JP2012036426A - 無電解めっき方法及びled実装用基板 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 42
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 232
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 210
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 116
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 89
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 88
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 134
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical class O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【選択図】 なし
Description
1.無電解めっき方法
1−1.Ni−Pめっき工程
1−2.パラジウム処理工程
1−3.無電解銀めっき工程
2.LED実装用基板
3.他の実施形態
4.実施例
本実施の形態に係る無電解めっき方法は、被めっき物に無電解Ni−Pめっきを施すNi−Pめっき工程と、被めっき物上に形成された無電解Ni−Pめっき皮膜(以下、「Ni−Pめっき皮膜」という)上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
Ni−Pめっき工程では、めっき厚さを均一にすることができ、耐摩耗性に優れている等の観点から、基材となる被めっき物に無電解Ni−Pめっきを施す。
パラジウム処理工程では、被めっき物上に形成されたNi−Pめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、Ni−Pめっき皮膜上にパラジウムを存在させる。このように、Ni−Pめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、後述する無電解銀めっき工程において、Ni−Pめっき皮膜の溶解を抑制し、下地のニッケルへの影響を少なくすることができる。これにより、Ni−Pめっき皮膜と、無電解銀めっき工程で形成される無電解還元による銀めっき皮膜との間の密着性を向上させることができ、高温条件下での銀の変色(例えば、色ムラの発生や黄色への変色)を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。さらに、Ni−Pめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、Ni−Pめっき皮膜及び銀めっき皮膜の相互拡散層を薄くすることができる。
無電解銀めっき工程では、パラジウム処理工程でパラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施して銀めっき皮膜を形成する。無電解銀めっき工程では、置換銀めっきではなく無電解還元銀めっきを施すことが好ましい。このように、無電解還元銀めっきを施すことにより、置換銀めっきの場合とは異なり無電解銀めっきの膜厚を薄くしても反射率等の特性を十分に得ることができる。
本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、青色LEDの励起波長近傍の400〜500nmの波長領域における反射率を向上させることができるため、例えば、LED実装用基板に好ましく適用することができる。LED実装用基板は、図示しないが、上述した本実施の形態に係る銀膜を反射面として有する。
上述した無電解めっき方法では、周知の前処理を行うようにしてもよい。例えば、上述した無電解めっき方法では、Ni−Pめっき工程の前に、周知の前処理を行うようにしてもよい。
実施例1では、表1に示すように、被めっき物であるBGA基板(上村工業株式会社製)に対して、ACL−738(上村工業株式会社製)によるクリーナー処理(脱脂)後、100g/Lの過硫酸ナトリウム溶液(SPS)にてソフトエッチングした。続いて、10%硫酸溶液でエッチング残渣を除去し(酸洗)、3%硫酸溶液でプリディップ後、MNK−4(上村工業株式会社製)でPd触媒付与(キャタリスト)した。
実施例2では、実施例1で得られたBGA基板に対して、熱処理を175℃で16時間施した。
実施例3では、Ni−Pめっき工程で、前処理後のBGA基板に、膜厚が1μmのNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例4では、Ni−Pめっき工程で、前処理後のBGA基板に、膜厚が2μmのNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例5では、Ni−Pめっき工程で、前処理後のBGA基板に、膜厚が5μmのNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例6では、Ni−Pめっき工程で、前処理後のBGA基板に、膜厚が20μmのNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例7では、Ni−Pめっき工程で、リン含量が1.5wt%の無電解Ni−Pめっき液を用いて、前処理後のBGA基板にNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例8では、Ni−Pめっき工程で、リン含量が6wt%の無電解Ni−Pめっき液を用いて、前処理後のBGA基板にNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例9では、Ni−Pめっき工程で、リン含量が9wt%の無電解Ni−Pめっき液を用いて、前処理後のBGA基板にNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例10では、Ni−Pめっき工程で、リン含量が11wt%の無電解Ni−Pめっき液を用いて、前処理後のBGA基板にNi−Pめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例11では、パラジウム処理工程において、BGA基板上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に1×10−4(0.0001)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例12では、パラジウム処理工程において、BGA基板上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に10×10−4(0.001)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例13では、パラジウム処理工程において、BGA基板上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に100×10−4(0.01)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例14では、パラジウム処理工程において、BGA基板上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に500×10−4(0.05)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例15では、実施例1と同様にして行った。
実施例16では、パラジウム処理工程において、BGA基板上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に5000×10−4(0.5)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例17では、パラジウム処理工程において、酸性で置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ MNK−4(上村工業株式会社製)を用いて、Ni−Pめっき皮膜上に、3×10−4(0.0003)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
実施例18では、パラジウム処理工程において、中性で置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ MPD−22(上村工業株式会社製)を用いて、Ni−Pめっき皮膜上に、20×10−4(0.002)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
(実施例19)
実施例19では、パラジウム処理工程において、中性で還元型のパラジウム浴であるアルタレア TPD−20(上村工業株式会社製)を用いて、Ni−Pめっき皮膜上に、100×10−4(0.01)mg/dm2のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
比較例1では、パラジウム処理工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして行った。
比較例2では、パラジウム処理工程を行なわず、無電解銀めっき工程の代わりに、光沢銀めっき液(Ag濃度:45g/L、アルカリ−シアン浴、光沢剤:アルグナS(上村工業株式会社製)を用いて、電気めっきにより膜厚が5μmの銀めっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして行った。
比較例3では、比較例1で得られたBGA基板に対して、熱処理を175℃で16時間施した。
比較例4では、パラジウム処理工程において、Ni−Pめっき皮膜上に検出下限未満のパラジウム、すなわち、パラジウム処理の時間が短すぎて濃度の測定が不可能な量のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例1と同様にして行った。
(評価結果)
Claims (6)
- 被めっき物上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、
上記パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程と
を有する無電解めっき方法。 - 上記パラジウム処理工程では、上記パラジウム処理として、上記Ni−Pめっき皮膜上に、1×10−4mg/dm2以上のパラジウムを存在させる請求項1記載の無電解めっき方法。
- 上記Ni−Pめっき皮膜の膜厚が、0.1〜50μmである請求項1又は2記載の無電解めっき方法。
- 被めっき物上にNi−Pめっき皮膜が形成され、該Ni−Pめっき皮膜上にパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことにより該パラジウムが存在するNi−Pめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている銀膜を反射面として有するLED実装用基板。
- 上記Ni−Pめっき皮膜上に、1×10−4mg/dm2以上のパラジウムが存在する請求項4記載のLED実装用基板。
- 上記Ni−Pめっき皮膜の膜厚が、0.1〜50μmである請求項4又は5記載のLED実装用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010175287A JP5737878B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | 無電解めっき方法及びled実装用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010175287A JP5737878B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | 無電解めっき方法及びled実装用基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012036426A true JP2012036426A (ja) | 2012-02-23 |
JP5737878B2 JP5737878B2 (ja) | 2015-06-17 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010175287A Active JP5737878B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | 無電解めっき方法及びled実装用基板 |
Country Status (1)
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---|---|
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