JP2012023194A - Dc−dcコンバータ - Google Patents
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Abstract
【課題】配線抵抗及び寄生インダクタンスを低減し、スパイク状のノイズの低減を図る。
【解決手段】DC−DCコンバータ110の半導体装置20は、第1スイッチ素子Q1と、第2スイッチ素子Q2と、入力電位Vinが与えられる第1配線層と、インダクタLと接続される第2配線層と、基準電位GNDが与えられる第3配線層と、インダクタLと接続される第4配線層と、を有し、これらが同一層において一方向に並んで配置される。実装用基板10は、入力電位Vinが与えられ、第1配線パターンと導通し、半導体装置の実装領域に対して一方側に隣接して配置された第5配線パターン15と、基準電圧GNDが与えられ、第3配線パターンと導通し、実装領域に対して一方側に隣接して配置された第6配線パターン16と、第2配線パターン及び第4配線パターンと導通し、実装領域に対して他方側に隣接して配置された第7配線パターン17と、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】DC−DCコンバータ110の半導体装置20は、第1スイッチ素子Q1と、第2スイッチ素子Q2と、入力電位Vinが与えられる第1配線層と、インダクタLと接続される第2配線層と、基準電位GNDが与えられる第3配線層と、インダクタLと接続される第4配線層と、を有し、これらが同一層において一方向に並んで配置される。実装用基板10は、入力電位Vinが与えられ、第1配線パターンと導通し、半導体装置の実装領域に対して一方側に隣接して配置された第5配線パターン15と、基準電圧GNDが与えられ、第3配線パターンと導通し、実装領域に対して一方側に隣接して配置された第6配線パターン16と、第2配線パターン及び第4配線パターンと導通し、実装領域に対して他方側に隣接して配置された第7配線パターン17と、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、DC−DCコンバータに関する。
DC−DCコンバータは、入力電圧ラインと、基準電位であるグランドとの間に直列接続されるハイサイドスイッチング素子と、ローサイドスイッチング素子と、を有する。DC−DCコンバータは、ハイサイドスイッチング素子とローサイドスイッチング素子とを交互にオンオフさせることで、入力電圧Vinよりも低い電圧Voutが出力ラインに出力される。
ここで、ハイサイドスイッチング素子には、Pチャネル型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)もしくは、Nチャネル型MOSFETが用いられ、ローサイドスイッチング素子には、Nチャネル型MOSFETが用いられる。ここでは、ハイサイドスイッチング素子にPチャネル型MOSFETの場合について述べる。
ハイサイドスイッチング素子のソースは、入力電圧ラインと接続されている。また、ハイサイドスイッチング素子のドレインは、ローサイドスイッチング素子のドレインと接続されている。
ローサイドスイッチング素子のソースは、グランドに接続されている。また、ハイサイドスイッチング素子とローサイドスイッチング素子との接続ノードは、誘導性負荷であるインダクタの一端と接続されている。そして、インダクタの他端は、出力ラインに接続されている。出力ラインとグランドとの間には、出力電圧を短時間に大きく変動させないための平滑コンデンサが接続されている。
このようなDC−DCコンバータにおいて、ハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子の各々のゲートは、制御回路に接続されている。制御回路からは、ほぼ反転位相のゲート制御信号が、ハイサイドスイッチング素子のゲートと、ローサイドスイッチング素子のゲートと、に供給される。これにより、ハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子のオンオフが制御される。
DC−DCコンバータにおいて、ハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子、ドライバー回路は、それぞれ別々のパッケージに収容された部品であり、それぞれの部品がプリント基板上に実装されている。そして、各部品は、プリント基板の配線によって電気的に接続されている。
また、実装部品数の低減と実装面積の縮小化の観点から、ハイサイドスイッチング素子、ローサイドスイッチング素子、それらを駆動するドライバー回路をオンチップ化し、それに加えて配線抵抗を低減する観点から、バンプ接続を利用した構成もある。
しかしながら、配線抵抗の更なる低減や、インダクタに接続されるスイッチング素子のスパイク状のノイズの原因になる寄生インダクタンスの低減には、改良の余地がある。
本発明の実施形態は、配線抵抗及び寄生インダクタンスを低減し、スパイク状のノイズの低減を図るDC−DCコンバータを提供する。
本実施形態によれば、実装用基板と、前記実装用基板に実装された半導体装置と、を備え、前記半導体装置は、半導体基板に設けられた第1スイッチ素子と、前記半導体基板に設けられた第2スイッチ素子と、前記第1スイッチ素子と導通し、入力電位が与えられる第1配線層と、前記第1スイッチ素子と導通し、インダクタと接続される第2配線層と、前記第2スイッチ素子と導通し、基準電位が与えられる第3配線層と、前記第2スイッチ素子と導通し、前記インダクタと接続される第4配線層と、を有し、前記第1配線層、前記第2配線層、前記第3配線層及び前記第4配線層が、前記半導体基板上の同一層において一方向に並んで配置されており、前記実装用基板は、前記第1配線層と接続された第1配線パターンと、前記第2配線層と接続された第2配線パターンと、前記第3配線層と接続された第3配線パターンと、前記第4配線層と接続された第4配線パターンと、入力電位が与えられ、前記第1配線パターンと導通し、前記半導体装置の実装領域に対して一方側に隣接して配置された第5配線パターンと、基準電圧が与えられ、前記第3配線パターンと導通し、前記実装領域に対して前記一方側に隣接して配置された第6配線パターンと、前記第2配線パターン及び前記第4配線パターンと導通し、前記実装領域に対して前記一方側とは反対の他方側に隣接して配置された第7配線パターンと、を有することを特徴とするDC−DCコンバータが提供される。
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータを例示する模式的斜視図である。
図2は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置を例示する模式的平面図である。
図3は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる実装用基板を例示する模式的平面図である。
本実施形態に係るDC−DCコンバータ110は、実装用基板10と、半導体装置20と、を備える。
図1は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータを例示する模式的斜視図である。
図2は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置を例示する模式的平面図である。
図3は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる実装用基板を例示する模式的平面図である。
本実施形態に係るDC−DCコンバータ110は、実装用基板10と、半導体装置20と、を備える。
半導体装置20は、DC−DCコンバータ110の主要構成である第1スイッチ素子Q1と、第2スイッチ素子Q2とを有する。第1スイッチ素子Q1は、ハイサイドスイッチング素子である。また、第2スイッチ素子Q2は、ローサイドスイッチング素子である。
第1スイッチ素子Q1は、半導体基板200に形成されたゲート、ソース及びドレインを有するPチャネル型MOSFETである。また、第2スイッチ素子Q2は、半導体基板200に形成されたゲート、ソース及びドレインを有するNチャネル型MOSFETである。
さらに、半導体装置20は、第1スイッチ素子Q1と導通し、入力電位Vinが与えられる第1配線層21と、第1スイッチ素子Q1と導通し、インダクタLと接続される第2配線層22と、第2スイッチ素子Q2と導通し、基準電位(本実施形態では、接地電位)GNDが与えられる第3配線層23と、第2スイッチ素子Q2と導通し、インダクタLと接続される第4配線層24と、を有する。
半導体装置20の半導体基板200の外形は、例えば長方形になっている。この場合、第1の方向は、長方形の短辺方向(x方向)、第2の方向は、長方形の長辺方向(y方向)になる。つまり、第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、それぞれx方向に沿って長さL2で延設される。また、第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、y方向に並んで長さL2で配置される。ここで、L1>L2になっている。
第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、半導体基板200に設けられる多層の配線層のうち、例えば最上層として設けられている。図2に表したように、第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、半導体装置20の接続面側に設けられ、接続面から例えば露出している。なお、第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、後述するバンプ電極(突起電極)が設けられる部分のみ露出していてもよい。
第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、それぞれ、半導体基板200のx方向に沿って延設されている。また、第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、半導体基板200上の同一層において、x方向と直交するy方向に並んで配置されている。
図2に表した例では、第1配線層21及び第2配線層22がそれぞれ一つずつ、第3配線層23及び第4配線層24がそれぞれ二つずつ設けられている。半導体装置20において、第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24は、それぞれ複数本設けられていてもよい。それぞれ複数本設けられている場合、第1配線層21及び第2配線層22は、y方向に交互に配置される。また、第3配線層23及び第4配線層24は、y方向に交互に配置される。
半導体装置20の半導体基板200には、第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2のゲートに制御信号を与える制御回路CTR及びドライバ回路DRが設けられている。制御回路CTR及びドライバ回路DRには、複数の外部信号配線層28が接続されている。
第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23、第4配線層24及び外部信号配線層18には、実装用基板10の配線パターンと接続するためのバンプ電極BPが設けられている。バンプ電極BPは、一つの配線層に対して一つ以上設けられている。例えば、複数の外部信号配線層28には、それぞれ一つずつバンプ電極BPが設けられている。また、延設された第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24には、延設された方向に沿って、それぞれ複数個(図2に示す例では5個)のバンプ電極BPが設けられている。これは第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24には外部信号配線層に比べて電流が多く流れるため、複数のバンプを設けている。
実装用基板10は、第1配線層21と接続される第1配線パターン11と、第2配線層22と接続される第2配線パターン12と、第3配線層23と接続される第3配線パターン13と、第4配線層24と接続される第4配線パターン14と、入力電位Vinが与えられ、第1配線パターン11と導通する第5配線パターン15と、基準電位が与えられ、第3配線パターン13と導通する第6配線パターン16と、第2配線パターン12及び第4配線パターン14と導通する第7配線パターン17と、を有する。第1配線パターン11〜第7配線パターン17には、例えば銅(Cu)が用いられる。
図3では、実装用基板10における配線パターンのレイアウトを例示している。第1配線パターン11、第2配線パターン12、第3配線パターン13及び第4配線パターン14は、それぞれ、半導体装置20の第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23及び第4配線層24に合わせて延設されている。
また、第5配線パターン15は、半導体装置20の実装領域に対して一方側に隣接して配置されている。つまり、第5配線パターン15は、第1配線パターン11の一方端と接続され、実装領域に対して一方の片側に配置されている。
また、第6配線パターン16は、半導体装置20の実装領域に対して一方側で、第5配線パターン15に隣接して配置されている。第6配線パターン16は、第3配線パターン13の一方端と接続され、実装領域に対して一方の片側に配置されている。
第7配線パターン17は、半導体装置20の実装領域に対して一方側とは反対となる他方側に隣接して配置されている。すなわち、第7配線パターン17は、第2配線パターン12及び第4配線パターン14の他方端と接続され、実装領域に対して他方の片側に配置されている。第7配線パターン17は、第2配線パターン12及び第4配線パターン14をまとめるパターンである。
また、実装用基板10には、半導体装置20の複数の外部信号配線層28と接続される複数のゲート配線パターン18が設けられている。
半導体装置20は、上記のような実装用基板10にバンプ電極BPを介してフェースダウンにて実装される。半導体装置20をフェースダウンで実装することにより、半導体装置20の第1配線層21、第2配線層22、第3配線層23、第4配線層24及び外部信号配線層28と、実装用基板10の第1配線パターン11、第2配線パターン12、第3配線パターン13、第4配線パターン14及びゲート配線パターン18と、がそれぞれ接続されることになる。
図1に表したように、実装用基板10には、半導体装置20のほか、負荷回路30が接続される。また、半導体装置20の第7配線パターン17と、負荷回路30と、の間には、インダクタL及びコンデンサC1が接続されている。インダクタLは、DC−DCコンバータ110のチョークコイルとして用いられる。インダクタLの一端は第7配線パターン17に接続され、他端は負荷回路30に接続される。コンデンサC1は、DC−DCコンバータ110の出力コンデンサとして用いられ、出力リップル、負荷応答特性等の安定化のために用いられる。コンデンサC1の一端は、インダクタLと第7配線パターン17との間に接続され、他端は接地されている。
また、実装用基板10に設けられた第5配線パターン15と第6配線パターン16との間には、平滑化のためのコンデンサC2が接続されている。第5配線パターン15と第6配線パターン16とは隣接して配置されているため、コンデンサC2は、第5配線パターン15と第6配線パターン16との間を跨ぐように接続される。
本実施形態に係るDC−DCコンバータ110では、半導体装置20の第2配線層22及び第4配線層24が、実装用基板10の第7配線パターン17でまとめられているため、第2配線層22及び第4配線層24を半導体装置20内、すなわち半導体基板200上の配線でまとめる場合に比べて、配線抵抗の低減が達成される。
また、本実施形態に係るDC−DCコンバータ110では、半導体装置20の複数の第3配線層23が、実装用基板10の第6配線パターン16でまとめられているため、複数の第3配線層23を半導体基板20内(半導体基板200の配線)でまとめる場合に比べて、配線抵抗の低減が達成される。なお、本実施形態では、第1配線層21が一つであるが、複数設けられている場合には、実装用基板10の第5配線パターン15でまとめられる。これにより、配線抵抗の低減が達成される。
配線層16,17に流れる電流の大きさは配線層13、14に比べて大きい。従って配線抵抗低減には配線層16,17の幅を広く形成する必要がある。
そこで、第5配線パターン15、第6配線パターン16及び第7配線パターン17は、実装領域の一方側に隣接して設けられているため、これらの配線パターンの幅を変更しても、半導体装置20のサイズには影響を与えない。つまり、更なる配線抵抗の低減を図るため、第5配線パターン15、第6配線パターン16及び第7配線パターン17の幅を太くしても、半導体装置20のサイズに影響を与えない。
そこで、第5配線パターン15、第6配線パターン16及び第7配線パターン17は、実装領域の一方側に隣接して設けられているため、これらの配線パターンの幅を変更しても、半導体装置20のサイズには影響を与えない。つまり、更なる配線抵抗の低減を図るため、第5配線パターン15、第6配線パターン16及び第7配線パターン17の幅を太くしても、半導体装置20のサイズに影響を与えない。
さらに、本実施形態に係るDC−DCコンバータ110では、実装用基板10において第5配線パターン15及び第6配線パターン16が隣接して配置されている。これにより、第5配線パターン15及び第6配線パターン16の間にコンデンサC2を接続する際の配線の引き回しがほとんど不要になる。したがって、この配線の引き回しで生じる寄生インダクタンスが抑制される。
図4は、図2の破線枠A、Bにおける半導体基板上の配線レイアウトを例示する模式的平面図である。
図5は、半導体装置と実装用基板との接続状態を例示する模式的断面図である。
図6は、DC−DCコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。
図7及び図8は、図4におけるX−X’線の模式的断面図であり、図7は、第1スイッチ素子の模式的断面図、図8は、第2スイッチ素子の模式的断面図である。
なお、図7及び図8では、配線層のみハッチングを施し、他は省略している。
図5は、半導体装置と実装用基板との接続状態を例示する模式的断面図である。
図6は、DC−DCコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。
図7及び図8は、図4におけるX−X’線の模式的断面図であり、図7は、第1スイッチ素子の模式的断面図、図8は、第2スイッチ素子の模式的断面図である。
なお、図7及び図8では、配線層のみハッチングを施し、他は省略している。
図4では、多層の配線レイアウトを透過的に例示している。図4に例示した配線レイアウトは、3層配線構造である。MOSFETによる第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2においては、半導体基板200に複数のソース領域及び複数のドレイン領域がそれぞれストライプ状に形成される。また、複数のソース領域及び複数のドレイン領域は、ストライプと直交する方向に交互に配置されている。また、交互に配置されるソース領域とドレイン領域との間にゲート領域が設けられる。
図7に表したように、第1スイッチ素子においては、半導体基板200に設けられたN形のウェルに、P+形のソース領域及びドレイン領域が所定の間隔でストライプ状に設けられている。また、図8に表したように、第2スイッチ素子においては、半導体基板200に設けられたP形のウェルに、N+形のソース領域及びドレイン領域が所定の間隔でストライプ状に設けられている。
この交互に配置されるソース領域及びドレイン領域の間がチャネル領域となる。このチャネル領域の上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極Gがストライプ状に設けられている。
ゲート配線Gの上には、ソース電極及びドレイン電極が3層構造で設けられている。第1配線層は、ソース領域の上に沿って設けられた第1ソース配線層S1と、ドレイン領域の上に沿って設けられた第1ドレイン配線層D1と、を有する。第1ソース配線層S1は、ソース領域とコンタクトCH1sを介して接続されている。コンタクトCH1sは、ソース領域に沿った複数箇所に設けられている。また、第1ドレイン配線層D1は、ドレイン領域とコンタクトCH1dを介して接続されている。コンタクトCH1dは、ドレイン領域に沿った複数箇所に設けられている。
第2配線層は、第1ソース配線層S1の上に層間絶縁膜を介して設けられた第2ソース配線層S2と、第1ドレイン配線層D1の上に層間絶縁膜を介して設けられた第2ドレイン配線層D2と、を有する。第2ソース配線層S2は、第1ソース配線層S1と直交する方向に配置されている。また、第2ソース配線層S2の幅は、第1ソース配線層S1の幅よりも広く設けられている。第2ソース配線層S2は、第1ソース配線層S1とコンタクトCH2sを介して接続されている。また、第2ドレイン配線層D2は、第1ドレイン配線層D1と直交する方向に配置されている。また、第2ドレイン配線層D2の幅は、第1ドレイン配線層D1の幅よりも広く設けられている。第2ドレイン配線層D2は、第1ドレイン配線層D1とコンタクトCH2dを介して接続されている。第2ソース配線層S2と、第2ドレイン配線層D2とは、交互に配置されている。
第3配線層は、第2ソース配線層S2の上に層間絶縁膜を介して設けられた第3ソース配線層S3と、第2ドレイン配線層D2の上に層間絶縁膜を介して設けられた第3ドレイン配線層D3と、を有する。第3ソース配線層S3は、第2ソース配線層S2と直交する方向に配置されている。また、第3ソース配線層S3の幅は、第2ソース配線層S2の幅よりも広く設けられている。第3ソース配線層S3は、第2ソース配線層S2とコンタクトCH3sを介して接続されている。また、第3ドレイン配線層D3は、第2ドレイン配線層D2と直交する方向に配置されている。また、第3ドレイン配線層D3の幅は、第2ドレイン配線層D2の幅よりも広く設けられている。第3ドレイン配線層D3は、第2ドレイン配線層D2とコンタクトCH3dを介して接続されている。第3ソース配線層S3と、第3ドレイン配線層D3とは、交互に配置されている。
すなわち、3層配線構造では、第1配線層から第3配線層にかけて、順に配線幅が広くなるよう設けられている。3層配線構造における、第1スイッチ素子Q1での第3ソース配線層S3及び第3ドレイン配線層D3は、半導体装置20の第1配線層21及び第2配線層22にそれぞれ対応する。また、3層配線構造における、第2スイッチ素子Q2での第3ソース配線層S3及び第3ドレイン配線層D3は、半導体装置20の第3配線層23及び第4配線層24にそれぞれ対応する。
図5に表したように、半導体装置20は、バンプ電極BPを介してフェースダウンで実装用基板10に接続される。第1スイッチ素子Q1の第3ソース配線層S3に対応した第1配線層21は、バンプ電極BPを介して第1配線パターン11に接続される。また、第1スイッチ素子Q1の第3ドレイン配線層D3に対応した第2配線層22は、バンプ電極BPを介して第2配線パターン12に接続される。また、第2スイッチ素子Q2の第3ソース配線層S3に対応した第3配線層23は、バンプ電極BPを介して第3配線パターン13に接続される。また、第2スイッチ素子Q2の第3ドレイン配線D3に対応した第4配線層24は、バンプ電極BPを介して第4配線パターン14に接続される。
ここで、第1配線パターン11のシート抵抗は、第1配線層21のシート抵抗よりも低くなっている。また、第2配線パターン12のシート抵抗は、第2配線層22のシート抵抗よりも低くなっている。また、第3配線パターン13のシート抵抗は、第3配線層23のシート抵抗よりも低くなっている。また、第4配線パターン14のシート抵抗は、第4配線層24のシート抵抗よりも低くなっている。
実装用基板10の第1〜第4配線パターン11〜14と、半導体装置20の第1〜第4配線層21〜24と、がそれぞれ並行に配置されることで、バンプ電極BPを介して第1〜第4配線層21〜24から最短距離でシート抵抗が低い第1〜第4配線パターン11〜14に電流が流れ、配線抵抗の低減が達成される。
図6に表したように、DC−DCコンバータ110において、第1スイッチ素子Q1のドレインと、第2スイッチ素子Q2のドレインとは、同一ノードVswになっている。ここで、ノードVswには、DC−DCコンバータの動作モードの一つである連続モードでは常に電流が流れている。このため、ノードVswの配線抵抗は、変換効率に与える影響が大きい。本実施形態では、ノードVswに相当する、半導体装置20の第2配線層22と、第4配線層24とが、実装用基板10の第7配線パターン17によってまとめられている。これにより、第2配線層22と第4配線層24とを半導体基板200上の配線でまとめる場合に比べて、線幅を広く、かつシート抵抗を小さくできるため、配線抵抗の低減が達成される。しかも、第7配線パターン17に比べて相対的に線幅の狭い第2配線層22及び第4配線層24を、半導体基板200の短辺方向に沿って延設し、相対的に線幅の広い第7配線パターン17を半導体基板200の長辺方向に合わせて延設しているため、より配線抵抗の低減が達成される。
図9は、第1の実施形態に係るDC−DCコンバータのノードVswの信号を説明する図である。
図9では、ハイサイドスイッチング素子である第1スイッチ素子Q1及びローサイドスイッチング素子である第2スイッチ素子Q2のON/OFF時におけるノードVswの信号の過渡特性を例示している。ここで、図中の信号S1は、本実施形態の構成を用いた場合のノードVswの信号変化、図中の信号S2は、本実施形態の構成を用いない場合のノードVswの信号変化を示している。
図9では、ハイサイドスイッチング素子である第1スイッチ素子Q1及びローサイドスイッチング素子である第2スイッチ素子Q2のON/OFF時におけるノードVswの信号の過渡特性を例示している。ここで、図中の信号S1は、本実施形態の構成を用いた場合のノードVswの信号変化、図中の信号S2は、本実施形態の構成を用いない場合のノードVswの信号変化を示している。
本実施形態に係るDC−DCコンバータでは、半導体装置20の実装領域における一方側に、入力電位Vinが与えられる第5配線パターン15と、基準電位GNDが与えられる第6配線パターン16とが隣接して配置されることから、入力電位Vin−基準電位GND間の配線長を短くでき、寄生インダクタンスL0の低減が達成される。また、ノードVswと導通する第2配線層22及び第4配線層24が、実装用基板10において第7配線パターン17によりまとめられているため、ノードVswの配線抵抗が低減される。これらによって、第1スイッチ素子Q1のON/OFF時のスパイク状のノイズが抑制されるとともに、変換効率の向上が達成される。
(第2の実施形態)
図10は、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置を例示する模式的平面図である。
図11は、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる実装用基板を例示する模式的平面図である。
図10は、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置を例示する模式的平面図である。
図11は、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる実装用基板を例示する模式的平面図である。
図10に表したように、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置20Aでは、第1スイッチ素子Q1における第2配線層22と、第2スイッチ素子Q2における第4配線層24と、が隣接して配置されている。すなわち、図2に例示した第1の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置20と比較して、第2スイッチ素子Q2における第3配線層23と第4配線層24との並び順が反対になっている。
一方、図11に表したように、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる実装用基板10Aでは、第2配線パターン12と、第4配線パターン14と、が隣接し、一体的に設けられている。一体的に設けられた第2配線パターン12及び第4配線パターン14は、他方側で第7配線パターン17と接続されている。
このような実装用基板10Aに半導体装置20Aを実装すると、第1スイッチ素子Q1の第2配線層22と、第2スイッチ素子Q2の第4配線層24とが、実装用基板10Aの一体的に設けられた第2配線パターン12及び第4配線パターン14に接続される。
第2の実施形態に係るDC−DCコンバータでは、入力電位Vin〜第1スイッチ素子Q1〜第2スイッチ素子Q2〜基準電位GNDの間での寄生インダクタンスが低減される。すなわち、寄生インダクタンスは、図11に例示する高周波の電流ループLP1の面積に起因する。ここで、高周波の電流ループは、入力電位Vinが与えられる第5配線パターン15〜第1スイッチ素子Q1の第2配線層22(実装用基板の第2配線パターン12)〜第2スイッチ素子Q2の第4配線層(実装用基板の第4配線パターン14)〜基準電位GNDが与えられる第6配線パターン16の間に発生する。
図3に例示した実装用基板10では、第2配線パターン12と第4配線パターン14とが分けられている。したがって、電流ループLP2は、第2配線パターン12から第7配線パターン17を経由して第4配線パターン14に至る大きなループを描くことになる。
一方、図11に例示した実装用基板10Aでは、第2配線パターン12と第4配線パターン14とが一体的に設けられている。したがって、電流ループLP1は、第2配線パターン12及び第4配線パターン14において、第5配線パターン及び第6配線パターン16の近くを経由する小さなループを描くことになる。電流ループの面積が小さいほど、寄生インダクタンスが低減され、スイッチング損失の低減、及び変換効率の向上が達成される。
図12は、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータのノードVswの信号を説明する図である。
図12では、ハイサイドスイッチング素子である第1スイッチ素子Q1及びローサイドスイッチング素子である第2スイッチ素子Q2のON/OFF時におけるノードVswの信号の過渡特性を例示している。ここで、図中の信号S3は、第2の実施形態の構成を用いた場合のノードVswの信号変化、図中の信号S1は、第1の実施形態の構成を用いた場合のノードVswの信号変化を示している。
第2の実施形態の構成では、図11に例示した電流ループLP1の面積が、図3に例示した電流ループLP2の面積よりも小さくなる。したがって、入力電位Vin〜第1スイッチ素子Q1〜第2スイッチ素子Q2〜基準電位GNDの間での寄生インダクタンスを低減でき、第1の実施形態の構成に比べて第1スイッチ素子Q1のON/OFF時のスパイク状のノイズが抑制される。
図12では、ハイサイドスイッチング素子である第1スイッチ素子Q1及びローサイドスイッチング素子である第2スイッチ素子Q2のON/OFF時におけるノードVswの信号の過渡特性を例示している。ここで、図中の信号S3は、第2の実施形態の構成を用いた場合のノードVswの信号変化、図中の信号S1は、第1の実施形態の構成を用いた場合のノードVswの信号変化を示している。
第2の実施形態の構成では、図11に例示した電流ループLP1の面積が、図3に例示した電流ループLP2の面積よりも小さくなる。したがって、入力電位Vin〜第1スイッチ素子Q1〜第2スイッチ素子Q2〜基準電位GNDの間での寄生インダクタンスを低減でき、第1の実施形態の構成に比べて第1スイッチ素子Q1のON/OFF時のスパイク状のノイズが抑制される。
図13は、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータに用いられる半導体装置の他の構成を例示する模式的平面図である。
図13に表したように、半導体装置20Bでは、第1スイッチ素子Q1の第2配線層22と、第2スイッチ素子Q2の第4配線層24とが、半導体基板200において一体的に設けられている。
図13に表したように、半導体装置20Bでは、第1スイッチ素子Q1の第2配線層22と、第2スイッチ素子Q2の第4配線層24とが、半導体基板200において一体的に設けられている。
すなわち、説明の便宜上、第1スイッチ素子Q1のインダクタLと接続される第2配線層22と、第2スイッチ素子Q2のインダクタLと接続される第4配線層24と、を区別しているが、配線層としてこれらは一体的に形成されている。
この半導体装置20Bを実装する実装用基板は、図11に表した実装用基板10Aと同じであり、第2配線パターン12と第4配線パターン14とが一体的に設けられている。
このような半導体装置20Bであっても、入力電位Vin〜第1スイッチ素子Q1〜第2スイッチ素子Q2〜基準電位GNDの間での寄生インダクタンスが低減される。これにより、第1の実施形態の構成に比べて第1スイッチ素子Q1のON/OFF時のスパイク状のノイズが抑制される。
次に、第2の実施形態に係るDC−DCコンバータの他の例を説明する。
図14〜図17は、第2の実施形態の他の例を説明する模式図である。
図14は、第1スイッチ素子の模式的平面図である。
図15は、第2スイッチ素子の模式的平面図である。
図16は、図14のY1−Y1’線での模式的断面図である。
図17は、図15のY2−Y2’線での模式的断面図である。
図14〜図17は、第2の実施形態の他の例を説明する模式図である。
図14は、第1スイッチ素子の模式的平面図である。
図15は、第2スイッチ素子の模式的平面図である。
図16は、図14のY1−Y1’線での模式的断面図である。
図17は、図15のY2−Y2’線での模式的断面図である。
第2の実施形態に係るDC−DCコンバータの構成では、電流ループLP1の面積が小さくなることから、出力電流が大きい場合、第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2でのスイッチング時に、電流ループLP1内に電流の集中が発生する可能性がある。第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2を構成するMOSFETに存在する寄生バイポーラ素子がON状態になると、スイッチング時にONした部分に電流が集中することから、寄生バイポーラ素子を動作させないようにすることが重要になる。
そこで、第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2の境界部分において、MOSFETのソース領域の一部を分断している。すなわち、第1スイッチ素子Q1においては、延設されるソース領域の一部に、ドレイン領域の導電型(P+形)とは反対の導電型(N+形)の領域を設ける。また、第2スイッチ素子Q2においては、延設されるソース領域の一部に、ドレイン領域の導電型(N+形)とは反対の導電型(P+形)の領域を設ける。こうすることで、チャネルが削られるために、この部分だけオン抵抗が高くなる。つまり、電流集中が緩和される。なお、この領域は、第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2の境界部分のみに配置するため、全体のオン抵抗に対して大きな影響を与えることはない。
図14及び図16に表したように、第1スイッチ素子Q1においては、半導体基板200に設けられたN形のウェルに、P+形のソース領域及びドレイン領域が所定の間隔でストライプ状に設けられている。このP+形のソース領域の一部にN+形の領域を形成し、ソース領域を分断する。
また、図15及び図17に表したように、第2スイッチ素子Q2においては、半導体基板200に設けられたP形のウェルに、N+形のソース領域及びドレイン領域が所定の間隔でストライプ状に設けられている。このN+形のソース領域の一部にP+形の領域を形成し、ソース領域を分断する。
このように、第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2のソース領域の一部が分断されると、ソース−ドレイン間に逆方向のダイオードが構成され、この部分だけ第1スイッチ素子Q1及び第2スイッチ素子Q2のオン抵抗が高くなる。したがって、寄生バイポーラ素子の動作が抑制され、電流集中の緩和が達成される。
以上説明したように、本実施形態に係るDC−DCコンバータによれば、半導体装置20の第2配線層22及び第4配線層24が、実装用基板10の第7配線パターン17でまとめられ、複数の第3配線層23が、実装用基板10の第6配線パターン16でまとめられているため、配線抵抗の低減が達成される。
さらに、本実施形態に係るDC−DCコンバータでは、実装用基板10において第5配線パターン15及び第6配線パターン16が、実装領域の一方側に隣接して配置されており、第5配線パターン15及び第6配線パターン16の間にコンデンサC2を接続する際の配線の引き回しがほとんど不要になる。したがって、この配線の引き回しで生じる寄生インダクタンスが抑制される。
このように、本実施形態に係るDC−DCコンバータでは、配線抵抗の低減及び寄生インダクタンスの抑制によって、スパイク状のノイズの低減が達成される。
なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の実施形態においては、降圧型のDC−DCコンバータを例として説明したが、昇圧型のDC−DCコンバータであっても適用可能である。また、ハイサイドスイッチング素子がNチャネル型MOSFETであっても適用可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…実装用基板、11…第1配線パターン、12…第2配線パターン、13…第3配線パターン、14…第4配線パターン、15…第5配線パターン、16…第6配線パターン、17…第7配線パターン、20…半導体装置、21…第1配線層、22…第2配線層、23…第3配線層、24…第4配線層、110…DC−DCコンバータ、200…半導体基板、Q1…第1スイッチ素子、Q2…第2スイッチ素子
Claims (9)
- 実装用基板と、
前記実装用基板に実装された半導体装置と、
を備え、
前記半導体装置は、
半導体基板に設けられた第1スイッチ素子と、
前記半導体基板に設けられた第2スイッチ素子と、
前記第1スイッチ素子と導通し、入力電位が与えられる第1配線層と、
前記第1スイッチ素子と導通し、インダクタと接続される第2配線層と、
前記第2スイッチ素子と導通し、基準電位が与えられる第3配線層と、
前記第2スイッチ素子と導通し、前記インダクタと接続される第4配線層と、
を有し、
前記第1配線層、前記第2配線層、前記第3配線層及び前記第4配線層が、前記半導体基板上の同一層において一方向に並んで配置され、
前記実装用基板は、
前記第1配線層と接続された第1配線パターンと、
前記第2配線層と接続された第2配線パターンと、
前記第3配線層と接続された第3配線パターンと、
前記第4配線層と接続された第4配線パターンと、
入力電位が与えられ、前記第1配線パターンと導通し、前記半導体装置の実装領域に対して一方側に隣接して配置された第5配線パターンと、
基準電圧が与えられ、前記第3配線パターンと導通し、前記実装領域に対して前記一方側に隣接して配置された第6配線パターンと、
前記第2配線パターン及び前記第4配線パターンと導通し、前記実装領域に対して前記一方側とは反対の他方側に隣接して配置された第7配線パターンと、
を有することを特徴とするDC−DCコンバータ。 - 前記第1配線層、前記第2配線層、前記第3配線層及び前記第4配線層と、前記第1配線パターン、前記第2配線パターン、前記第3配線パターン及び前記第4配線パターンと、をそれぞれ接続する突起電極を有することを特徴とする請求項1記載のDC−DCコンバータ。
- 前記半導体装置は、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子に各々制御信号を入力する制御回路を有することを特徴とする請求項1または2に記載のDC−DCコンバータ。
- 前記第5配線パターンと、前記第6配線パターンと、の間に接続された容量素子を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のDC−DCコンバータ。
- 前記第1配線パターンは、前記第1配線層よりもシート抵抗が低く、
前記第2配線パターンは、前記第2配線層よりもシート抵抗が低く、
前記第3配線パターンは、前記第3配線層よりもシート抵抗が低く、
前記第4配線パターンは、前記第4配線層よりもシート抵抗が低い、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のDC−DCコンバータ。 - 前記半導体装置には、前記第2配線層と、前記第4配線層と、が隣接して設けられ、
前記実装用基板には、前記第2配線パターンと、前記第4配線パターンとが、一体的に設けられたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のDC−DCコンバータ。 - 前記半導体装置には、前記第2配線層と、前記第4配線層と、が一体的に設けられ、
前記実装用基板には、前記第2配線パターンと、前記第4配線パターンとが、一体的に設けられたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のDC−DCコンバータ。 - 前記第1スイッチ素子のソース領域の一部に、前記第1スイッチ素子のドレイン領域と反対の導電型の領域が設けられたことを特徴とする請求項6または7に記載のDC−DCコンバータ。
- 前記第2スイッチ素子のソース領域の一部に、前記第2スイッチ素子のドレイン領域と反対の導電型の領域が設けられたことを特徴とする請求項6〜8のうちいずれか1つに記載のDC−DCコンバータ。
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2011
- 2011-03-22 US US13/053,517 patent/US20120013316A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014051016A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射装置及び印刷装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120013316A1 (en) | 2012-01-19 |
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