JP2011525056A - 断面システムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
半導体を製造する際には、一般に、複数の材料を順に堆積および処理することで製品(半導体製品)を作成し、集積電子回路、集積回路素子、および/またはその他のマイクロ電子デバイスを構成する。そのような製品は、一般に、様々な構造(例えば、導電性材料で形成した回路線、非導電性材料を充填したウエル、半導体材料で形成した領域等)を有し、それらの構造は互いに正確に(例えば、通常、数ナノメータ単位で)位置決めされる。所与の構造の位置、サイズ(長さ、幅、奥行き)、組成(化学組成)、および関連特性(導電性、結晶の配向性、磁気特性)は、その製品の性能に重要な影響を及ぼすことがある。例えば、あるいくつかの例において、それらのパラメータうち1つまたはそれ以上が適切な範囲を逸脱すると、その製品は所望の機能を果たすことができないとして廃棄されることがある。結果として、一般に、半導体の各製造工程全てを良好に制御できることが望ましいとされ、また、半導体の様々な製造工程においてその製造を監視できる手段を使用することが有用であり、そうすれば、その半導体製造工程の様々なステージにおける1つまたはそれ以上の構造の位置、サイズ、組成、および関連特性についての検査を行うことが可能である。本明細書中で用いられる用語「半導体製品」として、集積電子回路、集積回路素子、集積電子回路、マイクロ電子デバイス、または、集積電子回路、集積回路素子、およびマイクロ電子デバイスの製造過程で形成される製品が挙げられる。いくつかの実施形態においては、半導体製品は平面ディスプレイまたは太陽電池の一部を構成することができる。
図1Aおよび図1Bはそれぞれ、半導体製品100の部分平面図および部分断面図である。図1Bに示すように、製品100を切断し、側壁110A、110Bおよび底壁110Cを有する断面110を露出させる。図1Aおよび図1Bには図示していないが、半導体製品100は異なる材料で形成した多数の層を有し、また、いくつかの例においては、同じ層の中に複数の異なる層を有する。
図2は、試料処理システム200の概略を示す図である。この試料処理システム200は、筐体210、試料の断面を切断するためのデバイス220A〜220J、試料を検査するためのデバイス230、および試料ホルダ240A〜240Jを備える。後述するように、システム200は、オプションとして、試料ホルダ250A〜250Jを備える。図2では、デバイス220A〜220Jは1つの筐体に収容されているが、いくつかの実施例においては、1つまたはそれ以上の220A〜220Jを、デバイス230とは別の筐体に収容することもできる。
その後、デバイス220A〜220Jを同時に作動して、各デバイスにより、対応する試料ホルダ240A〜240J内/上に配置した各半導体製品の断面を切断する。デバイス220A〜220Jとして、例えば、液体金属イオン装置(例えば、ガリウム集束イオンビーム装置等の集束液体金属イオンビーム装置)、ガス電界電離型イオンビーム装置、電子ビーム装置、レーザビーム装置、またはプラズマイオン源等を挙げることができる。一般に、それらのデバイスは当業者には公知である。ガス電界電離型イオンビーム装置の例は、例えば、米国特許出願公開第2007/0158558号明細書に開示され、その開示を参照することにより本明細書に援用される。異なるデバイスを組み合わせて使用することもできる。
いくつかの実施形態について説明したが、その他の実施形態も可能である。
例としては、ガスアシスト化学処理により、半導体回路編集を行うことができ、それにより半導製品内の損傷または誤って製造した回路を修理する。一般に、回路編集とは、回路に材料を追加する(例えば、開いている回路を閉じる)こと、および/または回路から材料を回収する(例えば、閉じている回路を開く)ことを含む。ガスアシスト化学処理により、フォトリソグラフィーマスクの修復をすることもできる。マスクの欠陥としては、通常、マスク材料が存在すべきでない領域にマスク材料が余剰して付着すること、および/またはマスク材料が存在すべき領域で材料が欠如することが挙げられる。したがって、ガスアシスト化学処理によりマスク修復を行い、所望により、マスクに対し材料を追加および/または回収することができる。一般に、ガスアシスト化学処理においては、荷電粒子ビーム(例えば、イオンビーム、電子ビーム、またはその両方)を用い、荷電粒子ビームを適切なガス(例えば、Cl2、O2、I2、XeF2、F2、CF4、H2O、XeF2、F2、CF4、WF6)と相互作用させる。別の例として、試料の修正としては、スパッタリングがある。いくつかの例において、製品を製造する際、いくつかの段階(例えば、回路から不要な材料を除去してその回路を編集する際、マスクを修正する際)において材料を除去するのが望ましいことがある。材料を除去するにはイオンビームを使用することができ、それにより試料から材料をスパッタする。特に、本明細書に記載のように、ガス原子とガス電界電離型イオン源との相互作用により生成されたイオンビームを用いて試料をスパッタすることができる。ヘリウム(He)ガスイオンを用いることもできるが、一般に、好ましくは、重イオン類(例えば、ネオン(Ne)ガスイオン類、アルゴン(Ar)ガスイオン類、クリプトン(Kr)ガスイオン類、キセノン(Xe)ガスイオン類)を用いて材料を除去する。材料を除去する間は、試料上の除去対象の材料が位置する領域にイオンビームを合焦する。そのような検査の例については、例えば、米国特許出願公開第2007/0158558号明細書に開示される。
Claims (54)
- 第1試料の断面を画像化することであって、該第1試料の該断面は側壁と底壁を有する、画像化するステップと、および
同時に、第2試料の一部を除去して該第2試料の断面を露出し、該第2試料の該断面を画像化するステップであって、該第2試料の該断面は側壁と底壁を有するステップ、
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記第1試料の前記断面を画像化するステップは粒子ビームを使用することを含む、方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記粒子ビームは電子ビームである、方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記粒子ビームはイオンビームである、方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1試料の前記断面を画像化するステップは、ガス電界電離型イオン顕微鏡を使用するステップ、を含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1試料の前記断面を画像化するステップは、電子顕微鏡を使用するステップ、を含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第2試料の断面を形成するステップは、該第2試料の該断面を切断するステップ、を含む方法。
- 請求項7に記載の方法において、前記第2試料の前記断面を切断するステップは、該第2試料にイオンを照射するステップ、を含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第2試料の前記断面を形成して該第2試料の該断面を画像化するステップは、集束イオンビームを使用して該第2試料の該断面を切断するステップ、を含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第2試料の前記断面を形成して該第2試料の該断面を画像化ステップは、レーザビーム源、プラズマイオンビーム源、および液体金属イオンビーム源からなる群から選択した器機を使用するステップ、を含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1試料の前記断面は第1器機を使用して画像化し、前記第2試料の前記断面は第2器機を使用して形成する、方法。
- 請求項11に記載の方法において、
前記第1器機および前記第2器機を同じチャンバ内に収容した、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、さらに、前記第1試料の前記断面を画像化するステップの後に、
前記第2試料の前記断面を画像化するステップと、および
同時に、第3の試料の断面を形成して該第3の試料の該断面を画像化するステップ、断面を形成すること、を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、前記第1試料の前記断面を画像化することと同時に、第3の試料の断面を形成して該第3の試料の該断面を画像化できるようにする、断面を形成すること、を含む方法。
- 請求項14に記載の方法であって、さらに、前記第1試料の前記断面を画像化するステップの後に、
前記第3の試料の前記断面を画像化するステップと、および
同時に第4の試料の断面を形成して該第4の試料の該断面を画像化するステップと、
を含む方法。 - 請求項15に記載の方法であって、さらに、前記第2試料の前記断面を画像化するステップの後に、
前記第3の試料の前記断面を画像化するステップ、を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、前記第1試料の前記断面を画像化すると同時に、第3の試料の前記断面を画像化するステップ、を含む方法。
- ガス電界電離型イオン顕微鏡を使用して第1試料の断面を画像化するステップであって、該第1試料の該断面は側壁および底壁を有する、ガス電界電離型イオン顕微鏡を使用するステップと、
前記第1試料の前記断面を画像化するステップと同時に、第1複数の試料のそれぞれについて一部を除去して該第1複数の試料のそれぞれの断面を露出し、該第1複数の試料のそれぞれの該断面を画像化するステップであって、該第1複数の試料のそれぞれの該断面は側壁と底壁を有するステップと、
前記第1試料の断面を画像化するステップの後に、前記第1複数の試料のうち少なくとも1つの前記断面を画像化するステップと、および
前記第1複数の試料のうち少なくとも1つの前記断面を画像化するステップと同時に、第2複数の試料のそれぞれについて断面を形成して該第2複数の試料のそれぞれの該断面を画像化するステップであって、該第2複数の試料のそれぞれの該断面は側壁および底壁を有するステップと、を含む方法であり、
前記第1試料は前記第1複数の試料から除外され、前記第1複数の試料は前記第2複数の試料から除外される、方法。 - 試料の第1断面を形成するステップであって、該第1断面は第1粗度を有し、該第1断面は側壁および底壁を有することを特徴とするステップと、および
前記試料の前記第1断面を修正して該試料の第2断面とするステップであって、該第2断面は、前記第1粗度とは異なる第2粗度を有し、該第2断面は側壁および底壁を有する、第1断面を修正することを特徴とするステップと、を含む方法であり、該方法は、
第1装置を使用して前記試料の前記第1断面を形成し、第2装置を使用して前記試料の前記第2断面を形成し、該第2装置は該第1装置とは異なることを特徴とする、方法。 - 請求項19に記載の方法において、前記第1粗度は、前記第2粗度の少なくとも2倍である、方法。
- 請求項19に記載の方法において、前記第1粗度は、前記第2粗度の少なくとも5倍である、方法。
- 請求項19に記載の方法において、前記第1断面を形成するステップと該断面を修正するステップとの間に一定の時間を設けた、方法。
- 請求項22に記載の方法において、前記一定の時間は少なくとも30秒である、方法。
- 請求項19に記載の方法において、前記第1装置は、レーザビーム源、プラズマイオンビーム源、および液体金属イオンビーム源からなる群から選択した装置であることを特徴とする、方法。
- 請求項24に記載の方法において、前記第2装置はガス電界電離型イオン源である、方法。
- 請求項19に記載の方法において、前記第2装置はガス電界電離型イオン源である、方法。
- 請求項19に記載の方法であって、さらに、前記試料の前記断面を形成した後であり該試料の該断面を修正する前に、該試料を移動するステップを含む、方法。
- 第1装置を使用して試料の第1断面を形成する、第1装置を使用するステップと、および
前記第1装置とは異なる第2装置を使用して前記試料の前記第1断面を修正し、該試料の第2断面とするステップと、を含む方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記第1装置は、レーザビーム源、プラズマイオンビーム源、および液体金属イオンビーム源からなる群から選択した装置である、方法。 - 請求項28に記載の方法において、前記第2装置はガス電界電離型イオン装置である、方法。
- 請求項28に記載の方法において、前記第2装置はガス電界電離型イオン装置である、方法。
- 請求項28に記載の方法において、前記第1断面を形成することと該断面を修正することとの間には一定の時間を設けた、方法。
- 請求項28に記載の方法において、前記一定の時間は少なくとも30秒である、方法。
- 請求項28に記載の方法であって、さらに、前記試料の前記第1断面を作成した後であり且つ該試料の該断面を修正する前に、該試料を移動することを含む方法。
- 試料の第1断面であって第1粗度を有する第1断面を形成するように構成した第1装置、および前記試料の前記第1断面を修正して、該試料の第2断面であって第2粗度を有する第2断面とするように構成した第2装置、を備えたシステムにおいて、前記第2装置は前記第1装置とは異なる、システム。
- 請求項35に記載のシステムにおいて、前記第1粗度は、前記第2粗度の少なくとも2倍である、システム。
- 請求項35に記載のシステムにおいて、前記第1粗度は、前記第2粗度の少なくとも5倍である、システム。
- 請求項35に記載のシステムにおいて、前記第1装置は、レーザビーム源、プラズマイオンビーム源、および液体金属イオンビーム源からなる群から選択した装置である、システム。
- 請求項38に記載のシステムにおいて、前記第2装置はガス電界電離型イオン装置である、システム。
- 請求項35に記載のシステムにおいて、前記第2装置はガス電界電離型イオン装置である、システム。
- 請求項35に記載のシステムであって、さらに、前記第1装置および前記第2装置と異なる第3の装置であって、前記試料を検査するように構成した第3の装置、を備えるシステム。
- 請求項1に記載の方法において、前記第1試料は半導体製品である、方法。
- 請求項42に記載の方法において、前記第2試料は半導体製品である、方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記第2試料は半導体製品である、方法。
- 請求項18に記載の方法において、前記第1試料は半導体製品である、方法。
- 請求項45に記載の方法において、前記第1複数の試料は第1複数の半導体製品である、方法。
- 請求項46に記載の方法において、前記第2複数の試料は第1複数の半導体製品である、方法。
- 請求項18に記載の方法において、前記第1複数の試料は第1複数の半導体製品である、方法。
- 請求項48に記載の方法において、前記第2複数の試料は第1複数の半導体製品である、方法。
- 請求項18に記載の方法において、前記第2複数の試料は第1複数の半導体製品である、方法。
- 請求項18に記載の方法において、前記第2試料は半導体製品である、方法。
- 請求項19に記載の方法において、前記試料は半導体製品である、方法。
- 請求項28に記載の方法において、前記試料は半導体製品である、方法。
- 請求項35に記載のシステムにおいて、前記試料は半導体製品である、システム。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1084020A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Hitachi Ltd | 加工方法および半導体検査方法 |
JP2003194746A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-07-09 | Canon Inc | 情報取得装置、試料評価装置および試料評価方法 |
JP2006079846A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Canon Inc | 試料の断面評価装置及び試料の断面評価方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9301568A (nl) * | 1993-09-09 | 1995-04-03 | Tce Consultancy & Eng | Analyse-systeem voor het analyseren, bewaken, diagnostiseren en/of sturen van een produktieproces waarin produkten worden gevormd die een temperatuurbehandeling ondergaan, produktieproces met een analysesysteem en een werkwijze daarvoor. |
JP3265901B2 (ja) | 1995-03-24 | 2002-03-18 | 株式会社日立製作所 | 集束イオンビーム装置及び集束イオンビーム照射方法 |
US6727500B1 (en) * | 2000-02-25 | 2004-04-27 | Fei Company | System for imaging a cross-section of a substrate |
JP3872319B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2007-01-24 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6670610B2 (en) | 2001-11-26 | 2003-12-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for directing a miller |
US7160475B2 (en) * | 2002-11-21 | 2007-01-09 | Fei Company | Fabrication of three dimensional structures |
DE60308482T2 (de) | 2003-04-28 | 2007-06-21 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer Probe eines Spezimen mittels eines Elektronenstrahls |
WO2005031789A2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-04-07 | Zyvex Corporation | Method, system and device for microscopic examination employing fib-prepared sample grasping element |
US7557359B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-07-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
JP4273430B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2009-06-03 | 有限会社レアリティー | 自動車用エアロパーツの加工方法 |
WO2009020151A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Sii Nanotechnology Inc. | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
JP5478963B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2014-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子素子及び電子素子の製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1084020A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Hitachi Ltd | 加工方法および半導体検査方法 |
JP2003194746A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-07-09 | Canon Inc | 情報取得装置、試料評価装置および試料評価方法 |
JP2006079846A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Canon Inc | 試料の断面評価装置及び試料の断面評価方法 |
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