JP2012015247A - 塗布装置および塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムFの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ340と、ステージ340保持されたシートフィルムFの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル343と、塗布された薄膜材料をシートフィルムFの表面に広げるためにステージ340を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット34において、塗布手ノズル343より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムFを保持した状態でステージ340を回転することでステージ340の中央部341aとシートフィルムFとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。
【選択図】図6
【解決手段】 シートフィルムFの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ340と、ステージ340保持されたシートフィルムFの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル343と、塗布された薄膜材料をシートフィルムFの表面に広げるためにステージ340を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット34において、塗布手ノズル343より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムFを保持した状態でステージ340を回転することでステージ340の中央部341aとシートフィルムFとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。
【選択図】図6
Description
この発明は、シートフィルム等の基材表面に樹脂材料からなる薄膜を形成する塗布方法および塗布装置に関するものである。
薄膜形成技術として欠陥のない均一な薄膜を得るために、樹脂製のシートフィルム等の基材上に薄膜材料を含む塗布液を塗布し、これを基板表面に密着させた後にシートフィルムを剥離することによって、基板表面に薄膜を転写するものがある。例えば特許文献1には、フィルム収容カセットに収容されたシートフィルムを1枚ずつ取り出してその表面に薄膜材料を塗布し、これを基板に転写した後にシートフィルムを剥離する薄膜形成システムが開示されている。
一方、この種の技術においては、薄く柔軟なシートフィルムを平らな状態に保ちながら搬送するために、シートフィルムの周縁部に保持枠を装着させることが提案されている。例えば特許文献1と2には、一対のリング状の保持部材によってシートフィルムを挟持した状態とすることによって、シートフィルムを取り扱いやすくすることが記載されている。
また、シートフィルムに薄膜材料を含む塗布液を塗布する塗布装置においては、シートフィルムを保持するのに真空吸着機構、所謂バキュームチャックが用いられる(特許文献3)。一方、バキュームチャックは吸着孔の位置で接触跡が発生する欠点があることが知られている。シートフィルムに接触跡が発生すると塗布膜の膜厚ムラとなって現われるという問題があった。
そこで、吸着孔を小さくすることで、吸引に伴う吸着孔の部位におけるシートフィルムの変形を抑えることが考えられる。しかしながら、吸着孔を小さくすると大サイズのシートフィルムに対応する場合に、吸着ステージが大きくなるのと同時に吸着孔の数も多くなった。小さい吸着孔を形成する加工精度の問題と、多くの吸着孔を形成しなければならない生産性の観点からの問題が残されていた。
特に、上述の基板表面にシートフィルムの薄膜を転写する薄膜形成技術において、転写される薄膜の厚さにおいてより薄さが要求されてきている。例えば、直径0.3mmの吸着孔の場合、吸着部位と未吸着部との塗布膜厚の変化率は約14%となり、100nmの薄膜を塗布するのに無視出来ない。このような要求に対応するとなると、吸着孔を小さくするのには限界があり、根本的に吸着による接触跡による塗布膜厚ムラを解決するには至っていなかった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法に適した技術を提供することを目的とする。
この発明にかかる薄膜の塗布装置は、上記目的を達成するため、基材の一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持する基材保持部と、前記基材保持部の吸着孔に連通接続される吸引機構と、を有する基材保持機構と、前記基材保持機構によって保持された基材の表面に薄膜材料を塗布する塗布手段と、前記塗布手段により塗布された薄膜材料を基材の表面に広げるために前記基材保持部を回転する回転機構と、前記回転機構を前記塗布手段により薄膜材料が塗布される前に基材を前記基材保持部により保持した状態で回転する制御手段と、を具備するようにしたものである。
また本発明の請求項1記載の塗布装置において、前記基材保持部の吸着孔は基材の一面の周縁であり、基材の非有効領域に対応して配置したものである。
この発明にかかる薄膜の塗布方法は、上記目的を達成するため、基材の一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持する基材保持工程と、前記基材保持工程によって保持された基材の吸着を継続し、薄膜材料が塗布される前に基材を回転する保持回転工程と、前記保持回転工程によって保持し回転後の基材の表面に薄膜材料を塗布する塗布工程と、を具備するようにしたものである。
また本発明の請求項3記載の塗布方法において、前記塗布工程は前記保持回転工程によって回転中の基材に対して薄膜材料を塗布するようにしたものである。
本発明の請求項1に係る塗布装置によれば、基材を吸着する際に基材保持部との間に残留する空気を排気して吸着した後に塗布液を塗布することができる。
また本発明の請求項2に係る塗布装置によれば、基材を吸着する吸着孔は基材の非有効領域に対応して配置されるので、有効領域に吸着に伴う接触跡が発生すること防止できる効果を奏する。
また本発明の請求項3に係る塗布方法によれば、基材を吸着する際に基材保持部との間に残留する空気を排気して吸着した後に塗布液を塗布することができる。
また本発明の請求項4に係る塗布方法によれば、基材を吸着するための回転を継続したまま、続いて塗布処理が行われるので処理時間が短縮できる効果を奏する。
この発明によれば、塗布装置の基材保持部に基材を吸着保持した後で薄膜材料の塗布の前に基材が回転される。このため、基材と基材保持部との間に残存する空気が排出され、吸着された基材の表面波打ちが防止される。この状態で薄膜材料が塗布されるので塗布膜圧ムラの防止された薄膜が形成されることが可能となっている。
以下、本発明の実施例を図1乃至図4に基づいて説明する。
図1はこの発明にかかる薄膜形成システムの一実施形態を示す図である。より詳しくは、この薄膜形成システムを上部から見たレイアウト図である。また、図2はこの薄膜形成システムによる薄膜形成プロセスを示すフローチャートである。以下の説明においては、このシステムの奥行き方向(図1において左右方向)をX方向、幅方向(図1において上下方向)をY方向、高さ方向(図1紙面に直交する方向)をZ方向とする。
この薄膜形成システムは、半導体基板の表面に例えば絶縁膜としてのSOG(Spin−On−Glass)による薄膜を形成するためのシステムであり、より具体的には、樹脂製のシートフィルム上に薄膜材料を含む塗布液を塗布して薄膜を形成し、シートフィルムに担持された薄膜を基板表面に密着させて転写した後にシートフィルムを剥離除去することにより、基板表面に薄膜のみを残存させるものである。なお、シートフィルムとしては、例えばETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)もしくはPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などの可撓性を有し、または可塑性を有する有機材料からなるシート状のフィルムを用いることができる。
すなわち、この薄膜形成システムにより実行される薄膜形成プロセスでは、図2に示すように、まずシートフィルムを収容したフィルムカセットおよび基板を収容した基板カセットが搬入される(ステップS10)。これに続いて、以下の各工程:フィルムカセットから取り出されたシートフィルムに薄膜材料を含む塗布液を塗布する塗布工程(ステップS20);これを乾燥させてシートフィルム上に薄膜を形成する乾燥工程(ステップS30);こうしてシートフィルム上に形成された薄膜を、基板カセットから取り出された基板に転写する転写工程(ステップS40);基板からシートフィルムのみを剥離して回収する剥離・回収工程(ステップS50)、を処理すべき基板の全数について行い(ステップS60)、処理済み基板を収容したカセットを搬出することで(ステップS70)、処理が完結する。
このシステムでは、図1に示すように上手側(図1の左側)に、未処理の基板Wを収納した基板カセット11を外部から受け取るインデクサ部1が設けられている。一方、インデクサ部1の下手側(図1の右手側)には、Y方向に往復移動する基板搬送ロボット2が設置された搬送部TPが設けられている。また、搬送部TPを挟んでインデクサ部1とは反対側に、基板Wに対し後述する所定の処理を行ってその表面に薄膜を形成する薄膜形成部3が設けられている。この薄膜形成システムでは、当該システムを構成する上記各部が制御ユニット4からの制御指令に基づいて動作する。
薄膜形成部3では、その中心部にセンターロボット70が設けられており、これを取り囲むように反転ユニット31、リング載置台32、フィルムカセット載置台33、塗布ユニット34、剥離ユニット10、回収ユニット50、転写ユニット35および乾燥ユニット36の各ユニットが設けられている。またフィルムカセット載置台33および塗布ユニット34に隣接してフィルム搬送ロボット39が設けられている。
以下、上記各部の構造や動作について説明するが、これらの各ユニットのうち、反転ユニット31、転写ユニット35および乾燥ユニット36としては、例えば前述した特許文献1(特開2003−100727号公報)に記載されたものと同一構造のものを用いることができるので、これらのユニットの構造については詳しい説明を省略する。また、剥離ユニット10、回収ユニット50としては、例えば前述した特許文献2(特開2010−50183号公報)に記載されたものと同一構造のものを用いることができるので、これらのユニットの構造については詳しい説明を省略する。
この薄膜形成システムでは、柔軟なシートフィルムをその形状を保ちながら搬送するために、前述した従来技術でも行われているようにリング状の保持枠を装着したリング体の状態でシステム内を移動させる。ただし、前記従来技術の装置ではシートフィルムがリングを装着された状態で外部から搬入されてくるのに対して、本実施形態では、外部からはリング未装着のシートフィルム単体を受け入れてシステム内部でリングの装着・取り外しを行うことによりリングをシステム内で循環させるようにしている。
リングを装着された状態でシートフィルムを受け入れる装置の場合、シートフィルム1枚ごとに1組のリングが必要であり、多数枚の基板に対して処理を行う場合、大量のリングを用意しておかなければならず、装置コストおよび基板の処理コストが高くなってしまう。また、本来は極めて薄いシートフィルムもリングを装着すると嵩張るため、それらを保管するためのスペースが必要となる上に、大量搬送にも適さない。
これに対して、以下に詳述するようにシステム内でリングを循環させるように構成された本実施形態においては、外部からシートフィルムを単体で受け入れるため一度に多数枚のシートフィルムを搬入することができ、またフィルムを積層しておくことにより保管スペースも小さくて済む。さらに、リングは最少の場合1組、処理効率上より好ましくは数組用意しておけばよいので、装置コストおよび基板処理コストを大幅に低減することが可能である。もちろんリングを保管するためのスペースも最小限で済む。
図3はリング体の構造を示す分解組立斜視図である。このリング体RFは、上部リングRupと下部リングRdwとで樹脂製のシートフィルムFの周縁部を挟み込むことによってシートフィルムFを保持したものである。上部リングRupおよび下部リングRdwは例えばアルミニウムにより同一径に形成された円環であり、このうち上部リングRup上面の一部には4枚の磁性体(例えば鉄または鉄系合金)材料からなるプレート91が取り付けられている。
また、上部リングRupには上記プレート91とは異なる位置に複数の永久磁石92が埋め込まれる一方、下部リングRdwにも同数の永久磁石93が埋め込まれている。永久磁石92と永久磁石93とは、上部リングRupと下部リングRdwとを重ね合わせたときに互いに相対する位置に取り付けられるとともに、互いに引き合う極性となっている。このため、上部リングRupおよび下部リングRdwが直接またはシートフィルムFを挟んで重ね合わせられると、永久磁石の吸着力によって上下リングが一体化される。
上部リングRupおよび下部リングRdwの外周面の各1箇所に、位置決め用の切り込み部94、95が設けられている。また、上部リングRupには複数の貫通孔96が穿設される一方、下部リングRdwにも複数の貫通孔97が設けられている。上部リングRupの貫通孔96と、下部リングRdwの貫通孔97とは互いに異なる位置に設けられており、上部リングRupと下部リングRdwとを一体化させたときにそれぞれの貫通孔が重なり合うことがないようになっている。これらの貫通孔96、97の機能については後述する。
図4はセンターロボットの構造を示す図である。より詳しくは、同図(a)はセンターロボット70を上方より見た平面図であり、同図(b)はその側面図である。このセンターロボット70は多関節ロボットであり、ロボット本体701と、そのロボット本体701の頂部に取り付けられた2本の多関節アーム702、703と備えている。このロボット本体701は、回転軸AX1回りに回転し、さらにZ方向に伸縮自在となっている。
また、多関節アーム702の先端部には基板Wを保持するための基板ハンド704が取り付けられている。基板ハンド704の上面には基板Wの外周部を把持するための把持爪704aが設けられている。一方、基板ハンド704の下面には図示しない排気装置に連通された多数の小孔が設けられており、基板Wの上面を真空吸着することができる。すなわち、基板ハンド704は、その上面側に基板Wを載置する、またはその下面側で基板Wを真空吸着するという2つの方法で基板Wを保持することができる。また、もう一方の多関節アーム703の先端部には上部リングRupを磁気吸着して保持するためのリングハンド705が取り付けられている。
図5はリングハンドのより詳細な構造を示す図である。このリングハンド705には、図4および図5(a)に示すように、上部リングRupに取り付けられた4つのプレート91に対応して4つの電磁石706が固設されている。制御ユニット4からの制御指令に応じて電磁石706が励磁されると、上部リングRupのプレート91を電磁吸着して上部リングRupまたは上部リングRupに下部リングRdwやシートフィルムFが一体化されたリング体RFを保持することができる。また電磁石706の励磁を停止することで、上部リングRupまたはリング体RFの保持を解除することができる。なお、この磁気吸着に変えて真空吸着によって保持するようにしてもよい。即ち、リングハンド705の電磁石706に代えて吸引機構の吸着孔を配置するようにしてもよい。
また、上部リングRupに穿設された貫通孔96に対応する位置には、上下リングを分離させるための突き出し機構707が設けられている。図5(b)は図5(a)のA−A線断面図である。図5(b)に示すように、突き出し機構707は内部に突き出しピン708を収容しており、制御ユニット4からの制御指令に応じてリングハンド705下面から下向きに突き出しピン708を突出させることができる。図5(c)に示すように、突き出しピン708が下向きに突き出された状態では、突き出しピン708の先端が上部リングRupに設けられた貫通孔96を通して下部リングRdwの上面を下向きに押し出す。これにより、永久磁石92、93によって電磁吸着されている上部リングRupと下部リングRdwとが分離される。
このとき、上部リングRupがリングハンド705に保持された状態で下部リングRdwのみを分離するために必要な条件は、プレート91に対する電磁石706の電磁吸引力の合計をF1、突き出しピン708が下部リングRdwを押す力の合計をF2、永久磁石92、93間の電磁吸引力の合計をF3としたとき、F1>F2>F3の関係が成立することである。なお、プレート91に対する電磁石706の電磁吸引力F1については、上部リングRup、下部リングRdw、薄膜を形成されたシートフィルムFおよび基板Wの総重量よりも大きくなければならない。
塗布ユニット34について図6は塗布ユニットの構成を示す図である。また、図7は図6の塗布ユニットの部分構成を示す断面図である。この塗布ユニット34は、シートフィルムFの保持部である円板状のステージ340と、このステージ340を回転させる回転機構としてのモータ(図示省略)の回転軸342と、塗布液である例えばSOG(Spin−on−Glass)液を塗布するためのSOG液用吐出ノズルである塗布手段を構成する塗布ノズル343と、エッジリンスを行うべくシートフィルムFの周縁部分に洗浄液を吐出する洗浄液用吐出ノズルであるエッジリンスノズル344と、塗布液や洗浄液等が塗布ユニット34の周辺に飛散するのを防止する飛散防止カップ345と、制御手段348を備えている。制御手段348は回転軸342に回転を制御したり、図示しない処理液供給系を制御して塗布ノズル343とエッジリンスノズル344からそれぞれの処理液の吐出動作を制御する。なお、制御手段348は、前述制御ユニット4の一部を構成するものである。
このステージ340は、それぞれ円盤形状のステージ上部341とステージ下部349のネジ等により貼り合わせて構成される。ステージ上部341の中央部341aは、図7に示すように、下リングRdwの厚み分に相当する厚みを有し、ステージ上部341の中央部341a全体はステージ下部349上で円錐台形状を有している。すなわち、ステージ上部341の周縁部341bが下リングRdwの円環幅WD分だけ中央部341aよりも下リングRdwの厚みH分だけ低くなっており、下リングRdwがすっぽりとステージ上部341の周縁部341bに嵌まり込むとともに、下リングRdw上に載置されているシートフィルムFの中央部がステージ上部341の中央部341aにそのまま載置される。具体的には、リング体RFがセンターロボット70によってステージ340に搬入された後、上リングRupのみがセンターロボット70により塗布ユニット34の外に搬出される。なお、その詳細については後で説明する。
また、この実施形態では、下リングRdwのステージ340への載置を良好に行うために、ステージ上部341の円錐台状の中央部341aが裾野位置で下リングRdwの内径とほぼ同一外径を有する一方、頂部近傍で下リングRdwの内径よりも小さくなっており、ステージ下部349の上面における段差部341cにテーパを設けている。
また、このステージ上部341の上面周縁には、図7に示すように、吸着孔346が複数個設けられるとともに、ステージ340内部に設けられた連通部347を介して図示を省略する真空ポンプと接続され吸引機構を構成されている。このため、上記のようにステージ340に載置された下リングRdwおよびシートフィルムFはステージ340にしっかりと真空吸着される。そして、このように構成されたステージ340の周囲を飛散防止カップ345が取り囲む構成になっている。即ち、真空ポンプと連通部347が本発明の吸引機構を構成して、吸着孔346が真空チャックとして機能することで、ステージ340が基材保持部に相当し、これらによって基材保持機構が構成される。
ステージ下部349のステージ上部341の下面に対向する上面には連通部347が分岐した複数の溝が放射状に形成され、その端部が吸着孔346に連絡されている。そして、吸着孔346に対向したステージ下部349の上面の外側である周縁部にはOリング349aが配設される。更に外側の下リングRdwに対向する部位には電磁石349bが埋設されており、この電磁石349bの磁気吸着の切り替えによって下リングRdwがステージ下部349上に固着される。
更に、吸着孔346はシートフィルムFの周縁部に相当する領域であるステージ上部341の中央部341aの周縁部に図7(b)に示すように配置される。具体的には、吸着孔346は直径1.0mmの吸着孔が3列で円周に沿って等間隔に72個、総計216個が配置される。そして、中央部341aにおける内領域341dには吸気孔346が配置されていない。この内領域341dはシートフィルムFに塗布された薄膜材料の基板Wへの有効転写領域に相当し、中央部341aの内領域341dに隣接する外枠領域341eは非転写有効領域である。このようにすることで、内領域341dに載置されるシートフィルムFの部位には吸着跡が発生しない。一方、外枠領域341eでは吸着孔346によってシートフィルムFは吸引されてステージ上部341の中央部341aに吸着される。この時、内領域341dにおけるステージ上部341とシートフィルムFとの間に空気が十分に吸引しきれずに残存した状態でシートフィルムFが吸着されることがある。この残存空気を塗布ユニット34では後述する以下の動作によって排気し、排除した状態で吸着を達成する。即ち、ステージ上部341においてシートフィルムFの転写有効領域である内領域341dに吸着孔346を配置しない真空チャック構造を採用することで吸着跡が発生することを確実に防止している。
ここで、シートフィルムFの厚みは、30μmから200μmで、好ましくは50μmである。厚みが30μmより薄くなるとシートフィルムFをフィルム搬送ロボット39によって搬送するのが困難となり、200μmより厚くなるとリング体RFでシートフィルムFを挟みこんで保持することが困難となる。このようなシートフィルムFをステージ340に載置して塗布膜厚ムラを防止する上で、ステージ上部341の中央部341aで特に有効転写領域である内領域341dの表面の凹凸が影響する。
そこで、ステージ上部341は表面がアルマイト処理されたアルミニウム(Al)またはアルミナで成形される。具体的にはアルミナ(酸化アルミニウム)でシートフィルムFの裏面を支持する上面が、JIS B 0601−2001で定義される最大高さ(表面粗さ)をRzとした時、5μmより小さく好ましくは3μmより小さく形成している。即ち、ステージ上部341の表面粗さの度合いによってシートフィルムFとステージ上部341との密着性が異なるので上記のように設定することでシートフィルムFのしわやたるみに伴う塗布膜厚ムラを低減している。なお、ステージ上部341の表面粗さに関しては内領域341dのみならず、外枠領域を341eに相当する部位を含んだ中央部341aの全面の所望の表面粗さに形成するようにする。
ここで、この薄膜形成システムによる薄膜形成プロセス(図2)のうち、最初から転写工程まで(ステップS10〜S40)の動作について説明する。剥離ユニット35および回収ユニット36の構造と、これらを用いた剥離・回収工程(ステップS50)以降のプロセスについては後に詳述する。
まず最初に、外部からフィルムカセットおよび基板カセット11が搬入される(ステップS10)。基板カセット11はインデクサ部1に設置される一方、フィルムカセットはフィルムカセット載置台33に設置される。薄膜形成部3内には、予め上部リングRupと下部リングRdwとの組が少なくとも1組導入されている。ここでは1組の場合について説明し、複数組の場合については後に説明する。1組のリングは、上下リングが一体化された状態でリング載置台32に置かれている。続いて塗布工程(ステップS20)が実行される。
図8は塗布工程における処理を示すフローチャートである。また、図9および図10は塗布工程における動作を模式的に示す図である。まず、塗布ユニット34内に下部リングRdwを設置する(ステップS201)。より具体的には、センターロボット70が、一体化された状態でリング載置台33に載置された上部リングRupと下部リングRdwを吸着保持してこれを塗布ユニット34内に搬入し、図9(a)に示すように、塗布ユニット34内に設けられた円筒形のステージ340に載置する。次いで、突き出し機構707を作動させて上下リングの結合を切り離し、図9(b)に示すように、上部リングRupのみを塗布ユニット34の外部へ搬出する。その結果、下部リングRdwのみが塗布ユニット34のステージ341上に設置された状態となる。なお、リングハンド705は上部リングRupを吸着保持した状態で待機している。下部リングRdwはステージ下部349の電磁石349bにより磁気吸着される。
ステージ340は略鉛直軸周りに回転自在となっており、その中央部341aの上面は平坦に仕上げられている。中央部341aは周縁部341bの上面に対して下部リングRdwの厚み分だけ盛り上がっており、その直径は下部リングRdwの内径とほぼ等しくなっている。そのため、ステージ340上に下部リングRdwが設置された状態では、ステージ340の中央部341aと下部リングRdwの上面とが揃ってほぼ単一の平面をなす。また、ステージ上部341の中央部341aには真空吸着機能が備えられており、載置された物体を真空吸着することができる。
次に、フィルムカセットからシートフィルムを1枚取り出し、塗布ユニット34内に搬入する(ステップS202)。具体的には次のようにする。フィルムカセット載置台33と塗布ユニット34との間に設置されたフィルム搬送ロボット39(図1)は、下面に真空吸着機能を有するリング状のハンド391を備えており、フィルムカセット内に積層されたシートフィルムの1枚を、その周縁部で吸着保持することができる。フィルムカセットの構造としては、例えば前述の特許文献1(特開2004−296855号公報)に記載されたものを用いることができる。フィルム搬送ロボット39は、図9(c)に示すように、こうして保持した1枚のシートフィルムFを塗布ユニット34内のステージ340上に搬入する。このときステージ340の中央部341aの真空吸着を開始するとともにハンド391による吸着を解除することにより、シートフィルムFはハンド391からステージ340に受け渡される。ステージ340の中央部341aと下部リングRdwとは上面の高さが揃っているので、シートフィルムFは平らな状態でステージ340上に載置され、吸着保持される。吸着動作は真空ポンプが作動して連通部347を介して全ての吸着孔346から吸気することで216個の吸着孔346がシートフィルムFの裏面を吸引することとなる。
次に、塗布ユニット34に設けられたモータ(図示省略)が作動し、図9(d)に示すように回転軸342が回転し始め、この回転に伴って、ステージ340、さらにはシートフィルムFが回転される。この時、塗布ノズル343から塗布液を吐出せず、吸着孔346からの吸気を継続して回転することでステージ上部341の中央部341aの吸着孔346が配置されていない内領域341dとシートフィルムFとの間に残存する空気を吸引することでシートフィルムFの波打ち防止作用として機能させる。結果、以後に続く塗布液の塗布中にシートフィルムFの波打ちが残らず、塗布膜厚ムラの発生が防止される。ここでシートフィルムFのみによる回転動作は、回転速度にもよるが残存する空気が吸引される時間を予め実験で求めた時間を事前に制御手段348に設定する。具体的にはステージ340は2000rpmの回転速度まで加速され、その状態で所定時間回転する。または、図示しない操作部より設定時間を任意に設定可能に構成してもよく、塗布膜厚ムラが発生した場合に設定時間を十分に長く変更することで制御手段348によってステージ340を回転すればよい。更に、断続的に回転制御するようにしてもよい。
続いてスピンコート法によりシートフィルムFに薄膜材料を含む塗布液を塗布する(ステップS203)。すなわち、図9(d)に示すように、ステージ341に連結された回転軸342を図示しない駆動機構により回転駆動することで、ステージ341を回転させる。ステージ340の回転速度は直前に行われた残存空気排気工程より約10rpmまで回転速度を落として回転動作を継続される。そして、その回転中心上方に設けた塗布ノズル343から薄膜材料としてのSOGを含む塗布液を所定量シートフィルムF上に供給することにより、シートフィルムF上に薄く均一な塗布液の層を形成する。即ち、少し遅れてシートフィルムFの中心点に向かってSOG液を供給する。すると、シートフィルムFの回転に伴う遠心力によって、シートフィルムFの中心から全面にわたってSOG液が塗布される。このとき、シートフィルムFの外側に飛散したSOG液は飛散防止カップ345、さらには図示を省略する排出管を介して塗布ユニット34の外部に排出される。所定量の塗布液が供給された後に、ステージ340の回転速度を10rpmから上昇させて膜厚を均一化するため所定時間振り切り工程を行う。
薄膜材料の塗布後、続いてエッジリンス処理を行う(ステップS204)。すなわち、図9(d)に示すように、振り切り工程の回転速度より低速にしてステージ341を回転させながらシートフィルムFの周縁部に向けて設置されたエッジリンスノズル344から洗浄液を供給することにより、シートフィルムFの周縁部に付着した塗布液を洗い流す。これにより、シートフィルムFには、その周縁部を除く表面に薄膜Rが担持されることとなる。即ち、エッジリンスノズル344よりシートフィルムFの周縁部分に向かって洗浄液が吐出され、ここでも、シートフィルムFの回転は継続されているため、この回転によって、シートフィルムFの周縁部分に付着していた塗布液が除去される。
次に、上部リングRupを塗布ユニット34内に戻し入れ、下部リングRdwと結合させてリング体RFを形成する(ステップS205)。すなわち、図10(a)および(b)に示すように、リングハンド705に保持された状態で塗布ユニット34外に待機させていた上部リングRupを再び塗布ユニット34内に搬入し、ステージ341上の下部リングRdwに重ね合わせて一体化させる。これにより、薄膜Rを担持したシートフィルムFを上部リングRupと下部リングRdwとで挟持したリング体RFが形成される。
これに続いて、真空ポンプを停止させてシートフィルムFの真空吸着を解除する。ここで、単に真空ポンプを停止させたのみではシートフィルムFがステージ340から剥離しにくい場合には、例えば窒素ガスを連通部347にパージして連通部347および吸着孔346を陽圧するのが望ましい。同時に下部リングRdwとステージ340の磁気吸着を解除する。
なお、この実施形態における塗布ユニット34では、塗布液としてSOG液を用いたが、半導体のフォトリソグラフィに用いられるフォトレジスト液等に例示されるように、基板Wに対して形成すべき薄膜を構成する塗布液ならば、特に限定されるものではない。
こうして形成されたリング体RFについては、図10(c)に示すように、リングハンド705により保持したまま塗布ユニット34から搬出し(ステップS206)、乾燥ユニット36に搬入してシートフィルムF上の薄膜Rを完全に乾燥させる(ステップS70)。乾燥ユニット36の構成およびそれにより実行される乾燥工程については特許文献3(特開2003−100727号公報)に詳しく記載されているのでここでは説明を省略する。
図11は転写工程における処理を示すフローチャートである。また、図12は転写工程における動作を模式的に示す図である。転写ユニット35の構造は特許文献3(特開2003−100727号公報)に記載されたものと同一である。転写工程では、まずリング体RFを転写ユニット35に搬入する(ステップS401)。すなわち、図12(a)に示すように、センターロボット70がリングハンド705により乾燥ユニット36から取り出した乾燥処理後のリング体RFを転写ユニット35内のステージ(第2のステージ)352に設置する。
続いて、基板Wをフェースダウン状態で搬入し、シートフィルムF上の薄膜Rに密着させる(ステップS402)。基板カセット11内では、基板Wは薄膜を形成すべき表面Wfを上向きにして、すなわちフェースアップ状態で保管されている。この基板Wは基板搬送ロボット2により基板カセット11から1枚ずつ取り出され反転ユニット31に受け渡される。反転ユニット31により表面Wfを下向き、裏面Wbを上向きのフェースダウン状態に反転された基板Wを、センターロボット70が基板ハンド704の下面で受け取り、図12(b)に示すように、これをステージ352に載置したリング体RFに重ねる。基板ハンド704の下面で基板Wの裏面Wbを吸着保持することにより、薄膜を形成すべき基板表面Wfに触れることなく搬送することができ、またステージ352へのフェースダウン状態での載置を簡単に行うことができる。
さらに、図12(c)に示すように、ステージ352と、その上方に設けた第1のステージ351とでシートフィルムFと基板Wとを挟み込んで加圧するとともに、それぞれのステージに設けたヒータ353,354により加熱する。これにより、シートフィルムF上に担持された薄膜Rが基板Wの表面Wfに転写される(ステップS403)。そして、第1および第2のステージ351,352を離間させた後、図12(d)に示すように、リング体RFに基板Wが一体化されてなる構造体をリングハンド705により転写ユニット35から取り出し(ステップS404)、続いてこれを剥離ユニット10に搬入し、基板WからシートフィルムFを剥離する。
次に、剥離ユニット10および回収ユニット50の構成およびそれにより実行される剥離工程については特許文献2(特開2010−50183号公報)に詳しく記載されているのでここでは説明を省略する。なお、これらのユニットは上記した転写工程までを実行することにより形成されるリング体RFと基板Wとが一体化された構造体を処理対象物としている。
転写処理が完了すると、センターロボット70は、シートフィルムFに基板Wが貼り付いた状態のままリング体RFを剥離ユニット10に搬送する。そして、剥離ユニット10では剥離処理を実行する。
剥離処理で、1つの基板Wについて、基板WからのシートフィルムFの剥離および回収が完了する。一連の動作をワークごとに繰り返すことで多数のワークについての処理を連続的に行うことができる。こうして回収ユニット50に回収・貯留されたシートフィルムについては、オペレータが必要なタイミングで扉から取り出し、再利用または廃棄することができる。
センターロボット70は、薄膜Rが転写された基板Wを基板ハンド702によって、また上部リングRupと下部リングRdwとを一体的にリングハンド705によって、剥離ユニット10からそれぞれ搬出する。このとき基板Wはフェースダウン状態であり、センターロボット70は基板Wを反転ユニット31に受け渡す。反転ユニット31が基板Wをフェースアップ状態に反転させると、基板搬送ロボット2がこれを受け取って基板カセット11に収容する。これにより1枚の基板Wに対する一連の処理が完結する。
そして、基板搬送ロボット2が新たに基板カセット11から未処理基板Wを1枚取り出して上記処理を行う。このとき、基板WとシートフィルムFについては新たにカセットから取り出したものを使用するが、上部リングRupおよび下部リングRdwについては、前の処理で取り外されたものを再度使用する。これを繰り返すことで、複数の基板Wに対して順次薄膜Rを形成することができる。
以上説明したように、この実施形態では、塗布ユニット34においてシートフィルムFの有効転写領域に対応するステージ上部341の内領域341dに吸着孔346を配置しない吸着チャックを用いてスピン塗布を行っているので、シートフィルムFに吸着に伴う接触跡に伴う塗布膜ムラが発生しない。更に、吸着後の塗布工程の前にシートフィルムFを回転動作させることによりシートフィルムFとステージ340との間に残存する空気を排気しているので残存空気が排気されシートフィルムFに波打ちも防止される。その結果、塗布膜厚ムラの無い転写性能の優れた転写薄膜をシートフィルムF上に形成することが出来る。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、半導体基板上にSOG絶縁膜を形成する薄膜形成システムであるが、薄膜の形成対象および薄膜材料についてはこれらに限定されるものではない。例えば、薄膜の形成対象となる基板としては、半導体ウエハの他に液晶パネル用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板や光ディスク用基板などを用いることができる。また、薄膜材料としては、SOGの他にSOD(Spin−On−Dielectric)材料やフォトレジスト材料などを用いることができる。
またシートフィルムに対して親水性の表面処理を施す親水処理ユニットなど他の処理ユニットを有するシステムにも本発明を適用することが可能である。
34 塗布ユニット(塗布手段)
341 ステージ
341a 中央部
341b 周縁部
342 回転軸
343 塗布ノズル
346 吸着孔
348 制御手段
RF リング体
F シートフィルム
W 基板
341 ステージ
341a 中央部
341b 周縁部
342 回転軸
343 塗布ノズル
346 吸着孔
348 制御手段
RF リング体
F シートフィルム
W 基板
Claims (4)
- 基材の一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持する基材保持部と、
前記基材保持部の吸引口に連通接続される吸引機構と、
を有する基材保持機構と、
前記基材保持機構によって保持された基材の表面に薄膜材料を塗布する塗布手段と、
前記塗布手段により塗布された薄膜材料を基材の表面に広げるために前記基材保持部を回転する回転機構と、
前記回転機構を前記塗布手段により薄膜材料が塗布される前に基材を前記基材保持部により保持した状態で回転する制御手段と、を具備するようにしたことを特徴とする塗布装置。 - 請求項1記載の塗布装置において、前記基材保持部の吸着孔は基材の一面の周縁であり、基材の非有効領域に対応して配置されたことを特徴とする塗布装置。
- 基材の一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持する基材保持工程と、
前記基材保持工程によって保持された基材の吸着を継続し、薄膜材料が塗布される前に基材を回転する保持回転工程と、
前記保持回転工程によって保持し回転後の基材の表面に薄膜材料を塗布する塗布工程と、
を具備するようにしたことを特徴とする塗布方法。 - 請求項3記載の塗布方法において、前記塗布工程は前記保持回転工程によって回転中の基材に対して薄膜材料を塗布することを特徴とする塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010148849A JP2012015247A (ja) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 塗布装置および塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010148849A JP2012015247A (ja) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 塗布装置および塗布方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012015247A true JP2012015247A (ja) | 2012-01-19 |
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ID=45601352
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JP2010148849A Abandoned JP2012015247A (ja) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 塗布装置および塗布方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2012015247A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154650A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 塗布液塗布方法 |
JPH10335437A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001168011A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2005002274A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Ricoh Co Ltd | 有機膜の基板貼付け方法および貼付け装置 |
-
2010
- 2010-06-30 JP JP2010148849A patent/JP2012015247A/ja not_active Abandoned
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