JP2012009737A - ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012009737A JP2012009737A JP2010146133A JP2010146133A JP2012009737A JP 2012009737 A JP2012009737 A JP 2012009737A JP 2010146133 A JP2010146133 A JP 2010146133A JP 2010146133 A JP2010146133 A JP 2010146133A JP 2012009737 A JP2012009737 A JP 2012009737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- dry etching
- etching
- heating
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第1の反応ガスとフッ素を含む第2の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体110に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体110の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。
【選択図】図1
Description
上記水素ラジカルおよび上記フッ素ラジカルと、上記第1の反応ガスおよび上記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスが生成される。
上記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層がエッチングされる。
上記生成室は、通電により加熱されることが可能でありニッケルで形成された加熱体を有し、上記加熱体との接触による分解反応を経てエッチングガスを生成する。
上記処理室は、エッチング対象を支持する支持部を有し、上記生成室で生成された上記エッチングガスが内部に導入される。
上記水素ラジカルおよび上記フッ素ラジカルと、上記第1の反応ガスおよび上記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスが生成される。
上記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層がエッチングされる。
これにより、NHxFy(x、yは自然数)で表されるエッチングガスを生成することができる。このエッチングガスは、シリコン酸化物を揮発性のより高い物質に変える作用を有するが、シリコンに及ぼす影響は無視できるほど小さいため、シリコン基板上のシリコン酸化物層を高いエッチング選択比でもってエッチングすることができる。
基板の加熱工程を追加することで、エッチングガスと接触したシリコン酸化物層を効率よく除去することができる。基板の加熱は、処理室において実施されてもよいし、処理室に隣接して配置された加熱室内において実施されてもよい。
上記生成室は、通電により加熱されることが可能でありニッケルで形成された加熱体を有し、上記加熱体との接触による分解反応を経てエッチングガスを生成する。
上記処理室は、エッチング対象を支持する支持部を有し、上記生成室で生成された上記エッチングガスが内部に導入される。
図1は、本発明の一実施形態に係るドライエッチング装置を示す概略構成図である。本実施形態のドライエッチング装置10は、生成室Aを形成する第1の真空チャンバ11と、処理室Bを形成する第2の真空チャンバ12とを有する。本実施形態では、ドライエッチング装置10を用いてシリコン基板上のシリコン酸化物(SiO2)層をドライエッチングする方法について説明する。
(NH3の分解)
NH3→NH2+H
H*+NF3→NH4F …(1)
(NF3の分解)
NF3→NF2+F
F*+NH3→NH4F …(2)
SiO2+NH4F → (NH4)2SiF6↑+H2O …(3)
次に、ドライエッチング装置10の動作とともに、本実施形態のドライエッチング方法について説明する。
11…第1の真空チャンバ
12…第2の真空チャンバ
15…第3の真空チャンバ
110…加熱体
120…ステージ
A…生成室
B…処理室
C…加熱室
W…基板
Claims (7)
- 水素を含む第1の反応ガスとフッ素を含む第2の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、
前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、
前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする
ドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法であって、
前記第1の反応ガスはNH3ガスであり、前記第2の反応ガスはNF3ガスであるドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法であって、
前記シリコン酸化物層のエッチングは、
前記エッチングガスを前記シリコン酸化物層に接触させ、
前記基板を加熱することで前記シリコン酸化物層を除去するドライエッチング方法。 - 通電により加熱されることが可能でありニッケルで形成された加熱体を有し、前記加熱体との接触による分解反応を経てエッチングガスを生成する生成室と、
エッチング対象を支持する支持部を有し、前記生成室で生成された前記エッチングガスが内部に導入される処理室と
を具備するドライエッチング装置。 - 請求項4に記載のドライエッチング装置であって、
前記加熱体は、多段に折り曲げられた板形状を有するドライエッチング装置。 - 請求項4に記載のドライエッチング装置であって、
前記支持部は、前記エッチング対象を加熱するヒータを有するドライエッチング装置。 - 請求項4に記載のドライエッチング装置であって、
前記処理室に隣接して配置され、前記エッチング対象を加熱可能な加熱室をさらに具備するドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010146133A JP2012009737A (ja) | 2010-06-28 | 2010-06-28 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010146133A JP2012009737A (ja) | 2010-06-28 | 2010-06-28 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009737A true JP2012009737A (ja) | 2012-01-12 |
Family
ID=45539924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010146133A Pending JP2012009737A (ja) | 2010-06-28 | 2010-06-28 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012009737A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000073172A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-07 | Hideki Matsumura | 触媒化学蒸着装置 |
JP2002170813A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004165445A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Furukawa Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2007317696A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、ガス処理方法、フッ化水素ガス供給装置、フッ化水素ガス供給方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
-
2010
- 2010-06-28 JP JP2010146133A patent/JP2012009737A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000073172A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-07 | Hideki Matsumura | 触媒化学蒸着装置 |
JP2002170813A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004165445A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Furukawa Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2007317696A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、ガス処理方法、フッ化水素ガス供給装置、フッ化水素ガス供給方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109075030B (zh) | 用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺 | |
TWI760555B (zh) | 蝕刻方法 | |
KR102332767B1 (ko) | 자기-제한적 원자 열 식각 시스템들 및 방법들 | |
KR102627546B1 (ko) | 이방성 텅스텐 에칭을 위한 방법 및 장치 | |
CN111286719B (zh) | 调节远程等离子源以获得具有可重复蚀刻与沉积率的增进性能 | |
TWI679713B (zh) | 半導體基板處理設備之真空室的調節方法 | |
JP6242095B2 (ja) | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP2016157940A (ja) | 窒化シリコンのエッチング時における超高選択比を達成するための方法 | |
TWI781309B (zh) | 被加工物之處理方法 | |
KR20190142426A (ko) | 리소그래피에서 확률적 수율 영향 제거 | |
JP6799550B2 (ja) | プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法 | |
TW201405656A (zh) | 具有高選擇性之多晶矽及原生氧化層的移除 | |
US11183393B2 (en) | Atomic layer etching using acid halide | |
US6375756B1 (en) | Method for removing a deposited film | |
TWI756348B (zh) | 以原子層控制進行之膜的等向性蝕刻 | |
US6942892B1 (en) | Hot element CVD apparatus and a method for removing a deposited film | |
TW202230517A (zh) | 被處理體之處理裝置 | |
CN109219866A (zh) | 蚀刻方法 | |
JP6987021B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2012009739A (ja) | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 | |
JP2012009737A (ja) | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 | |
JP2012009738A (ja) | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 | |
JP2018190955A (ja) | エッチング方法 | |
JP4450407B2 (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
CN115485819A (zh) | 用于选择性金属化合物移除的系统及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150407 |