JP2012042572A - 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 - Google Patents
制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012042572A JP2012042572A JP2010181885A JP2010181885A JP2012042572A JP 2012042572 A JP2012042572 A JP 2012042572A JP 2010181885 A JP2010181885 A JP 2010181885A JP 2010181885 A JP2010181885 A JP 2010181885A JP 2012042572 A JP2012042572 A JP 2012042572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- electrode
- voltage
- display state
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
【課題】表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにする。
【解決手段】電気泳動方式の表示装置は、画素の階調を変更する際には複数回に渡って画素電極13aに電圧を印加する。表示装置100は、階調を変更中の画素に隣り合う画素について階調を新たに変更する際、階調を変更中の画素に掛かる電界の向きと、新たに階調を変更しようとする画素に掛かる電界の向きとが逆になる場合には、階調を変更中の画素について階調を変更する処理が終わってから、新たに階調を変更しようとする画素について階調を変更する処理を開始する。
【選択図】図4
【解決手段】電気泳動方式の表示装置は、画素の階調を変更する際には複数回に渡って画素電極13aに電圧を印加する。表示装置100は、階調を変更中の画素に隣り合う画素について階調を新たに変更する際、階調を変更中の画素に掛かる電界の向きと、新たに階調を変更しようとする画素に掛かる電界の向きとが逆になる場合には、階調を変更中の画素について階調を変更する処理が終わってから、新たに階調を変更しようとする画素について階調を変更する処理を開始する。
【選択図】図4
Description
本発明は、制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法に関する。
特許文献1には、マイクロカプセルを用いた電気泳動方式の表示装置が開示されている。この表示装置は、アクティブマトリクス方式であり、行方向へ伸びた複数の行電極と、列方向に伸びた複数の列電極との交点の各々にマイクロカプセルを駆動する駆動回路が設けられている。行電極と列電極に電圧を印加すると、駆動回路に設けられた電極と、この電極に対してマイクロカプセルを挟んで対向する電極との間に電位差が生じる。マイクロカプセルを挟んで対向する電極間に電位差が生じると、マイクロカプセル内においては、この電位差により生じた電界に応じて白粒子と黒粒子が移動する。各マイクロカプセル内の白粒子と黒粒子の分布が変わることにより光学的反射特性が変化し、画像が表示されることとなる。
ところで、特許文献1に開示されている表示装置において隣り合う駆動回路の一方でマイクロカプセルの表示を黒とし他方を白とする場合、一方のマイクロカプセルと他方のマイクロカプセルとでかかる電界の向きを逆にすることとなる。かかる電界の向きを逆にするということは、一方の駆動回路の電極と他方の駆動回路の電極との間で電位差が大きくなる。このように隣り合う駆動回路間で電位差が大きくなると、駆動回路が劣化する虞があり、また、マイクロカプセルにおいても、マイクロカプセル内の材料の劣化が進む虞がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の1つは、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにする技術を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置の制御装置は、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御装置であって、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部とを有する。
この制御装置によれば、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
なお、前記判断部は、前記第1画素の上下左右の画素について、前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる画素があるか否か判断する構成にしてもよい。この構成によれば、駆動回路を劣化させる虞のある上下左右の画素について、隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、前記判断部は、前記第1画素の上下左右の画素に加え、右上、左上、右下及び左下の画素についても前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる画素があるか否か判断する構成にしてもよい。この構成によれば、駆動回路を劣化させる虞のある上下左右、右上、左上、右下及び左下の画素について、隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この制御装置によれば、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
なお、前記判断部は、前記第1画素の上下左右の画素について、前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる画素があるか否か判断する構成にしてもよい。この構成によれば、駆動回路を劣化させる虞のある上下左右の画素について、隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、前記判断部は、前記第1画素の上下左右の画素に加え、右上、左上、右下及び左下の画素についても前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる画素があるか否か判断する構成にしてもよい。この構成によれば、駆動回路を劣化させる虞のある上下左右、右上、左上、右下及び左下の画素について、隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置の制御装置にあっては、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御装置であって、前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1電極へ電圧を印加する制御部と、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記テーブルに従って前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部とを備える構成であってもよい。
この制御装置によれば、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この制御装置によれば、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置の制御装置にあっては、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御装置であって、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1画素の第1電極へ電圧を印加し、前記第1画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと前記第1画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を再開する更新部とを有する構成であってもよい。
この制御装置によれば、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この制御装置によれば、表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置は、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置であって、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部とを有する。
この表示装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この表示装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置にあっては、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置であって、前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1電極へ電圧を印加する制御部と、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記テーブルに従って前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部とを有する構成であってもよい。
この表示装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この表示装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置にあっては、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置であって、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1画素の第1電極へ電圧を印加し、前記第1画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと前記第1画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を再開する更新部とを有する構成としてもよい。
この表示装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この表示装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置の制御方法は、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御方法であって、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み工程と、前記データ読み込み工程で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み工程で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定工程と、前記特定工程で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断工程と、前記判断工程において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断工程において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新工程とを有する。
この制御方法によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この制御方法によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置の制御方法にあっては、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御方法であって、前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1電極へ電圧を印加する制御工程と、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み工程と、前記データ読み込み工程で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み工程で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定工程と、前記特定工程で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記テーブルに従って前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断工程と、前記判断工程において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断工程において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新工程とを有する構成であってもよい。
この制御方法によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
この制御方法によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
また、本発明に係る表示装置の制御方法にあっては、複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御方法であって、前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み工程と、前記データ読み込み工程で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み工程で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定工程と、前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1画素の第1電極へ電圧を印加し、前記第1画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと前記第1画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を再開する更新工程とを有する構成であってもよい。この制御装置によれば、画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにすることができる。
[第1実施形態]
(表示装置100の構成)
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置100のハードウェア構成を示したブロック図である。表示装置100は、電気泳動方式の表示装置であり、表示部1、コントローラー2、制御部3、VRAM(Video RAM)4及びRAM(Random Access Memory)5を備えている。表示装置100の各部は、バス9で接続されている。
(表示装置100の構成)
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置100のハードウェア構成を示したブロック図である。表示装置100は、電気泳動方式の表示装置であり、表示部1、コントローラー2、制御部3、VRAM(Video RAM)4及びRAM(Random Access Memory)5を備えている。表示装置100の各部は、バス9で接続されている。
表示部1は、メモリー性を有する表示素子を有しており、表示素子に電圧が印加されていなくても表示した画像が維持される表示デバイスである。本実施形態においては、表示部1は、電気泳動粒子を有する表示素子を有しており白黒の画像を表示する。コントローラー2は、表示部1を駆動するものであり、表示部1に画像を表示させるための各種信号を出力する。コントローラー2は、本発明に係る制御装置の一例に相当するものである。制御部3は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM等を備えたマイクロコンピュータであり、表示装置100の各部を制御する。また、制御部3は、VRAM4にアクセスし、各種データをVRAM4に書き込む。VRAM4は、表示部1に表示させる画像を示す画像データを記憶するメモリーである。RAM5は、表示部1に画像を表示させるために用いられるデータを記憶するメモリーであり、書込データ記憶領域6と予定画像データ記憶領域7が設けられている。
(表示部1の構成)
図2は、表示部1の断面を示した図である。また、図3は、表示部1の回路の構成を説明するための図であり、図4は、表示部1が備える画素駆動回路の構成を説明するための図である。表示部1は、図2に示したように大別して第1基板10、電気泳動層20、第2基板30によって構成されている。第1基板10は、絶縁性及び可撓性を有する基板11上に回路の層が形成された基板である。基板11は、本実施形態においてはポリカーボネートで形成されている。なお、基板11としては、ポリカーボネートに限定されることなく、軽量性、可撓性、弾性及び絶縁性を有する樹脂材料を用いることができる。また、基板11は、可撓性を持たないガラスで形成されていてもよい。基板11の表面には、接着層11aが設けられ、接着層11aの表面には回路層12が積層されている。
図2は、表示部1の断面を示した図である。また、図3は、表示部1の回路の構成を説明するための図であり、図4は、表示部1が備える画素駆動回路の構成を説明するための図である。表示部1は、図2に示したように大別して第1基板10、電気泳動層20、第2基板30によって構成されている。第1基板10は、絶縁性及び可撓性を有する基板11上に回路の層が形成された基板である。基板11は、本実施形態においてはポリカーボネートで形成されている。なお、基板11としては、ポリカーボネートに限定されることなく、軽量性、可撓性、弾性及び絶縁性を有する樹脂材料を用いることができる。また、基板11は、可撓性を持たないガラスで形成されていてもよい。基板11の表面には、接着層11aが設けられ、接着層11aの表面には回路層12が積層されている。
回路層12は、横方向に配列された複数の走査線64と、各走査線と電気的に絶縁を保つように設けられ縦方向に配列された複数のデータ線65を有している。また、回路層12は、走査線64とデータ線65との交差のそれぞれに対応して、画素電極13a(第1電極)と、TFT(Thin Film Transistor)で構成された画素駆動回路とを有している。
電気泳動層20は、バインダー22と、バインダー22によって固定された複数のマイクロカプセル21で構成されており、画素電極13a上に形成されている。なお、マイクロカプセル21と画素電極13aとの間には、接着剤により形成された接着層を設けてもよい。
バインダー22としては、マイクロカプセル21との親和性が良好で電極との密着性が優れ、且つ絶縁性を有するものであれば特に制限はない。マイクロカプセル21内には、分散媒と電気泳動粒子が格納されている。マイクロカプセル21を構成する材料としては、アラビアゴム・ゼラチン系の化合物やウレタン系の化合物等の柔軟性を有するものを用いるのが好ましい。
分散媒としては、水、アルコール系溶媒(メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど)、脂肪族炭化水素(ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど)、脂環式炭化水素(シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類(キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど))、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタンなど)、カルボン酸塩などのいずれかを用いることができ、また、分散媒は、その他の油類であってもよい。また、これらの物質は単独又は混合して分散媒に用いることができ、さらに界面活性剤などを配合して分散媒としてもよい。
電気泳動粒子は、分散媒中で電界によって移動する性質を有する粒子(高分子あるいはコロイド)である。本実施形態においては白の電気泳動粒子と黒の電気泳動粒子がマイクロカプセル21内に格納されている。黒の電気泳動粒子は、例えば、アニリンブラックやカーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子であり、本実施形態では正に帯電されている。白の電気泳動粒子は、例えば、二酸化チタンや酸化アルミニウム等の白色顔料からなる粒子であり、本実施形態では負に帯電されている。
第2基板30は、フィルム31と、フィルム31の下面に形成された透明電極層32(第2電極)で構成されている。フィルム31は、電気泳動層20の封止及び保護の役割を担うものであり、例えばポリエチレンテレフタレートのフィルムである。フィルム31は、透明で絶縁性を有している。透明電極層32は、例えば、酸化インジウム膜(ITO膜)などの透明な導電膜で構成されている。
次に、表示部1が備える回路について説明する。コントローラー2は、表示領域55に画像を表示させるための信号や、表示部1を駆動するための各種信号を出力するものである。図3に示した表示領域55には、縦方向に沿って平行に配列された複数のデータ線65と、横方向に沿って平行に配列された複数の走査線64が設けられている。また、表示領域55には、データ線65と走査線64との交差に対応して画素駆動回路が設けられている。
図4は、画素駆動回路の構成を説明するための図である。なお、本実施形態では、各走査線64を区別するために、図3に示した走査線を上から順に1、2、3、・・・、(m−1)、m行目という呼び方をする場合がある。また同様に、各データ線65を区別するために、図3に示したデータ線を左から順に1、2、3、・・・、(n−1)、n列目という呼び方をする場合がある。
図4においては、1行目の走査線64と1列目のデータ線65との交差に対応した画素駆動回路を示している。他のデータ線65と走査線64との交差についても同じ画素駆動回路が設けられているが、各画素駆動回路の構成は同じであるため、ここでは、代表して1行目のデータ線と1列目の走査線との交差に対応した画素駆動回路について説明し、他の画素駆動回路については説明を省略する。
画素駆動回路では、トランジスタ61のゲートが走査線64に接続され、トランジスタ61のソースがデータ線に接続されている。また、トランジスタ61のドレインが画素電極13aに接続されている。画素電極13aは、透明電極層32と対向し、画素電極13aと透明電極層32との間には電気泳動層20が挟まれている。この一の画素電極13aと透明電極層32との間にあるマイクロカプセル21が表示部1において一の画素となる。なお、画素駆動回路においては、電気泳動層20と並列に保持容量63が接続されている。
画素駆動回路では、トランジスタ61のゲートが走査線64に接続され、トランジスタ61のソースがデータ線に接続されている。また、トランジスタ61のドレインが画素電極13aに接続されている。画素電極13aは、透明電極層32と対向し、画素電極13aと透明電極層32との間には電気泳動層20が挟まれている。この一の画素電極13aと透明電極層32との間にあるマイクロカプセル21が表示部1において一の画素となる。なお、画素駆動回路においては、電気泳動層20と並列に保持容量63が接続されている。
走査線駆動回路53は、表示領域55の各走査線64と接続されており、1、2、・・・、m行目の走査線64に走査信号Y1、Y2、・・・、Ymを供給する。具体的には、走査線駆動回路53は、走査線64を1、2、・・・、m行目という順番で選択し、選択した走査線64の走査信号の電圧を選択電圧VH(Hレベル)とし、選択されていない走査線の走査信号の電圧を非選択電圧VL(Lレベル)とする。
データ線駆動回路54は、表示領域の各データ線と接続されており、1、2、・・・、n列目のデータ線65にデータ信号X1、X2、・・・、Xnを供給する。電位が選択電圧VHとなっている走査線64に接続されている画素駆動回路に対しては、データ線65からデータ信号が供給される。具体的には、走査線64がHレベルとなると、当該走査線64にゲートが接続されたトランジスタ61がオン状態になり、画素電極13aがデータ線65に接続される。このため、走査線64がHレベルであるときに、データ線65にデータ信号を供給すると、当該データ信号は、オン状態になったトランジスタ61を介して画素電極13aに印加される。走査線64がLレベルになると、トランジスタ61はオフ状態になるが、データ信号によって画素電極13aに印加された電圧は、保持容量63に蓄積され、画素電極13aの電位及び透明電極層32の電位との電位差(電圧)に応じて電気泳動粒子が移動する。
例えば、透明電極層32の電位に対して画素電極13aの電位が+15Vである場合、負に帯電している白の電気泳動粒子が画素電極13a側に移動し、正に帯電している黒の電気泳動粒子が透明電極層32側に移動して画素が黒の表示となる。また、透明電極層32の電位に対して画素電極13aの電位が−15Vである場合、正に帯電している黒の電気泳動粒子が画素電極13a側に移動し、負に帯電している白の電気泳動粒子が透明電極層32側に移動して画素が白の表示となる。
例えば、透明電極層32の電位に対して画素電極13aの電位が+15Vである場合、負に帯電している白の電気泳動粒子が画素電極13a側に移動し、正に帯電している黒の電気泳動粒子が透明電極層32側に移動して画素が黒の表示となる。また、透明電極層32の電位に対して画素電極13aの電位が−15Vである場合、正に帯電している黒の電気泳動粒子が画素電極13a側に移動し、負に帯電している白の電気泳動粒子が透明電極層32側に移動して画素が白の表示となる。
なお、以下の説明においては、走査線駆動回路53が1行目の走査線を選択してからY行目の走査線の選択が終了するまでの期間を「フレーム期間」又は単に「フレーム」と称する。各走査線64は、1フレームに一回づつ選択され、各画素駆動回路には1フレームに一回づつデータ信号が供給される。
また、本実施形態においては、各画素の表示状態を白から黒又は黒から白へ変化させる際には、1フレームだけで画素駆動回路を駆動して表示状態を変化させるのではなく、複数フレームに渡って画素駆動回路を駆動して表示状態を変化させる。これは、表示状態を白から黒へ変化させるに際し、1フレームだけ電気泳動粒子に電位差を与えても黒の電気泳動粒子が完全には表示側に移動しきらず、表示状態が完全な黒とはならないためである。このことは、表示状態を黒から白へ変化させる場合の白の電気泳動粒子についても同様である。よって、例えば、画素の表示状態を白から黒へ変化させる場合、画素に黒を表示させるためのデータ信号が複数フレームに渡って画素駆動回路へ供給され、画素の表示状態を黒から白へ変化させる場合には、画素に白を表示させるためのデータ信号が複数フレームに渡って供給される。
また、本実施形態においては、各画素の表示状態を白から黒又は黒から白へ変化させる際には、1フレームだけで画素駆動回路を駆動して表示状態を変化させるのではなく、複数フレームに渡って画素駆動回路を駆動して表示状態を変化させる。これは、表示状態を白から黒へ変化させるに際し、1フレームだけ電気泳動粒子に電位差を与えても黒の電気泳動粒子が完全には表示側に移動しきらず、表示状態が完全な黒とはならないためである。このことは、表示状態を黒から白へ変化させる場合の白の電気泳動粒子についても同様である。よって、例えば、画素の表示状態を白から黒へ変化させる場合、画素に黒を表示させるためのデータ信号が複数フレームに渡って画素駆動回路へ供給され、画素の表示状態を黒から白へ変化させる場合には、画素に白を表示させるためのデータ信号が複数フレームに渡って供給される。
(コントローラー2の構成)
次に、コントローラー2の構成について説明する。図5は、コントローラー2において実現する機能を示したブロック図である。コントローラー2においては、書き換え判断部201、書込状態判断部202、書込制御部203、データ更新部204、及び予定画像更新部205が実現する。なお、これらの各ブロックは、ハードウェアにより実現されてもよく、コントローラー2にCPUを設け、このCPUでプログラムを実行することにより各ブロックが実現されるようにしてもよい。
次に、コントローラー2の構成について説明する。図5は、コントローラー2において実現する機能を示したブロック図である。コントローラー2においては、書き換え判断部201、書込状態判断部202、書込制御部203、データ更新部204、及び予定画像更新部205が実現する。なお、これらの各ブロックは、ハードウェアにより実現されてもよく、コントローラー2にCPUを設け、このCPUでプログラムを実行することにより各ブロックが実現されるようにしてもよい。
書き換え判断部201は、VRAM4に記憶されている画像データと、予定画像データ記憶領域7に記憶されている画像データとを比較し、両者が異なるか否か判断するブロックである。
書込状態判断部202は、書込データ記憶領域6に記憶されているデータを参照し、画素を黒から白または白から黒へ変化させるための書き換え動作が進行中か否か判断するブロックである。なお、書込データ記憶領域6には、各画素について黒から白へ表示状態を変更する動作が進行中であるか否かを示すデータ(第1書込データ)を記憶する白書込データ記憶領域6Aと、各画素について白から黒へ表示状態を変更する動作が進行中であるか否かを示すデータ(第2書込データ)を記憶する黒書込データ記憶領域6Bとが設けられている。
書込状態判断部202は、書込データ記憶領域6に記憶されているデータを参照し、画素を黒から白または白から黒へ変化させるための書き換え動作が進行中か否か判断するブロックである。なお、書込データ記憶領域6には、各画素について黒から白へ表示状態を変更する動作が進行中であるか否かを示すデータ(第1書込データ)を記憶する白書込データ記憶領域6Aと、各画素について白から黒へ表示状態を変更する動作が進行中であるか否かを示すデータ(第2書込データ)を記憶する黒書込データ記憶領域6Bとが設けられている。
書込制御部203は、画素電極13aに対してデータ信号が供給されるように走査線駆動回路53とデータ線駆動回路54を制御するブロックである。
データ更新部204は、白書込データ記憶領域6Aと黒書込データ記憶領域6Bにデータを書き込むブロックである。
予定画像更新部205は、予定画像データ記憶領域7に記憶されている画像データをVRAM4に記憶されている画像データで上書きするブロックである。
データ更新部204は、白書込データ記憶領域6Aと黒書込データ記憶領域6Bにデータを書き込むブロックである。
予定画像更新部205は、予定画像データ記憶領域7に記憶されている画像データをVRAM4に記憶されている画像データで上書きするブロックである。
(実施形態の動作)
次に、表示装置100の動作について図6〜図22を用いて説明する。なお、図7〜図22においては、画像Aは、表示部1において表示されている画像を示している。また、画素Pijは、一つの画素を表している。ここで、添字のiは、行列に配置された画素の行番号を表し、jは、列番号を表しており、以下、画素を特定して説明する場合、例えば1行1列目の画素は画素P11と称する。なお、画像Aにおいては、各画素について階調を容易に理解できるように黒から白までの8段階の階調を0から7までの数字で示しているが実際にはこの数字は表示されない。また、表示部1においては、画素はm本の走査線64とn本のデータ線65の交差毎に存在するが、図面が繁雑になるのを防ぐために、図7〜図22においては、表示部1の一部の領域にある4行4列の画素P11〜P44について図示している。
また、図7〜図22においては、VRAM4において画素P11〜P44に対応する記憶領域Aijの内容、予定画像データ記憶領域7において画素P11〜P44に対応する記憶領域Bijの内容、白書込データ記憶領域6Aにおいて画素P11〜P44に対応する記憶領域Cijの内容、及び黒書込データ記憶領域6Bにおいて画素P11〜P44に対応する記憶領域Dijの内容を図示している。なお、各記憶領域の添字のi及びjは、行列に配置された記憶領域の行番号を表し、jは、列番号を表している。以下、記憶領域を特定して説明する場合、例えば1行1列目の記憶領域Aijは記憶領域A11と称する。
次に、表示装置100の動作について図6〜図22を用いて説明する。なお、図7〜図22においては、画像Aは、表示部1において表示されている画像を示している。また、画素Pijは、一つの画素を表している。ここで、添字のiは、行列に配置された画素の行番号を表し、jは、列番号を表しており、以下、画素を特定して説明する場合、例えば1行1列目の画素は画素P11と称する。なお、画像Aにおいては、各画素について階調を容易に理解できるように黒から白までの8段階の階調を0から7までの数字で示しているが実際にはこの数字は表示されない。また、表示部1においては、画素はm本の走査線64とn本のデータ線65の交差毎に存在するが、図面が繁雑になるのを防ぐために、図7〜図22においては、表示部1の一部の領域にある4行4列の画素P11〜P44について図示している。
また、図7〜図22においては、VRAM4において画素P11〜P44に対応する記憶領域Aijの内容、予定画像データ記憶領域7において画素P11〜P44に対応する記憶領域Bijの内容、白書込データ記憶領域6Aにおいて画素P11〜P44に対応する記憶領域Cijの内容、及び黒書込データ記憶領域6Bにおいて画素P11〜P44に対応する記憶領域Dijの内容を図示している。なお、各記憶領域の添字のi及びjは、行列に配置された記憶領域の行番号を表し、jは、列番号を表している。以下、記憶領域を特定して説明する場合、例えば1行1列目の記憶領域Aijは記憶領域A11と称する。
VRAM4の記憶領域A11〜A44には、表示部1に表示する画像の各画素の階調が記憶され、予定画像データ記憶領域7の記憶領域B11〜B44には、表示部1に表示させる予定の画像について各画素の階調が記憶される。白書込データ記憶領域6Aの記憶領域C11〜C44には、画素P11〜P44を白にするまでに必要な電圧の印加回数(0〜7)が第1書込データとして記憶され、黒書込データ記憶領域6Bの記憶領域D11〜D44には、画素P11〜P44を黒にするまでに必要な電圧の印加回数(0〜7)が第2書込データとして記憶される。なお、第1書込データ及び第2書込データは、0でなければ画素に対する書き換え動作が進行中であることを表し、0であれば画素に対する書き換え動作が終了していることを表す。
コントローラー2は、画素の駆動を行う際に図6に示した処理を行う。まず、書込状態判断部202は、変数i,jの値を初期化して1にする(ステップS11,S12)。次に書込状態判断部202は、変数i,jで特定される画素Pijを選択する(ステップS13)。例えば、変数iの値が1であり、変数jの値が1である場合、画素P11が選択される。
次に、書込状態判断部202は、選択した画素Pijに対応する記憶領域Cijに記憶されている第1書込データと、記憶領域Dijに記憶されている第2書込データの両方が0であるか否か判断する(ステップS14)。書込状態判断部202は、選択した画素Pijについて対応する記憶領域Cijの第1書込データと記憶領域Dijの第2書込データの両方が0である場合にはステップS16へ移行し、第1書込データと第2書込データの少なくとも一方が0以外である場合にはステップS15へ移行する。ステップS15へ移行すると、データ更新部204は、記憶領域Cijに記憶されている第1書込データ又は記憶領域Dijに記憶されている第2書込データの値から1を減算する。なお、値が0となっている第1書込データ又は第2書込データについては1を減算しない。
次に、書込状態判断部202は、選択した画素Pijに対応する記憶領域Cijに記憶されている第1書込データと、記憶領域Dijに記憶されている第2書込データの両方が0であるか否か判断する(ステップS14)。書込状態判断部202は、選択した画素Pijについて対応する記憶領域Cijの第1書込データと記憶領域Dijの第2書込データの両方が0である場合にはステップS16へ移行し、第1書込データと第2書込データの少なくとも一方が0以外である場合にはステップS15へ移行する。ステップS15へ移行すると、データ更新部204は、記憶領域Cijに記憶されている第1書込データ又は記憶領域Dijに記憶されている第2書込データの値から1を減算する。なお、値が0となっている第1書込データ又は第2書込データについては1を減算しない。
一方、ステップS16へ移行すると、書き換え判断部201が、記憶領域Aijに記憶されているデータを読み込み、読み込んだデータと記憶領域Bijに記憶されているデータとを比較する。ここで、コントローラー2は、メモリーから画像データを読み込む読み込み部として機能している。書き換え判断部201は、両者が異なっている場合には(ステップS16でNO)、画素Pijを新たに表示状態を変更する画素として特定し(特定工程)、画素Pijを記憶領域Aijに書き込まれている階調にするために画素Pijに掛ける電界と逆方向の電界が掛けられる画素が画素Pijの上下左右にあるか否か判断する(ステップS17)(判断工程)。なお、ここで、コントローラー2は、表示状態を変更する画素を特定する特定部として機能し、画素Pijに掛ける電界と逆方向の電界が掛けられる画素が画素Pijの上下左右にあるか否か判断する判断部として機能している。
具体的には、書き換え判断部201は、記憶領域Aijの階調値が0(黒)である場合、記憶領域Cijの上下左右の記憶領域を参照し、これらの記憶領域のいずれかの第1書込データが0以外であると、選択した画素Pijの上下左右のいずれかの画素に逆方向の電界が掛けられると判断し(ステップS17でYES)、上下左右の記憶領域の全てで第1書込データが0であると、選択した画素Pijの上下左右の画素には逆方向の電界が掛からないと判断する(ステップS17でNO)。また、記憶領域Aijの階調値が7(白)である場合、記憶領域Dijの上下左右の記憶領域を参照し、これらの記憶領域のいずれかの第2書込データが0以外であると、選択した画素Pijの上下左右のいずれかの画素に逆方向の電界が掛けられると判断し(ステップS17でYES)、上下左右の記憶領域の全てで第2書込データが0であると、選択した画素Pijの上下左右の画素には逆方向の電界が掛からないと判断する(ステップS17でNO)。
具体的には、書き換え判断部201は、記憶領域Aijの階調値が0(黒)である場合、記憶領域Cijの上下左右の記憶領域を参照し、これらの記憶領域のいずれかの第1書込データが0以外であると、選択した画素Pijの上下左右のいずれかの画素に逆方向の電界が掛けられると判断し(ステップS17でYES)、上下左右の記憶領域の全てで第1書込データが0であると、選択した画素Pijの上下左右の画素には逆方向の電界が掛からないと判断する(ステップS17でNO)。また、記憶領域Aijの階調値が7(白)である場合、記憶領域Dijの上下左右の記憶領域を参照し、これらの記憶領域のいずれかの第2書込データが0以外であると、選択した画素Pijの上下左右のいずれかの画素に逆方向の電界が掛けられると判断し(ステップS17でYES)、上下左右の記憶領域の全てで第2書込データが0であると、選択した画素Pijの上下左右の画素には逆方向の電界が掛からないと判断する(ステップS17でNO)。
書き換え判断部201が、ステップS17でYESと判断した場合、ステップS20へ移行する。一方、書き換え判断部201が、ステップS17でNOと判断した場合、データを更新する更新工程となり、データ更新部204(更新部)が、画素Pijの階調を記憶領域Aijの階調に変更するまでに必要な電圧の印加回数を書込データ記憶領域6に書き込む(ステップS18)。また、予定画像更新部205が、記憶領域Bijの内容を記憶領域Aijに記憶されている内容で上書きする(ステップS19)。
次に、コントローラー2は、ステップS20において変数jの値がデータ線の本数nと同じであるか否か判断する。ここで変数jの値がnと同じでなければ(ステップS20でNO)変数jの値に1を加え(ステップS21)、ステップS13へ移行する。変数jの値がnである場合、変数iの値が走査線の本数mと同じであるか否か判断する。ここで変数iの値がmでなければ(ステップS22でNO)変数iの値に1を加え(ステップS23)、ステップS12へ移行する。変数iの値がmである場合、書込制御部203が、走査線駆動回路53とデータ線駆動回路54とを制御して画素駆動回路を駆動する(ステップS24)。
次に、図7〜図22を参照し、VRAM4に画像データが書き込まれてから画像データの画像が表示部1に表示されるまでの表示部1における表示の変化、VRAM4の内容の変化、予定画像データ記憶領域7の内容の変化、書込データ記憶領域6の内容の変化について説明する。
表示部1の表示とVRAM4、書込データ記憶領域6及び予定画像データ記憶領域7の状態が図7の状態となっている時に制御部3がVRAM4に画像データを書き込むと(データ書き込み工程)、画像データに応じてVRAM4の状態が図8に示した状態となる。
図8の状態でステップS13において画素P11が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16及びステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C11に7が書き込まれ、記憶領域B11に記憶領域A11の内容が書き込まれて図9に示した状態となる。次に、画素P12が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16及びステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C12に7が書き込まれ、ステップS19で記憶領域B12に記憶領域A12の内容が書き込まれて図10に示した状態となる。この後、画素P44まで選択されると、図11に示したように予定画像データ記憶領域7の内容はVRAM4の内容と同じとなる。また、白書込データ記憶領域6Aにおいては、記憶領域C11,C12,C21,C22に7が書き込まれており、黒書込データ記憶領域6Bにおいては、記憶領域D33,D34,D43,D44に7が書き込まれている。
図8の状態でステップS13において画素P11が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16及びステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C11に7が書き込まれ、記憶領域B11に記憶領域A11の内容が書き込まれて図9に示した状態となる。次に、画素P12が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16及びステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C12に7が書き込まれ、ステップS19で記憶領域B12に記憶領域A12の内容が書き込まれて図10に示した状態となる。この後、画素P44まで選択されると、図11に示したように予定画像データ記憶領域7の内容はVRAM4の内容と同じとなる。また、白書込データ記憶領域6Aにおいては、記憶領域C11,C12,C21,C22に7が書き込まれており、黒書込データ記憶領域6Bにおいては、記憶領域D33,D34,D43,D44に7が書き込まれている。
この後、ステップS24の処理が行われると、画素P11に対応する画素駆動回路(1行目の走査線64と1列目のデータ線65の交差に対応する画素駆動回路)においては、記憶領域C11の内容が0以外であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。また、画素P12,P21,P22に対応する画素駆動回路においても、記憶領域C12,C21,C22の内容が0以外であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。
また、画素P33に対応する画素駆動回路(3行目の走査線64と3列目のデータ線65の交差に対応する画素駆動回路)においては、記憶領域D33の内容が0以外であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。また、画素P34,P43,P44に対応する画素駆動回路においても、記憶領域D34,D43,D44の内容が0以外であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。
なお、他の画素については、白書込データ記憶領域6Aにおいて対応する記憶領域の内容が0であり、且つ黒書込データ記憶領域6Bにおいて対応する記憶領域の内容が0であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位と透明電極層32との電位との差が0Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。このようにデータ線65に電圧が印加されると、画素において白粒子と黒粒子が移動して表示部1の表示は図12に示した状態となる。
また、画素P33に対応する画素駆動回路(3行目の走査線64と3列目のデータ線65の交差に対応する画素駆動回路)においては、記憶領域D33の内容が0以外であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。また、画素P34,P43,P44に対応する画素駆動回路においても、記憶領域D34,D43,D44の内容が0以外であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。
なお、他の画素については、白書込データ記憶領域6Aにおいて対応する記憶領域の内容が0であり、且つ黒書込データ記憶領域6Bにおいて対応する記憶領域の内容が0であるため、走査線64が選択された時に画素電極13aの電位と透明電極層32との電位との差が0Vとなるようにデータ線65に電圧が印加される。このようにデータ線65に電圧が印加されると、画素において白粒子と黒粒子が移動して表示部1の表示は図12に示した状態となる。
ステップS24の処理が終了すると、コントローラー2は、処理の流れをステップS11へ戻す。図12の状態でステップS13において画素P11が選択されると、ステップS14でNOと判断され、記憶領域C11に書き込まれている値から1が減算され、記憶領域C11の内容は6となる。次に画素P12が選択されると、ステップS14でNOと判断され、記憶領域C12に書き込まれている値から1が減算され、記憶領域C12の内容は6となる。この後、画素P44まで選択されると、図13に示したように記憶領域C11,C12,C21,C22の内容が6となり、記憶領域D33,D34,D43,D44の内容が6となる。
図14は、図13に示した状態から2回目のステップS24の処理が行われた直後の状態を示した図である。ここで、図15に示したようにVRAM4の内容が書き換えられた場合について考える。図15の状態からステップS13において画素P13が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16及びステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C13に7が書き込まれ、記憶領域B13に7が書き込まれる。また、ステップS13において画素P14が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16及びステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C14に7が書き込まれ、記憶領域B14に7が書き込まれて図16に示した状態となる。
次に、ステップS13において画素P23が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16でNOと判断される。次にステップS17においては、記憶領域A23の階調値が7(白)であるため、記憶領域D23の上下左右の記憶領域が参照され、これらの記憶領域のいずれかの第2書込データが0以外であるか否かが判断される。ここで、記憶領域D23の上下左右の記憶領域D13、D22、D24、D33を見ると、記憶領域D33の内容が0以外であるため、ステップS17でYESと判断される。すると、記憶領域C23においては、第1書込データの書き込みが行われず、記憶領域B23においては、記憶領域A23の内容で上書きがされない。
また、ステップS13において画素P31が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16でNOと判断される。次にステップS17においては、記憶領域Aijの階調値が0(黒)であるため、記憶領域C31の上下左右の記憶領域が参照され、これらの記憶領域のいずれかの第1書込データが0以外であるか否かが判断される。ここで、記憶領域C31の上下左右の記憶領域C21、C32、C41を見ると、記憶領域C21の内容が0以外であるため、ステップS17でYESと判断される。すると、記憶領域D31においては、第2書込データの書き込みが行われず、記憶領域B31においては、記憶領域A31の内容で上書きがされない。この後、画素P44まで選択されると、VRAM4及び各記憶領域の内容は、図17に示した状態となる。
ステップS17の処理がなく、記憶領域B23の内容をVRAM4と同じとし、記憶領域C23に7を書き込んだ場合、画素P23に対応する画素駆動回路においては、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるように駆動され、画素P33に対応する画素駆動回路においては、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるように駆動されることとなる。すると、画素P23の画素電極13aと画素P33の画素電極13aとの電位差は30Vとなり、電位差が大きく画素駆動回路が劣化する虞や当該画素に係るマイクロカプセル21が劣化する虞がある。
一方、本実施形態では、ステップS17の処理があるため、画素P23に対応する画素駆動回路においては、画素電極13aの電位と透明電極層32との電位との差が0Vとなる。また、画素P33に対応する画素駆動回路においては、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなる。つまり、隣り合う画素電極13a間で電位差が大きくならないため、画素駆動回路が劣化することやマイクロカプセル21が劣化することがない。
一方、本実施形態では、ステップS17の処理があるため、画素P23に対応する画素駆動回路においては、画素電極13aの電位と透明電極層32との電位との差が0Vとなる。また、画素P33に対応する画素駆動回路においては、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなる。つまり、隣り合う画素電極13a間で電位差が大きくならないため、画素駆動回路が劣化することやマイクロカプセル21が劣化することがない。
図17に示した状態からステップS24の処理が行われると表示部1の状態は、図18に示した状態となる。また、図18に示した状態から図6の処理が進められると、記憶領域C11,C12,C21,C22及び記憶領域D33,D34,D43,D44の内容がやがて0になり、表示部1、VRAM4及び各記憶領域の状態は図19に示した状態となる。
この後、ステップS13において画素P23が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16でNOと判断される。次にステップS17においては、記憶領域A23の階調値が7(白)であるため、記憶領域D23の上下左右の記憶領域が参照され、これらの記憶領域のいずれかの第2書込データが0以外であるか否かが判断される。ここで、記憶領域D23の上下左右の記憶領域D13、D22、D24、D33を見ると、いずれも内容が0であるため、今度はステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域C23に7が書き込まれ、ステップS19で記憶領域B23に記憶領域A23の内容が書き込まれる。また、画素P24についても、ステップS14でYES、ステップS16でNO、ステップS17でNOと判断され、ステップS18で、記憶領域C24に7が書き込まれ、ステップS19で記憶領域B24に記憶領域A24の内容が書き込まれる。
また、ステップS13において画素P31が選択されると、ステップS14でYESと判断され、ステップS16でNOと判断される。次にステップS17においては、記憶領域A31の階調値が0(黒)であるため、記憶領域C31の上下左右の記憶領域が参照され、これらの記憶領域のいずれかの第2書込データが0以外であるか否かが判断される。ここで、記憶領域C31の上下左右の記憶領域C21、C32、C41を見ると、いずれも内容が0であるため、今度はステップS17でNOと判断される。これにより、ステップS18で、記憶領域D31に7が書き込まれ、ステップS19で記憶領域B31に記憶領域A31の内容が書き込まれる。また、画素P32についても、ステップS14でYES、ステップS16でNO、ステップS17でNOと判断され、ステップS18で、記憶領域D32に7が書き込まれ、ステップS19で記憶領域B32に記憶領域A32の内容が書き込まれる。この後、ステップS24の処理が終了すると図20に示した状態となる。
図20に示した状態から図6の処理が進められると、白書込データ記憶領域6Aの記憶領域C13,C14及び黒書込データ記憶領域6Bの記憶領域C41,C42の内容が0になり、表示部1、VRAM4及び各記憶領域の状態は図21に示した状態となる。図21に示した状態からさらに図6の処理が進められると、最終的には図22に示した状態となる。
以上説明したように本実施形態によれば、画素Pijを白(黒)に変更しようとする際に、画素Pijの上下左右の画素のいずれかを黒(白)に変更しようとしている場合には、画素Pijについては画素の状態を変更する処理が後回しにされるため、隣り合う画素電極13a間で電位差が大きくなることがなく、画素駆動回路の劣化やマイクロカプセル21の劣化を抑えることができる。
[第2実施形態]
次に本発明の第2実施形態に係る表示装置100Aについて説明する。図23は、表示装置100Aのハードウェア構成を示した図である。なお、以下の説明において、第1実施形態の表示装置100と構成が同じものについては同じ符号を付してその説明を省略する。コントローラー2は、駆動テーブルTBを有している。また、RAM5には、テーブルID記憶領域6Cと、インデックス記憶領域6Dが設けられている。表示装置100Aは、画素の階調を変更する際の動作が第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と異なる構成と動作について説明する。
次に本発明の第2実施形態に係る表示装置100Aについて説明する。図23は、表示装置100Aのハードウェア構成を示した図である。なお、以下の説明において、第1実施形態の表示装置100と構成が同じものについては同じ符号を付してその説明を省略する。コントローラー2は、駆動テーブルTBを有している。また、RAM5には、テーブルID記憶領域6Cと、インデックス記憶領域6Dが設けられている。表示装置100Aは、画素の階調を変更する際の動作が第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と異なる構成と動作について説明する。
図24は、駆動テーブルTBの内容を示した図である。駆動テーブルTBは、テーブルIDで識別される12個のテーブルTB1〜TB12で構成されている。本実施形態では、画素は、黒から白までの4段階の階調をとり、各階調を0(黒)から順に3(白)までの数字で表す。テーブルTB1〜TB12は、画素をある階調から他の階調へ変更する時に選択され、選択されるテーブルは、画素の変更前の階調と変更後の階調によって決められる。
なお、画素の階調を変更する際には複数回に渡って画素電極13aに電圧を印加するが、各テーブルは、画素の階調をある階調からある階調へ変更する時に各回において画素電極13aに印加する電圧を示すデータが格納されている。テーブルに格納されている1〜8までの数字は、インデックスである。また、各インデックスに対応付けられている「b」、「w」、「n」というデータは、各回において画素電極13aに印加する電圧を示している。ここで「b」は、透明電極層32の電位に対して正の電圧を印加することを示しており、「w」は、透明電極層32の電位に対して負の電圧を印加することを示している。また「n」は、画素電極13aと透明電極層32との間の電位差を0とすることを示している。
なお、画素の階調を変更する際には複数回に渡って画素電極13aに電圧を印加するが、各テーブルは、画素の階調をある階調からある階調へ変更する時に各回において画素電極13aに印加する電圧を示すデータが格納されている。テーブルに格納されている1〜8までの数字は、インデックスである。また、各インデックスに対応付けられている「b」、「w」、「n」というデータは、各回において画素電極13aに印加する電圧を示している。ここで「b」は、透明電極層32の電位に対して正の電圧を印加することを示しており、「w」は、透明電極層32の電位に対して負の電圧を印加することを示している。また「n」は、画素電極13aと透明電極層32との間の電位差を0とすることを示している。
次に、表示装置100Aが行う処理の流れと表示装置100Aの動作について図25〜図28を用いて説明する。なお、図26〜図28においては、VRAM4と予定画像データ記憶領域7の内容に加え、テーブルID記憶領域6Cにおいて画素P11〜P44に対応する記憶領域Eijの内容、及びインデックス記憶領域6Dにおいて画素P11〜P44に対応する記憶領域Fijの内容を図示している。記憶領域E11〜E44には、画素の階調を変更する際に使用されるテーブルのテーブルIDが格納される。例えば、テーブルIDとして1が格納されている場合、テーブルIDが1であるテーブルTB1が画素の階調を変更する際に使用される。また、記憶領域F11〜F44には、テーブルにおいてどのインデックスを参照するかを表す数字が格納される。
コントローラー2は、画素の駆動を行う際に図25に示した処理を行う。まず、書込状態判断部202は、変数i,jの値を初期化して1にする(ステップS31,S32)。次に書込状態判断部202は、変数i,jで特定される画素Pijを選択する(ステップS33)。次に、書込状態判断部202は、選択した画素Pijに対応する記憶領域Fijに記憶されているインデックスの値が0か否か判断する(ステップS34)。書込状態判断部202は、ここで記憶領域Fijの内容が0である場合(ステップS34でYES)ステップS36へ移行し、0以外である場合(ステップS34でNO)にはステップS35へ移行する。ステップS35へ移行すると、データ更新部204は、記憶領域Fijの値から1を減算する。
ステップS36へ移行すると、書き換え判断部201が、記憶領域Aijに記憶されているデータを読み込み、読み込んだデータと記憶領域Bijに記憶されているデータとを比較する。ここで、コントローラー2は、メモリーから画像データを読み込む読み込み部として機能している。書き換え判断部201は、両者が異なっている場合には(ステップS36でNO)、画素Pijを新たに表示状態を変更する画素として特定し(特定工程)、画素の階調を記憶領域Bijに格納されている階調から記憶領域Aijに格納されている階調へ変化させるためのテーブルをテーブルTB1〜TB12の中から決定する(ステップS37)。なお、ここで、コントローラー2は、表示状態を変更する画素を特定する特定部として機能している。
次に、書き換え判断部201が、ステップS37で決定したテーブルと、記憶領域Eijの上下左右に格納されているテーブルIDで特定されるテーブルとを比較する。ここで、ステップS37で決定したテーブルに従って画素Pijを駆動した時に、画素Pijに掛かる電界の向きと、画素Pijに隣り合う画素に掛かる電界の向きとが逆になる期間が生じるか否か判断され(判断工程)、電界が逆になる期間が生じる場合には(ステップS38でYES)、ステップS41へ移行する。なお、ここで、コントローラー2は、画素Pijに掛ける電界と逆方向の電界が掛けられる画素が画素Pijの上下左右にあるか否か判断する判断部として機能している。
一方、ステップS38でNOと判断されると、データを更新する更新工程となり、ステップS37で決定したテーブルのテーブルIDが記憶領域Eijに書き込まれ、記憶領域Fijに8が書き込まれる(ステップS39)。また、予定画像更新部205が、記憶領域Bijの内容を記憶領域Aijに記憶されている内容で上書きする(ステップS40)。
次に、書き換え判断部201が、ステップS37で決定したテーブルと、記憶領域Eijの上下左右に格納されているテーブルIDで特定されるテーブルとを比較する。ここで、ステップS37で決定したテーブルに従って画素Pijを駆動した時に、画素Pijに掛かる電界の向きと、画素Pijに隣り合う画素に掛かる電界の向きとが逆になる期間が生じるか否か判断され(判断工程)、電界が逆になる期間が生じる場合には(ステップS38でYES)、ステップS41へ移行する。なお、ここで、コントローラー2は、画素Pijに掛ける電界と逆方向の電界が掛けられる画素が画素Pijの上下左右にあるか否か判断する判断部として機能している。
一方、ステップS38でNOと判断されると、データを更新する更新工程となり、ステップS37で決定したテーブルのテーブルIDが記憶領域Eijに書き込まれ、記憶領域Fijに8が書き込まれる(ステップS39)。また、予定画像更新部205が、記憶領域Bijの内容を記憶領域Aijに記憶されている内容で上書きする(ステップS40)。
次にステップS41では、コントローラー2は、変数jの値がデータ線の本数nと同じであるか否か判断する。ここで変数jの値がnと同じでなければ(ステップS41でNO)変数jの値に1を加え(ステップS42)、ステップS33へ移行する。変数jの値がnである場合、変数iの値が走査線の本数mと同じであるか否か判断する。ここで変数iの値がmでなければ(ステップS43でNO)変数iの値に1を加え(ステップS44)、ステップS32へ移行する。変数iの値がmである場合(ステップS43でYES)、書込制御部203が、走査線駆動回路53とデータ線駆動回路54とを制御して画素駆動回路を駆動する(ステップS45)。
例えば、画素P11について記憶領域E11に格納されているテーブルIDが8であり、記憶領域F11に格納されているインデックスが8である場合、画素P11については、インデックスの8に対応付けられているデータが「w」であるため、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるように画素駆動回路が駆動される。また、画素P11について記憶領域E11に格納されているテーブルIDが8であり、記憶領域F11に格納されているインデックスが3である場合、画素P11については、インデックスの3に対応付けられているデータが「b」であるため、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるように画素駆動回路が駆動される。
例えば、画素P11について記憶領域E11に格納されているテーブルIDが8であり、記憶領域F11に格納されているインデックスが8である場合、画素P11については、インデックスの8に対応付けられているデータが「w」であるため、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるように画素駆動回路が駆動される。また、画素P11について記憶領域E11に格納されているテーブルIDが8であり、記憶領域F11に格納されているインデックスが3である場合、画素P11については、インデックスの3に対応付けられているデータが「b」であるため、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるように画素駆動回路が駆動される。
次に、図26〜図28を参照し、画素を駆動する時の動作の一例を説明する。なお、以下の説明では、VRAM4と各記憶領域の状態が図26に示した状態である時に、図27に示したように記憶領域A12に画像データが書き込まれた状態を想定して説明を行う。
図25の処理が行われ、ステップS33において画素P12が選択されると、ステップS34でYESと判断され、ステップS36でNOと判断される。次にステップS37では、記憶領域B12の内容が2であり記憶領域A12の内容が0であるため、画素P12の階調を変更するのに使用するテーブルとして階調を2から0へ変更するテーブルTB2が決定される。
次にステップS38では、記憶領域F12の上下左右で値が0以外である記憶領域F11が特定され、この記憶領域F11に対応する記憶領域E11に格納されている5というテーブルIDによりテーブルTB5が特定される。図27(b)は、テーブルTB5に従って駆動中の画素P11の画素電極13aに印加される電圧を示した図である。この時点からテーブルTB2に従って画素P12を駆動すると、画素P12の画素電極13aには、図27(b)に示したように電圧が印加されることとなる。ここで、テーブルTB2に従って画素P12の駆動を開始すると、図27(b)の期間Tでは、画素P11の画素電極13aの電位は透明電極層32に対して−15Vの電位となり、画素P12の画素電極13aの電位は透明電極層32に対して+15Vの電位となるため、画素P11と画素P12との間で掛かる電界の方向が逆となる。このため、ステップS38でYESと判断され、処理の流れがステップS41へ移行する。
次にステップS38では、記憶領域F12の上下左右で値が0以外である記憶領域F11が特定され、この記憶領域F11に対応する記憶領域E11に格納されている5というテーブルIDによりテーブルTB5が特定される。図27(b)は、テーブルTB5に従って駆動中の画素P11の画素電極13aに印加される電圧を示した図である。この時点からテーブルTB2に従って画素P12を駆動すると、画素P12の画素電極13aには、図27(b)に示したように電圧が印加されることとなる。ここで、テーブルTB2に従って画素P12の駆動を開始すると、図27(b)の期間Tでは、画素P11の画素電極13aの電位は透明電極層32に対して−15Vの電位となり、画素P12の画素電極13aの電位は透明電極層32に対して+15Vの電位となるため、画素P11と画素P12との間で掛かる電界の方向が逆となる。このため、ステップS38でYESと判断され、処理の流れがステップS41へ移行する。
この後、ステップS45の処理が行われ、処理の流れがステップS31へ移行すると、VRAM4と各記憶領域の内容は、図28の状態となる。図28の状態からステップS33で画素P12が選択されると、ステップS37でテーブルTB2が決定される。ステップS38では、再びテーブルTB5が特定され、画素P11と画素P12との間で掛かる電界の方向が逆となるか否かが判断される。
図28(b)は、テーブルTB5に従って駆動中の画素P11の画素電極13aに印加される電圧を示した図である。この時点からテーブルTB2に従って画素P12を駆動すると、画素P12の画素電極13aには、図28(b)に示したように電圧が印加されることとなる。図28(b)に示したように、画素P11で画素電極13aの電位が+15Vとなる期間においては、画素P12で画素電極13aの電位が−15Vになることがない。このため、ステップS38でNOと判断され、ステップS37で決定されたテーブルのテーブルIDが記憶領域Eijに書き込まれ、記憶領域F12に8が書き込まれ(ステップS39)、記憶領域B12の内容が記憶領域A12の内容で上書きされる(ステップS40)。
図28(b)は、テーブルTB5に従って駆動中の画素P11の画素電極13aに印加される電圧を示した図である。この時点からテーブルTB2に従って画素P12を駆動すると、画素P12の画素電極13aには、図28(b)に示したように電圧が印加されることとなる。図28(b)に示したように、画素P11で画素電極13aの電位が+15Vとなる期間においては、画素P12で画素電極13aの電位が−15Vになることがない。このため、ステップS38でNOと判断され、ステップS37で決定されたテーブルのテーブルIDが記憶領域Eijに書き込まれ、記憶領域F12に8が書き込まれ(ステップS39)、記憶領域B12の内容が記憶領域A12の内容で上書きされる(ステップS40)。
以上説明したように本実施形態によれば、テーブルに従って画素を駆動しても、隣り合う画素間では、画素電極13a間で電位差が大きくなることがないので、画素駆動回路が劣化することやマイクロカプセル21が劣化することがない。
[第3実施形態]
次に本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態に係る表示装置は、ハードウェア構成は第2実施形態に係る表示装置100Aと同じであり、画素の階調を変更する際の動作が第2実施形態と異なる。このため、第2実施形態と同じ構成については、説明を省略し、以下、第2実施形態と異なる部分について説明する。
次に本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態に係る表示装置は、ハードウェア構成は第2実施形態に係る表示装置100Aと同じであり、画素の階調を変更する際の動作が第2実施形態と異なる。このため、第2実施形態と同じ構成については、説明を省略し、以下、第2実施形態と異なる部分について説明する。
図29は、本実施形態に係る駆動テーブルTBの内容を示した図である。本実施形態においては、テーブルTB1〜TB12において「d」というデータが格納されている。「d」は、「b」と「w」との間に格納される。
次に、本実施形態に係る表示装置100Aが行う処理の流れについて図30,31を用いて説明する。まず、書込状態判断部202は、変数i,jの値を初期化して1にする(ステップS51,S52)。次に書込状態判断部202は、変数i,jで特定される画素Pijを選択する(ステップS53)。次に、書込状態判断部202は、選択した画素Pijに対応する記憶領域Fijに記憶されているインデックスの値が0より大きいか判断する(ステップS54)。書込状態判断部202は、ここで記憶領域Fijの内容が0である場合(ステップS54でYES)、ステップS55へ移行し、0以外である場合(ステップS54でNO)にはステップS60へ移行する。
ステップS55へ移行すると、書き換え判断部201が、記憶領域Aijに記憶されているデータを読み込み、記憶領域Bijに記憶されているデータと比較する。ここで、コントローラー2は、メモリーから画像データを読み込む読み込み部として機能している。書き換え判断部201は、両者が異なっている場合には(ステップS55でNO)、画素Pijを新たに表示状態を変更する画素として特定し(特定工程)、画素の階調を記憶領域Bijに格納されている階調から記憶領域Aijに格納されている階調へ変化させるためのテーブルをテーブルTB1〜TB12の中から決定する(ステップS56)。なお、ここで、コントローラー2は、表示状態を変更する画素を特定する特定部として機能している。
次に、書き換え判断部201が、ステップS56で決定したテーブルと、記憶領域Eijの上下左右に格納されているテーブルIDで特定されるテーブルとを比較する。ここで、ステップS56で決定したテーブルに従って画素Pijを駆動した時に画素Pijに掛かる電界の向きと、画素Pijに隣り合う画素に掛かる電界の向きとが逆になるか否か判断し(判断工程)、電界が逆になる場合には(ステップS57でYES)、ステップS61へ移行する。なお、ここで、コントローラー2は、画素Pijに掛ける電界と逆方向の電界が掛けられる画素が画素Pijの上下左右にあるか否か判断する判断部として機能している。
一方、ステップS57でNOと判断されると、データを更新する更新工程となり、ステップS56で決定したテーブルのテーブルIDが記憶領域Eijに書き込まれ、記憶領域Fijに8が書き込まれる(ステップS58)。また、予定画像更新部205が、記憶領域Bijの内容を記憶領域Aijに記憶されている内容で上書きする(ステップS59)。
次に、書き換え判断部201が、ステップS56で決定したテーブルと、記憶領域Eijの上下左右に格納されているテーブルIDで特定されるテーブルとを比較する。ここで、ステップS56で決定したテーブルに従って画素Pijを駆動した時に画素Pijに掛かる電界の向きと、画素Pijに隣り合う画素に掛かる電界の向きとが逆になるか否か判断し(判断工程)、電界が逆になる場合には(ステップS57でYES)、ステップS61へ移行する。なお、ここで、コントローラー2は、画素Pijに掛ける電界と逆方向の電界が掛けられる画素が画素Pijの上下左右にあるか否か判断する判断部として機能している。
一方、ステップS57でNOと判断されると、データを更新する更新工程となり、ステップS56で決定したテーブルのテーブルIDが記憶領域Eijに書き込まれ、記憶領域Fijに8が書き込まれる(ステップS58)。また、予定画像更新部205が、記憶領域Bijの内容を記憶領域Aijに記憶されている内容で上書きする(ステップS59)。
一方、ステップS54からステップS60へ移行すると、図31に示した処理が行われる。まず、データ更新部204は、記憶領域Eijに格納されているテーブルIDのテーブルにおいて、記憶領域Fijのインデックスで特定されるデータが「d」であるか否かが判断される。ここで、データが「d」である場合には(ステップS100でYES)、ステップS103へ移行する。
ステップS103では、記憶領域Eijに格納されているテーブルIDのテーブルにおいて、記憶領域Fijのインデックスより1小さいインデックスに対応付けられているデータに従って画素Pijを駆動すると、画素Pijに掛かる電界の向きと、画素Pijに隣り合う画素に掛かる電界の向きとが逆になるか否か判断する。ここで、逆となると判断されると(ステップS103でYES)、図31の処理を終了し、逆にならないと判断された場合には(ステップS103でNO)、記憶領域Fijの値から1を減算する。
ステップS103では、記憶領域Eijに格納されているテーブルIDのテーブルにおいて、記憶領域Fijのインデックスより1小さいインデックスに対応付けられているデータに従って画素Pijを駆動すると、画素Pijに掛かる電界の向きと、画素Pijに隣り合う画素に掛かる電界の向きとが逆になるか否か判断する。ここで、逆となると判断されると(ステップS103でYES)、図31の処理を終了し、逆にならないと判断された場合には(ステップS103でNO)、記憶領域Fijの値から1を減算する。
一方、ステップS100でNOと判断されると、記憶領域Fijのインデックスの値から1が減算される(ステップS101)。次に、記憶領域Eijに格納されているテーブルIDのテーブルにおいて、記憶領域Fijのインデックスで特定されるデータが「d」であるか否か判断される。ここで、データが「d」でない場合には(ステップS102でNO)、図31の処理を終了する。一方、データが「d」であった場合(ステップS102でYES)、ステップS103へ移行する。
ステップS60の処理を終了すると、次にステップS61では、変数jの値がデータ線の本数nと同じであるか否か判断される。ここで変数jの値がnと同じでなければ(ステップS61でNO)変数jの値に1を加え(ステップS62)、ステップS53へ移行する。変数jの値がnである場合、変数iの値が走査線の本数mと同じであるか否か判断する。ここで変数iの値がmでなければ(ステップS63でNO)変数iの値に1を加え(ステップS64)、ステップS52へ移行する。変数iの値がmである場合(ステップS63でYES)、書込制御部203が、走査線駆動回路53とデータ線駆動回路54とを制御して画素駆動回路を駆動する(ステップS65)。
次に、表示装置100Aの動作について図32を用いて説明する。VRAM4と各記憶領域の状態が図32に示した状態である場合、記憶領域F11,F12のインデックスが8である時には、テーブルTB8とテーブルTB5においてインデックスの8には「w」が対応づけられているため、画素P11と画素P12の両方には、図32(b)に示したように、画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるように画素駆動回路が駆動される。
この後、記憶領域F11,F12のインデックスが7となると、ステップS53で画素P12が選択された時に、記憶領域F12のインデックスがステップS101で6となり、ステップS102でYESと判断される。
記憶領域F11のインデックスが6、記憶領域F12のインデックスが6となり、画素駆動回路がテーブル及びインデックスに従って駆動されると、図32(b)に示したように、画素P11では画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるように駆動されるものの、画素P12では、テーブルTB5においてインデックスの6に対応するデータが「d」であるため、画素電極13aの電位と透明電極層32との電位差が0Vとなるように駆動される。
記憶領域F11のインデックスが6、記憶領域F12のインデックスが6となり、画素駆動回路がテーブル及びインデックスに従って駆動されると、図32(b)に示したように、画素P11では画素電極13aの電位が透明電極層32に対して−15Vとなるように駆動されるものの、画素P12では、テーブルTB5においてインデックスの6に対応するデータが「d」であるため、画素電極13aの電位と透明電極層32との電位差が0Vとなるように駆動される。
この後、処理が進められると、記憶領域F11のインデックスが5、記憶領域F12のインデックスが6となる。さらに処理が進められると、記憶領域F11については、ステップS60の処理が行われるとインデックスが3となる。また、記憶領域F12のインデックスについては、ステップS103でNOと判断され、ステップS104で1が減算されて5となる。この後、画素駆動回路が駆動されると、図32(b)に示したように、画素P11では画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるように駆動され、画素P12でも画素電極13aの電位が透明電極層32に対して+15Vとなるように駆動される。この後処理が進められると、記憶領域F11,F12のインデックスが0になるまでに画素P11,P12の画素電極13aは同じ電位又は電位差が15Vのいずれかの状態となり、隣り合う画素間で電位差が30Vになることがない。
以上説明したように本実施形態においては、ある画素に対しテーブルIDに従って書き込みを行う際、当該画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと当該画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、書き込みを当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、当該画素への書き込みを再開する。これにより、隣り合う画素との間で画素電極間の電位差が大きくならないように画素駆動回路が駆動されるので、画素駆動回路が劣化することやマイクロカプセル21が劣化することがない。
[電子機器]
次に、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子機器について説明する。
図33(a)は、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子ブックリーダーの斜視図である。この電子ブックリーダー1000は、本の形状のフレーム1001と、このフレーム1001に対して開閉自在に設けられたカバー1002と、操作部1003と、本発明の実施形態に係る表示装置100を備えている。この電子ブックリーダー1000においては、電子ブックの内容が表示装置100に表示され、操作部1003を操作することにより、電子ブックのページがめくられる。
また、図33(b)は、上述した実施形態に係る表示装置を用いた腕時計1100の斜視図である。この腕時計1100は、本発明の実施形態に係る表示装置100を備えている。この腕時計1100においては、時刻や年月日が表示装置100に表示される。
なお、このほかにも、上述した実施形態に係る表示装置100を適用可能な電子機器として、電子ペーパー、電子手帳、電卓、携帯電話機等などが挙げられる。
次に、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子機器について説明する。
図33(a)は、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子ブックリーダーの斜視図である。この電子ブックリーダー1000は、本の形状のフレーム1001と、このフレーム1001に対して開閉自在に設けられたカバー1002と、操作部1003と、本発明の実施形態に係る表示装置100を備えている。この電子ブックリーダー1000においては、電子ブックの内容が表示装置100に表示され、操作部1003を操作することにより、電子ブックのページがめくられる。
また、図33(b)は、上述した実施形態に係る表示装置を用いた腕時計1100の斜視図である。この腕時計1100は、本発明の実施形態に係る表示装置100を備えている。この腕時計1100においては、時刻や年月日が表示装置100に表示される。
なお、このほかにも、上述した実施形態に係る表示装置100を適用可能な電子機器として、電子ペーパー、電子手帳、電卓、携帯電話機等などが挙げられる。
[変形例]
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、他の様々な形態で実施可能である。例えば、上述の実施形態を以下のように変形して本発明を実施してもよい。なお、上述した実施形態及び以下の変形例は、各々を組み合わせてもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、他の様々な形態で実施可能である。例えば、上述の実施形態を以下のように変形して本発明を実施してもよい。なお、上述した実施形態及び以下の変形例は、各々を組み合わせてもよい。
上述した実施形態においては、黒の電気泳動粒子が正に帯電され、白の電気泳動粒子が負に帯電された態様としたが、黒の電気泳動粒子が負に帯電され、白の電気泳動粒子が正に帯電された態様としてもよい。また、電気泳動粒子として白と黒の2種類を用いて白黒の表示が行われるが、電気泳動粒子の色は、白と黒に限定されるものではなく、赤や青、緑など他の色であってもよい。
また、上述した実施形態では、表示装置100は電気泳動方式であるが、電気泳動方式に限定されるものではない。表示装置100の表示方式は、複数フレームに渡って画素に電圧を印加することにより画像を表示するものであれば、例えば、コレステリック液晶、エレクトロクロミック、電子粉粒体等を用いたものであってもよい。
また、電気泳動層20は、マイクロカプセル21を有する構成に限定されず、隔壁によって仕切られた空間に分散媒と電気泳動粒子を格納する構成であってもよい。
また、上述した実施形態では、コントローラー2と制御部3は、別々になっているが、コントローラー2で実現する機能の一部を制御部3で実現させてもよく、また、コントローラー2と制御部3とを一つの半導体チップ上にまとめて制御部(制御装置)としてもよい。
また、上述した実施形態では、表示装置100は電気泳動方式であるが、電気泳動方式に限定されるものではない。表示装置100の表示方式は、複数フレームに渡って画素に電圧を印加することにより画像を表示するものであれば、例えば、コレステリック液晶、エレクトロクロミック、電子粉粒体等を用いたものであってもよい。
また、電気泳動層20は、マイクロカプセル21を有する構成に限定されず、隔壁によって仕切られた空間に分散媒と電気泳動粒子を格納する構成であってもよい。
また、上述した実施形態では、コントローラー2と制御部3は、別々になっているが、コントローラー2で実現する機能の一部を制御部3で実現させてもよく、また、コントローラー2と制御部3とを一つの半導体チップ上にまとめて制御部(制御装置)としてもよい。
上述した実施形態においては、画素Pijと画素Pijに隣り合う画素とで掛かる電界の向きが逆となるか判断する際、画素Pijの上下左右の画素について電界の向きが逆となるか判断しているが、上下左右だけでなく斜めの右上、左上、右下及び左下にある画素についても、電界の向きが逆となるか判断してもよい。
また、画素Pijと画素Pijに隣り合う画素とで掛かる電界の向きが逆となるか判断する際、隣り合う画素についてだけでなく、画素Pijから見て隣り合う画素の一つ先の画素についても電界の向きが逆となるか判断するようにしてもよい。
また、画素Pijと画素Pijに隣り合う画素とで掛かる電界の向きが逆となるか判断する際、隣り合う画素についてだけでなく、画素Pijから見て隣り合う画素の一つ先の画素についても電界の向きが逆となるか判断するようにしてもよい。
1…表示部、2…コントローラー、3…制御部、4…VRAM、5…RAM、6…書込データ記憶領域、6A…白書込データ記憶領域、6B…黒書込データ記憶領域、6C…テーブルID記憶領域、6D…インデックス記憶領域、7…予定画像データ記憶領域、9…バス、10…第1基板、11…基板、11a…接着層、12…回路層、13a…画素電極、20…電気泳動層、21…マイクロカプセル、22…バインダー、30…第2基板、31…フィルム、32…透明電極層、53…走査線駆動回路、54…データ線駆動回路、55…表示領域、61…トランジスタ、63…保持容量、64…走査線、65…データ線、100…表示装置、201…書き換え判断部、202…書込状態判断部、203…書込制御部、204…データ更新部、205…予定画像更新部、1000…電子ブックリーダー、1001…フレーム、1002…カバー、1003…操作部、1100…腕時計、TB…駆動テーブル、TB1〜TB12…テーブル、X1〜Xm…データ信号、Y1〜Ym…走査信号、Pij…画素、Aij…記憶領域、Bij…記憶領域、Cij…記憶領域、Dij…記憶領域、Eij…記憶領域、Fij…記憶領域
Claims (11)
- 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御装置であって、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、
前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、
前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、
前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部と
を有する制御装置。 - 前記判断部は、前記第1画素の上下左右の画素について、前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる画素があるか否か判断すること
を特徴とする請求項1に記載の制御装置。 - 前記判断部は、前記第1画素の上下左右の画素に加え、右上、左上、右下及び左下の画素についても前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる画素があるか否か判断すること
を特徴とする請求項2に記載の制御装置。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御装置であって、
前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1電極へ電圧を印加する制御部と、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、
前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、
前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記テーブルに従って前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、
前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部と
を備える制御装置。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御装置であって、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、
前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、
前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1画素の第1電極へ電圧を印加し、前記第1画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと前記第1画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を再開する更新部と
を有する制御装置。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置であって、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、
前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、
前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、
前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部と
を有する表示装置。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置であって、
前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1電極へ電圧を印加する制御部と、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、
前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、
前記特定部で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記テーブルに従って前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断部と、
前記判断部において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断部において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新部と
を有する表示装置。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置であって、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み部と、
前記データ読み込み部で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み部で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定部と、
前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1画素の第1電極へ電圧を印加し、前記第1画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと前記第1画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を再開する更新部と
を有する表示装置。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御方法であって、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み工程と、
前記データ読み込み工程で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み工程で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定工程と、
前記特定工程で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断工程と、
前記判断工程において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断工程において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新工程と
を有する表示装置の制御方法。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御方法であって、
前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1電極へ電圧を印加する制御工程と、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み工程と、
前記データ読み込み工程で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み工程で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定工程と、
前記特定工程で特定された第1画素に隣り合い、且つ表示状態を変更している過程にある画素において、前記第1画素の表示状態を変更する電圧が前記テーブルに従って前記第1画素の第1電極に印加された時に前記第1画素に掛かる電界の向きと逆向きの電界が掛かる第2画素があるか否か判断する判断工程と、
前記判断工程において前記第2画素が無いと判断された場合には、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始し、前記判断工程において前記第2画素があると判断された場合には、前記第2画素の第1電極について複数回の電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極に対して表示状態を変更する複数回の電圧の印加を開始する更新工程と
を有する表示装置の制御方法。 - 複数の画素の各々に対応して第1電極が設けられた第1基板と、第2電極が設けられた第2基板とで表示素子を挟持し、前記第1電極、前記表示素子及び前記第2電極とで前記画素が構成され、前記第1電極へ電圧を複数回印加することにより前記画素の表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態へ変更する表示装置の制御方法であって、
前記表示装置に表示させる画像の画像データをメモリーから読み込むデータ読み込み工程と、
前記データ読み込み工程で画像データが読み込まれる前に前記表示装置に表示する予定であった画像を示す予定画像データと、前記データ読み込み工程で読み込まれた画像データとに基づいて、前記複数の画素において新たに表示状態を変更する第1画素を特定する特定工程と、
前記複数回の電圧の印加について各回で印加する電圧を定めたテーブルに従って前記第1画素の第1電極へ電圧を印加し、前記第1画素に隣り合う画素に掛かる電界の向きと前記第1画素に掛かる電界の向きが逆向きとなる回がある場合、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を当該回で停止し、隣り合う画素において逆向きの電界が掛かる電圧の印加が終了した後、前記第1画素の第1電極への電圧の印加を再開する更新工程と
を有する表示装置の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181885A JP2012042572A (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181885A JP2012042572A (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012042572A true JP2012042572A (ja) | 2012-03-01 |
Family
ID=45899002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010181885A Pending JP2012042572A (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012042572A (ja) |
-
2010
- 2010-08-16 JP JP2010181885A patent/JP2012042572A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240096292A1 (en) | Display controller for bistable electro-optic display | |
JP5691593B2 (ja) | 表示制御方法、表示装置および電子機器 | |
JP5640451B2 (ja) | 表示装置の制御方法、表示装置、及び表示装置の制御装置 | |
US20120221943A1 (en) | Display control method, display device and electronic apparatus | |
JP5712534B2 (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
US9007407B2 (en) | Controller of electro-optical device, control method of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP5786292B2 (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
JP5644295B2 (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
US20130249960A1 (en) | Device for controlling display device, method of controlling display device, display device, and electronic apparatus | |
US8860641B2 (en) | Control device, electrooptics device, electronic apparatus, and control method | |
JP5691302B2 (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
JP5691707B2 (ja) | 制御装置、表示装置、電子機器および駆動方法 | |
JP2012163925A (ja) | 表示制御方法、表示装置および電子機器 | |
JP2012053220A (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
JP5691706B2 (ja) | 制御装置、表示装置および電子機器 | |
JP2012042572A (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
JP6015786B2 (ja) | 制御装置、表示装置及び表示装置の制御方法 | |
US9240134B2 (en) | Device for controlling electro-optic device including write section that executes first and second write operations during which different voltages are applied to pixels, method for controlling electro-optic device electro-optic device, and electronic apparatus | |
JP5909863B2 (ja) | 電気光学装置の制御装置、電気光学装置および電子機器 | |
JP2013092619A (ja) | 制御装置、電気光学装置、電子機器および制御方法 | |
JP2012194344A (ja) | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の制御装置、電気光学装置および電子機器 | |
JP6146055B2 (ja) | 制御装置、電気光学装置、電子機器及び制御方法 | |
JP2013231776A (ja) | 制御装置、表示装置、電子機器および制御方法 | |
JP6102373B2 (ja) | 制御装置、電気光学装置、電子機器及び制御方法 | |
US9024981B2 (en) | Control device, display device, electronic apparatus and controlling method |