROLの出力電圧波形は、図9で説明したものと同様である。
本実施形態では、基準電圧VAを設定し、読み出し線ROLの出力電圧波形の電圧値が基準電圧VAに到達するまでに要する出力時間Tout1と、出力時間Tout2との出力時間差Tdiffを検出している。
信号線駆動回路XDは、フレキシブル基板FC2を介して回路基板60へ読み出し線ROLの出力電圧を出力する。回路基板60は、出力電圧をA/D変換部ADCでデジタル信号に変換して外部信号源へ出力する。外部信号源が供給された出力電圧と基準電圧VAとを比較して、出力時間Tout1および出力時間Tout2を検出して、出力時間差Tdiffを算出する。
このような検出方法を用いることによってA/D変換部ADCに入力される電圧を低電圧化できるため、画像読み取り装置の低コスト化が可能となる。
図21に、横軸にプリチャージ電圧Vprc、縦軸に出力時間差Tdiffをとって、出力時間差−プリチャージ電圧特性曲線の一例を示している。図21に示すように、出力時間差−プリチャージ電圧特性曲線は下に凸の曲線であり、プリチャージ電圧Vprcが大きくなる程出力時間差Tdiffが大きくなる。
しかし、プリチャージ電圧Vprcが所定値以上となると、読み出し線ROLの電圧値が出力期間Tread以内に基準電圧VAに到達しないために、出力時間差Tdiffが検出不可能となる。出力時間差Tdiffを検出する限界が最大プリチャージ電圧であり、その時の出力時間差Tdiffが、最大出力時間差である。
すなわち、出力時間差Tdiffが最大となる点がもっとも検出感度が高くなるため、プリチャージ電圧Vprcは、出力時間差−プリチャージ電圧特性曲線の最適制御ポイントPに対応する値となるように制御することが望ましい。
この具体的な制御方法としては、最初にプリチャージ電圧Vprcをプリチャージ電圧初期値に設定し、そこから徐々にプリチャージ電圧Vprcを増加させ、最終的に最大プリチャージ電圧に設定する方法が考えられる。
このようにプリチャージ電圧Vprcの大きさを設定することによって、センサ回路12の検出感度を最大限に高くすることが可能となる。
図22は、プリチャージ電圧Vprcを短時間で最適な値に設定するための手順の一例を説明するためのフローチャートである。まず、プリチャージ電圧初期値Vprc(1)をプリチャージ線PRLに印加し(ステップST1)、続いて次のプリチャージ電圧Vprc(2)(=Vprc(1)+ΔVprc(1))を演算して値を設定する(ステップST2)。
次に、プリチャージ電圧Vprc(2)を、プリチャージ線PRLに印加し、(ステップST3)、プリチャージ電圧Vprc(2)に対する出力時間(指あり)Tout1と出力時間(指なし)Tout2とを計算し、これらと読み出し線出力期間Treadと比較して(ステップST4)、読み出し線出力期間Treadよりも大きければ出力時間差Tdiffを検出できないので、プリチャージ電圧増加分ΔVprc(1)を小さく設定し直して(ステップST5)、再度プリチャージ電圧Vprc(2)を計算し直す(ステップST2)。
一方、ステップST4において、出力時間(指あり)Tout1と出力時間(指なし)Tout2とが共に読み出し線出力期間Treadよりも小さければ、出力時間差Tdiffを検出できるので、出力時間差Tdiffのプリチャージ電圧Vprc(2)に対する変化の割合を計算する(ステップST6)。
ここで最適制御ポイントPでの出力時間差変化率Targetを予め見積もっておき、ステップST6で計算した値ΔTdiff/ΔVprcとこの見積もり値Targetとを比較し(ステップST7)、両者の差が所定値(第1値)より小さい場合は(ステップST8)プリチャージ電圧増加分ΔVprcを小さく設定し直し(ステップST9)、両者の差が所定値(第2値)以上の場合は(ステップST8)プリチャージ電圧増加分ΔVprcを大きく設定し直し(ステップST10)、その後プリチャージ電圧Vprcを計算し直す(ステップST11)。
ここで再度、ステップST6において出力時間差変化率を計算し直し、出力時間差変化率比較(ステップST7)から出力時間差変化率2次計算(ステップST6)までの一連の手順を何回か繰り返し、出力時間差変化率の計算値ΔTdiff/ΔVprcと最適制御ポイントPでの出力時間差変化率の見積もり値Targetとの差がある所定の範囲(第1値以上第2値以下)となった場合、最大プリチャージ電圧に近づいた最終的なプリチャージ電圧Vprcを印加して設定を完了する。
なお、出力時間差変化率2次計算(ステップST6)の最初の数回については、出力時間差変化率比較(ステップST7)にいきなり進まず、出力時間比較(ステップST4)まで戻るように構成してもよい。
これは、プリチャージ電圧再設定の結果、出力時間(指あり)Tout1、或いは出力時間(指なし)Tout2が読み出し線出力期間Treadよりも大きくなってしまった場合、出力時間差変化率比較(ステップST7)において出力時間差変化率を計算できず、先の手順に進むことができなくなるためである。
しかしながら、このル−プを毎回繰り返すと出力時間(指あり)Tout1、或いは出力時間(指なし)Tout2が読み出し線出力期間Treadよりも大きくなった場合にプリチャージ電圧初期設定(ステップST2)から出力時間比較(ステップST4)までのル−プを繰り返すことになり、設定に時間がかかってしまう。
出力時間差変化率比較(ステップST7)から出力時間差変化率2次計算(ステップST6)までのル−プは、プリチャージ電圧初期設定(ステップST2)から出力時間比較(ステップST4)までのル−プを繰り返すことによる設定時間の無駄をできる限り短縮し、かつ出力時間差変化率比較(ステップST7)から出力時間差変化率2次計算(ステップST6)までのル−プ自身の繰り返し回数もできる限り少なくするために設けられたル−プであり、出力時間(指あり)Tout1、或いは出力時間(指なし)Tout2が読み出し線出力期間Treadよりも大きくならない範囲内でプリチャージ電圧を最大プリチャージ電圧になるべく近づけるようにプリチャージ電圧増加分の設定を調節できる。
従って、本実施形態に係る表示装置によれば、プリチャージ電圧の制御方法を用いることにより、検出感度を短時間において最大限に高くすることが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係る表示装置について、他の構成例を説明する。
図23に表示装置の一構成例を示す。図23に示す場合では、アレイ基板10へ信号を供給する回路基板61が、回路基板60と対向する側の端部にフレキシブル基板を介して接続されている。回路基板61には、タイミングコントローラTCONが搭載されている。センサ回路12の出力信号は、マルチプレクサMUXを通してA/D変換部ADCに送信されてデジタル化された後、外部信号源へ出力される。外部信号源は、受信したデジタル信号から座標計算等を行なう。
図24に表示装置の他の構成例を示す。図24に示す場合では、マルチプレクサMUX、D/A変換部DAC、比較器COMP、メモリ、および、マイコンが1つのチップに搭載されて回路基板60に配置されている。このように、センサ回路12の出力処理に関する回路をワンチップにまとめてもよい。この場合、マイコンにて座標計算などをおこなって、外部信号源へ出力するように構成してもよい。
図25に表示装置の他の構成例を示す。図25に示す場合では、回路基板60にはマイコン、メモリ、および、タイミングコントローラTCONが搭載され、センサ回路12の出力信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路(図示せず)および比較器がフレキシブル基板上のチップ(COF:Chip On Film)に搭載されている。センサ回路12の出力信号は、フレキシブル基板上の比較器(コンパレータ)で基準電圧VAと比較され、A/D変換回路でデジタル信号に変換されて、マイコンへ送信される。マイコンは、受信したデジタル信号から座標計算を行い、検出された座標を外部信号源へ出力する。
図26に表示装置の他の構成例を示す。図26に示す場合では、駆動回路と、センサ回路12の出力信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路および比較器と、が液晶表示パネルPNLの透明絶縁性基板上に一体に形成されている(COG:Chip On Glass)。この場合、回路基板60と外部信号源とはシリアルインタフェースにより接続され、センサ回路12の出力信号のデジタル信号と映像信号とが通信される。
なお、上記第1および第2実施形態に係る表示装置は、液晶表示装置であったが、本発明の表示装置は液晶表示装置に限定されない。例えば、本発明の表示装置は有機EL(Electroluminescence)表示装置であってもよい。
また、上記第1および第2実施形態に係る表示装置は、FFSモードの液晶表示装置であったが、TN(Twisted Nematic)モード、VMW(Versatile Mobile Window)モード、ISPモード、OCB(Optically Compensated Bend)モード等のその他の表示モードを採用する液晶表示装置であってもよい。
また、上記第1および第2実施形態に係る表示装置では、カラー表示タイプの表示装置について説明したが、本発明は、白黒表示タイプの表示装置にも適用可能である。その場合には、着色層が省略され、センサ回路12は例えば4行12列の表示画素PX毎に1つ配置されることとなる。
なお、センサ回路12は、読み出し用スイッチSWCおよび読み出しゲート線RGを省略してもよい。その場合には、増幅用スイッチSWBのドレイン電極と読み出し線ROLとが電気的に接続される。
読み出しスイッチSWCが省略されることにより、そのゲート電極に印加される電圧を制御する読み出しゲート線RGが不要となる。しかしながら、これでは、共通の読み出し線ROLから出力信号が取り出されるセンサ回路12からの信号が同時に出力されてしまうことがある。
そこで、読み出しスイッチSWCを省略する場合には、信号線駆動回路XDは、プリチャージ線PRLに供給される電圧と、カップリングパルスとを同位相で振動させるように構成される。すなわち、信号線駆動回路XDは、検知電極12Eからの出力信号を読み出すタイミング以外は、指などが接触し容量結合の強弱が変化し検知電極12Eの電位が変化しても、検知電極12Eに接続された読み出しスイッチSWCがオフ状態のままであるようなゲート電極電位になるようにカップリング容量C1に供給されるパルス電圧を制御する。
その結果、読み出しスイッチSWCおよび読み出しゲート線RGを省略した場合でも、センサ回路12からの出力信号をその位置と関連付けた処理を行うことが可能となり、開口率の高い表示装置を提供することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
カップリングパルスは信号線SLから供給しなくてもよく、例えばゲート線GLと並行した配線を追加してカップリングパルス線としてもよい。
センサ回路12の検知電極12Eはすべて同一でなくてもよい。例えば2つのセンサ回路12にひとつの割合で検知電極12Eのないセンサ(基準センサ)を設けてもよい。検知電極12Eを備えたセンサと基準センサとのそれぞれの出力の差電圧を外部で演算し、所定の閾値を超えたか否かによりタッチ(接触)の有無を判別することができる。
DYP…表示部、PNL…液晶表示パネル、LQ…液晶層、YD…走査線駆動回路、XD…信号線駆動回路、10…アレイ基板、10A…偏光板、12…センサ回路、12E…検知電極、20…対向基板、20A…偏光板、PX…表示画素、PXU…表示画素ユニット、PE…画素電極、SWP…画素スイッチ、CE…共通電極、GL…走査線、SL…信号線、PG…プリチャージゲート線、RG…読み出しゲート線、CPL…カップリングパルス線、PCL…プリチャージ線、ROL…読み出し線、PRL…プリチャージ線、PG…プリチャージゲート線、SWA…プリチャージスイッチ、C1…カップリング容量、SWB…増幅用スイッチ、SWC…読み出し用スイッチ、SWD…プリチャージスイッチ、RPR…読み出しプリチャージ線、PRG…読み出し線プリチャージゲート線、PRL…プリチャージ線、CL…枝配線、FC1、FC2…フレキシブル基板、TCON…タイミングコントローラ、MUX…マルチプレクサ、DAC…D/A変換部、ADC…A/D変換部、I/F…インタフェース部、COMP…比較器(コンパレータ)、Tread…出力期間、Vpre…プリチャージ電圧、V1…規程電圧、Tout1、Tout2…出力時間、Tdiff…出力時間差、P…最適制御ポイント、Target…出力時間差変化率、D1…行方向(第1方向)、D2…列方向(第2方向)。

Claims (13)

  1. 絶縁性基板上にマトリクス状に配置された画素回路と、
    カップリング電極と、前記カップリング電極との間にカップリング容量を形成する検知電極と、前記検知電極の電位を読み出す手段と、を含むとともに、前記複数の画素回路の間の領域に配置されたセンサ回路と、
    前記複数の画素回路が配列した行方向に沿って延びて配置された複数の走査線と、
    前記複数の画素回路が配列した列方向に沿って延びて配置された複数の信号線と、
    前記画素回路を駆動する期間において、前記走査線を駆動して前記信号線を介して対応する前記画素回路に対応する映像信号を書き込み、前記センサ回路を駆動する期間において、複数の前記信号線を、前記検知電極へプリチャージ電圧を給電するためのプリチャージ配線、および、前記検知電極の電位を読み出すための読み出し配線、として駆動するとともに、前記カップリング電極の電位を変化させるためのカップリングパルス配線を駆動するように構成された駆動回路と、を備えた表示装置。
  2. 前記センサ回路は、前記検知電極の電位を読み出す手段としてのアンプ回路を備える請求項1記載の表示装置。
  3. 前記センサ回路は、前記検知電極の電位を読み出す手段としての読み出しスイッチをさらに備える請求項2記載の表示装置。
  4. 前記駆動回路は、前記読み出し配線にプリチャージ電圧を供給する手段をさらに備える請求項1記載の表示装置。
  5. 前記センサ回路は、複数行および複数列に複数の画素回路が並んで配置された単位領域に少なくとも1つ配置されている請求項1記載の表示装置。
  6. 前記センサ回路を駆動する期間は、水平ブランキング期間に含まれている請求項1記載の表示装置。
  7. 前記センサ回路を駆動する期間は、垂直ブランキング期間に含まれている請求項1記載の表示装置。
  8. 前記駆動回路は、1/2垂直期間のそれぞれにおいて映像信号の書き込みが終了した後にセンサ回路を駆動し、偶数行目の前記センサ回路と奇数行目の前記センサ回路とが1/2垂直期間毎に交互に駆動される請求項1記載の表示装置。
  9. 前記絶縁性基板と対向するように配置された対向基板をさらに備え、
    前記対向基板は、前記画素回路が配置された領域と対向するように設けられ、設置された導電層を備えている請求項1記載の表示装置。
  10. 前記導電層の抵抗の値は、1.0×10Ω以上である請求項9記載の表示装置。
  11. 前記センサ回路の出力信号が、基準電圧に到達する時間を検出する時間検出手段をさらに備えた請求項2記載の表示装置。
  12. 前記プリチャージ電圧を制御して、前記センサ回路の出力信号が前記基準電圧に到達する時間を調整する調整手段をさらに備える請求項11記載の表示装置。
  13. 前記調整手段は、前記プリチャージ電圧を、前記アンプ回路の駆動能力が前記センサ回路の出力期間内に前記基準電圧に到達し得る範囲内で最小となるように設定するように構成された請求項12記載の表示装置。
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