JP2012004461A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012004461A5 JP2012004461A5 JP2010139945A JP2010139945A JP2012004461A5 JP 2012004461 A5 JP2012004461 A5 JP 2012004461A5 JP 2010139945 A JP2010139945 A JP 2010139945A JP 2010139945 A JP2010139945 A JP 2010139945A JP 2012004461 A5 JP2012004461 A5 JP 2012004461A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- reference mark
- stage
- particle beam
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
上記の目的を達成するために、本発明は、基板を保持するステージと、複数の荷電粒子線を前記基板の表面に投影する投影系と、前記ステージの上に形成された基準マークと、前記基板上のマークに光を照射し前記マークからの反射光を検出して前記マークの位置を計測する第1計測器と、前記投影系を介して前記基準マークに荷電粒子線を照射し前記基準マークからの荷電粒子を検出して前記基準マークの位置を計測する第2計測器と、前記投影系の軸に沿う第1方向及び前記軸に直交する第2方向における前記ステージの位置を検出する検出器と、を備え、前記複数の荷電粒子線を用いて前記基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のうち少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、前記基準マークに入射する荷電粒子線の前記第1方向に対する角度を取得し、前記取得された角度が許容範囲内である一つの荷電粒子線を決定し、前記決定された荷電粒子線を用いて前記第2計測器により計測された前記基準マークの位置と前記第1計測器により計測された前記基準マークの位置とから第1計測器に関するベースラインを求める制御部を備える、ことを特徴とする。
Claims (5)
- 基板を保持するステージと、複数の荷電粒子線を前記基板の表面に投影する投影系と、前記ステージの上に形成された基準マークと、前記基板上のマークに光を照射し前記マークからの反射光を検出して前記マークの位置を計測する第1計測器と、前記投影系を介して前記基準マークに荷電粒子線を照射し前記基準マークからの荷電粒子を検出して前記基準マークの位置を計測する第2計測器と、前記投影系の軸に沿う第1方向及び前記軸に直交する第2方向における前記ステージの位置を検出する検出器と、を備え、前記複数の荷電粒子線を用いて前記基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線のうち少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、前記基準マークに入射する荷電粒子線の前記第1方向に対する角度を取得し、前記取得された角度が許容範囲内である一つの荷電粒子線を決定し、前記決定された荷電粒子線を用いて前記第2計測器により計測された前記基準マークの位置と前記第1計測器により計測された前記基準マークの位置とから第1計測器に関するベースラインを求める制御部を備える、
ことを特徴とする描画装置。 - 前記制御部は、前記少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、前記ステージを駆動することによって前記基準マークを前記第1方向に沿って移動させ、当該移動前後の前記ステージの前記第1方向における位置それぞれにおいて前記第2計測器により計測された前記基準マークの位置に基づいて前記角度を得る、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
- 前記制御部は、前記少なくとも一つの荷電粒子線の一部の荷電粒子線のそれぞれについて、前記ステージを駆動することによって前記基準マークを前記第1方向に沿って移動させ、当該移動前後の前記ステージの前記第1方向における位置それぞれにおいて前記第2計測器により計測された前記基準マークの位置に基づいて前記角度を得、前記少なくとも一つの荷電粒子線の残りの荷電粒子線のそれぞれについて、前記得られた角度に基づいて前記第1方向に対する角度を推定する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
- 前記ステージの前記第1方向の駆動に対する位置決め精度をE、前記ベースラインの目標精度をAとしたとき、前記許容範囲を定める前記角度の絶対値の上限値は、(A/E)である、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の描画装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139945A JP5506560B2 (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 描画装置及びデバイス製造方法 |
EP11164727.7A EP2397906A3 (en) | 2010-06-18 | 2011-05-04 | Lithography apparatus and device manufacturing method |
US13/162,979 US8618515B2 (en) | 2010-06-18 | 2011-06-17 | Lithography apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139945A JP5506560B2 (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 描画装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012004461A JP2012004461A (ja) | 2012-01-05 |
JP2012004461A5 true JP2012004461A5 (ja) | 2013-08-01 |
JP5506560B2 JP5506560B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=44787430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010139945A Expired - Fee Related JP5506560B2 (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 描画装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8618515B2 (ja) |
EP (1) | EP2397906A3 (ja) |
JP (1) | JP5506560B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5506560B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 描画装置及びデバイス製造方法 |
JP2013140846A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
JP2013183017A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Canon Inc | 描画装置、基準素子、及び物品製造方法 |
WO2013132064A2 (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle lithography system with alignment sensor and beam measurement sensor |
JP2014220263A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-20 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
TWI690968B (zh) * | 2014-03-07 | 2020-04-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於修改基板表面的掠射角電漿處理 |
WO2015171335A1 (en) | 2014-05-06 | 2015-11-12 | Applied Materials, Inc. | Directional treatment for multi-dimensional device processing |
JP2022110461A (ja) * | 2021-01-18 | 2022-07-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 |
WO2024009912A1 (ja) * | 2022-07-05 | 2024-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法 |
US20240304413A1 (en) * | 2023-03-08 | 2024-09-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Optimizing Image Distortion in a Multi Beam Charged Particle Processing Apparatus |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07118440B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1995-12-18 | 東芝機械株式会社 | 電子ビ−ム描画装置 |
JPH03133039A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | 電子線光軸調整方法 |
KR100380546B1 (ko) * | 1994-02-24 | 2003-06-25 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체집적회로장치의제조방법 |
US5830612A (en) * | 1996-01-24 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Method of detecting a deficiency in a charged-particle-beam exposure mask |
JPH10321502A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nikon Corp | 荷電粒子線投影方法 |
US6222197B1 (en) * | 1997-08-21 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus |
JPH11354421A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-24 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP4416195B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 |
US6559456B1 (en) * | 1998-10-23 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged particle beam exposure method and apparatus |
JP3464925B2 (ja) * | 1998-12-18 | 2003-11-10 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置 |
US6630681B1 (en) * | 1999-07-21 | 2003-10-07 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam microlithography apparatus and methods including correction of aberrations caused by space-charge effects |
US6583413B1 (en) * | 1999-09-01 | 2003-06-24 | Hitachi, Ltd. | Method of inspecting a circuit pattern and inspecting instrument |
JP2001332473A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
EP1296352A4 (en) * | 2000-06-27 | 2007-04-18 | Ebara Corp | INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE |
JP2002353112A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Riipuru:Kk | 電子ビーム近接露光装置における電子ビームの傾き測定方法及び傾き較正方法並びに電子ビーム近接露光装置 |
JP4276140B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡及び寸法校正用試料 |
JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
JP4907092B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2012-03-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
JP4679978B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-05-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム応用装置 |
JP5227512B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線応用装置 |
JP5497980B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2014-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置、及び試料検査方法 |
WO2010052854A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR20100094143A (ko) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 삼성전자주식회사 | 리소그래피 장치의 위치 에러 보정방법 |
JP5744601B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2015-07-08 | キヤノン株式会社 | 電子線描画装置及びデバイス製造方法 |
JP5506560B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 描画装置及びデバイス製造方法 |
JP2013140846A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
-
2010
- 2010-06-18 JP JP2010139945A patent/JP5506560B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-04 EP EP11164727.7A patent/EP2397906A3/en not_active Withdrawn
- 2011-06-17 US US13/162,979 patent/US8618515B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012004461A5 (ja) | ||
JP2015513219A5 (ja) | ||
TWI420081B (zh) | 測距系統及測距方法 | |
JP2013187206A5 (ja) | ||
JP2011238707A5 (ja) | ||
JP2008004597A5 (ja) | ||
JP2011040547A5 (ja) | ||
JP2014150264A5 (ja) | ||
SG150489A1 (en) | Method and apparatus for robot calibrations with a calibrating device | |
JP2009295932A5 (ja) | ||
JP2015017844A5 (ja) | ||
JP2010192470A5 (ja) | ||
EP2397906A3 (en) | Lithography apparatus and device manufacturing method | |
RU2017100254A (ru) | Сенсорное устройство, устройство измерения и способ измерений | |
WO2012041461A3 (en) | Projection exposure tool for microlithography and method for microlithographic exposure | |
JP2009300441A (ja) | センサの位置を決定するための方法及び装置 | |
JP2009182253A5 (ja) | ||
JP2016022010A5 (ja) | ||
JP2015511405A5 (ja) | ||
WO2013045210A3 (de) | Konfokale verfahren und vorrichtung zum vermessen homogen reflektierender oberflächen | |
JP2013140846A5 (ja) | ||
JP2015149316A5 (ja) | ||
CN108803248B (zh) | 投影物镜的数值孔径的在线检测装置及方法 | |
JP2006317200A5 (ja) | ||
JP2011238788A5 (ja) |