JP2012042487A - 力検知ユニット、圧電基板の製造方法及び加速度センサ - Google Patents

Abstract

【課題】製造が容易で、小型で且つ薄型の精度の良い力検知ユニットを得る。
【解決手段】一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面上の両端部寄りに少なくとも夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極と、を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着剤により接着保持する、支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、前記接着剤の厚みを利用して前記圧電基板の他方の厚肉部を前記支持基板上から離間させた片持ち支持とする。
【選択図】図９

Description

本発明は、力検知ユニットに関し、特に弾性表面波の周波数変動を利用した力検知ユニットとその製造方法、力検知ユニットを応用した加速度センサに関する。

力検知ユニットは、力センサ、圧力センサ、加速度センサ等に用いられ、特に加速度センサは、従来から自動車、航空機、ロケットから各種プラントの異常振動監視等にまで、広く使用されている。
特許文献１には弾性表面波を利用した外力センサが開示されている。図２８は外力センサの構成を示す側面図であり、圧電材料からなる長板状のビーム１０１が、基端部の表裏面を２個の直方体状の支持部１０８に挟まれ、片持ち梁状に接着されている。接着には接着性の弾性表面波吸収材１０７が用いられる。ビーム１０１は、先端部の両面を２個の直方体状の重り１０９に挟まれ、接着されている。重り１０９は外力を効率よく歪みに変換するためのものである。支持部１０８と重り１０９との間のビーム１０１の両面には、ビームを挟んで対向する位置に一対の送信用のＩＤＴ電極１０３が設けられている。送信用のＩＤＴ電極１０３と支持部１０８との間のビーム１０１の両面に、ビーム１０１を挟んで対向する位置に一対の受信用のＩＤＴ電極１０４が設けられている。

受信用のＩＤＴ電極１０４は、夫々対応する増幅器１０５に接続され、各増幅器１０５は、夫々対応する送信用のＩＤＴ電極１０３及びオシレータ出力バッファアンプ１１３に接続されている。オシレータ出力バッファアンプ１１３は、ミキサー１０６に接続されている。一対の送信用のＩＤＴ電極１０３と、受信用のＩＤＴ電極１０４と、増幅器１０５とは、表裏一対の発振器を構成している。オシレータ出力バッファアンプ１１３は、表裏一対の発振器がミキサー１０６の負荷変動の影響を受けないようにするためのものである。

ビーム１０１の先端部に取り付けた重り１０９に外力１０２が作用すると、ビーム１０１の表面に歪みが発生する。この歪みは、ビーム１０１の表面を伝搬する弾性表面波の伝搬時間を変化させる。送信用のＩＤＴ電極１０３と受信用のＩＤＴ電極１０４との間の弾性表面波の伝搬時間が変化すると、ＩＤＴ電極１０３と、ＩＤＴ電極１０４と、増幅器１０５とで構成する発振器の発振周波数が変化する。ミキサー１０６が、表裏一対の発振器の発振周波数を信号処理して、差周波数成分を出力し、ゼロクロスコンパレータ１１４がこの出力を矩形波出力として取り出す。この出力を処理することにより外力１０２の大きさが求められる。

特開平２−２２８５３０号公報

しかしながら、特許文献１に開示されているように、長板状のビーム１０１の表裏に送受信用夫々一対のＩＤＴ電極を形成すると、フォトリソグラフィ工程の工数が掛かるという問題と、表裏に形成されるＩＤＴ電極のパターン精度が微妙に異なり、外力センサの測定精度を劣化させるという問題をもたらす。
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、圧電基板の一方の面にのみＩＤＴ電極を形成し、外力の測定精度を改善した力検知ユニットとその製造方法及び加速度センサを提供することにある。

本発明は、力検知ユニットの測定精度を改善すると共に、小型で、薄型の力検知ユニットを実現するため、一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面上の両端部寄りに少なくとも夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極と、を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着剤により接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、前記接着剤の厚みを利用して前記圧電基板の他方の厚肉部を前記支持基板上から離間させた片持ち支持とした力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、中央部に形成した凹陥部の薄肉部により、外力に対して感度が良くなると共に、一方の端部の質量により感度が改善する。その上、外力を周波数の変化量で検出でき、しかも薄型の検知ユニットができるという効果がある。

一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面上の両端部寄りに少なくとも夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極と、を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、所定の厚みを有した接合材、又は支持基板面に設けた突部によって、前記圧電基板の他方の厚肉部を前記支持基板面から離間させた片持ち支持とし力検知ユニットを構成する。

以上のように力検知ユニットを構成すると、中央部に形成した凹陥部の薄肉部により、外力に対して感度が良くなると共に、一方の端部の質量により感度が改善する。しかも、圧電基板を接着する接着剤の厚みにバラツキがあっても、外力による圧電基板の変形時に支持基板の面に接触することはなく、外力を周波数の変化量で検出でき、しかも薄型の検知ユニットができるという効果がある。
前記接合材として薄板を使用した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、圧電基板を接着する接着剤の厚みにバラツキがあっても、外力による圧電基板の変形時に支持基板の面に接触することはなくなるという効果がある。

前記支持基板上に一方の厚肉部を接着保持される前記圧電基板の他方の厚肉部の他方の主面に重りとして他の圧電基板、或いは他のチップ部品を接着した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、力検知ユニットの感度が改善されるという効果がある。

前記支持基板上に一方の厚肉部を接着保持される前記圧電基板の他方の厚肉部の一方の主面、又は／及び、他方の主面に重りとしての金属フィラー接着剤を配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、力検知ユニットの感度が改善されるという効果がある。

前記支持基板上に一方の厚肉部を接着保持される前記圧電基板の他方の厚肉部の一方の主面、又は／及び、他方の主面に重りとしての金属膜を蒸着するか、又は金属部材を接着した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、力検知ユニットの感度が改善されるという効果がある。

一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成されたＩＤＴ電極及びその両側に配置した反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、前記ＩＤＴ電極を前記薄肉部上に配置し、前記ＩＤＴ電極の両側に配置した反射器を前記両厚肉部上に夫々配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、中央部に形成した凹陥部の薄肉部により、外力に対して感度が良くなると共に、一方の端部の質量により感度が改善する。その上、外力を周波数の変化量で検出でき、薄型の検知ユニットができるという効果がある。

一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成されたＩＤＴ電極及びその両側に配置した反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、前記ＩＤＴ電極及びその両側に配置した反射器を前記薄肉部上に配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、ＩＤＴ電極とその両側の反射器からなるＳＡＷ共振子を、中央部に形成した凹陥部の薄肉部上に形成できるので、外力印加時に弾性表面波の伝搬速度の変化にＳＡＷ共振子の特性の劣化も少なく、精度の良い薄型の検知ユニットができるという効果がある。

一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極及び４個の反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、一方の前記ＩＤＴ電極及び一個の反射器を前記一方の厚肉部上に配置し、他方の前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部を前記薄肉部上に配置すると共に、他の２個の反射器をＩＤＴ電極間に配置し、残りの一個の反射器を他の厚肉部上に配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、基準用と検出用の２つのＳＡＷ共振子を構成できるので、測定精度の改善ができるのみならず、力検知ユニットの温度ドリフトを取り除くことができるという効果がある。

一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極及び３個の反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、一方の前記ＩＤＴ電極及び一個の反射器を前記一方の厚肉部上に配置し、他方の前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部を前記薄肉部上に配置すると共に、他の２個の反射器を両ＩＤＴ電極間と他方の厚肉部上に夫々配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、基準用と検出用の２つのＳＡＷ共振子を構成できるので、測定精度の改善ができるのみならず、力検知ユニットの温度ドリフトを取り除くことができる小型の力検知ユニットが得られるという効果がある。

一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の凹陥部を形成することにより夫々形成した２個の薄肉部を有すると共に中央部及び両端部に夫々厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極及び複数の反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の２個の端部厚肉部の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、前記２個の薄肉部上に夫々一個のＩＤＴ電極の少なくとも一部を配置し、前記２個の端部厚肉部上に夫々一つずつ反射器を配置し、他の一個の反射器を前記中央厚肉部上に配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、２つのＳＡＷ共振子を構成できるので、測定精度の改善ができるのみならず、力検知ユニットの温度ドリフトを取り除くことができる小型の力検知ユニットが得られる。更に、この力検知ユニットを加速度センサに用いると、Ｚ軸、Ｘ軸２軸の加速度が測定できるという効果がある。

一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の凹陥部を形成することにより夫々形成した２個の薄肉部を有すると共に中央部より少し離れた位置及び両端部に夫々厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された３つのＩＤＴ電極及び複数の反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の２つの端部厚肉部の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、前記２個の薄肉部上に夫々一個のＩＤＴ電極の少なくとも一部を配置し、前記２個の端部厚肉部上の一方に残りのＩＤＴ電極を配置し、前記２個の端部厚肉部上であって前記各ＩＤＴ電極の外側に前記反射器を夫々１個ずつ配置し、他の２個の反射器を前記３個のＩＤＴ電極の間に夫々配置した力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、３つのＳＡＷ共振子を構成できるため、１つのＳＡＷ共振子の周波数を基準とし、他の２のＳＡＷ共振子の周波数変化を比較できるので、測定精度の改善と、力検知ユニットの温度ドリフトの除去と、小型化に加え、加速度センサに用いればＺ軸、Ｘ軸２軸の加速度が測定できるとうい効果がある。

一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の凹陥部を夫々形成することにより形成した２個の薄肉部を有すると共に中央部及び両端部に夫々厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された４つのＩＤＴ電極及び複数の反射器を有した力感応素子と、前記力感応素子の２個の端部厚肉部の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板と、を備えた力検知ユニットであって、一方の前記薄肉部上には少なくとも２個のＩＤＴ電極の夫々の一部が配置されると共に、該ＩＤＴ電極に前記反射器が近接配置され、他方の前記薄肉部上には少なくとも２個のＩＤＴ電極の夫々の一部が配置されると共に、各ＩＤＴ電極に前記反射器が近接配置された力検知ユニットを構成する。
以上のように力検知ユニットを構成すると、２個の２ポートＳＡＷ共振子を構成しているので、測定精度の向上と、加速度センサに用いればＺ軸、Ｘ軸２軸の加速度が測定できるとうい効果がある。

一方の主面の略中央部に薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板の一方の主面をエッチングにより薄肉化し、前記圧肉部の少なくとも一方の前記エッチングパターンを格子状、又はドット状に構成した圧電基板の製造方法である。
以上のように力検知ユニットを構成すると、圧電基板の形状を容易に形成できるので、感度のよい、小型の力検知ユニットが構成できるという効果がある。
上記の力検知ユニットと、発振回路と、信号処理回路と、を備えた加速度センサを構成する。
以上のように、加速度センサを構成すると、弾性表面波振動を用いているので、高精度、小型、薄型のセンサが構成できると共に、１個の力検知ユニットで２軸方向の加速度が検知できるという効果がある。

本発明の第１の実施例の力検知ユニット１の構成を示した図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）（ｃ）はＱ１−Ｑ１、Ｑ２−Ｑ２における断面図。 セラミックパッケージに収容した力検知ユニットを示す図。 力検知ユニット１の力無印加時の動作を説明する図。 （ａ）（ｂ）は力検知ユニット１の力印加時の動作を説明する図。 第２の実施例の力検知ユニットのＩＤＴ電極構成を示す図。 （ａ）（ｂ）は夫々力検知ユニット１の力無印加時、力印加時の周波数応答を示す図。 （ａ）〜（ｅ）は力検知ユニット１の出力の信号処理を説明する図。 第３の実施例の力検知ユニット構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）（ｃ）はＱ１−Ｑ１、Ｑ２−Ｑ２における断面図。 第４の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第４の実施例の力無印加時の周波数応答（実線）と、力印加時の周波数応答（破線）を示す図。 第５の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第６の実施例の構成を示す断面図。 第７の実施例の構成を示す断面図。 第８の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第９の実施例（金属膜が上）の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第９の実施例（金属膜が下）の構成を示す断面図。 第１０の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第１１の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第１２の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第１３の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第１３の実施例の動作説明する図であり、（ａ）はＺ軸方向に力が印加された時の状態を示す図、（ｂ）はＸ軸方向に力が印加された時の状態を示す図。 第１４の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 第１５の実施例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図。 （ａ）〜（ｇ）はコ字状圧電基板の製造方法を説明するフロー図。 （ａ）〜（ｃ）は中央部に凹陥部を有する圧電基板を製造するフロー図。 （ａ）〜（ｄ）は中央部に凹陥部を有する圧電基板を製造するフロー図。 加速度センサの構成を示す斜視図。 従来の外力センサの構成を示す側面図。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態としての力検知ユニットの構成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）、同図（ｃ）は夫々Ｑ１−Ｑ１、及びＱ２−Ｑ２における断面図である。本発明に係る力検知ユニット１は、平行な２本の細幅帯状の圧電片８ａ、８ｂを連結支持部９によりコ字状に一体化した圧電基板８と、２本の圧電片８ａ、８ｂの各一方の主面（上面）から連結支持部９にかけて夫々形成された送信用及び受信用の各ＩＤＴ電極１０、１１及び１２、１３（以下、送受一対のＩＤＴ電極、という）と、を有した力感応素子Ｓと、力感応素子Ｓの連結支持部９の他方の主面（下面）を接着保持する支持基板Ｐと、を備えた力検知ユニット１である。そして、一方の圧電片８ａに形成した送受一対のＩＤＴ電極１０、１１と、他方の圧電片８ｂに形成した送受一対のＩＤＴ電極１２、１３と、を夫々並列接続する。更に、他方の圧電片８ｂに形成した送受一対のＩＤＴ電極１２、１３のうち、受信側のＩＤＴ電極１３を反転接続して構成する。また、６個のボンディングパッド２０ａ〜２０ｆは連結支持部９の左側に形成し、その外側と、圧電片８ａ、８ｂの右側端部とには夫々音波吸収材２５を塗布する。

図１（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極１０の上のバスバーをボンディングパッド２０ａに、ＩＤＴ電極１０の下のバスバーと、ＩＤＴ電極１１の上のバスバーとをボンディングパッド２０ｂに、ＩＤＴ電極１１の下のバスバーをボンディングパッド２０ｃに、夫々接続する。更に、ＩＤＴ電極１２の上のバスバーをボンディングパッド２０ｄに、ＩＤＴ電極１２の下のバスバーと、ＩＤＴ電極１３の上のバスバーとをボンディングパッド２０ｅに、ＩＤＴ電極１３の下のバスバーをボンディングパッド２０ｆに、夫々接続する。そして、ボンディングパッド２０ａと２０ｄを接続し、ボンディングパッド２０ｂと２０ｅを接続して入力側のＩＤＴ電極１０、１２を並列接続する。同様に、ボンディングパッド２０ｃと２０ｆを接続し、出力側のＩＤＴ電極１１、１３を並列接続して、本発明に係る力検知ユニット１を構成する。なお、ボンディングパッド２０ｂと２０ｅは接地する。ＩＤＴ電極１０〜１３は、互いに間挿し合う複数の電極指からなり、その電極材料はアルミニウム合金等を用いる。ＩＤＴ電極１０〜１２における電極指のバスバーへの接続と、ＩＤＴ電極１３における電極指のバスバーへの接続とは異なるように形成する。ＩＤＴ電極１０とＩＤＴ電極１２の極性が互いに同相に、且つＩＤＴ電極１１とＩＤＴ電極１３の極性が互いに逆相となるように接続する。

図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、一方の圧電片８ａ及び連結支持部９は、均一厚の厚肉部であり、他方の圧電片８ｂは、前記厚肉部よりも薄い薄肉部を有するように、圧電基板８を構成する。図１（ｂ）に示すように、トラックＴ１を構成する連結支持部９と圧電片８ａとの厚さは、圧電片８ａに垂直方向から外力が加えられた場合にも撓まないような厚さとする。一方、トラックＴ２を構成する連結支持部９と圧電片８ｂの厚さは、連結支持部９と圧電片８ｂとの境界近傍で漸減し、圧電片８ｂの薄肉部は一様の厚さに形成されている。圧電片８ｂに垂直方向から外力が加えられた場合には圧電片８ｂが撓むように構成されている。図１（ａ）に示した実施例では、各圧電片８ａ、８ｂに送受一対のＩＤＴ電極を形成した例を示したが、送受二対、送受三対のＩＤＴ電極を設けてもよい。

図２は、支持基板Ｐとしてセラミックパッケージを用いた例で、力検知ユニット素子Ｓの連結支持部９の裏面側を、セラミックパッケージの凹陥部の内底面に接着剤３０を用いて接着固定し、力検知ユニット素子Ｓのボンディングパッドと、セラミックパッケージの周縁に形成した電極部とを、ボンディングワイヤ３５にて接続して力検知ユニット１を構成した例である。なお、図２に示した力検知ユニット１は、力検知ユニット素子１とセラミックパッケージＰの電極部とのボンディング回数を少なくするため、リード電極の配線とボンディングパッドの位置とに工夫を施した例である。

図３、図４は、本発明の動作を説明するためのＩＤＴ電極の概略図であって、図３は力検知ユニットに外力が加わっていない状態（外力無印加時）を、図４は外力Ｆが加わった状態（外力印加時）を示している。ＩＤＴ電極１０、１２を並列接続して入力側とし、ＩＤＴ電極１１、１３を並列接続して出力側とする。入力側のＩＤＴ電極１０、１２に高周波電圧を加えて弾性表面波を励起し、該弾性表面波がトラックＴ１、Ｔ２上を伝搬し、出力側のＩＤＴ電極１１、１３に到達して、ＩＤＴ電極１１、１３上に電荷が発生する。図３はある瞬間の電荷の発生状態を示したものである。ＩＤＴ電極１３の電極指とバスバーとの接続が、他のＩＤＴ電極１０〜１２と異なる、つまり反転しているため、ＩＤＴ電極１１、１３を並列接続すると、ＩＤＴ電極１１、１３上に発生した電荷は互いに打ち消し合い、出力ＯＵＴの電圧はほぼ零となる。

一方、入力側ＩＤＴ電極１０、１２に高周波電圧を加えて弾性表面波を励起した状態で、図４（ａ）に示すように力検知ユニットに外力Ｆが印加された場合を考える。トラックＴ１を構成する連結支持部９と圧電片８ａとは、肉厚に形成されているため、外力Ｆが印加された場合にも撓まず、圧電片８ａに歪みは生じない。しかるに、トラックＴ２を構成する連結支持部９と圧電片８ｂとは、連結支持部９と圧電片８ｂとの境界近傍で厚さが漸減し、圧電片８ｂは一様な薄肉に形成されている。このため外力Ｆが圧電片８ｂに印加されると、圧電片８ｂは撓み、圧電片８ｂ全体に歪みが生じる。歪みが生じている状態では、弾性表面波の伝搬速度が変化し、図４（ｂ）に示すように、ある瞬間にＩＤＴ電極１３に発生する電荷は、同時刻にＩＤＴ電極１１に発生する電荷と異なる。その結果、ＩＤＴ電極１１、１３を並列接続した出力ＯＵＴには、ＩＤＴ電極１１、１３の夫々に発生した電荷の差が発生することになる。ＩＤＴ電極１３に発生する電荷は印加する外力に応じて変化するので、出力ＯＵＴの電荷（電圧）により印加された力の大きさが分かる。

図５は、本発明に係る力検知ユニットとしての第２の実施例を示す図であり、ＩＤＴ電極１０〜１３とその接続状態のみを示す図である。圧電片８ａ、８ｂ、連結支持部９からなる圧電基板８と、リード電極と、ボンディングパッド２０ａ〜２０ｆと、音波吸収材２５と、は図示しないが、図１と同様に構成されている。ただ、図１と異なる点は、図５に示す第２の実施例では、圧電片８ａ、８ｂに形成した送受一対のＩＤＴ電極１０〜１３の中、受信側のＩＤＴ電極１１の極性を反転し、ＩＤＴ電極１３では、左から奇数番目の電極指を接地して構成している。これに対し、図１のＩＤＴ電極１３では左から偶数番目が接地されている。要するに、夫々送受一対のＩＤＴ電極１０、１１とＩＤＴ電極１２、１３との間で、位相差が互いに１８０°異なるように構成されている。図１と同様に、ＩＤＴ電極１０、１２を並列接続して入力側ＩＮとし、ＩＤＴ電極１１、１３を並列接続して出力側ＯＵＴとする。図５に示すＩＤＴ電極構成で、入力ＩＮ側のＩＤＴ電極１０、１２に高周波電圧を加えて弾性表面波を励起し、該弾性表面波がトラックＴ１、Ｔ２上を伝搬し、出力側のＩＤＴ電極１１、１３に到達して、ＩＤＴ電極１１、１３に電荷が発生する。ＩＤＴ電極１１とＩＤＴ電極１３とは極性を反転しているため、ＩＤＴ電極１１、１３を並列することにより、ＩＤＴ電極１１、１３上に発生した電荷は互いに打ち消し合い、出力ＯＵＴ側の電荷（電圧）はほぼ零となる。図５の力検知ユニットに力外Ｆが印加されると、トラックＴ１は歪まないので弾性表面波の伝搬速度に変化はないが、トラックＴ２は外力Ｆによる歪みのために、弾性表面波の伝搬速度が変化し、出力ＯＵＴに電荷（電圧）が発生する。この電圧により印加された力の大きさを測定する。

図６（ａ）は、図１に示した力検知ユニット１に外力Ｆを加えない状態で、入力側に高周波電圧を印加した場合、出力側に発生した電圧波形を示した図である。出力電圧は、ＩＤＴ電極間の長さの精度、ＩＤＴ電極を構成する電極指の精度等により、完全には零とならないが、極めて小さい。一方、図６（ｂ）は、入力側に高周波電圧を印加した状態で、外力Ｆを加えた場合の出力側に発生する電圧波形を示した図である。

図７は、力検知ユニットの出力側に発生する電圧から印加された外力Ｆの大きさを求める処理方法の一例を示した図である。力検知ユニットの入力側に（ａ）の高周波電圧信号が入力されると、出力側から外力に応じて（ｂ）の出力電圧が得られる。この出力電圧を全波整流すると（ｃ）の波形の電圧が得られる。この電圧を（ｄ）の積分回路に入力すると、（ｅ）に示す直流電圧が得られる。この直流電圧の大きさから印加された外力Ｆの大きさを求める。

図８は、力検知ユニットに係る第３の実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）、（ｃ）は夫々Ｑ１−Ｑ１、Ｑ２−Ｑ２における断面図である。第３の実施例の力検知ユニットは、図８（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極１０〜１３と、リード電極と、ボンディングパッドとは、図１に示した第１の実施例と同様である。しかし、圧電基板８は、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、一方の圧電片８ａ及び連結支持部９は、均一厚の厚肉部であり、他方の圧電片８ｂは、その一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部（連結支持部９と厚肉部８ｄ）を有している。第３の実施例の力検知ユニットの特徴は、図１に示した第１の実施例の力検知ユニットに比べ、圧電片８ｂの端部に厚肉部８ｄを設けているので、力検知ユニットの感度を高めることができる。例えば、この力検知ユニットを加速度検知ユニットとして用いると、加速度×質量が力となり、質量が大きい程、検出感度を高められるからである。図８に示した第３の実施例の場合も、各振動片８ａ、８ｂに形成するＩＤＴ電極の対数は少なくとも１対とする。

図９は、力検知ユニットに係る第４の実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第４の実施例の力検知ユニット２は、一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８と、圧電基板８の他方の主面上の両端部寄りに夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極１０、１１と、を有した力感応素子Ｓと、力感応素子Ｓの一方の厚肉部８ｄ１の一方の主面側を接着剤３０により接着保持する支持基板Ｐと、を備えた力検知ユニット２である。接着剤３０の厚みを利用して圧電基板８の他方の厚肉部８ｄ２を支持基板Ｐ上から離間させた片持ち支持とした力検知ユニットを構成する。

図９（ａ）に示すように、略中央部に凹陥部８ｃを形成した細幅帯状の圧電基板８の両端部寄りであって、厚肉部８ｄ１、８ｄ２と対向する主面にＩＤＴ電極１０、１１を夫々形成する。厚肉部８ｄ１の端にボンディングパッド２０ａ、２０ｂ、２０ｃを形成し、その外側と、厚肉部８ｄ２の端部とに音波吸収材２５を塗布する。ＩＤＴ電極１０の上のバスバーと、ボンディングパッド２０ａとをリード電極にて接続し、ＩＤＴ電極１０の下のバスバー及びＩＤＴ電極１１の上のバスバーをリード電極にてボンディングパッド２０ｂと接続する。ＩＤＴ電極１１の下のバスバーと、ボンディングパッド２０ｃとをリード電極にて接続し、ボンディングパッド２０ａ、２０ｂ、２０ｃは支持基板Ｐの電極部Ｔにボンディングワイヤで夫々接続して力検知ユニット２を構成する。なお、図９（ａ）に示した第４の実施例の場合も、圧電基板８に形成するＩＤＴ電極の対数は少なくとも１対とする。

ＩＤＴ電極１０と１１とで遅延型の弾性表面波共振子を構成し、ＩＤＴ電極１０、１１の波長λで決まる共振周波数ｆ０を有する。ＩＤＴ電極１０に高周波電圧を印加すると、ＩＤＴ電極１１から共振周波数ｆ０の応答が得られる。いま、圧電基板８の厚肉部８ｄ２に外力Ｆが加わると凹陥部８ｃの薄肉部が撓んで、薄肉部に歪みが生じる。ＩＤＴ電極１０に高周波電圧を印加した状態で、厚肉部８ｄ２に外力Ｆを加えると、外力Ｆに応じた歪みが生じ、前記薄肉部を伝搬する弾性表面波の速度が変化する。その結果、ＩＤＴ電極１１でピックアップする周波数が変化することになる。図１０は、図９に示す力検知ユニット２の入力ＩＤＴ電極１０に高周波電圧を印加し、出力ＩＤＴ電極１１でピックアップした場合の周波数応答を示す図で、実線は力検知ユニット２に外力を加えない場合（力無印加時）の周波数応答（通常応答）を示した図である。破線は、力検知ユニット２に力を加えた場合（力印加時）の周波数応答（応力印加応答）を示した図である。力検知ユニット２に力を加えた場合は、弾性表面波の伝搬路である薄肉部に歪みが生じているために、弾性表面波の伝搬速度が変化し、共振周波数が低周波側にシフトする。周波数のシフトは印加する力Ｆに応じて変化する。従って、周波数のシフト量を測定することにより、印加された力Ｆの大きさを計ることできる。

図１１は、力検知ユニットに係る第５の実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第５の実施例の力検知ユニット２は、一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に、両端部に厚肉部８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８と、該圧電基板８の他方の主面上の両端部寄りに夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極１０、１１と、を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの一方の厚肉部８ｄ１の一方の主面側を接着保持する支持基板Ｐと、を備えた力検知ユニットである。そして、支持基板Ｐの所定の位置に接着剤３０を塗布し、その上に所定の厚みを有した接合材３３を乗せ、その上に接着剤３０を塗布し、これに圧電基板８の一方の厚肉部８ｄ１を載置して圧電基板８を接着保持し、且つ他方の厚肉部８ｄ２を支持基板Ｐの面から離間させた片持ち支持とした力検知ユニット２を構成する。または、支持基板Ｐ面に設けた突部（図示せず）に接着剤３０を塗布し、これに圧電基板８の一方の厚肉部８ｄ１を載置して、圧電基板８を接着保持し、且つ他方の厚肉部８ｄ２を支持基板Ｐの面から離間させた片持ち支持とした力検知ユニット２を構成する。なお、図１１（ａ）に示した第５の実施例の場合も、圧電基板８に形成するＩＤＴ電極の対数は少なくとも１対とする。

図１１に示す第５の実施例の構成が、図９に示した第４の実施例の構成と異なる点は、支持基板Ｐと接着剤３０との間に、接着剤３０を塗布した適当な厚みの接合材３３とを挟んで、支持基板Ｐの面と、圧電基板８の厚肉部８ｄ２との間の隙間を広げた点である（図９では接着剤の厚みにより片持ち支持としている）。又は、接合材３３の代わりに所定の厚みの突部（図示せず）を支持基板Ｐに予め形成しておいてもよい。このように接合材３３、又は突部のある支持基板Ｐを用いて、第５の実施例の力検知ユニットを構成にすれば、接着剤３０の厚みにバラツキが生じた場合、圧電基板８に外力Ｆが加わり、凹陥部８ｃの薄肉部に撓みが生じても、厚肉部８ｄ２が支持基板Ｐの面と接着し、測定誤差を来すことはない。
また、接合材３３の具体例としては、半田バンプやＡｕバンプなどがある。支持基板がアルカリ金属イオンを含むガラスである場合は、力感応素子の支持基板側にＡｌ膜などを設けることにより力感応素子と支持基板を陽極接合することも可能である。

図１２は、力検知ユニットに係る第６の実施例の構成を示す断面図である。第６の実施例の力検知ユニットが第４の実施例と異なる点は、第４の実施例の圧電基板８の厚肉部８ｄ２の上に他の圧電基板、あるいは他のチップ部品を接着固定した点である。チップ部品には発振回路部品等も含まれる。支持基板Ｐ上に一方の厚肉部８ｄ１を接着保持される圧電基板８の他方の厚肉部８ｄ２の他方の主面上に重りとして、他の圧電基板７、或いは発振回路部品（その他の回路部品）を接着して力検知ユニットを構成する。このように構成した力検知ユニットを、例えば加速度センサに用いれば、圧電基板７、又は発振回路部品の重さにより、加速度センサの感度が向上するという効果がある。

図１３は、力検知ユニットに係る第７の実施例の構成を示す断面図である。第７の実施例の力検知ユニット２が第４の実施例と異なる点は、第４の実施例の圧電基板８の厚肉部８ｄ２の上に金属フィラー接着剤４１を塗布して設けた点である。つまり、支持基板Ｐ上に一方の厚肉部８ｄ１を接着保持される圧電基板８の他方の厚肉部８ｄ２の一方の主面、又は／及び、他方の主面に重りとしての金属フィラー接着剤４１を配置した力検知ユニットを構成する。このように構成した力検知ユニットを、例えば加速度センサに用いれば、金属フィラー接着剤４１の重さにより、加速度センサの感度が向上するという効果ある。

図１４は、力検知ユニットに係る第８の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第８の実施例の力検知ユニット３は、一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、該圧電基板８の他方の主面上に形成されたＩＤＴ電極１０及びグレーティング反射器（以下、反射器と称す）１５を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの一方の厚肉部８ｄ１の一方の主面側を接着保持する支持基板Ｐと、を備えた力検知ユニットである。そして、ＩＤＴ電極１０を前記薄肉部上に配置し、２個の反射器１５、１５を両厚肉部８ｄ１、８ｄ２上に夫々配置する。また、ボンディングパッド２０ａ、２０ｂは圧電基板８の厚肉部の隅部に形成する。ＩＤＴ電極１０の上のバスバーをリード電極にてボンディングパッド２０ａに接続し、下のバスバーをリード電極にてボンディングパッド２０ｂに接続して力検知ユニット３を構成する。

図１４に示す力検知ユニット３は、ＩＤＴ電極１０と、その両側に配置した２個の反射器１５、１５と、で弾性表面波共振子（ＳＡＷ共振子）を構成し、その共振周波数ｆ０はＩＤＴ電極１０の波長λで決まる。ボンディングパッド２０ａ、２０ｂに発振回路を接続すると、発振回路の出力端子から周波数ｆ０が得られる。発振させた状態で、圧電基板８に外力Ｆを印加すると、圧電基板８の前記薄肉部に歪みが生じ、この歪みにより圧電基板８の表面を伝搬する弾性表面波の伝搬速度が変化する。伝搬速度が変化することにより、ＳＡＷ共振子の共振周波数ｆ０がｆ’０に変化し、発振回路からの出力周波数はｆ’０になる。周波数変化量（ｆ０−ｆ’０）は、印加する力に応じて変化する。周波数変化量（ｆ０−ｆ’０）から加わった外力Ｆの大きさを知ることがきる。

図１５は、力検知ユニットに係る第９の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第９の実施例の力検知ユニットは、支持基板Ｐ上に一方の厚肉部８ｄ１を接着保持される圧電基板８の他方の厚肉部８ｄ２の一方の主面、又は／及び、他方の主面に重りとしての金属膜４０を蒸着するか、又は金属部材４０を接着した力検知ユニットを構成する。圧電基板８、ＩＤＴ電極１０、グレーティング反射器１５、リード電極、ボンディングパッド２０ａ、２０ｂは、図１４に示した第８の実施例と同様に構成する。つまり、第９の実施例の力検知ユニットが、第８の実施例の力検知ユニットと異なる点は、圧電基板８の厚肉部８ｄ２の上、又は下、あるいは上下に重りとなる金属膜４０、又は金属部材４０を接着した点である。図１６は、第９の実施例の構成を示す断面図で、厚肉部８ｄ２の下部に金属膜４０、又は金属部材４０を接着した例である。
図１５、図１６に示すように構成した力検知ユニットを、例えば加速度センサに用いれば、金属膜４０、又は金属部材４０の重さにより、加速度センサの感度が向上するという効果ある。

図１７は、力検知ユニットに係る第１０の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第１０の実施例の力検知ユニットは、一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、該圧電基板８の他方の主面上に形成されたＩＤＴ電極１０及び２個の反射器１５、１５を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの一方の厚肉部８ｄ１の一方の主面側を接着保持する支持基板Ｐ（図示せず）と、を備えた力検知ユニット３である。そして、ＩＤＴ電極１０及び２個の反射器１５、１５を凹陥部８ｃの上の薄肉部上に配置して力検知ユニット３を構成する。第１０の実施例が第８の実施例と異なる点は、ＩＤＴ電極１０と２個の反射器１５、１５とを全て薄肉部上に配置した点である。このように力検知ユニットを構成すると、音波吸収材が不要となり、更に、ＩＤＴ電極１０及び２個の反射器１５、１５のＳＡＷ共振子を構成する要素すべての伝搬速度及び周波数が変化するため、印加する力に対する周波数の変動量が高まり、力の検出感度を高めることができる。

図１８は、力検知ユニットに係る第１１の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第１１の実施例の力検知ユニットは、一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、該圧電基板８の他方の主面上に形成した２個のＩＤＴ電極１０、１１及び４個の反射器１５を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの一方の厚肉部８ｄ１の一方の主面側を接着保持する支持基板Ｐ（図示せず）と、を備えた力検知ユニットである。一方のＩＤＴ電極１０及び１個の反射器１５を一方の厚肉部８ｄ１上に配置し、他方のＩＤＴ電極１１の少なくとも一部を前記薄肉部上に配置すると共に、他の２個の反射器１５、１５をＩＤＴ電極１０、１１の間に配置し、残りの１個の反射器１５を他の厚肉部８ｄ２上に配置して力検知ユニット４を構成する。

基準用のＳＡＷ共振子素子を構成するＩＤＴ電極１０は、圧電基板８の厚肉部８ｄ１上に形成されるので、圧電基板８に外力Ｆが印加された場合でも厚肉部８ｄ１に歪みが生ぜず、基準用ＳＡＷ共振子素子の共振周波数ｆ１は変化しない。一方、検出用のＳＡＷ共振子素子を構成するＩＤＴ電極１１は薄肉部に配置されているため、圧電基板８に外力Ｆが印加されと薄肉部に歪みが生じ、検出用ＳＡＷ共振素子の共振周波数ｆ２は、印加される外力Ｆの大きさに応じて変化する。基準用及び検出用の夫々のＳＡＷ共振子素子の共振周波数の差（ｆ１−ｆ２）は印加される力Ｆの大きさに応じて変化する。基準用及び検出用の夫々のＳＡＷ共振子素子は、同じ圧電基板８上に、同じ電極構成、電極膜厚等で構成されているので、力検知ユニットの周囲の温度が変化しても、ｆ１及びｆ２は共にほぼ同じ周波数だけ変化する。そのため、温度変化による力検知ユニットの温度ドリフトを取り除くことができる。

図１９は、力検知ユニットに係る第１２の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第１２の実施例の力検知ユニットは、一方の主面の略中央部に凹陥部８ｃを形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、圧電基板８の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極１０、１１及び３個の反射器１５を有した力感応素子Ｓと、応力感応素子Ｓの一方の厚肉部８ｄ１の一方の主面側を接着保持する支持基板Ｐ（図示せず）と、を備えた力検知ユニットである。一方のＩＤＴ電極１０及び一個の反射器１５を一方の厚肉部８ｄ１上に配置して基準用のＳＡＷ共振子とし、他方の前記ＩＤＴ電極１１の少なくとも一部を前記薄肉部上に配置すると共に、他の２個の反射器１５を両ＩＤＴ電極１０、１１の間と、他方の厚肉部８ｄ２上に夫々配置して検出用のＳＡＷ共振子した力検知ユニット４を構成する。図１８に示した第１１の実施例の力検知ユニットとの相違点は、ＩＤＴ電極１０と１１との間に配置した２個の反射器１５を１個の反射器１５として反射器を共用した点である。また、図１９に示すように、厚肉部８ｄ２の下側の面に重り用として金属膜、あるいは金属部材４０を接着することにより力検知ユニット４の感度が向上する。
図１９に示す第１２の実施例の力検知ユニットの動作は、図１８に示した第１１の実施例の力検知ユニットの動作と同様であるので説明を省略する。また、第１２の実施例の力検知ユニットの寸法の一例を挙げると、長方形圧電基板８の長さは５ｍｍ、厚さは６０μｍ〜７０μｍ、薄肉部の厚さは１０μｍ程度である。

図２０は、力検知ユニットに係る第１３の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第１３の実施例の力検知ユニット５は、長方形状の圧電基板の一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の同一幅の凹陥部８ｃ１、８ｃ２を形成することにより夫々形成した２個の薄肉部を有すると共に、中央部及び両端部に夫々厚肉部８ｅ、８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、該圧電基板８の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極１０、１１及び複数の反射器１５を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの２個の端部厚肉部８ｄ１、８ｄ２の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板Ｐ（図示せず）と、を備えた力検知ユニット５である。前記２個の薄肉部上に夫々一個のＩＤＴ電極１０、１１の少なくとも一部を配置し、２個の端部厚肉部８ｄ１、８ｄ２上に夫々一つずつ反射器１５と１５を配置し、他の一個の反射器１５を中央厚肉部８ｅ上に配置して力検知ユニット５を構成する。

両凹陥部８ｃ１、８ｃ２の夫々の薄肉部上に１個ずつ形成されたＩＤＴ電極１０、１１と、それらの両側に夫々１個ずつ形成された反射器１５とで、２つのＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２が構成される。例えば、外力Ｆが印加されない状態（力無印加時）における、夫々のＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２の共振周波数をｆ１、ｆ２とする。図２０に示すように、長方形状の圧電基板８の長手方向をＸ軸、幅方向をＹ軸、厚さ方向をＺ軸とする。いま、圧電基板８に厚さ方向（Ｚ軸）の加速度（＋Ｚ加速度）が印加され、外力Ｆｚ（加速度×質量）が加わると、図２１（ａ）に示すように、圧電基板８上の両凹陥部８ｃ１、８ｃ２の夫々の薄肉部は伸張の歪みが生じる。従って、夫々の薄肉部上に形成された両ＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２の共振周波数は変化し、ｆ’１、ｆ’２となる。周波数差（ｆ１−ｆ’１）、（ｆ２−ｆ’２）から印加された力Ｆの大きさを測定することができる。また、付加する信号処理回路により、加速度による外力Ｆが印加される前後の、ＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２の夫々の共振周波数の和と差、つまり（ｆ１＋ｆ２）−（ｆ’１＋ｆ’２）を用いることにより加速度の測定精度を上げ、測定感度を２倍にすることができる。また、中央部の厚肉部８ｅを大きくするか、該厚肉部８ｅに重りを負荷することにより感度を高めることができる。

圧電基板８に長さ方向（Ｘ軸）の加速度（＋Ｘ加速度）が印加され、外力Ｆｘが加わると、図２１（ｂ）に示すように、圧電基板８上の凹陥部８ｃ１の薄肉部には伸張歪みが生じ、凹陥部８ｃ２の薄肉部には圧縮歪みが生じる。従って、＋Ｘ方向の加速度による力Ｆｘが加わると、両ＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２の共振周波数ｆ１、ｆ２の変化は、互いに反対にシフトしてｆ’１、ｆ’２になる。つまり、（ｆ１−ｆ’１）＋（ｆ２−ｆ’２）、周波数差（ｆ’１−ｆ’２）を測定することによりＸ軸方向の加速度、外力を測定することができる。

図２２は、力検知ユニットに係る第１４の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第１４の実施例の力検知ユニット５は、長方形の圧電基板の一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の同一幅の凹陥部８ｃ１、８ｃ２を形成することにより夫々形成した２個の薄肉部を有すると共に、中央部より少し離れた位置及び両端部に夫々厚肉部８ｅ、８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、該圧電基板８の他方の主面上に形成された３つのＩＤＴ電極１０、１１、１２及び複数の反射器１５を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの２個の端部厚肉部８ｄ１、８ｄ２の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板Ｐ（図示せず）と、を備えた力検知ユニット５である。前記２個の薄肉部上に夫々一個のＩＤＴ電極１１、１２の少なくとも一部を配置し、２個の端部厚肉部８ｄ１、８ｄ２上の一方に残りのＩＤＴ電極１０を配置し（図２２の例では厚肉部８ｄ１上にＩＤＴ電極１０を配置）、２個の端部厚肉部８ｄ１、８ｄ２上であってＩＤＴ電極１０、１２の外側に反射器１５を夫々１個ずつ配置し、他の２個の反射器１５を３個のＩＤＴ電極１０、１１、１２の間に夫々配置した力検知ユニット５を構成する。

第１４の実施例の力検知ユニット５が、図２０に示した第１３の実施例の力検知ユニットと異なる点は、第１３の実施例の厚肉部上に１個のＩＤＴ電極と１個の反射器が付加され、且つ付加したＩＤＴ電極は厚肉部上に形成されている点である。図２２の力検知ユニットにおいて、ＩＤＴ電極１１、１２と、該ＩＤＴ電極１１、１２の両外側の２個の反射器１５と、内側の１個の反射器１５とは、図２０に示した力検知ユニットと同様に作用する。ＩＤＴ電極１０とその両側の反射器１５は、ＩＤＴ電極１０が厚肉部８ｄ１上に形成されているので、加速度等による外力Ｆの影響を受けず、ＩＤＴ電極１０とその両側の反射器１５が構成するＳＡＷ共振素子Ｓ０の共振周波数ｆ０は変化しない。

図２２に示す力検知ユニットに加速度等による外力Ｆが印加される場合を考える。ＩＤＴ電極１１、１２と夫々の両側の反射器１５とにより構成するＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２の、力無印加時の共振周波数をｆ１、ｆ２とする。外力Ｆが印加されると、ｆ１、ｆ２は夫々ｆ’１、ｆ’２へと変化する。ＳＡＷ共振素子Ｓ０の共振周波数ｆ０は変化しないので、この周波数ｆ０を基準として、（ｆ０−ｆ’１）、（ｆ０−ｆ’２）、（（２ｆ０−（ｆ’１＋ｆ’２））、（ｆ’１−ｆ’２）等を測定することにより、Ｚ軸方向、Ｘ軸方向の加速度の大きさを求めることができる。この力検知ユニットの特徴は、３個のＳＡＷ共振素子Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２の温度特性が共に同じ特性を有していることに加え、基準周波数となるＳＡＷ共振素子Ｓ０を備えているため、短時間で温度が変化する測定環境にも対応できることである。

図２３は、力検知ユニットに係る第１５の実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ１−Ｑ１における断面図である。第１５の実施例の力検知ユニット５は、長方形の圧電基板の一方の主面に所定の間隔を隔てて２つの同一幅の凹陥部８ｃ１、８ｃ２を夫々形成することにより形成した２個の薄肉部を有すると共に、中央部及び両端部に夫々厚肉部８ｅ、８ｄ１、８ｄ２を有した圧電基板８、該圧電基板８の他方の主面上に形成された４つのＩＤＴ電極１０、１１、１２、１３及び複数の反射器１５を有した力感応素子Ｓと、該力感応素子Ｓの２個の端部厚肉部８ｄ１、８ｄ２の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板Ｐ（図示せず）と、を備えた力検知ユニット６である。一方の前記薄肉部上には少なくとも２個のＩＤＴ電極１０、１１の夫々の一部が配置されると共に、該ＩＤＴ電極１０、１１の内側及び両外側に夫々反射器１５が近接配置されている。また、他方の前記薄肉部上には少なくとも２個のＩＤＴ電極１２、１３の夫々の一部が配置されると共に、ＩＤＴ電極１２、１３の内側及び両外側に反射器１５が近接配置された力検知ユニット６を構成する。

図２３に示す力検知ユニット６において、ＩＤＴ電極１０、１１と、該ＩＤＴ電極１０、１１の内側及び両外側に配置された反射器１５とで、２つのＳＡＷ共振素子Ｓ３を構成する。同様にＩＤＴ電極１２、１３と、該ＩＤＴ電極１２、１３の内側及び両外側に配置された反射器１５とで、２つのＳＡＷ共振素子Ｓ４を構成する。この２組のＳＡＷ共振素子Ｓ３、Ｓ４は、図２０に示した２個のＳＡＷ共振素子Ｓ１、Ｓ２と同様に機能し、Ｚ軸方向の加速度による力Ｆｚに対して、図２１（ａ）に示すように変位し、伸張歪みを生じさせるのも同様であるが、より局所的な応力も捉えることが可能となり、感度を高めることが可能である。ここでは、２組のＳＡＷ共振子を各々２個のＳＡＷ共振子から構成したが、更に多くのＳＡＷ共振子を配置し、検出感度を高めても良い。

図２０、図２２、図２３に示した第１３、１４、１５の実施例について、圧電基板８に形成した２個の凹陥部８ｃ１、８ｃ２の幅を同一幅として説明した。これは、圧電基板８に外力Ｆが加わるとき、凹陥部８ｃ１、８ｃ２の薄肉部に形成する２個のＳＡＷ共振子の共振周波数の変化が同じになるようにしたためである。凹陥部８ｃ１、８ｃ２の幅は、付加する電極回路による信号処理によって、処理できるので必ずしも同一幅とする必要はない。
以上の説明では、ＩＤＴ電極がいずれも不平衡型の例を説明したが、平衡型のＩＤＴ電極を用いてもよいことは説明するまでもない。

図２４は、図１に示したようのコ字状の圧電基板８の製造方法を説明するためのフロー図である。このフロー図は、図２４の左上隅に示したコ字状の圧電基板８を矢印方向から見た側面図を示している。図２４（ａ）のように平板の矩形状の水晶基板５１を洗浄・乾燥した後、同図（ｂ）のように、真空装置の中に入れ、所定の温度に保ちながら蒸着、あるいはスパッタ等の方法で、水晶基板５１の両主面にクロムを蒸着し、続いて金を蒸着し、クロム５２と金５３の薄膜を形成する。次に、図２４（ｃ）に示すようにクロムと金の薄膜５２、５３の上にレジスト膜５４を塗布し、乾燥する。レジスト膜５４を、マスクを介して露光、現像し、露光した部分のレジスト膜５４剥離すると、図２４（ｄ）に示すようにレジスト膜５４が所望の形状に加工される。次に金、クロムのエッチング液に夫々浸漬し、露呈した金属膜を剥離すると、図２４（ｅ）に示すようにエッチングする部分の金、クロム薄膜が除去される。これを水晶エッチング液中で所定の時間エッチングすると、図２４（ｆ）に示すように所望の形状にエッチングされる。レジスト膜５４、金薄膜５３、クロム膜５２を剥離して、図２４（ｇ）に示すコ字状の圧電基板が得られる。水晶基板をエッチングすると結晶の異方性により、軸方向によりエッチング速度が異なり、若干尖った部分が生じる。ドライエッチングの場合は水晶基板に垂直に加工できる。

図２５は、図８に示すようなコ字状の圧電基板８の一方の圧電片の中央部に凹陥部が形成され、両端部に厚肉部を有する圧電基板の製造方法を説明するフロー図である。図２５（ａ）は、同図左上隅の圧電基板８の手前の圧電片を下面、Ａ方向から見た平面図である。圧電片にレジスト膜を塗布し、マスクを介して露光し、エッチングする部分のレジスト膜を剥離し、エッチングをしない部分のレジスト膜、つまり、図２５（ａ）に示すようなレジスト膜５５、５６、５６、５６は残す。図２５（ｂ）、（ｃ）は、圧電基板８を側面Ｂ方向から見た図で、エッチング液に浸漬し、少しエッチングをすると、同図（ｂ）のようにレジスト膜５５、５６、５６、５６が付着した圧電基板が得られる。この圧電基板を更にエッチング液中で所定の時間浸漬すると、図２５（ｃ）に示すような中央部に凹陥部が形成された圧電基板が得られる。

図２６は長方形状の圧電基板の中央部に凹陥部を形成し、両端部の厚肉部が異なった厚さに形成する圧電基板の製造方法を示すフロー図である。図２６（ａ）は裏面図、同図（ｂ）〜（ｄ）は側面図である。長方形状の圧電基板の全面にレジスト膜を塗布し、マスクを介して露光し、エッチングする部分のレジスト膜を剥離すると、図２６（ａ）に示すように、一方の端にはレジスト膜５５が所定の部分残り、他方の端にはレジスト膜５７がドット状に残った圧電基板となる。この圧電基板を水晶エッチング液の中に浸漬すると、図２６（ｂ）の側面図ようにエッチングが進み、更にエッチングを継続すると同図（ｃ）の側面図に示すように、ドット状のレジスト膜５７が剥離した圧電基板となり、所定の時間エッチングすると同図（ｄ）の側面図を示すような圧電基板が得られる。

上記の力検知ユニットと、発振回路６１と、信号処理回路６２、６３と、力検知ユニット１、発振回路６１、信号処理回路６２、６３を収容するハウジング６０と、を備えた加速度センサを構成する。本発明の加速度センサは弾性表面波用いた力検知ユニットを使用するので、小型のみならず、薄型のセンサが得られ、更に１個の力検知ユニットで２軸方向の加速度が検知できる。

１、２、３、４、５、６‥‥力検知ユニット ８‥‥圧電基板 ８ａ、８ｂ‥‥圧電片 ８ｃ、８ｃ１、８ｃ２‥‥凹陥部 ８ｄ１、８ｄ２、８ｅ‥‥厚肉部 ９‥‥連結支持部 １０、１１、１２、１３‥‥ＩＤＴ電極、 １５‥‥グレーティング反射器 ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ‥‥ボンディングパッド ２５‥‥音波吸収材 ３０‥‥接着剤 ３３‥‥接合材 ３５‥‥ボンディングワイヤ ４０‥‥金属部材 ４１‥‥金属フィラー接着剤 ５１‥‥圧電基板 ５２‥‥クロム ５３‥‥金 ５４、５５、５６、５７‥‥レジスト膜 ６０‥‥ハウジング ６１‥‥発振回路 ６２、６３‥‥信号処理回路 １０１‥‥ビーム １０２‥‥外力 １０３、１０４‥‥ＩＤＴ電極 １０５‥‥増幅器 １０６‥‥ミキサー １０７‥‥弾性表面波吸収材 １０８‥‥支持部 １０９‥‥重り １１３‥‥オシレータ出力バッファアンプ １１４‥‥ゼロクロスコンパレータ Ｐ‥‥支持基板 Ｆ‥‥力 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４‥‥ＳＡＷ共振素子 Ｔ‥‥電極部 Ｔ１、Ｔ２‥‥トラック

Claims (15)

1. 一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面上の両端部寄りに少なくとも夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極と、を有した力感応素子と、
   前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着剤により接着保持する、支持基板と、
   を備えた力検知ユニットであって、
   前記接着剤の厚みを利用して前記圧電基板の他方の厚肉部を前記支持基板上から離間させた片持ち支持としたことを特徴とする力検知ユニット。
2. 一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面上の両端部寄りに少なくとも夫々一個ずつ形成したＩＤＴ電極と、を有した力感応素子と、
   前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、
   を備えた力検知ユニットであって、
   所定の厚みを有した接合材、又は支持基板面に設けた突部によって、前記圧電基板の他方の厚肉部を前記支持基板面から離間させた片持ち支持としたことを特徴とする力検知ユニット。
3. 前記接合材として薄板を使用したことを特徴とする請求項２に記載の力検知ユニット。
4. 前記支持基板上に一方の厚肉部を接着保持される前記圧電基板の他方の厚肉部の他方の主面に重りとして他の圧電基板、或いは他のチップ部品を接着したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の力検知ユニット。
5. 前記支持基板上に一方の厚肉部を接着保持される前記圧電基板の他方の厚肉部の一方の主面、又は／及び、他方の主面に重りとしての金属フィラー接着剤を配置したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の力検知ユニット。
6. 前記支持基板上に一方の厚肉部を接着保持される前記圧電基板の他方の厚肉部の一方の主面、又は／及び、他方の主面に重りとしての金属膜を蒸着するか、又は金属部材を接着したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の力検知ユニット。
7. 一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成されたＩＤＴ電極及びその両側に配置した反射器を有した力感応素子と、
   前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、
   を備えた力検知ユニットであって、
   前記ＩＤＴ電極を前記薄肉部上に配置し、前記ＩＤＴ電極の両側に配置した反射器を前記両厚肉部上に夫々配置したことを特徴とする力検知ユニット。
8. 一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成されたＩＤＴ電極及びその両側に配置した反射器を有した力感応素子と、
   前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、
   を備えた力検知ユニットであって、
   前記ＩＤＴ電極及びその両側に配置した反射器を前記薄肉部上に配置したことを特徴とする力検知ユニット。
9. 一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極及び４個の反射器を有した力感応素子と、
   前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、
   を備えた力検知ユニットであって、
   一方の前記ＩＤＴ電極及び一個の反射器を前記一方の厚肉部上に配置し、
   他方の前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部を前記薄肉部上に配置すると共に、他の２個の反射器をＩＤＴ電極間に配置し、残りの一個の反射器を他の厚肉部上に配置したことを特徴とする力検知ユニット。
10. 一方の主面の略中央部に凹陥部を形成することにより形成した薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極及び３個の反射器を有した力感応素子と、
    前記力感応素子の前記一方の厚肉部の一方の主面側を接着保持する支持基板と、
    を備えた力検知ユニットであって、
    一方の前記ＩＤＴ電極及び一個の反射器を前記一方の厚肉部上に配置し、
    他方の前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部を前記薄肉部上に配置すると共に、他の２個の反射器を両ＩＤＴ電極間と他方の厚肉部上に夫々配置したことを特徴とする力検知ユニット。
11. 一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の凹陥部を形成することにより夫々形成した２個の薄肉部を有すると共に中央部及び両端部に夫々厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された２個のＩＤＴ電極及び複数の反射器を有した力感応素子と、
    前記力感応素子の２個の端部厚肉部の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板と、
    を備えた力検知ユニットであって、
    前記２個の薄肉部上に夫々一個のＩＤＴ電極の少なくとも一部を配置し、
    前記２個の端部厚肉部上に夫々一つずつ反射器を配置し、
    他の一個の反射器を前記中央厚肉部上に配置したことを特徴とする力検知ユニット。
12. 一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の凹陥部を形成することにより夫々形成した２個の薄肉部を有すると共に中央部より少し離れた位置及び両端部に夫々厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された３つのＩＤＴ電極及び複数の反射器を有した力感応素子と、
    前記力感応素子の２つの端部厚肉部の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板と、
    を備えた力検知ユニットであって、
    前記２個の薄肉部上に夫々一個のＩＤＴ電極の少なくとも一部を配置し、
    前記２個の端部厚肉部上の一方に残りのＩＤＴ電極を配置し、
    前記２個の端部厚肉部上であって前記各ＩＤＴ電極の外側に前記反射器を夫々１個ずつ配置し、
    他の２個の反射器を前記３個のＩＤＴ電極の間に夫々配置したことを特徴とする力検知ユニット。
13. 一方の主面に所定の間隔を隔てて２個の凹陥部を夫々形成することにより形成した２個の薄肉部を有すると共に中央部及び両端部に夫々厚肉部を有した圧電基板、該圧電基板の他方の主面上に形成された４つのＩＤＴ電極及び複数の反射器を有した力感応素子と、
    前記力感応素子の２個の端部厚肉部の一方の主面側を夫々接着保持する支持基板と、
    を備えた力検知ユニットであって、
    一方の前記薄肉部上には少なくとも２個のＩＤＴ電極の夫々の一部が配置されると共に、該ＩＤＴ電極に前記反射器が近接配置され、
    他方の前記薄肉部上には少なくとも２個のＩＤＴ電極の夫々の一部が配置されると共に、各ＩＤＴ電極に前記反射器が近接配置されていることを特徴とする力検知ユニット。
14. 一方の主面の略中央部に薄肉部を有すると共に両端部に厚肉部を有した圧電基板の、一方の主面をエッチングにより薄肉化し、
    前記厚肉部の少なくとも一方の前記エッチングパターンを格子状、又はドット状に構成したことを特徴とする圧電基板の製造方法。
15. 請求項１乃至１３の何れか一項に記載の力検知ユニットと、発振回路と、信号処理回路と、を備えたことを特徴とする加速度センサ。

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