JP2011525056A5 - - Google Patents

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Claims (24)

  1. 第1装置を用いて試料の第1断面を生成するステップと、
    前記第1装置とは異なる第2装置を用いて前記試料の前記第1断面を修正して、前記試料の第2断面を生成するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 試料の第1断面を形成するステップであって、該第1断面は第1粗度を有し、該第1断面は側壁および底壁を有することを特徴とするステップと、および
    前記試料の前記第1断面を修正して該試料の第2断面とするステップであって、該第2断面は、前記第1粗度とは異なる第2粗度を有し、該第2断面は側壁および底壁を有する、ことを特徴とするステップと、を含む方法であり、該方法は、
    第1装置を使用して前記試料の前記第1断面を形成し、第2装置を使用して前記試料の前記第2断面を形成し、該第2装置は該第1装置とは異なることを特徴とする、方法。
  3. 前記第1粗度は前記第2粗度の少なくとも2倍であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記第1断面を生成するステップと前記断面を修正するステップとの間に一定時間を設けたことを特徴とする、請求項1〜3の何れか一項に記載の方法。
  5. 前記第1装置は、レーザビーム源、プラズマイオンビーム源、および液体金属イオンビーム源を含む群から選択した装置であることを特徴とする、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。
  6. 前記第2装置はガス電界電離型イオン源であることを特徴とする、請求項1〜5の何れか一項に記載の方法。
  7. 前記試料の第1断面を形成した後であり前記試料の前記第1断面を修正する前に、前記試料を移動するステップを更に含むことを特徴とする、請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。
  8. 前記第2試料は半導体製品であることを特徴とする、請求項1〜7の何れか一項に記載の方法。
  9. 前記第1装置及び前記第2装置は同一チャンバ内に収容したことを特徴とする、請求項1〜8の何れか一項に記載の方法。
  10. 試料の第1断面であって第1粗度を有する第1断面を形成するように構成した第1装置、および
    前記試料の前記第1断面を修正して、第2粗度を有する前記試料の第2断面を生成するように構成した第2装置、を備えたシステムであって、前記第2装置は前記第1装置とは異なることを特徴とする、システム。
  11. 前記第1粗度は前記第2粗度の少なくとも2倍であることを特徴とする、請求項10に記載のシステム。
  12. 前記第1装置は、レーザビーム源、プラズマイオンビーム源、および液体金属イオンビーム源を含む群から選択した装置であることを特徴とする、請求項10又は11に記載のシステム。
  13. 前記第2装置はガス電界電離型イオン源であることを特徴とする、請求項10〜12の何れか一項に記載のシステム。
  14. 前記第1装置および前記第2装置と異なる第3の装置であって、前記試料を検査するように構成した第3の装置を更に備えることを特徴とする、請求項10〜13の何れか一項に記載のシステム。
  15. チャンバを備え、
    前記第1装置及び前記第2装置を前記チャンバに収容したことを特徴とする、
    請求項10〜14の何れか一項に記載のシステム。
  16. 側壁及び底壁を有する第1試料の断面を画像化するステップと、
    同時に、第2試料の一部を除去して該第2試料の断面を露出させ、前記第2試料の前記断面を画像化するステップであって、前記第2試料の前記断面は側壁と底壁を有することを特徴とする、ステップと、
    を含む方法。
  17. 前記第1試料の断面を画像化するステップは、粒子ビームを使用することを含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
  18. 前記粒子ビームはイオンビームであることを特徴とする、請求項16又は17に記載の方法。
  19. 前記第1試料の前記断面を画像化するステップは、ガス電界電離型イオン顕微鏡を使用するステップ、を含むことを特徴とする、請求項16〜18の何れか一項に記載の方法。
  20. 前記第2試料の前記断面を生成するステップは前記第2試料の前記断面を切断するステップを含むことを特徴とする、請求項16〜19の何れか一項に記載の方法。
  21. 前記第1断面を画像化した後に、
    前記第2試料の前記断面を画像化するステップと、
    同時に、第3試料を生成して該第3試料の断面を画像化するステップと、
    を更に含むことを特徴とする、請求項16〜20の何れか一項に記載の方法。
  22. 前記第1試料は第1機材を使用して画像化し、記第2試料の断面は第2機材を使用して生成することを特徴とする、請求項16〜21の何れか一項に記載の方法。
  23. ガス電界電離型イオン顕微鏡を使用して第1試料の断面を画像化するステップであって、前記第1試料の前記断面は側壁および底壁を有することを特徴とする、ステップと、
    前記第1試料の前記断面を画像化するステップと同時に、第1複数の試料のそれぞれについて一部を除去して前記第1複数の試料の断面を露出し、前記第1複数の試料の断面を画像化するステップであって、前記第1の複数の試料の断面は側壁と底壁を有することを特徴とする、ステップと、
    前記第1試料の断面を画像化するステップの後に、前記第1複数の試料のうち少なくとも1つの前記断面を画像化するステップと、
    前記第1複数の試料のうち少なくとも1つの前記断面を画像化するステップと同時に、第2複数の試料のそれぞれについて断面を形成して前記第2複数の試料の断面を画像化するステップであって、前記第2複数の試料の断面は側壁および底壁を有することを特徴とするステップと、を含む方法であって、
    前記第1試料は前記第1複数の試料から除外され、前記第1複数の試料は前記第2複数の試料から除外されることを特徴とする、方法。
  24. 前記第1機材及び前記第2機材を同一チャンバ内に収容したことを特徴とする、請求項22又は23に記載の方法。
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