JP2012019063A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電源配線と接地配線とを有する半導体装置において、配線の一部における電圧ドロップや、電圧ドロップに伴うマイグレーションの発生を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBと、主表面に沿うように層状に広がる電源シート状配線PPWRと、主表面に沿うように、主表面に交差する方向に関して電源シート状配線と一定の距離を隔てて層状に広がる接地シート状配線PGNDと、上記主表面上に形成され、主表面内の一の方向に延在する電源配線PWRと、主表面上に形成され、一の方向に沿う方向に延在し、電源配線PPWRと一定の距離を隔てて形成された接地配線GNDとを備える。上記電源シート状配線PPWRは、電源配線PWRと電気的に接続されており、接地シート状配線PGNDは、接地配線GNDと電気的に接続されている。
【選択図】図3
【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBと、主表面に沿うように層状に広がる電源シート状配線PPWRと、主表面に沿うように、主表面に交差する方向に関して電源シート状配線と一定の距離を隔てて層状に広がる接地シート状配線PGNDと、上記主表面上に形成され、主表面内の一の方向に延在する電源配線PWRと、主表面上に形成され、一の方向に沿う方向に延在し、電源配線PPWRと一定の距離を隔てて形成された接地配線GNDとを備える。上記電源シート状配線PPWRは、電源配線PWRと電気的に接続されており、接地シート状配線PGNDは、接地配線GNDと電気的に接続されている。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置に関し、より特定的には、電源配線と接地配線とを有する半導体装置に関するものである。
半導体装置の高性能化に伴い、小型化、高集積化が進められている。小型化や高集積化のために、電源を供給するための配線が占める面積を削減する目的で、多層配線構造を有する半導体集積回路が主流となっている。
多層配線構造を有する半導体集積回路においては、半導体基板の主表面上のスタンダードセルを構成する電源配線領域(高電位を負荷する配線領域)と接地配線領域(接地する配線領域)とが、それぞれ半導体基板よりも上層に形成された電源配線や接地配線と電気的に接続される。上記の構成は、たとえば特開2010−34407号公報(特許文献1)、特開2008−182058号公報(特許文献2)、および特開2004−296695号公報(特許文献3)に開示されている。
上記の特許文献における半導体装置ではいずれも、上層に存在する、たとえば電源配線や接地配線が長尺形状を有している。また下層(半導体基板の主表面上)におけるスタンダードセルを構成する電源配線領域や接地配線領域などについても、長尺形状を有している。そして上層の配線と下層の配線とが、各層の間を電気的に接続するビア(コンタクト部)により電気的に接続される。
上記の各特許文献の半導体装置が示すように、従来、多層配線構造を有する半導体装置の上層に存在する、たとえば電源配線や接地配線は、平面視において長尺形状を有し、これらの長尺形状の配線が延在する方向に応じて、各配線が使い分けられていた。たとえば平面視において第1の方向(横方向)に延在する配線が、半導体装置の最上層に形成され、当該配線が電源配線となる。また最上層の直下には、平面視において第2の方向(縦方向)に延在する配線が形成され、当該配線が接地配線となる。このように性質の異なる長尺形状の配線を、平面視における延在方向に応じて分けて配置するよう設計することが、慣習となっていた。
しかし、半導体装置の小型化や高集積化が進み、各配線の寸法や、各配線に電気信号を供給するパッドの寸法が微細化すると、パッドと配線との接続部における断面積が小さくなることがある。すると、当該パッドと配線との間における電気抵抗が大きくなる結果、電圧ドロップが大きくなる可能性がある。つまり当該半導体装置の供給電力が低下する可能性がある。
また上記の断面積が小さくなった領域において、電流値が局所的に大きくなることがある。するとマイグレーション(migration)と呼ばれる、配線の故障を起こす可能性がある。
近年の半導体装置は、コア電源の低電圧化が進んでおり、これに伴い、電圧ドロップを低減すること、および電源電圧を安定化することが極めて重要となっている。たとえばコア電源の電圧値は従来3.3Vが主流だったのに対し、最近は1.2V程度にまで低下している。一方で近年の半導体装置における動作電流は従来の半導体装置と同様の1A以上であることが多い。したがって電圧ドロップを小さくし、半導体装置の電圧安定化、供給電力の安定化を図ることが困難となっている。
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものである。その目的は、電源配線と接地配線とを有する半導体装置において、配線の一部における電圧ドロップや、マイグレーションの発生を抑制することが可能な半導体装置を提供することである。
本発明に係る半導体装置は、主表面を有する半導体基板と、主表面に沿うように層状に広がる電源シート状配線と、主表面に沿うように、主表面に交差する方向に関して電源シート状配線と一定の距離を隔てて層状に広がる接地シート状配線と、主表面上に形成され、主表面内の一の方向に延在する電源配線と、主表面上に形成され、一の方向に沿う方向に延在し、電源配線と一定の距離を隔てて形成された接地配線とを備えている。上記電源シート状配線は、電源配線と電気的に接続されており、接地シート状配線は、接地配線と電気的に接続されている。
本発明によれば、層状に広がる電源シート状配線および接地シート状配線を備えることで、これらの配線とパッドとの間を接続する接続部の断面積を充分大きくすることができる。このため、当該接続部での電気抵抗値が低減され、トータルでの電圧ドロップ、マイグレーションの発生が抑制される。また本発明によれば、従来の長尺形状の電源配線よりも当該電源シート状配線などの断面積が大きくすることができるため、この点からも結果的に電圧ドロップやマイグレーションの発生が抑制される。
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
(実施の形態1)
まず、本実施の形態としての半導体装置の全体について説明する。
まず、本実施の形態としての半導体装置の全体について説明する。
図1を参照して、本実施の形態の半導体装置(SoC:System-on-a-Chip)は、パッケージ基板PSBと、半導体チップSC(半導体基板)とモールド樹脂RSNと、ボールBLとを有するBGA(Ball Grid Array package)である。
パッケージ基板PSBは、たとえば窒化珪素や窒化アルミニウムなどの、熱伝導性に優れたセラミックス材料から構成された、たとえば平板形状の構造体であることが好ましい。半導体チップSCは、たとえばシリコンの単結晶(シリコンウェハ)を基板として用いた半導体基板からなる。半導体チップSCの一方の主表面(図1における上側の主表面)上には、多層配線構造や回路素子など、半導体集積回路を構成する多数の構造が形成されている。
パッケージ基板PSBと半導体チップSCの上側の主表面上には、パッドPDが形成されている。パッドPDは、半導体チップSC上に形成される集積回路中の配線などに所望の電圧を印加するために、金属薄膜が露出された領域である。したがってパッドPDは、半導体チップSC上に形成される集積回路中の配線などと電気的に接続される。
なお半導体チップSCやパッケージ基板PSBの主表面上には、複数のパッドPDがたとえば2列並ぶように配置されている。しかしこれらのパッドPDが並列配置される列の数や、各列に配置されるパッドの個数は任意である。
図1中に点線で示すモールド樹脂RSNは、たとえばエポキシ樹脂などの樹脂材料からなる。モールド樹脂RSNは、パッケージ基板PSBと半導体チップSCとの一方の主表面(図1における上側の主表面)上に形成された集積回路などを上方から覆うように配置される。
このようにすれば、半導体チップSCやパッケージ基板PSBの上側の主表面は、モールド樹脂RSNにより封止された状態となる。このため、半導体チップSC上に形成された微細な回路が、パーティクルや水分などの異物の影響を受けて正常な動作が妨げられるなどの不具合を抑制することができる。また、当該回路が光の影響を受けて正常な動作が妨げられるなどの不具合を抑制することができる。さらに半導体チップSCがモールド樹脂RSNに覆われるため、半導体チップSCの回路と外部との絶縁性を確保することができる。
図1の半導体装置は、外部回路が形成された、図示しない他の基板の上に載置されることにより、当該他の基板と一体化された状態で使用され、はんだからなるボールBLにおいて当該外部回路と電気信号の入出力を行ないながら作動する。
パッケージ基板PSBの主表面上のパッドPDは、パッケージ基板PSBの一方の主表面から他方の主表面(図1における下側の主表面)に達するようにパッケージ基板PSBを貫通する導電部により、ボールBLと電気的に接続される。さらにパッケージ基板PSBのパッドPDと半導体チップSCのパッドPDとは、金属製のワイヤWRにより電気的に接続される。
以上のような構成を有するため、ボールBLから半導体装置の内部に入力される電気信号は、パッケージ基板PSBの内部の導電部を通ってパッケージ基板PSBのパッドPDに達する。さらにワイヤWRにより半導体チップSCのパッドPDに到達し、半導体チップSCの集積回路へと入力する。以上の経路により、半導体装置の載置される基板と、半導体チップSCの集積回路との電気信号の入出力がなされる。
図2を参照して、半導体チップSCの下側の主表面と上側の主表面との間には多数の配線層が積層されている。これらの配線層は多層配線構造を構成し、集積回路の一部となっている。具体的には、たとえばシリコンの単結晶からなる半導体基板SUBの一方の主表面(図2における上側の主表面)上に、配線層L1、貫通層VL12、配線層L2、貫通層VL23、配線層L3、貫通層VL34、配線層L4、貫通層VL45、配線層L5、貫通層VL56、配線層L6、貫通層VL67、配線層L7、貫通層VL78、配線層L8、貫通層VL89、配線層L9がこの順に積層されている。これらの配線層はいずれも、半導体チップSCの主表面に沿うように形成されている。そして積層構造の最上層である配線層L9上を覆うようにモールド樹脂RSNが配置される。
配線層L1には、集積回路を構成する金属配線M1が形成され、貫通層VL12には、貫通ビアVA12が形成される。他の配線層L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9にも同様に金属配線M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9が形成される。他の貫通層VL23、VL34、VL45、VL56、VL67、VL78、VL89にも同様に貫通ビアVA23、VA34、VA45、VA56、VA67、VA78、VA89が形成される。
たとえば金属配線M9と金属配線M8とは、これらの間に挟まれた貫通ビアVA89により電気的に接続される。これは貫通ビアVA89は、貫通層VL89を構成する絶縁層に形成された貫通孔の内部を充填する、金属などの導電体により構成されるためである。他の金属配線同士を接続する各貫通ビアについても同様である。
金属配線M1〜M9は、たとえばアルミニウムや銅、あるいはこれらの合金からなる金属薄膜から構成される。貫通ビアVA12〜VA89についても同様である。
なお図2においては金属配線はM1からM9まで合計9層存在するが、積層される金属配線の数は任意である。
ここで配線層L1から配線層L7までは、半導体チップSCの集積回路の主要部分を構成する回路領域である。これに対して配線層L8および、最上層である配線層L9は、半導体チップSCの電源配線と接地配線とを構成する回路領域である。配線層L8および配線層L9は、他の配線層よりも上下方向の厚みが大きくなっている。
また配線層L1のうち、平面視において金属配線M1が形成されない領域には絶縁膜II1が形成される。貫通層VL12のうち、平面視において貫通ビアVA12が形成されない領域には絶縁膜II12が形成される。他の配線層L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9にも同様に絶縁膜II2、II3、II4、II5、II6、II7、II8、II9が形成される。他の貫通層VL23、VL34、VL45、VL56、VL67、VL78、VL89にも同様に絶縁膜II23、II34、II45、II56、II67、II78、II89が形成される。これらの絶縁膜は、たとえばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜から形成されることが好ましい。
なお図2は半導体チップSCの内部に存在する各配線層の構成のみを示した断面図である。つまり、各配線層に形成される金属配線M1などは複数種類存在し、必ずしも各配線層に形成される金属配線M1などを一義的に定義できない。つまり必ずしも実際に図2に示すように最上層から最下層まで配線層が直線状に均一に積層された構成が存在するとは限らない。図2中ではたとえば金属配線M1などの金属配線は、配線層L1に形成される金属配線の総称として図示している。また、配線層L1〜L7については、図2ではすべて同じ方向(紙面に垂直な方向)に各配線が延びるように模式的に図示されているが、実際には隣接する配線層についてはそれぞれの層に形成された配線の延在方向が異なる(たとえば直交する)ようになっている。また、配線層L8およびL9については、後述するようにシート状に平面的に広がった配線が形成されている。
図3を参照して、配線層L9には電源シート状配線PPWRが形成されている。電源シート状配線PPWRとは、配線層L9の金属配線M9の一部であり、配線層L9の主表面に沿うように層状に広がる金属配線である。言い換えれば、電源シート状配線PPWRは、平面視において配線層L9の、半導体基板SUBの主表面に沿う方向に関する大部分(主要な面積分)を占めるように広範囲に広がるように一体に形成されている。たとえば電源シート状配線PPWRは、配線層L9のうち、半導体基板SUBの主表面に沿った方向に関する面積の大部分(たとえば50%以上)を占めるように形成されている。
また配線層L8には接地シート状配線PGNDが形成されている。接地シート状配線PGNDは、配線層L8の金属配線M8の一部であり、配線層L8の主表面に沿うように層状に広がる金属配線である。つまり接地シート状配線PGNDは、電源シート状配線PPWRに対して、半導体基板SUBの主表面に交差する方向(図3の上下方向)に関して電源シート状配線PPWRと一定の距離を隔てて層状に広がる。さらに言い換えれば、接地シート状配線PGNDは、平面視において配線層L8の、半導体基板SUBの主表面に沿う方向に関する主要な面積分を占めるように広範囲に広がるように一体に形成されている。たとえば電源シート状配線PPWRは、配線層L8のうち、半導体基板SUBの主表面に沿った方向に関する面積の大部分(たとえば50%以上)を占めるように形成されている。
配線層L9と配線層L8との間には、図示しない貫通層VL89が配置されている。上記の電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとは少なくとも一部が平面視において重なっていることが好ましい。また、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとの領域のうち大部分において、両者が平面視において重なっていることが好ましい。
ここで電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとの領域のうち大部分が重なっているとは、たとえば両者の平面視における面積のうち50%以上の部分が互いに重なっていることを言うものとする。
貫通層VL89のうち、たとえば電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとが平面視において重なった領域には、誘電体層DLSが配置されている。誘電体層DLSは、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、シリケイト、アルミネート、ハフニウムシリケート、酸窒化ハフニウムアルミニウム、酸化イットリウムからなる群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。ただし誘電体層DLSは、貫通層VL89のうち、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとが平面視において互いに重ならない領域において配置されていてもよい。
誘電体層DLSが、特に平面視において電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDと重なる位置に配置されれば、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDと誘電体層DLSとから構成される部分は、半導体装置全体の中で容量を構成することになる。
図3〜図5を参照して、電源シート状配線PPWRから接地シート状配線PGNDに向かうように、貫通ビアVA89が延びる。貫通ビアVA89は図3に示す電源シート状配線PPWRとの接続部において電気的に接続されている。貫通ビアVA89は、接地シート状配線PGNDの一部に設けられたパターンPTNと呼ばれる貫通穴を通ってさらに下層の方へ延在する。貫通ビアVA89の下方には上記の貫通ビアVA78、VA67などが延びるが、これらを図3では貫通ビアVAと総称している。そして当該貫通ビアVAは、配線層L1の電源配線PWRに達する。配線層L1の電源配線PWRは、金属配線M1の一部である。このようにして、配線層L9の電源シート状配線PPWRと配線層L1の電源配線PWRとが、電気的に接続される。
また、接地シート状配線PGNDから配線層L1に向かうように、貫通ビアVA78が延びる。貫通ビアVA78の下方に延びる貫通ビアVAは、配線層L1の接地配線GNDに達する。配線層L1の接地配線GNDは、金属配線M1の一部である。このようにして、配線層L8の接地シート状配線PGNDと配線層L1の接地配線GNDとが、電気的に接続される。
なお配線層L1の、半導体基板SUBの主表面上においては、電源配線PWRと接地配線GNDとに挟まれた複数のスタンダードセルSDC1、SDC2、SDC3、SDC4、SDC5、SDC6が並んでいる。
図4および図5において、電源シート状配線PPWR、接地シート状配線PGNDおよび貫通ビアVA89は、いずれも平面視において正方形状を有している。しかしこれらの形状は正方形状に限られず、たとえば長方形や円形、楕円形など任意の平面形状をとることができる。また貫通ビアVA89やパターンPTNの個数および形状についても、図4や図5に示す態様に限られない。
図6を参照して、配線層L9には、電源シート状配線PPWRのほかに、電源配線PWR(第1の配線部)と接地配線GND(第2の配線部)と、電源パッドPPD(第1パッド電極)と接地パッドGPD(第2パッド電極)とが形成されている。これらはすべて金属配線M9を構成する部分である。なお、図6において示す領域は、図1中の点線で示す領域VIIIに対応している。
配線層L9に形成される電源配線PWRは、平面視において、電源シート状配線PPWRおよび電源パッドPPDと電気的に接続されている。このため電源パッドPPDは、電源シート状配線PPWRや電源配線PWRから構成される領域に、電源電圧を供給するパッドとして機能する。
また配線層L9に形成される接地配線GNDは、平面視において、接地パッドGPDと電気的に接続されている。また、後述するように配線層L9の接地配線GNDは、配線層L8における第2の接地配線GNDを介して接地シート状配線PGNDと電気的に接続されている。このため接地パッドGPDは、配線層L9の接地配線GND、配線層L8の第2の接地配線GNDおよび接地シート状配線PGNDに接地電圧を供給するパッドとして機能する。
図6の電源配線PWRからは、電源シート状配線PPWRと同様に、配線層L8に向かう貫通ビアVA89が延びる。そして配線層L8には、図7に示すように第2の電源配線PWRが形成されており、図6に示した配線層L9の電源配線PWRは貫通ビアVA89により図7に示した配線層L8の第2の電源配線PWRと接続されている。なお、この第2の電源配線PWRより下方においても貫通ビアVA89が延在し、配線層L1の電源配線PWRに達するようになっていてもよい。この場合、図6の電源配線PWRは、電源シート状配線PPWRと同様に、配線層L1の電源配線PWRと電気的に接続される。電源シート状配線PPWRと電源配線PWRと電源パッドPPDとは、いずれも配線層L1の電源配線PWRと電気的に接続される領域であるため、これらを一まとめにしてここでは電源配線領域PPと定義する。
また図6の接地配線GNDからも、配線層L8に向かう貫通ビアVA89が延びる。この貫通ビアVA89は、図7に示すように配線層L8に形成された第2の接地配線GNDに接続される。第2の接地配線GNDは、配線層L8に形成された接地シート状配線PGNDと接続されている。なお、この接地シート状配線PGNDは上述のように貫通ビアVA78を介して配線層L1の接地配線GNDと電気的に接続される。また、第2の接地配線GNDに関して、配線層L8より下方においても貫通ビアVA89が延在していてもよく、配線層L1の接地配線GNDに達するようになっていてもよい。この場合、図6の接地配線GNDは、配線層L1の接地配線GNDと電気的に接続される。このように、接地配線GNDと、配線層L8の第2の接地配線GNDと、接地シート状配線PGNDと、接地パッドGPDとは、いずれも配線層L1の接地配線GNDと電気的に接続される領域であるため、これらを一まとめにしてここでは接地配線領域GGと定義する。
図8は、図6に示す配線層L9をより詳細に図示したものであり、図9は、図7に示す配線層L8をより詳細に図示したものである。図8および図9を参照して、配線層L9の電源シート状配線PPWRは、概ね矩形(長方形)の平面形状を有している。電源シート状配線PPWRには、一定の間隔ごとに貫通ビアVA89(第3の貫通孔)が接続されている。配線層L9の電源シート状配線PPWRの下面の一部(接続部)と接続される貫通ビアVA89は、下層である配線層L8に達する。そして当該貫通ビアVA89は配線層L8よりさらに下層に延び、配線層L1の電源配線PWRに達する。
このとき、当該貫通ビアVA89は配線層L8において、平面視において接地シート状配線PGNDと重なる位置に達するように延びる。したがって接地シート状配線PGNDにおいては、貫通ビアVA89が到達する箇所の、平面視における周囲がパターンPTNとなり、接地シート状配線PGNDが配置されない開口部となっている。配線層L8において、開口部であるパターンPTNの内部には、接地シート状配線PGNDと同一レイやにより構成される島状の電源配線領域PPが形成されている。貫通ビアVA89は当該電源配線領域PPに到達するように形成される。また、当該電源配線領域PPの下面には、さらに配線層L1に向けて延びる貫通ビアが形成される。
なお図8および図9中における貫通ビアVA89は、いずれも微小な貫通ビアが3つ密集して1組となる態様を形成している。ここではこれらの1組の貫通ビアが、図6および図7に示す貫通ビアVA89の1つ分に相当する。
また図8の電源シート状配線PPWRは、平面視において一部の領域に矩形状のスリットSLT(開口)が複数形成されていることが好ましい。図8において、スリットSLTは電源シート状配線PPWR上において規則的に(マトリックス状に)並んでいるが、隣り合うスリットSLTの間隔などが、電源シート状配線PPWRの領域ごとに異なっていてもよい。
図8には、電気的に接続されて一体となった電源シート状配線PPWRと電源配線(第1の配線部)PWRと電源パッドPPDとからなる電源配線領域PP、接地パッドGPDおよび接地配線(第2の配線部)GNDとからなる接地配線領域GGとともに、信号パッドSPDと貫通ビアVA89が形成された領域とからなる信号配線領域SSとが形成される。したがって図1中のパッドPDとは、図8の電源パッドPPDと接地パッドGPDと信号パッドSPDとを含む。
図9の配線層L8においては、電源配線領域PPは、電気的に接続されて一体となった電源配線PWRと電源配線PWとからなる。ここで電源配線PWRとは、配線層L9の電源配線PWRと平面視において重なる領域に位置する電源配線領域PPの一部領域を指す。配線層L9の電源配線PWRと配線層L8の電源配線PWRとを電気的に接続するように、配線層L9および配線層L8の間の貫通層VL89には貫通ビアVA89が形成されている。この貫通ビアVA89は、貫通層VL89を構成する層間絶縁膜に形成された第1の貫通孔の内部に充填された導電体からなる。第1の貫通孔は、配線層L9の電源配線PWRの下面の一部と配線層L8の電源配線PWRの上部表面の一部とを露出させるものである。
また電源配線PWとは、配線層L9の電源配線PWRと平面視において重なる領域以外(配線層L9の電源シート状配線PPWRと平面視において重なる領域)における電源配線領域PPの一部領域を指す。
また配線層L8においては接地配線領域GGは、電気的に接続されて一体となった接地シート状配線PGNDと接地配線(第3の配線部)GNDとからなる。配線層L8の接地配線GNDの表面上に配置された貫通ビアVA89は、配線層L9の接地配線GNDと配線層L8の接地配線GNDとを電気的に接続するものである。配線層L8および配線層L9の接地配線GNDを接続する貫通ビアVA89は、層間絶縁膜に形成された貫通孔(第2の貫通孔)の内部を充填する導電体からなる。当該貫通孔は、配線層L9の接地配線GNDの下面の一部と配線層L8の接地配線GNDの上部表面の一部とを露出させるものである。配線層L9の接地配線GNDと配線層L8の接地配線GNDとは平面視において互いに重なる位置に配置される。
なお上記の第1および第2の貫通孔の内部に形成される貫通ビアVA89は、貫通層VL89を構成する絶縁膜II89(層間絶縁膜)を貫通するように形成されることが好ましい。
また、図8に示すように、配線層L9のうち、電源シート状配線PPWRと電源パッドPPDとの間に配置される電源配線PWRにおける貫通ビアVA89(または第1の貫通孔)の数よりも、接地パッドGPDと接続される接地配線GNDにおける貫通ビアVA89(または第2の貫通孔)の数の方が多いことが好ましい。この場合、配線層L9と配線層L8との接地配線GNDを、当該貫通ビアVA89を介して電気的に確実に接続することができる。
また配線層L9の信号配線領域SSにおける貫通ビアVA89との接続部の配置は、配線層L8における信号配線領域SSでの当該貫通ビアVA89の接続部と平面視において重なる位置に達するように延びる。
図10を参照して、上記の各貫通ビアVAは、積層構造を下層側へ貫通し、最下層である配線層L1を構成する電源配線PWRや接地配線GNDに達する。配線層L1では、スタンダードセルSDC1、SDC2が形成される。
ここで、本実施の形態の半導体装置の作用効果について、図11と比較しながら説明する。
図11は、参考例の半導体装置における配線層L9の構成を示す平面図である。図11と、本実施の形態に係る図6とを比較して、図11においては、電源配線領域PPのうち図6の電源シート状配線PPWRに相当する領域が、平面視において長尺形状を有する複数の電源配線PWRとなっている。つまり図11においては、図6の電源配線PWRと同様の形状を有する複数の線状領域が、図6の電源シート状配線PPWRと同様の機能を有する。より具体的には、図11においては、図6において電源シート状配線PPWRが形成される領域には、長尺形状を有する複数の電源配線PWRと接地配線GNDとが一定間隔で交互に並んでいる。
図11の電源配線領域PPにおいては、(図6の電源シート状配線PPWRの位置に配置された)電源配線PWRと、電源パッドPPDに直接接続された(図6の第1の配線部としての)電源配線PWRとが接合部CNTにおいて電気的に接続され一体となっている。ここで図11の場合、電源配線PWRの形成される位置によっては、接合部CNTの幅(図11の左右方向に関する幅)が非常に狭くなることがある。すると図11の電源配線領域PPについては、狭くなった接合部CNTにおいて電流の経路の断面積が小さくなり、結果的に接合部CNTでの電気抵抗が大きくなる。接合部CNTにおいて電気抵抗が大きくなれば、接合部CNTの近傍においては電圧ドロップが大きくなり、半導体装置全体の電力供給能力が低下する。また狭くなった接合部CNTにおいて、電流集中が起こることにより、接合部CNTにおいて配線の故障(マイグレーション)が発生する可能性がある。
しかし図6の本実施の形態においては、電源シート状配線PPWRが配線層L9の主表面のうち大きな面積分を占めるように層状に広がっている。このため、たとえば第1の配線部としての電源配線PWRの位置にかかわらず、電源シート状配線PPWRと電源配線PWRとの接合部の幅が、電源配線PWRの幅にほぼ等しくなる。
このように、電源シート状配線PPWRが、配線層L9の主表面に対して占める面積の割合が大きくなることにより、電源パッドPPD(電源配線PWR)と接続される領域における電圧ドロップやマイグレーションの発生を抑制することができる。
また、たとえば図11における2つの電源配線PWR(たとえば電源パッドPPDと接続され、貫通ビアVA89aが接続されている1つの電源配線PWRと、当該電源配線PWRと間隔を隔てて形成され、貫通ビアVA89bが接続されている他の電源配線PWR)を電気的に接続する(電源パッドPPDとこれらの2つの電源配線PWRとを電気的に接続する)ためには、以下のようにする必要がある。すなわち、配線層L9においては貫通ビアVA89aが接続された第1の電源配線PWRと、貫通ビアVA89bが接続された第2の電源配線PWRとは互いに不連続である。そのため、配線層L8において、それぞれ貫通ビアVA89a、89bの両方と接続された電源配線PWRを形成する。つまり、第1の電源配線PWRと第2の電源配線PWRとを互いに電気的に接続するためには、2つの配線層L9、L8を利用する必要がある。
しかし本実施の形態においては、広範囲に層状に広がる電源シート状配線PPWRに接続される複数の貫通ビア間は、当該電源シート状配線PPWRにより互いに電気的に接続される。このため、電源パッドPPDと複数の貫通ビアとを電気的接続するために、2つの配線層L9、L8にまたがる構造を形成する必要がない。つまり、電源パッドPPDから配線層L1に形成される電源配線PWRまでの電流経路に、図11に示す場合のような余分な貫通ビアが含まれることが無いため、当該貫通ビアの存在に起因する電圧ドロップが抑制される。このことからも、当該半導体装置の電力供給能力の低下を抑制することができる。
また、たとえば図2に示すように、最上層である配線層L9およびその直下の配線層L8は、他の配線層に比べて上下方向の厚みが大きくなっている。このため、たとえば図11の電源配線PWRや接地配線GNDのように、主表面に沿う方向の幅が狭い配線パターンは、厚みと幅とのアスペクト比が大きくなる。このため図11の電源配線PWRや接地配線GNDは構造的に不安定となり、当該配線が転倒する不具合が起こる可能性がある。
しかし本実施の形態の電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDは、主表面に沿う方向の幅が広い。このためこれらの配線パターンの厚みが大きくなっても、厚みと幅とのアスペクト比が小さくなる。したがって形成された配線は構造的に安定し、倒れる可能性が低減される。
また本実施の形態においては、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDが層状に広がる単純な形状を有する。このため、たとえば図11のように幅の狭い線状の電源配線PWRや接地配線GNDが多数形成される場合に比べてデザインルールが緩和される。したがって、フォトリソグラフィに用いるマスクの作成費用を低減することができる。
さらに、本実施の形態の半導体装置は、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDと、当該電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとの間に配置された誘電体層DLSとがデカップル容量(平行平板容量)を構成する。ここでデカップル容量とは、あらかじめ電荷を蓄えておき、たとえば半導体装置の駆動時に局所的に発生する、電荷量のばらつきなどを補償するために、当該ばらつきの発生した場所に電荷を供給する役割を有する構造である。このようにすれば、半導体装置の動作をより安定化することができる。
本実施の形態においては上述のように電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDと誘電体層DLSとが容量を構成する。このため、半導体チップSCの半導体基板SUB上などに回路素子とは別にデカップル用の容量を形成する必要がない。したがって、半導体チップにおいて半導体基板SUB上に別途でカップル容量を形成する場合より、半導体チップの主表面の面積を小さくし、半導体装置を小型化することができる。
また上記の材質からなる誘電体層DLSを形成することにより、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDなどを電極として用いたデカップル容量の静電容量をより大きくすることができる。したがって、半導体装置をより安定に動作することができる。
また、図8に示すように、配線層L9のうち、電源シート状配線PPWRと電源パッドPPDとの間に配置される電源配線PWRにおける貫通ビアVA89(第1の貫通孔内部に充填される導電体)の数よりも、接地パッドGPDと接続される接地配線GNDにおける貫通ビアVA89(第2の貫通孔に充填される導電体)の数の方が多くなっている。
このようにすれば、接地パッドGPDと接続される接地配線GND下に形成される貫通ビアVA89での電気抵抗値を、電源パッドPPDに接続された電源配線PWR下に形成される貫通ビアVA89での電気抵抗値より小さくできる。この結果、当該半導体装置の電気特性をより安定化することができる。
本実施の形態においては、電源シート状配線PPWRと電源パッドPPDとは、いずれも配線層L9に形成されている。これに対して、接地シート状配線PGNDと接地パッドGPDとは、それぞれ異なる配線層L9とL8とに形成されている。このため両者間の電気的な接続は貫通ビアVA89によってなされる。したがって、電源シート状配線PPWRと電源パッドPPDとの間の電気抵抗値よりも、接地シート状配線PGNDと接地パッドGPDとの間の電気抵抗値の方が大きくなる可能性が高い。
このため、上記のように接地シート状配線PGNDと接地パッドGPDとを電気的に接続する貫通ビアVA89の数を多くすれば、貫通ビアVA89の合計での断面積が実質的に大きくなり、その結果、当該領域における電気抵抗値を小さくすることができる。具体的には、たとえば図8に示すように、電源パッドPPDに接続された電源配線PWRよりも、接地パッドGPDに接続された接地配線GNDの面積を大きくすることにより、接地配線GNDに接続される貫通ビアVA89の数を、上記電源配線PWRにおける貫通ビアVA89の数より多くすることができる。
さらに本実施の形態においては、接地シート状配線PGNDの主表面において、電源シート状配線PPWRから延びる貫通ビアVA89(第3の貫通孔の内部に充填された導電体)との交点領域にパターンPTN(貫通孔)が形成されている。このように電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDに接続するように貫通ビアVA89が形成され、上記パターンPTN(貫通孔)を通るように貫通ビアVA89が配置されることにより、貫通ビアVA89を形成することが可能な領域の選択の自由度を大きくできる。
たとえば図11のように、電源配線PWRや接地配線GNDが幅の狭い長尺形状(線状の形状)を有する場合、貫通ビアVA89の形成されうる範囲が当該電源配線PWRや接地配線GNDの内部であるため、その範囲は比較的狭くなる。これに対して本実施の形態においては、広い領域に層状に広がる電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGND上の任意の領域に対してパターンPTNや貫通ビアVA89を形成することができる。
さらに本実施の形態においては、電源シート状配線PPWRにおいても、複数のスリット(開口)SLTが形成される。このため、たとえば電源シート状配線PPWRを含む配線層L9を平坦化するような場合に、電源シート状配線PPWRと他の領域とで平坦性のばらつき(厚みのばらつき)が生じることを抑制することができる。
電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDは、平面視における表面積が大きい。このため、これらを形成する領域内における占有率(領域全体に対する実際に金属配線(金属薄膜)を形成する領域の割合)が高いと、形成される配線(金属薄膜)の厚みなどにばらつきが発生する可能性がある。仮にばらつきが発生すれば、後工程において当該金属薄膜の表面を研磨する際に、当該金属薄膜の厚みが一部において他より薄くなるなどの不具合が発生する可能性がある。なお、研磨を行なう目的は、当該金属薄膜の電気抵抗値のばらつきを小さくすることや、さらに上部に配線層を形成する場合にこれを容易にすることである。
しかし本実施の形態のように電源シート状配線PPWRなどにスリットSLTを設け、これらの金属薄膜の占有率をたとえば70%以上80%以下といった範囲にする。このようにすれば、形成される金属薄膜の最上面をより平坦にすることができる。したがって、形成される金属薄膜の厚みがばらつくことによる、電気抵抗の局所的なばらつきや、電圧ドロップの局所的な増加を抑制することができる。
(実施の形態2)
本実施の形態は実施の形態1と比較して、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとの配置において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
本実施の形態は実施の形態1と比較して、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとの配置において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
図12を参照して、本実施の形態においては、配線層のうち最上層である配線層L9に接地シート状配線PGNDが配置されており、配線層L8に電源シート状配線PPWRが配置されている。この点においてのみ、本実施の形態は実施の形態1と異なる。
このように、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとが、実施の形態1の半導体装置と上下逆の配線層に形成されてもよく、この場合においても実施の形態1と同様の効果を奏する。本実施の形態においては、たとえば図6や図8に示す配線層L9の電源配線領域PPが接地配線領域GGとなり、図6や図8の電源シート状配線PPWRが接地シート状配線PGNDとなる。また、たとえば図7や図9に示す配線層L8の接地配線領域GGが電源配線領域PPとなり、図7や図9の接地シート状配線PGNDが電源シート状配線PPWRとなる。
本発明の実施の形態2は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態2について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
(実施の形態3)
本実施の形態は実施の形態1と比較して、配線層の構成において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
本実施の形態は実施の形態1と比較して、配線層の構成において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
図13を参照して、本実施の形態においては、配線層L7および配線層L6が、配線層L9および配線層L8よりも上層に形成されている。この点において、実施の形態1と異なっている。
このように、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDは必ずしも多層配線構造の最上層に配置される必要はなく、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDを多層配線構造の任意の位置に配置することができる。
半導体チップSCの集積回路を構成する通常の配線が形成される配線層L7や配線層L6などの下層に、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDが配置される構成であっても、実施の形態1と同様の効果を奏する。また、配線層L7、L6の下層に、たとえば実施の形態2と同様に、接地シート状配線PGNDが上層に、電源シート状配線PPWRが下層に配置されるデカップル容量が配置されてもよい。また、たとえば配線層L4や配線層L3の下層など、任意の高さの層に電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDが配置されてもよい。
本発明の実施の形態3は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態3について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
(実施の形態4)
本実施の形態は実施の形態1と比較して、配線層の構成において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
本実施の形態は実施の形態1と比較して、配線層の構成において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
図14を参照して、本実施の形態においては、配線層L7および配線層L6において、それぞれ配線層L9および配線層L8と同様に電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDが配置されている。
配線層L7および配線層L6においては、貫通ビアVA89から延びる貫通ビアVAを通すためのパターンPTNが形成されていることを除き、それぞれ配線層L9および配線層L8と同様の構成を有することが好ましい。たとえば配線層L7には他の電源シート状配線PPWRが、配線層L6には他の接地シート状配線PGNDが配置される。ただしたとえば実施の形態2と同様に、配線層L7には接地シート状配線PGNDが、配線層L6には電源シート状配線PPWRが配置された構成であってもよい。配線層L9と配線層L8とにおいても同様に、電源シート状配線PPWRと接地シート状配線PGNDとの上下関係については任意である。
そして配線層L9と配線層L8とにおける電源配線領域PPと接地配線領域GGとが平面視において重なる領域、および配線層L7と配線層L6とにおける電源配線領域PPと接地配線領域GGとが平面視において重なる領域には誘電体層DLSが配置される。このようにして、平行平板容量としてのデカップル容量が2つ積層された構成を有する。
以上の点においてのみ、本実施の形態は実施の形態1と異なる。本実施の形態のように、デカップル容量が2つ積層された構成を有する半導体装置においても、実施の形態1の半導体装置と同様の効果を奏する。
なお本実施の形態に、上述した実施の形態1〜実施の形態3を任意に組み合わせた構成としてもよい。たとえば本実施の形態のように、デカップル容量が2つ積層された構成の上に、実施の形態3のように通常の集積回路の配線が形成された配線層が積層された構成の半導体装置としてもよい。
本発明の実施の形態4は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態4について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
(実施の形態5)
本実施の形態は、実施の形態1と比較して、貫通ビアVAやパターンPTNの平面視において形成される位置において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
本実施の形態は、実施の形態1と比較して、貫通ビアVAやパターンPTNの平面視において形成される位置において異なっている。以下、本実施の形態について説明する。
図15を参照して、本実施の形態においては、たとえば配線層L9の電源シート状配線PPWRへの貫通ビアVA89の接続部が、当該電源シート状配線PPWRの中央部に集中的に配置されている。すなわち、電源シート状配線PPWRの表面上において貫通ビアVA89と接続された位置である接続部の密度が、当該表面上において一様ではなく、局所的に異なっている。図16は配線層L8における接地シート状配線PGNDでの、貫通ビアVA89が通る貫通孔であるパターンPTNの配置を示す。また、図16における貫通ビアVA89は、図15における貫通ビアVA89と平面視において重なる位置に配置されている。
本実施の形態に係る、図15と異なる例を示す図17および図18においては、貫通ビアVA89(およびパターンPTN)は、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDの平面視における中央よりも外周寄りの(たとえば右上の角部に寄った)部分に集中的に配置されている。
なお、図18における貫通ビアVA89は、上記の図16と同様に、図17における貫通ビアVA89と平面視において重なる位置に配置されている。本実施の形態は、以上の点について、実施の形態1と異なる。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
上記(図8の説明)のように、本実施の形態においては、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDと接続する貫通ビアVAの形成される位置の許容される範囲を広くすることができる。これは従来の電源配線PWRや接地配線GNDに比べて、電源シート状配線PPWRなどの平面視における表面積が大きいためである。
上記(図8の説明)のように、本実施の形態においては、電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDと接続する貫通ビアVAの形成される位置の許容される範囲を広くすることができる。これは従来の電源配線PWRや接地配線GNDに比べて、電源シート状配線PPWRなどの平面視における表面積が大きいためである。
そこで本実施の形態のように、層状に広がる電源シート状配線PPWRや接地シート状配線PGNDのうち、特に半導体チップSCにおいて電流消費の多い領域や、電源電圧について電圧ドロップが大きい位置(電源パッドPPDからの電流流路における電気抵抗の大きくなる領域)と重なる領域に貫通ビアVA(貫通ビアVA89)を集中的に形成する。このようにすれば、電圧ドロップが大きい領域に電源シート状配線PPWRから直接的に電源電流を供給できることにより、電源電流の通電経路での電気抵抗値をできるだけ小さくし、結果的に電圧ドロップを緩和することができる。
たとえば一般的には、半導体チップSCにおいて特に電圧ドロップが大きい領域は、平面視における中央部である。このため、特に中央部における電圧ドロップが大きい場合には図15および図16に示す位置に貫通ビアVA(貫通ビアVA89)が形成されることが好ましい。また特定の、電流消費の大きい任意の領域あるいは電圧ドロップが大きい任意の領域に集中するように、貫通ビアを集中的に形成してもよい。その例が図17および図18である。
なお本実施の形態に、上述した実施の形態1〜実施の形態3を任意に組み合わせた構成としてもよい。たとえば実施の形態4のように、デカップル容量が2つ積層された構成をさらに設けてそれぞれに本実施の形態のような貫通ビアが形成され、かつ実施の形態3のように通常の集積回路の配線が最上層に形成された構成の半導体装置としてもよい。
本発明の実施の形態5は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態5について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、多層積層構造を有する半導体装置に特に有利に適用されうる。
BL ボール、CNT 接合部、DLS 誘電体層、GG 接地配線領域、GND 接地配線、GPD 接地パッド、II1,II12,II2,II23,II3,II34,II4,II45,II5,II56,II6,II67,II7,II78,II8,II89,II9 絶縁膜、L1,L2,L3,L4,L5,L6,L7,L8,L9 配線層、M1,M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8,M9 金属配線、PD パッド、PGND 接地シート状配線、PP 電源配線領域、PPD 電源パッド、PPWR 電源シート状配線、PSB パッケージ基板、PW,PWR 電源配線、RSN モールド樹脂、SC 半導体チップ、SDC1,SDC2,SDC3,SDC4,SDC5,SDC6 スタンダードセル、SLT スリット、SPD 信号パッド、SS 信号配線領域、SUB 半導体基板、VA,VA12,VA23,VA34,VA45,VA56,VA67,VA78,VA89,VA89a,VA89b 貫通ビア、VL12,VL23,VL34,VL45,VL56,VL67,VL78,VL89 貫通層、WR ワイヤ。
Claims (7)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記主表面に沿うように層状に広がる電源シート状配線と、
前記主表面に沿うように、前記主表面に交差する方向に関して前記電源シート状配線と一定の距離を隔てて層状に広がる接地シート状配線と、
前記主表面上に形成され、前記主表面内の一の方向に延在する電源配線と、
前記主表面上に形成され、前記一の方向に沿う方向に延在し、前記電源配線と一定の距離を隔てて形成された接地配線とを備え、
前記電源シート状配線は、前記電源配線と電気的に接続されており、
前記接地シート状配線は、前記接地配線と電気的に接続されている、半導体装置。 - 前記電源シート状配線と前記接地シート状配線とは少なくとも一部が平面視において重なっており、
前記電源シート状配線と前記接地シート状配線との間に、誘電体層が配置されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記誘電体層は、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、シリケイト、アルミネート、ハフニウムシリケート、酸窒化ハフニウムアルミニウム、酸化イットリウムからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記電源シート状配線と、前記接地シート状配線とのいずれか一方と同一レイヤで形成された第1パッド電極および第2パッド電極と、
前記第1パッド電極と同一レイヤで形成されている、前記電源シート状配線および前記接地シート状配線のいずれか一方と、前記第1パッド電極とを接続する第1の配線部と、
前記第2パッド電極に接続され、前記第1パッド電極と同一レイヤで形成されている第2の配線部と、
前記電源シート状配線と前記接地シート状配線とのいずれか他方と同一レイヤで形成され、前記電源シート状配線と前記接地シート状配線とのいずれか他方と接続されるとともに、前記第2の配線部と平面視で重なる位置に配置された第3の配線部と、
前記第2の配線部と前記第3の配線部との間から、前記第1の配線部と接する領域にまで延び、少なくとも前記第1の配線部の表面の一部を露出させる第1の貫通孔と、前記第2の配線部と前記第3の配線部とを繋ぐ複数の第2の貫通孔とが形成された層間絶縁膜と、
前記第1および第2の貫通孔の内部を充填する導電体とを備え、
前記第2の貫通孔の数は、前記第1の貫通孔の数より多い、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記電源シート状配線から前記接地シート状配線に交差するように延び、前記電源シート状配線と前記電源配線とを電気的に接続する導電体を備え、
前記導電体は、前記接地シート状配線に形成された貫通孔を通るように配置されている、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記電源シート状配線は、平面視における内部に複数の開口を有している、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記電源シート状配線において前記電源配線と電気的に接続された接続部の平面視における密度は、前記電源シート状配線において局所的に異なっている、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
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