JP2011526877A5 - - Google Patents
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Description
図7を参照すると、シラン系(silane system)において、シリコンは、成長中のシラン粒子(1)上に不均一に析出する。またシランは分解されシリコン蒸気(3)が生成される。当該シリコン蒸気は均一に核形成され、不所望のシリコンダスト(同義的にシリコン”微粒子”若しくは”粉末”)が形成される(4)。また、当該シリコン蒸気は、成長中のシリコン粒子(6)上に析出しうる(6)。シリコン微粒子は、シラン(2)から若しくはいずれかのシリコン蒸気(5)からシリコンを析出させることによりサイズが増大しうる。微粒子は結合され、より大きな微粒子(7)が形成されうる。シリコン微粒子は、シリコン粒子(8)が成長するとともに凝集しうる。微粒子及び粒子の照射により凝集が引き起こされ、微粒子が一旦粒子と接触すると、分子間力によりそれらが凝集すると考えられている。
Claims (28)
- 反応チャンバーと該反応チャンバーにガスを均一に分配する分配装置とを有する反応炉において多結晶シリコン製品を作製するためのプロセスであって、
上記反応チャンバーは、少なくとも1つの反応チャンバー壁を有し、
上記分配装置は、少なくとも2つのガスソースと上記反応チャンバーとの間を流体的に接続する複数の分配開口部を有し、
各分配開口部は、チャンネル部と、スロットル部と、を有し、
上記複数の分配開口部は、複数の外周開口部と、複数の中央開口部と、を有し、
各分配開口部は、チャンネル部と、拡径部と、上記チャンネル部と上記拡径部との間に配置されたスロットル部と、を有し、
当該プロセスは、
反応炉壁へ析出するシリコン量を低減するため、上記外周開口部を介して供給されるガスにおけるキャリアーガスの濃度が、上記中央開口部を介して供給されるガスにおけるキャリアーガスの濃度より大きくなるように、上記ガスソースから、上記分配装置の分配開口部を介して反応チャンバーへキャリアーガス及び熱分解可能シリコン化合物を供給する工程と、
シリコン粒子上にシリコンを析出させサイズを増大させるため、上記反応チャンバーにおいて、シリコン粒子に熱分解可能なシリコン化合物を接触させる工程と、を有し、
上記キャリアーガスを上記チャンネル部に導入し、上記分配開口部の上記スロットル部及び上記拡径部を通過させるプロセス。 - 上記外周開口部を介して供給されるガスは、実質的にキャリアーガスからなる請求項1記載のプロセス。
- 上記中央開口部を介して供給されるガスは、実質的に熱分解可能な化合物からなる請求項1又は請求項2記載のプロセス。
- 上記熱分解可能な化合物は、シラン、トリクロロシラン、及びこれらの混合物からなる群から選択された請求項1〜3のいずれかに記載のプロセス。
- 上記熱分解可能な化合物には、シランが含まれる請求項4記載のプロセス。
- 上記キャリアーガスは、水素、アルゴン、ヘリウム及びこれらの混合物からなる群から選択された請求項1〜5のいずれかに記載のプロセス。
- 上記キャリアーガスには、水素が含まれる請求項6記載のプロセス。
- 上記シリコン微粒子が、サイズが約800μmまで増加し、公称直径が約2000μmまで増加することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプロセス。
- キャリアーガス及び熱分解可能なシリコン化合物が、第1ガスソース及び第2ガスソースから上記分配装置の分配開口部を介して供給される請求項1〜8のいずれかに記載のプロセス。
- 上記分配装置は複数のコーンを有し、各分配開口部は拡径部を有し、上記拡径部は上記分配開口部のスロットル部及び上記コーンと流体的に接続され、上記ガスは上記拡径部及び上記コーンを流通する請求項1〜9のいずれかに記載のプロセス。
- 上記外周分配開口部の上記拡径部と流体的に接続されている上記コーンが上記反応チャンバーに連通している、請求項10記載のプロセス。
- 反応炉の反応チャンバーに第1ガス及び第2ガスを導入するプロセスであって、
上記反応炉は、少なくとも1つの反応チャンバー壁と、上記反応チャンバーに上記第1ガス及び第2ガスを分配するガス分配ユニットと、を有し、
上記ガス分配ユニットは、少なくとも1つの外周開口部及び少なくとも1つの中央開口部を含む、複数の分配開口部を有する、分配装置を有し、
上記分配開口部は、チャンネル部と、スロットル部と、を有し、
上記ガス分配ユニットは、さらに、入口側ブロックと、外部環状リングと、上記外部環状リングと同心上にある内部環状リングと、上記外部環状リング及び内部環状リングと同心上にある製品回収チューブと、を有し、
上記第1ガス及び第2ガスは、上記分配装置と、上記入口側ブロックと、第1ガスプレナムを規定する上記分配装置と上記入口側ブロックと上記外部環状リングと上記内部環状リングとの間のスペースと、第2ガスプレナムを規定する上記分配装置と上記入口側ブロックと上記内部環状リングと上記製品回収チューブとの間のスペースと、を通過し、
当該プロセスは、
上記分配開口部の上記チャンネル部及び上記スロットル部に上記第1ガスを通過させて、上記第1ガスを上記第1ガスプレナムへ供給し上記外周開口部を介して上記反応チャンバーに導入する工程と、
上記分配開口部の上記チャンネル部及び上記スロットル部に上記第2ガスを通過させて、上記第2ガスを上記第2ガスプレナムへ供給し上記中央開口部を介して上記反応チャンバーに導入する工程と、を有するプロセス。 - 上記第1ガスは、水素、アルゴン、ヘリウム、及びそれらの混合物からなる群から選択されたガスを含む請求項12記載のプロセス。
- 上記第2ガスは、シラン、トリクロロシラン、及びそれらの混合物からなる群から選択されたガスを含む請求項13記載のプロセス。
- 上記分配装置は、複数のコーンを有し、
各分配開口部は、拡径部を有し、
上記拡径部は、上記分配開口部のスロットル部及び上記コーンと流体的に接続されており、
上記ガスは、上記拡径部及び上記コーンを通過する請求項12〜14のいずれかに記載のプロセス。 - 上記外周分配開口部の上記拡径部に流体的に接続されている上記コーンは、上記反応チャンバーに連通している請求項15記載のプロセス。
- 少なくとも1つの反応チャンバー壁を有する反応チャンバーに第1ガス及び第2ガスを分配する分配装置であって、
上記分配装置は、少なくとも1つの外周開口部と、少なくとも1つの中央開口部と、を含む複数の分配開口部を備え、
各分配開口部は、チャンネル部と、拡径部と、上記チャンネル部と上記拡径部との間に配置されたスロットル部と、を備える分配装置。 - 上記外周開口部は、上記第1ガスソースとは流体的に接続され、上記第2ガスソースとは流体的に接続されないように構成された請求項17記載の分配装置。
- 上記中央開口部は、上記第2ガスソースとは流体的に接続され、上記第1ガスソースとは流体的に接続されないように構成された請求項18記載の分配装置。
- 反応チャンバーに第1ガス及び第2ガスを分配するガス分配ユニットであって、
上記ガス分配ユニットは、請求項17〜19のいずれかに記載の分配装置と、入口側ブロックと、外部環状リングと、上記外部環状リングと同心上にある内部環状リングと、上記外部環状リング及び内部環状リングに同心上にある製品回収チューブと、を有し、
第1ガス及び第2ガスは、上記分配装置と、上記入口側ブロックと、第1ガスプレナムを規定する上記分配装置と上記入口側ブロックと上記外部環状リングと上記内部環状リングとの間のスペースと、第2ガスプレナムを規定する上記分配装置と上記入口側ブロックと上記内部環状リングと上記製品回収チューブとの間のスペースと、を通過し、
上記中央開口部は、上記第2ガスプレナムのみと流体的に接続されることにより、上記第2ガスソースと流体的に接続され、上記第1ガスソースとは流体的に接続されないように構成され、
上記外周開口部は、上記第1ガスプレナムのみと流体的に接続されることにより、上記第1ガスソースと流体的に接続され、上記第2ガスソースとは流体的に接続されないように構成されたガス分配ユニット。 - 少なくとも1つの反応チャンバー壁を有する反応チャンバーと、
上記反応チャンバーへガスを分配する分配装置であって、第1ガスソース及び第2ガスソースの両方と、上記反応チャンバーとの間で流体的に接続された複数の分配開口部を有する分配装置と、を含む流動層反応炉システムであって、
各分配開口部は、チャンネル部と、拡径部と、上記チャンネル部と上記拡径部との間に配置されたスロットル部と、を有し、
上記複数の分配開口部は、複数の外周開口部と、複数の中央開口部と、を有し、
上記外周開口部は、第1ガスソースと流体的に接続され、第2ガスソースと流体的に接続されていない流動層反応炉システム。 - 上記中央開口部は、第2ガスソースと流体的に接続され、第1ガスソースと流体的に接続されていない請求項21記載の流動層反応炉システム。
- 上記第1ガスソースは、第1ガスプレナム内にあり、上記第2ガスソースは、第2ガスプレナム内にある請求項21記載の流動層反応炉システム。
- さらに、入口側ブロックと、外部環状リングと、上記外部環状リングと同心上に配置された内部環状リングと、を備え、
上記第1ガスプレナムは、上記分配装置、上記入口側ブロック、上記外部環状リング及び上記内部環状リングの間のスペースにより画定された請求項23記載の流動層反応炉システム。 - さらに、上記外部環状リング及び上記内部環状リングと同心上に配置され、上記分配装置及び上記入口側ブロックを貫通して延在する製品回収チューブを有し、
上記第2ガスプレナムは、上記分配装置、上記入口側ブロック、上記内部環状リング、及び上記製品回収チューブ間のスペースにより画定された請求項24記載の流動層反応炉システム。 - 上記入口側ブロックは、上記第1ガスプレナムに流体的に接続された第1ガスチャンネルと、上記第2ガスプレナムに流体的に接続された第2ガスチャンネルと、を有する請求項25記載の流動層反応炉システム。
- 上記分配装置は複数のコーンを有し、上記拡径部は上記分配開口部のスロットル部及び上記コーンと流体的に接続されている請求項21〜26のいずれかに記載の流動層反応炉システム。
- 上記外周分配開口部の上記拡径部と流体的に接続された上記コーンは、上記反応チャンバーに連通している請求項27記載の反応炉システム。
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WO2013049314A2 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor |
DE102012206439A1 (de) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Siliciumgranulat und seine Herstellung |
US8875728B2 (en) | 2012-07-12 | 2014-11-04 | Siliken Chemicals, S.L. | Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods |
CN104583122B (zh) * | 2012-08-29 | 2017-09-05 | 赫姆洛克半导体运营有限责任公司 | 锥形流化床反应器及其使用方法 |
US10526707B2 (en) * | 2012-08-29 | 2020-01-07 | The University Of Tokyo | Heat exchanger type reaction tube |
US9587993B2 (en) | 2012-11-06 | 2017-03-07 | Rec Silicon Inc | Probe assembly for a fluid bed reactor |
US9212421B2 (en) | 2013-07-10 | 2015-12-15 | Rec Silicon Inc | Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor |
DE102013208071A1 (de) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | Wacker Chemie Ag | Wirbelschichtreaktor und Verfahren zur Herstellung von granularem Polysilicium |
DE102013208274A1 (de) | 2013-05-06 | 2014-11-20 | Wacker Chemie Ag | Wirbelschichtreaktor und Verfahren zur Herstellung von granularem Polysilicium |
DE102013209076A1 (de) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Wacker Chemie Ag | Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silicium und Verfahren zur Entfernung eines Silicium enthaltenden Belags auf einem Bauteil eines solchen Reaktors |
CN103553047A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-05 | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 | 一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法及系统 |
US10525430B2 (en) | 2013-12-26 | 2020-01-07 | Bruce Hazeltine | Draft tube fluidized bed reactor for deposition of granular silicon |
US9789421B2 (en) * | 2014-06-11 | 2017-10-17 | Corner Star Limited | Induction heater system for a fluidized bed reactor |
US9428830B2 (en) | 2014-07-02 | 2016-08-30 | Gtat Corporation | Reverse circulation fluidized bed reactor for granular polysilicon production |
US9446367B2 (en) | 2014-08-15 | 2016-09-20 | Rec Silicon Inc | Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor |
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US10252916B2 (en) | 2014-09-04 | 2019-04-09 | Corner Star Limited | Methods for separating halosilanes |
EP3278872B1 (en) | 2015-04-01 | 2021-07-07 | Hanwha Chemical Corporation | Method for preparing granular polysilicon using a fluidised-bed reactor system |
WO2017100564A1 (en) | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Sunedison, Inc. | Reactor systems having multiple pressure balancers |
WO2017100404A1 (en) | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Sunedison, Inc. | Reactor systems having external pressure balancer |
US11053589B2 (en) * | 2017-06-28 | 2021-07-06 | X-Energy, Llc | Multi-inlet gas distributor for chemical vapor deposition coating of TRISO particles |
CN109046186B (zh) * | 2018-08-03 | 2020-11-10 | 新奥科技发展有限公司 | 一种催化剂流化单元及流化床催化反应器 |
RU2761844C1 (ru) * | 2018-10-23 | 2021-12-13 | Сабик Глобал Текнолоджиз Б.В. | Способ и реактор для превращения углеводородов |
CN114423517B (zh) * | 2020-07-06 | 2022-10-11 | 沙伯环球技术有限公司 | 用于生产高价值化学产品的反应器系统 |
CN117205848A (zh) * | 2023-11-07 | 2023-12-12 | 上海氢田新材料科技有限公司 | 一种基于气相分解法制备纳米硅的系统及方法 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2468508A (en) * | 1945-02-20 | 1949-04-26 | Standard Oil Dev Co | Conversion processes in the presence of a dense turbulent body of finely divided solid material |
US2487984A (en) * | 1945-10-31 | 1949-11-15 | Universal Oil Prod Co | Fluid distributing plate |
US2740752A (en) * | 1951-01-24 | 1956-04-03 | Gulf Research Development Co | Fluid catalytic process and apparatus |
US3016624A (en) * | 1959-01-02 | 1962-01-16 | Foster Wheeler Corp | Gas distribution baffle |
US3636923A (en) * | 1970-03-04 | 1972-01-25 | Atomic Energy Commission | Apparatus for coating microspheres with pyrolytic carbon |
US3933985A (en) | 1971-09-24 | 1976-01-20 | Motorola, Inc. | Process for production of polycrystalline silicon |
US4092446A (en) | 1974-07-31 | 1978-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon |
US4213937A (en) | 1976-09-22 | 1980-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Silicon refinery |
US4170667A (en) | 1977-01-31 | 1979-10-09 | Motorola, Inc. | Process for manufacturing pure polycrystalline silicon |
US4318942A (en) | 1978-08-18 | 1982-03-09 | J. C. Schumacher Company | Process for producing polycrystalline silicon |
JPS5945917A (ja) | 1982-09-02 | 1984-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 多結晶シリコンの連続的製法 |
US4818495A (en) | 1982-11-05 | 1989-04-04 | Union Carbide Corporation | Reactor for fluidized bed silane decomposition |
JPS59107917A (ja) | 1982-12-07 | 1984-06-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 多結晶シリコンの製造装置 |
US4529576A (en) * | 1982-12-27 | 1985-07-16 | Sri International | Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
US4491604A (en) | 1982-12-27 | 1985-01-01 | Lesk Israel A | Silicon deposition process |
JPS6279843A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 流動層合成装置のガス分散板 |
US4868013A (en) | 1987-08-21 | 1989-09-19 | Ethyl Corporation | Fluidized bed process |
CA1332782C (en) * | 1988-03-31 | 1994-11-01 | Richard Andrew Van Slooten | Annular heated fluidized bed reactor |
JPH02279512A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Osaka Titanium Co Ltd | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
JPH04297515A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-21 | Nkk Corp | 鉄鉱石の溶融還元設備における予備還元炉 |
GB2271518B (en) | 1992-10-16 | 1996-09-25 | Korea Res Inst Chem Tech | Heating of fluidized bed reactor by microwave |
JPH06191818A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-12 | Tonen Chem Corp | 多結晶シリコンの製造方法 |
US5810934A (en) | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Silicon deposition reactor apparatus |
WO1997048950A1 (fr) | 1996-06-21 | 1997-12-24 | Ebara Corporation | Procede et appareil de gazeification de lit fluidise |
DE19735378A1 (de) | 1997-08-14 | 1999-02-18 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat |
US6486217B2 (en) * | 1997-10-21 | 2002-11-26 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Throat and cone gas injector and gas distribution grid for slurry reactor (CJB-0004) |
GB9814064D0 (en) | 1998-06-29 | 1998-08-26 | Boc Group Plc | Partial combustion of hydrogen sulphide |
DE19948395A1 (de) | 1999-10-06 | 2001-05-03 | Wacker Chemie Gmbh | Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor |
US6368568B1 (en) | 2000-02-18 | 2002-04-09 | Stephen M Lord | Method for improving the efficiency of a silicon purification process |
US6719952B1 (en) * | 2000-02-21 | 2004-04-13 | Westinghouse Electric Company Llc | Fluidized bed reaction design |
US6451277B1 (en) | 2000-06-06 | 2002-09-17 | Stephen M Lord | Method of improving the efficiency of a silicon purification process |
KR100731558B1 (ko) | 2000-08-02 | 2007-06-22 | 미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤 | 육염화이규소의 제조 방법 |
JP2002129455A (ja) | 2000-10-17 | 2002-05-09 | Ibiden Co Ltd | 触媒コンバータ用保持シール材及びその製造方法、触媒コンバータ |
US6827786B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-12-07 | Stephen M Lord | Machine for production of granular silicon |
KR100411180B1 (ko) | 2001-01-03 | 2003-12-18 | 한국화학연구원 | 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치 |
AU2002354349B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-04-05 | Tokuyama Corporation | Method for producing silicon |
WO2004013044A1 (en) | 2002-07-22 | 2004-02-12 | Lord Stephen M | Methods for heating a fluidized bed silicon manufacture apparatus |
US7179426B2 (en) * | 2002-09-12 | 2007-02-20 | Chevron Phillips Chemical Company, Lp | Large catalyst activator |
US20040241867A1 (en) | 2003-01-17 | 2004-12-02 | Jones Mark L. | Method of analyzing a wafer for metal impurities |
WO2007012027A2 (en) | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Rec Silicon Inc | Silicon spout-fluidized bed |
DE102005042753A1 (de) * | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor |
BRPI0620401A2 (pt) * | 2005-12-23 | 2011-11-16 | Siemens Vai Metals Tech Gmbh | fundo distribuidor |
KR100661284B1 (ko) | 2006-02-14 | 2006-12-27 | 한국화학연구원 | 유동층 반응기를 이용한 다결정실리콘 제조 방법 |
KR100813131B1 (ko) | 2006-06-15 | 2008-03-17 | 한국화학연구원 | 유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한제조방법 |
US7935327B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-05-03 | Hemlock Semiconductor Corporation | Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process |
SG192438A1 (en) | 2008-06-30 | 2013-08-30 | Memc Electronic Materials | Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls |
EP2519343A1 (en) | 2009-12-29 | 2012-11-07 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls using peripheral silicon tetrachloride |
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