JP2012009909A - 電子部品の実装方法および実装装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半田バンプのリフローに先立って電極端子同士の仮接合のために超音波振動を印加した際に、半田バンプの酸化膜を増大させることなく、なおかつ、設備コストや工数の増加を小さく抑えることができ、さらに、フラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなる恐れのない、電子部品の実装方法および実装装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が半田バンプ２０から成る基板１２および電子部品１０の電極端子２０，１４同士を当接させて、基板１２と電子部品１０との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板１２および電子部品１０の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子２０，１４同士を仮接合し、半田バンプ２０をリフローすることで、基板１２と電子部品１０との電極端子２０，１４を接合する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を接合して、基板に電子部品を搭載する電子部品の実装方法および実装装置に関する。

従来より、電子部品としての半導体チップの電極端子としての半田バンプを、基板の電極端子としてのパッドに接合することで、基板に半導体チップをフリップチップ接合する技術が用いられている。

その一般的な方法を図４を用いて説明する。なお、図４には、半導体チップと基板とのそれぞれに形成された多数の電極端子のうちの一組のみを図示している。
図４（ａ）は半導体チップ１０を搭載する基板１２を示す。１４が基板１２の表面に形成した電極端子としてのパッド、１６が基板１２の表面を被覆するソルダーレジストである。図４（ｂ）は、ノズルからフラックス１８を吐出して、パッド１４の表面をフラックス１８によって被覆した状態を示す。図４（ｃ）は、次に、半導体チップ１０の電極端子としての半田バンプ２０と、パッド１４とを位置合わせし、フラックス１８の粘性を利用して、基板１２に半導体チップ１０を仮固定した状態を示す。

図４（ｄ）は、半田バンプ２０をリフローして、半導体チップ１０を基板１２に接合した状態を示す。半田リフローの際に、フラックス１８の活性作用により酸化膜が除去され、半田バンプ２０がパッド１４に溶着される。図４（ｅ）は、パッド１４の周辺に残留しているフラックス１８を洗浄して除去した状態を示す。フラックス１８には電極等を腐蝕させる成分が含まれている。したがって、基板１２上に残留しているフラックス１８を洗浄して除去する必要がある。図４（ｆ）は、基板１２と半導体チップ１０との隙間部分にアンダーフィル樹脂２２を充填し、最終的に半導体チップ１０を基板１２に実装した状態である。

図４に示した従来方法において、フラックス１８は、半田バンプ２０の外面に形成されている半田の酸化膜を還元することで半田バンプ２０とパッド１４との接合性を高めるために塗布している。

さて、特許文献１においては、上記のような従来方法ではフラックスの洗浄が必要であって工程の複雑化・高コスト化を招くものとして、フラックスを用いずに半田バンプ表面の半田酸化膜を除去するための方法を開示している。すなわち、半導体チップの半田バンプを基板のパッドに当接させた状態で、半田バンプをリフローする前に、半導体チップに超音波振動を印加することで、半田バンプをパッドに摩擦して、半田バンプの表面の半田酸化膜を除去する。これにより、リフロー後の半田バンプとパッドとの接合性を高めることができるものとしている（特許文献１ 段落００１１参照）。

また、特許文献２にも、半田バンプの酸化膜および金属パッドの酸化膜を除去するために超音波振動を印加することが記載されている（特許文献２ 段落００１９参照）。またこのフリップチップ接続時の雰囲気は、大気中、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気、または炭酸ガスや水素等の還元雰囲気とすることが記載されている（特許文献２ 段落００２３参照）。

さらに、フラックスの洗浄等を行う必要のない方法の別の従来例として、特許文献３に記載された技術が挙げられる。特許文献３に記載された技術を、図５を用いて説明する。
図５（ａ）は、パッド１４を形成した基板１２の表面に、ノズル２６からフラックスフィル３０を吐出し、パッド１４が形成されている領域をフラックスフィル３０によって被覆した状態を示す。図５（ｂ）は、半導体チップ１０に超音波振動を加えながら、半田バンプ２０をパッド１４に押接して接合している状態を示す。半導体チップ１０に超音波振動を加えながらパッド１４に半田バンプ２０を押接させるようにすると、フラックスフィル３０中のフィラーが半田バンプ２０によってパッド１４の表面から押しのけられ、半田バンプ２０がパッド１４に接触する。フラックスフィル３０はフラックス作用を有するから、超音波振動エネルギーによってパッド等の酸化被膜が除去され、超音波振動エネルギーのみによって半田バンプ２０をパッド１４に接合することができるものとしている（特許文献３ 段落００１４，００１５参照）。

図５（ｃ）は、半田バンプ２０がパッド１４に接合され、半導体チップ１０が基板１２に実装された状態である。半田バンプ２０がパッド１４に接合され、半導体チップ１０と基板１２との間はフラックスフィル３０によりアンダーフィルされている（特許文献３ 段落００１６参照）。

特開２０００−１７４０５９号公報（段落００１１） 特開平７−１１５１０９号公報（段落００１９，００２３） 特開２００５−２６５７９号公報（段落００１４−００１６，第１図）

特許文献１〜３に記載された技術には、以下のような課題がある。

特許文献１には、半導体チップに超音波振動を印加することで、半田バンプをパッドに摩擦して、半田バンプの表面の半田酸化膜を除去するものと記載されている。
しかしながら、本願発明者は、半導体チップに超音波振動を印加することで半田バンプをパッドに摩擦させると、半田バンプの酸化膜がかえって増加してしまうという課題を見出した。
これは、超音波振動の摩擦によって半田バンプの新生面が露出した際に、すぐにその新生面が大気中の酸素によって酸化され、さらなる超音波振動によって露出した新生面がさらに酸化されるといった現象が、超音波振動を印加している間中に繰り返される現象（フレッティング腐食）により、半田バンプの酸化膜が急激に増加してしまうためと考えられる。

また、特許文献２には、超音波振動の印加を含む接合工程を、不活性ガス雰囲気中で行うことが記載されている。従来、不活性ガス雰囲気を構成するためには、フリップチップ接合を行う実装装置（ボンダ）全体を、チャンバ内に設けて、チャンバ内に不活性ガスを充満させるといった設備および工程が必要となり、設備コストや工数の大幅な増加が避けられないという課題がある。

また、特許文献３に記載の技術では、図５（ａ）に示すように基板１２のパッド（電極）１４上にフラックスフィル３０を塗布した状態で、図５（ｂ）のように半田バンプ２０をパッド１４に当接させるから、パッド１４と半田バンプ２０との間にフラックスフィル３０の剤液が残留して、パッド１４と半田バンプ２０との接合性に悪影響を与える恐れがあるという課題がある。
なお、パッド１４は、製造工程上の都合により、図６に示すように、中央部が凹状に形成されることがある。特にパッド１４の中央部が凹状に形成されている場合、特許文献３記載の技術では、凹状の部分にフラックスフィル３０が溜まって、パッド１４と半田バンプ２０との接合性が悪くなる恐れがある。

本願発明は、上記課題を解決すべく成され、その目的とするところは、半田バンプのリフローに先立って電極端子同士の仮接合のために超音波振動を印加した際に、半田バンプの酸化膜を増大させることなく、なおかつ、設備コストや工数の増加を小さく抑えることができ、さらに、フラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなる恐れのない、電子部品の実装方法および実装装置を提供することにある。

本発明に係る電子部品の実装方法は、少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を当接させて、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板および電子部品の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子同士を仮接合し、前記半田バンプをリフローすることで、前記基板と前記電子部品との電極端子を接合することを特徴とする。
これによれば、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことによって、電極端子部分に局所的な不活性ガス雰囲気を作るため、チャンバ等の大掛かりな設備や大きな工程の追加が不要であり、不活性ガス雰囲気を作るための設備コストや工数を小さく抑えることができる。また、従来技術（特許文献３）のようにフラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなることがない。

さらに、前記基板と前記電子部品との間に、ほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しい温度に加熱した不活性ガスを吹き込むことを特徴とする。
これによれば、基板と電子部品との熱膨張量を一定に保つことができる。

また、前記電子部品の周りの複数箇所から、前記基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことを特徴とする。
また、前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲い壁で囲うことを特徴とする。
これによれば、基板と電子部品との間の不活性ガスの濃度を高くすることができる。

また、前記基板および前記電子部品の一方の電極端子は半田バンプであり、他方の電極端子は半田から成る表層を有するパッドであることを特徴とする。
これによれば、超音波振動を印加した際に、ともに柔らかい半田同士が摩擦されるため、摩擦力が低下して、前記フレッティング腐食の発生量を抑えることができる。

また、本発明に係る電子部品の実装装置は、上記課題を解決するために以下の構成を備える。すなわち、基板を載置するステージと、該ステージに載置された基板上に電子部品を運搬し、基板および電子部品の電極端子同士を当接させる電子部品運搬手段と、前記ステージに載置された基板と該基板上に運搬された電子部品との間に不活性ガスを吹き込むブロワと、前記ステージに載置された基板、および基板上に運搬された電子部品の少なくとも一方に、超音波振動を印加する超音波振動印加手段とを備えることを特徴とする。
これによれば、ブロワで基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことによって、電極端子部分に局所的な不活性ガス雰囲気を作るため、チャンバ等の大掛かりな設備や大きな工程の追加が不要であり、不活性ガス雰囲気を作るための設備コストや工数を小さく抑えることができる。また、従来技術（特許文献３）のようにフラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなることがない。

さらに、前記不活性ガスを加熱するガス加熱手段を備えることを特徴とする。
これによれば、ガス加熱手段で不活性ガスの温度をほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しくすることができ、基板と電子部品との熱膨張量を一定に保つことができる。

また、前記ブロワの不活性ガスの吹き出し口は、前記超音波振動を印加中に、電子部品の周りの複数箇所から、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むよう、複数配設されていることを特徴とする。
また、前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲う囲い壁を備えることを特徴とする。
これによれば、基板と電子部品との間の不活性ガスの濃度を高くすることができる。

また、前記電子部品の、電極端子の形成面の反対面に当接するボンディングヘッドを備え、前記超音波振動印加手段は、前記ボンディングヘッドを超音波振動させることで、該ボンディングヘッドを介して電子部品に超音波振動を印加することを特徴とする。
これによれば、超音波振動印加手段を簡単な構成とすることができる。

さらに、前記電子部品運搬手段は、前記ボンディングヘッドに電子部品を保持して、該ボンディングヘッドを駆動することで、該電子部品を前記基板上に運搬することを特徴とする。
これによれば、共通のボンディングヘッドで、電子部品運搬手段や超音波振動印加手段を構成でき、装置の構成を簡単にすることができる。

本発明に係る電子部品の実装方法および実装装置によれば、半田バンプのリフローに先立って電極端子同士の仮接合のために超音波振動を印加した際に、半田バンプの酸化膜を増大させることなく、なおかつ、設備コストや工数の増加を小さく抑えることができ、さらに、フラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなる恐れがない。

本発明の第一の実施の形態に係る電子部品（半導体チップ）の実装装置を示す説明図である。 本発明の第一の実施の形態に係る電子部品（半導体チップ）の実装方法を示す説明図である。 パッド（電極端子）の構成例を示す説明図である。 従来の電子部品の実装方法を示す図である。 従来の電子部品の実装方法を示す図である。 パッド（電極端子）の形状を示す図である。

以下、本発明に係る電子部品の実装方法および実装装置を実施するための最良の形態を、添付図面に基づいて説明する。なお、図４，図５に示したものと同一の部材については、以下、同一の符号を付して説明を省略することがある。

図１は、電子部品の実装装置の第一の実施の形態としての、半導体チップの実装装置Ａの構成を示す説明図である。

図１に示すように、半導体チップの実装装置Ａは、基板１２を載置するステージ４０と、半導体チップ１０を下面に吸着保持可能なボンディングヘッド４２とを備える。
また、半導体チップの実装装置Ａは、さらに、電子部品運搬手段４８、超音波振動印加手段５０、ブロワ５６、および囲い壁６２を備える。以下、これらについて説明する。

（電子部品運搬手段４８）
ボンディングヘッド４２、駆動装置４４、および吸引装置４６により、電子部品運搬手段４８が構成される。
ボンディングヘッド４２は、その下面に形成された吸引穴から、吸引装置４６により空気を吸引することで、半導体チップ１０の、半田バンプ２０の形成面の反対面を下面に吸着して、半導体チップ１０を保持することができる。また、ボンディングヘッド４２は、駆動装置４４に連繋されて、水平面内および鉛直方向に移動駆動可能に設けられる。
駆動装置４４および吸引装置４６は、図示しないトレイ上に載置された半導体チップ１０をボンディングヘッド４２に吸引保持し、保持された半導体チップ１０をステージ４０に載置された基板１２上に運搬し、基板１２および半導体チップ１０の電極端子（パッド１４および半田バンプ２０）同士を当接させるよう、制御部４３（コンピュータ）に駆動制御される。

（超音波振動印加手段５０）
超音波振動印加手段５０は、ボンディングヘッド４２を超音波振動させることで、ボンディングヘッド４２を介して半導体チップ１０に超音波振動を印加する。
超音波振動印加手段５０は、ボンディングヘッド４２の側面に一端が当接するよう設けられた超音波ホーンと、超音波ホーンの他端に当接して設けられた超音波振動子と、超音波振動子に電流を印加して超音波振動させる振動制御部とを有する。
振動制御部は、制御部４３に連繋され、制御部４３により超音波振動を印加するタイミング等を制御される。

なお、本発明において、超音波振動印加手段は、必ずしも電子部品（半導体チップ）に超音波振動を印加するものに限定されず、基板に超音波振動を印加する構成や、基板と電子部品との両方に超音波振動を印加する構成としてもよい。

（ブロワ５６）
ブロワ５６は、ノズル５６ａを介して、ステージ４０に載置された基板１２と基板１２上に運搬された半導体チップ１０との間に不活性ガスとしての窒素ガスを吹き込む。ブロワ５６は、窒素ガスタンク５８から窒素ガスを吸い込んで、ノズル５６ａから窒素ガスを吹き出す。ブロワ５６のノズル５６ａの吹き出し口（先端）は、半導体チップ１０の外縁の外周側から、半導体チップ１０に向かうよう設けられる。
なお、図１ではノズル５６ａは一本のみ設けているが、半導体チップ１０の周りの複数箇所から、窒素ガスを吹き込むよう、ノズル５６ａ（吹き出し口）を複数設けてもよい。
ブロワ５６の窒素ガスの吹き出しおよびその停止等の制御は、制御部４３により行われる。
なお、本発明において、不活性ガスは必ずしも窒素ガスに限定されるものではなく、例えばアルゴンガス等を採用してもよい。

また、半導体チップの実装装置Ａにはさらに、ブロワ５６から吹き出す窒素ガスを加熱する加熱手段６０が設けられている。

（囲い壁６２）
また、半導体チップの実装装置Ａにはさらに、ブロワ５６のノズル５６ａから吹き出した窒素ガスが拡散しないよう、基板１２および半導体チップ１０の外周を囲う、筒状の囲い壁６２を備える。なお、図１において囲い壁６２は軸線に平行な断面を示している。囲い壁６２には、ノズル５６ａを避ける切り欠き部または開口部が設けられる。囲い壁６２は、例えば、ステージ４０に固定して設けてもよいし、または、ボンディングヘッド４２の下面に設けてもよい。

次に、電子部品の実装方法の第一の実施の形態としての、図１の半導体チップの実装装置Ａを用いた半導体チップの実装方法を説明する。
図２は、基板１２に電子部品としての半導体チップ１０を実装する方法を示す説明図であり、半導体チップ１０の電極端子としての半田バンプ２０と、基板１２に形成されている電極端子としてのパッド１４との接合部分を拡大して示している。

まず、制御部４３が駆動装置４４を駆動制御して、ボンディングヘッド４２を図示しないトレイ上に載置された半導体チップ１０の上方に移動させる。続いて、制御部４３は、吸引装置４６を制御して半導体チップ１０をボンディングヘッド４２の下面に吸引保持させる。さらに、制御部４３は駆動装置４４を駆動制御して、ボンディングヘッド４２に保持された半導体チップ１０をステージ４０に載置された基板１２上に運搬し、図２（ａ）に示すように、基板１２および半導体チップ１０の電極端子（パッド１４および半田バンプ２０）同士を当接させる。
このとき、図１に示すように、ステージ４０またはボンディングヘッド４２に取り付けられた囲い壁６２により、基板１２および半導体チップ１０の外周が囲われる。

続いて、制御部４３はブロワ５６を制御して、基板１２と半導体チップ１０との間に窒素ガスを吹き込む。この際、基板１２と半導体チップ１０との間の窒素ガスの温度が、ほぼ基板１２および半導体チップ１０の加熱温度（通常約１００℃）と等しい温度となるよう、窒素ガスを加熱手段６０により加熱する。

続いて、制御部４３は、ブロワ５６により基板１２と半導体チップ１０との間に窒素ガスを吹き込んでいる状態で、超音波振動印加手段５０を駆動制御して、ボンディングヘッド４２を介して半導体チップ１０に超音波振動を印加して、半田バンプ２０とパッド１４とを仮接合する。
制御部４３は、この超音波振動の印加の停止後、ブロワ５６による窒素ガスの吹き出しを停止するよう制御する。
この仮接合により、後述するリフロー工程で半田バンプ２０とパッド１４とを本接合するまでの間に、パッド１４と半田バンプ２０と（基板１２と半導体チップ１０）とが位置ずれしてしまうことを防ぐことができる。

続いて、図２（ｂ）に示すように、基板１２と半導体チップ１０との隙間部分にアンダーフィル樹脂２２を充填する。

続いて、制御部４３は、駆動装置４４を駆動制御して、ボンディングヘッド４２を図示しない別のトレイの上方に移動させ、吸引装置４６を制御して吸引を止め、半導体チップ１０をそのトレイ上に載置する。
その後、そのトレイをリフロー炉内に搬送し、リフロー炉によって半田バンプ２０をリフローして、図２（ｃ）に示すように、基板１２のパッド１４に半田バンプ２０を接合する。

本第一の実施の形態に係る半導体チップの実装装置Ａおよび半導体チップの実装方法によれば、ブロワ５６で基板１２と半導体チップ１０との間に窒素ガスを吹き込むことによって、電極端子部分に局所的な窒素ガス雰囲気を作るため、従来技術のようなチャンバ等の大掛かりな設備や大きな工程の追加が不要であり、不活性ガス雰囲気を作るための設備コストや工数を小さく抑えることができる。また、従来技術（特許文献３）のようにフラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなることがない。

また、吹き込む窒素ガスの温度が、基板１２および半導体チップ１０の加熱温度とほぼ等しい温度に設定されているから、基板１２と半導体チップ１０との熱膨張量を一定に保つことができ、両者の熱膨張率の違いから生じる電極端子の接合破断等の問題が生じることがない。

また、囲い壁６２により、窒素ガスが拡散せず、基板１２と半導体チップ１０との間の窒素ガスの濃度を高くすることができる。なお、囲い壁６２は必ずしも設けなくともよい。
さらに、半導体チップ１０の周りの複数箇所から窒素ガスを吹き込むよう、半導体チップ１０の周りの複数箇所にノズル５６ａ（吹き出し口）を設ける構成を採用すれば、基板１２と半導体チップ１０との間の窒素ガスの濃度をより高くすることができる。

また、本第一の実施の形態において、パッド１４を、図３に示すように、例えば金等からなる基部１４ａと、半田から成る表層１４ｂとから構成するとより好適である。これによれば、超音波振動を印加した際に、パッド１４の表層１４ｂと半田バンプ２０との、ともに柔らかい半田同士が摩擦されるため、摩擦力が低下して、フレッティング腐食の発生量を抑えることができる。
（付記１）
少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を当接させて、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板および電子部品の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子同士を仮接合し、
前記半田バンプをリフローすることで、前記基板と前記電子部品との電極端子を接合することを特徴とする電子部品の実装方法。
（付記２）
前記基板と前記電子部品との間に、ほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しい温度に加熱した不活性ガスを吹き込むことを特徴とする付記１記載の電子部品の実装方法。
（付記３）
前記電子部品の周りの複数箇所から、前記基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことを特徴とする付記１または２記載の電子部品の実装方法。
（付記４）
前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲い壁で囲うことを特徴とする付記１〜３のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装方法。
（付記５）
前記基板および前記電子部品の一方の電極端子は半田バンプであり、他方の電極端子は半田から成る表層を有するパッドであることを特徴とする付記１〜４のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装方法。
（付記６）
基板を載置するステージと、
該ステージに載置された基板上に電子部品を運搬し、基板および電子部品の電極端子同士を当接させる電子部品運搬手段と、
前記ステージに載置された基板と該基板上に運搬された電子部品との間に不活性ガスを吹き込むブロワと、
前記ステージに載置された基板、および基板上に運搬された電子部品の少なくとも一方に、超音波振動を印加する超音波振動印加手段とを備えることを特徴とする電子部品の実装装置。
（付記７）
前記不活性ガスを加熱するガス加熱手段を備えることを特徴とする付記６記載の電子部品の実装装置。
（付記８）
前記ブロワの不活性ガスの吹き出し口は、前記超音波振動を印加中に、電子部品の周りの複数箇所から、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むよう、複数配設されていることを特徴とする付記６または７記載の電子部品の実装装置。
（付記９）
前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲う囲い壁を備えることを特徴とする付記６〜８のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。
（付記１０）
前記電子部品の、電極端子の形成面の反対面に当接するボンディングヘッドを備え、
前記超音波振動印加手段は、前記ボンディングヘッドを超音波振動させることで、該ボンディングヘッドを介して電子部品に超音波振動を印加することを特徴とする付記６〜９のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。
（付記１１）
前記電子部品運搬手段は、前記ボンディングヘッドに電子部品を保持して、該ボンディングヘッドを駆動することで、該電子部品を前記基板上に運搬することを特徴とする付記１０記載の電子部品の実装装置。

Ａ 半導体チップの実装装置（電子部品の実装装置）
１０ 半導体チップ（電子部品）
１２ 基板
１４ パッド（電極端子）
１４ａ パッド（電極端子）の基部
１４ｂ パッド（電極端子）の表層
１６ ソルダーレジスト
２０ 半田バンプ（電極端子）
２２ アンダーフィル樹脂
４０ ステージ
４２ ボンディングヘッド
４３ 制御部
４８ 電子部品運搬手段
５０ 超音波振動印加手段
５６ ブロワ
５６ａ ノズル
５８ 窒素ガスタンク
６０ 加熱手段
６２ 囲い壁

Claims (8)

1. 少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を当接させて、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板および電子部品の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子同士を仮接合し、
   前記半田バンプをリフローすることで、前記基板と前記電子部品との電極端子を接合することを特徴とする電子部品の実装方法。
2. 前記基板と前記電子部品との間に、ほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しい温度に加熱した不活性ガスを吹き込むことを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。
3. 基板を載置するステージと、
   該ステージに載置された基板上に電子部品を運搬し、基板および電子部品の電極端子同士を当接させる電子部品運搬手段と、
   前記ステージに載置された基板と該基板上に運搬された電子部品との間に不活性ガスを吹き込むブロワと、
   前記ステージに載置された基板、および基板上に運搬された電子部品の少なくとも一方に、超音波振動を印加する超音波振動印加手段とを備えることを特徴とする電子部品の実装装置。
4. 前記不活性ガスを加熱するガス加熱手段を備えることを特徴とする請求項３記載の電子部品の実装装置。
5. 前記ブロワの不活性ガスの吹き出し口は、前記超音波振動を印加中に、電子部品の周りの複数箇所から、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むよう、複数配設されていることを特徴とする請求項３または４記載の電子部品の実装装置。
6. 前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲う囲い壁を備えることを特徴とする請求項３〜５のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。
7. 前記電子部品の、電極端子の形成面の反対面に当接するボンディングヘッドを備え、
   前記超音波振動印加手段は、前記ボンディングヘッドを超音波振動させることで、該ボンディングヘッドを介して電子部品に超音波振動を印加することを特徴とする請求項３〜６のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。
8. 前記電子部品運搬手段は、前記ボンディングヘッドに電子部品を保持して、該ボンディングヘッドを駆動することで、該電子部品を前記基板上に運搬することを特徴とする請求項７記載の電子部品の実装装置。

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