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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 20
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N water-d2 Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitrogen oxide Substances O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
Claims (15)
- マイクロ波発生器(20)に接続可能であり、導電性材料からなる同軸の内部導体(21)および導電性材料からなる同軸の外部導体(22)を備えた少なくとも1つの電極(21,22,23)を備え、前記同軸の外部導体は、前記同軸の内部導体を少なくとも部分的に囲み、かつ同軸の内部導体から間隔をおいて配置されているマイクロ波プラズマ装置であり、
前記同軸の外部導体(22)は長手方向に、前記同軸の外部導体が前記同軸の内部導体を完全に囲む少なくとも1つの第1領域(31)と、前記同軸の外部導体が前記第1領域(31)から先細状になるように又は狭くなるように形成されて前記同軸の内部導体(21)を囲む面積が次第に小さくなっている少なくとも1つの別の領域(32)とを備え、
前記少なくとも1つの電極(21,22,23)が前記マイクロ波発生器(20)に接続されるときに、マイクロ波発生器(20)によって発生したマイクロ波放射は前記同軸の内部導体(21)の長手方向の軸線にほぼ直角な前記少なくとも1つの別の領域(32)から出ることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。 - 前記少なくとも1つの電極は、マイクロ波発生器と接続する接続端部と自由端とを備え、前記同軸の外部導体は前記自由端に向かって次第に先細状になっていることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波プラズマ装置。
- 前記同軸の内部導体(21)に接続するプラズマ点火装置(23)を備えることを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロ波プラズマ装置。
- 前記少なくとも1つの別の領域(32)は、前記同軸の内部導体(21)の長手方向の軸線に沿って、非導電性材料(11)によって囲まれていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ装置。
- 前記非導電性材料(11)は、石英ガラス、アルミナ又はサファイアであり、及び/又は、
前記非導電性材料(11)は、中空の円筒として形成されており、及び/又は、
前記非導電性材料(11)は、前記電極(21,22,23)の一端を囲んでおり、前記非導電性材料と前記少なくとも1つの別の領域(32)との間に空間が形成され、前記空間は雰囲気圧力の周囲空気で満たされていることを特徴とする請求項4記載のマイクロ波プラズマ装置。 - 前記同軸の外部導体は、前記少なくとも1つの別の領域(32)において楕円形状又はひし形形状の開口(22a,22b,22c)を備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ装置。
- 前記点火装置(23)は、リニアヘルツ発振器として形成され、前記リニアヘルツ発振器の波長は、前記マイクロ波発生器(23)の波長の半分及び/又は前記マイクロ波発生器(23)の波長の整数倍であり、及び/又は、
同軸の内部導体(21)は、同軸の外部導体を超えて長手方向に伸び、及び/又は、
同軸の内部導体(21)は、その端部が湾曲した形状をしていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ装置。 - 処理室を取り囲み、半導体基板を挿入するための閉塞可能な開口を備えた金属製、特にアルミニウム製の箱(10)と、
前記処理室内に配置され、半導体基板(15)を保持するための基板ホルダー(14a)と、
前記処理室内に配置された少なくとも1つのアイソレータ管(11)と、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の少なくとも1つの電極(21,22,23)とを備え、
少なくとも前記別の領域(32)が前記少なくとも1つのアイソレータ管内に受け入れられるように、前記少なくとも1つの電極は少なくとも部分的に前記少なくとも1つのアイソレータ管(11)内に設置され、
同軸の外部導体が前記基板ホルダー上に受け入れられた基板(15)の縁部領域を超えて開口するように、同軸の外部導体は配置され、
プロセスガスを前記処理室に導入するための前記金属製の箱(10)の少なくとも1つの入口開口(18)と、
プロセスガスを前記処理室から排気するための前記金属製の箱(10)の少なくとも1つの出口開口(19)とを備えたことを特徴とする半導体処理装置。 - 前記出口開口(19)に接続される真空ポンプをさらに備え、前記真空ポンプは前記処理室のプロセスガスの圧力を、1mTorrから20Torrまで調整可能であることを特徴とする請求項8記載の装置。
- 前記基板ホルダー(14a)は前記処理室内に回転可能に配置され、及び/又は前記基板ホルダー(14a)は基板ホルダーとアイソレータ管(11)との距離を変えられるように高さが調整可能であり、及び/又は前記基板ホルダー(14a)は冷却可能及び/又は加熱可能であり、及び/又は前記基板ホルダー(14a)は少なくとも部分的に窒化アルミニウム、窒化ケイ素、石英及びサファイアの少なくとも1つからなることを特徴とする請求項8又は9に記載の装置。
- 前記処理室に配置されるとともに、前記基板保持領域の上方及び/又は下方の少なくとも1つの面にほぼ平行に配置された複数のアイソレータ管(11)を備え、各アイソレータ管(11)は、前記少なくとも1つの電極(21,22,23)の各々の少なくとも1つの別の領域(32)を囲み、前記電極(21,22,23)のマイクロ波放射電力は、開ループ及び/又は閉ループ方式で個別に及び/又はグループ単位で制御可能であり、隣接する電極(21,22,23)は、前記各アイソレータ管(11)の反対側で前記各マイクロ波源(20)に接続可能になっていることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の装置。
- 前記基板保持領域の下方及び/又は上方に配置されている加熱要素を備え、前記加熱要素はハロゲンランプ及び/又はアークランプであり、及び/又は前記加熱要素は石英ガラス及び/又は不純物原子でドープされた石英ガラスによって処理室から分離されていることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の装置。
- アイソレータ板(25)は、マイクロ波プラズマ装置によって発生するプラズマと金属壁との接触が防止されるように金属製の箱の上部側に配置され、及び/又は、
前記金属製の箱(10)は、前記処理室に面している陽極酸化アルミニウムからなる表面領域を備え、及び/又は、
前記処理室に配置されるとともに、基板保持領域の上方に前記金属製の箱(10)から間隔をおいて配置された電極(26)を備え、前記電極(26)は、前記アイソレータ板(25)に接続可能になっていることを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の装置。 - 請求項8乃至13のいずれか1項に記載の装置において、半導体基板を処理する方法であって、
a)半導体基板を処理室に挿入し、半導体基板を処理室内に配置された基板ホルダー上に配置する工程と、
b)前記処理室の閉塞可能な開口を閉塞する工程と、
c)前記処理室を排気する工程と、
d)前記処理室にプロセスガスを導入する工程と、
e)マイクロ波プラズマ装置の電極(21,22,23)を介してマイクロ波放射を前記処理室に導入して前記処理室内にマイクロ波プラズマを発生させる工程と、
f)前記マイクロ波放射をオフする工程と、
g)前記処理室を通気する工程と、
h)前記処理室の閉塞可能な開口を開く工程と、
i)前記処理室から半導体基板を取り出す工程と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の処理方法。 - マイクロ波放射を前記処理室に導入する工程の前及び/又はかかる工程の間及び/又はかかる工程の後に、前記処理室内で前記半導体基板を所定の温度、好ましくは700℃以下に加熱し、及び/又は、
前記プロセスガスは、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素、窒素、重水素及び/又は亜酸化窒素、又はこれらガスの混合物、及び/又は、NF 3 、CF 4 、Cl 2 又はこれらのガスの混合物から選択される少なくとも1つのガスからなることを特徴とする請求項14記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008036766A DE102008036766B4 (de) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen dielektrischer Schichten im Mikrowellenplasma |
DE102008036766.4 | 2008-08-07 | ||
PCT/EP2009/005644 WO2010015385A1 (de) | 2008-08-07 | 2009-08-04 | Vorrichtung und verfahren zur erzeugung dielektrischer schichten im mikrowellenplasma |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011530148A JP2011530148A (ja) | 2011-12-15 |
JP2011530148A5 true JP2011530148A5 (ja) | 2012-09-06 |
JP5738762B2 JP5738762B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=41131760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011521472A Active JP5738762B2 (ja) | 2008-08-07 | 2009-08-04 | マイクロ波プラズマ装置、半導体処理装置及び半導体基板の処理方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8716153B2 (ja) |
EP (1) | EP2311066B1 (ja) |
JP (1) | JP5738762B2 (ja) |
KR (1) | KR101625551B1 (ja) |
CN (1) | CN102160141B (ja) |
DE (1) | DE102008036766B4 (ja) |
WO (1) | WO2010015385A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2517228A2 (de) | 2009-12-23 | 2012-10-31 | Wilhelm Beckmann | Verfahren und vorrichtung zum ausbilden einer dielektrischen schicht auf einem substrat |
WO2011116991A1 (de) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Hq-Dielectrics Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten |
WO2012025249A1 (de) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren und steuervorrichtung zur reinigung einer plasmabehandlungsvorrichtung und/oder eines in einer plasmabehandlungsvorrichtung aufgenommenen substrats |
DE202010015818U1 (de) | 2010-08-27 | 2011-02-17 | Hq-Dielectrics Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats mittels eines Plasmas |
DE102010035593B4 (de) | 2010-08-27 | 2014-07-10 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats mittels eines Plasmas |
DE102010050258A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Hq-Dielectrics Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
KR101563541B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2015-10-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마이크로파 플라즈마를 이용한 박막 증착 |
DE102011100057A1 (de) | 2011-04-29 | 2012-10-31 | Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten mit einem plasma |
DE102011100056B4 (de) | 2011-04-29 | 2015-01-08 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zur Festphasen-Kristallisation einer amorphen oder polykristallinen Schicht |
DE102011100055B4 (de) | 2011-04-29 | 2015-05-13 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten und Vorrichtung zum Tragen von Substraten |
DE102011100024A1 (de) | 2011-04-29 | 2012-10-31 | Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum ausbilden einer schicht auf einem substrat |
DE102011107072B8 (de) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum ausbilden einer oxidschicht auf einem substrat bei tiefen temperaturen |
DE102011113751B4 (de) | 2011-09-19 | 2016-09-01 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren zum stetigen oder sequentiellen abscheiden einer dielektrischen schicht aus der gasphase auf einem substrat |
DE102011119013B4 (de) | 2011-11-21 | 2022-11-03 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren zum ausbilden einer dielektrischen schicht auf einem substrat |
DE102012010542A1 (de) | 2011-12-20 | 2013-06-20 | CCP Technology GmbH | Verfahren und anlage zur erzeugung von synthesegas |
DE102012103425A1 (de) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
DE102013010408A1 (de) | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Hq-Dielectrics Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum detektieren einer plasmazündung |
DE102013014147B4 (de) * | 2013-08-23 | 2017-02-16 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren und vorrichtung zum detektieren einer plasmazündung |
DE102013018533B4 (de) | 2013-08-23 | 2019-01-10 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum Reduzieren der Oberflächenrauigkeit einer Oberfläche aus Halbleitermaterial eines Substrats mit 3-D Strukturen |
JP2017059579A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
DE102017121731A1 (de) * | 2017-09-19 | 2019-03-21 | Muegge Gmbh | Vorrichtung zur Behandlung eines Produkts mit Mikrowellen |
CN108735607A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-11-02 | 中国科学院微电子研究所 | 基于微波等离子体氧化的凹槽mosfet器件的制造方法 |
US10916452B2 (en) * | 2018-12-04 | 2021-02-09 | Nanya Technology Corporation | Wafer drying equipment and method thereof |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0331480A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Canon Inc | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US5078851A (en) | 1989-07-26 | 1992-01-07 | Kouji Nishihata | Low-temperature plasma processor |
DE4136297A1 (de) * | 1991-11-04 | 1993-05-06 | Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De | Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung |
JPH07106094A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置 |
DE19503205C1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-07-11 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19722272A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
JP3413174B2 (ja) | 1997-07-11 | 2003-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | In−situ蒸気生成方法及び装置 |
DE19825125A1 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
JP4471589B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-06-02 | 三井造船株式会社 | プラズマ発生用アンテナ装置及びプラズマ処理装置 |
DE102004039468B4 (de) * | 2004-08-14 | 2008-09-25 | R3T Gmbh Rapid Reactive Radicals Technology | Vorrichtung zur Erzeugung angeregter und/oder ionisierter Teilchen in einem Plasma |
JP4468194B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2010-05-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US7214628B2 (en) | 2005-02-02 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma gate oxidation process using pulsed RF source power |
WO2007028813A2 (de) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | INP Institut für Niedertemperatur-Plasmaphysik e.V. | Verfahren und vorrichtung zum zünden und erzeugen eines sich ausdehnenden, diffusen mikrowellenplasmas sowie verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von oberflächen und stoffen mittels dieses plasmas |
US8006640B2 (en) | 2006-03-27 | 2011-08-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
DE102006048814B4 (de) * | 2006-10-16 | 2014-01-16 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte |
-
2008
- 2008-08-07 DE DE102008036766A patent/DE102008036766B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-04 CN CN200980138014.7A patent/CN102160141B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-04 WO PCT/EP2009/005644 patent/WO2010015385A1/de active Application Filing
- 2009-08-04 KR KR1020117004899A patent/KR101625551B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-04 EP EP09777647.0A patent/EP2311066B1/de active Active
- 2009-08-04 JP JP2011521472A patent/JP5738762B2/ja active Active
- 2009-08-04 US US13/057,841 patent/US8716153B2/en active Active
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