JP2012015354A5 - - Google Patents

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本発明の一態様に係る半導体装置は、電界効果トランジスタと、抵抗素子と、を備える。前記抵抗素子は、前記電界効果トランジスタのバックゲート電極と一方のソース・ドレイン領域との接続点と、前記電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続されている。そして、前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域が一方の端子であり、前記抵抗素子と前記ゲート電極との接続点が他方の端子である。

Claims (1)

  1. 電界効果トランジスタと、
    前記電界効果トランジスタのバックゲート電極と一方のソース・ドレイン領域との接続点と、前記電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続された抵抗素子と、
    を備え、
    前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域が一方の端子であり、前記抵抗素子と前記ゲート電極との接続点が他方の端子であることを特徴とする半導体装置。
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