JP2011523197A - 制御された電界を有する電子デバイス - Google Patents
制御された電界を有する電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011523197A JP2011523197A JP2010535368A JP2010535368A JP2011523197A JP 2011523197 A JP2011523197 A JP 2011523197A JP 2010535368 A JP2010535368 A JP 2010535368A JP 2010535368 A JP2010535368 A JP 2010535368A JP 2011523197 A JP2011523197 A JP 2011523197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- surface layer
- electronic device
- superficial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 211
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 77
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/432—Heterojunction gate for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
−良好なショットキー接触を確保するために、表面付近の表在層中に弱い電界を生成することを目的とすること(この目的のために、非特許文献1を参照することができる。)と、
−さらに、表在層中およびバリア層中における平行導電の存在は、このデバイスの動作を悪化させるので、それを回避すべきであることと
の間において妥協点を求めることにより、デバイス表面上の(x、y)にしたがってデバイスの性能を最適化することを提案する。
−自由区域に、すなわちオーミック接触電極がデバイス表面上にある場合にオーミック接触電極とショットキー接触電極との間の領域に強い電界を、
−ショットキー接触電極の下方に弱い電界を
生成することである。
−支持基板と、
−電子ガスを包含するように適合された層と、
−バリア層と、
−前記バリア層の表面の少なくとも一部の上に延在する表在層と
を逐次備える電子デバイスが提案される。前記デバイスは、前記表在層が、前記表在層の少なくとも1つの第1の領域において、前記表在層の第2の領域においてよりも電界が弱くなるように電流を制御された電界を有することを特徴とする。
−前記表面層および前記被覆層の材料は、III族のうちの少なくとも1つの材料と窒素とを含む。
−支持基板と、
−電子ガスを包含するように適合された層と、
−バリア層と
を逐次備えるものである方法に関する。前記方法は、表在層の少なくとも1つの第1の領域において、前記表在層の第2の領域においてよりも電界が弱くなるように前記電界が制御された表在層を、前記バリア層の上に形成するステップを含む。
a)前記バリア層の上に表面層をエピタキシャル成長させるステップと、
b)前記表面層の第1の領域中にトレンチをエッチングするステップであって、前記トレンチは、前記表面層の厚さよりも浅く、したがって前記表面層に残留厚さ部分が残されるものであるステップと、
c)結果として得られる構造の上に、ドープされた被覆層が成長するようにエピタキシャル再成長させるステップと
を含み、それにより、前記表在層は、前記第1の領域においては、前記表面層の前記残留厚さ部分と前記被覆層とを重畳することによって形成され、前記第2の領域においては、前記表面層と前記被覆層とを重畳することによって形成される。
a)前記バリア層の上に表面層をエピタキシャル成長させるステップと、
b)前記表面層の第1の領域においてトレンチをエッチングするステップであって、前記トレンチは前記表面層の厚さ以上の深さであるステップと、
c)結果として得られる構造の上に、ドープされた被覆層が成長するようにエピタキシャル再成長させるステップと
を含み、それにより、前記表在層は、前記第1の領域においては、前記被覆層によってのみ形成され、前記第2の領域においては、前記表面層と前記被覆層との重畳により形成される。
a)先述の構造の表面に「表面」層7a(図3を参照)をエピタキシーすることにより形成するステップと(表面層7aに使用し得る材料は以下において説明される。)、
b)図4を参照とする、表面層7aの少なくとも1つの領域に対して制御されたエッチングを実施して、深さが表面層7aの厚さよりも薄く、等しく、または厚くてもよい、少なくとも1つのトレンチ10を形成するステップと、
c)表面層7aおよびトレンチ10を覆う、ドープされた「被覆」層7bをエピタキシャル再成長させることにより形成するステップと
から構成される。
図5Aを参照すると、上から見た場合に異なる領域が同一のドーピング勾配を有しない状態であり、トレンチ10の起伏を再現する表面構成が得られる。
図面を簡略化するために、オーミック接触電極5が1つだけ図示されている、HEMTタイプトランジスタを示す図8を参照すると、ショットキー接触電極8は、表在層7の上に堆積される。
オーミック接触電極5により、キャリアを注入または収集することが可能となる。図10に図示されるHEMTタイプトランジスタの場合には、2つのオーミック接触電極が存在する。ソース5は、この構造にキャリアを注入する電極であり、ドレイン6は、キャリアを収集する電極である。オーミック接触電極5は、良好なオーミック接触を確保するように、バリア層4の上面上に堆積された金属層を重畳することによって形成されている。
1つの特定の実施形態によれば、同一のプレート中に作製された異なるデバイスを絶縁するために、図8において参照符号11により同定される絶縁トレンチをエッチングすることが可能である。
MBE(分子線エピタキシー)またはMOCVD(金属酸化物化学気相成長)などの技術を利用して、基部から表面の方向に、
−2から50nmの間の厚さのGaNで作製された、支持基板上のチャネル層と、
−アルミニウム含有量が約30%である2から50nmの間の厚さのAlGaNで作製されたバリア層と、
−1から10nmの間の厚さで、意図的にはドープされていないGaNで作製された表面層と
を備える構造が形成される。
MBEまたはMOCVDなどの技術を利用して、基部から表面の方向に、
−2から50nmの間の厚さのGaNで作製された、支持基板上のチャネル層と、
−アルミニウム含有量が約60%である、6nmの厚さのAlGaNで作製されたバリア層と、
−1から10nmの間の厚さで、意図的にはドープされていない、GaNで作製された表面層と
を備える構造が形成される。
MBEまたはMOCVDなどの技術を利用して、基部から表面の方向に、
−2から50nmの間の厚さのGaNで作製された、支持基板上のチャネル層と、
−インジウム含有量が約18%である、6nmの厚さのAlInNで作製されたバリア層と、
−2nmの厚さの、意図的にはドープされていないGaNで作製された表面層と
を備える構造が形成される。
MBEまたはMOCVDなどの技術を利用して、基部から表面の方向に、
−2から50nmの間の厚さのGaNで作製された、支持基板上のチャネル層と、
−ボロン含有量が約10%である、6nmの厚さのBGaNで作製されたバリア層と、
−2nmの厚さの、意図的にはドープされていないGaNで作製された表面層と
を備える構造が形成される。
Claims (16)
- III族窒化物材料を含む電子デバイスであって、基部から表面の方向に、
支持基板(1)と、
電子ガスを包含するように適合された層(2、3)と、
バリア層(4)と、
前記バリア層(4)の表面の少なくとも一部の上に延在する表在層(7)と
を逐次備え、
前記表在層(7)は、前記表在層(7)の少なくとも1つの第1の領域(A)において、前記表在層(7)の第2の領域(B)においてよりも電界が弱くなるように強度を制御された電界を有することを特徴とする電子デバイス。 - 前記表在層(7)における電界の差は、1ナノメートルのスケールで制御されていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記第2の領域(B)において、前記表在層(7)は、表面層(7a)の上に被覆層(7b)を重畳することにより形成され、
前記第1の領域(A)において、前記表在層(7)は、前記被覆層(7b)によってのみ形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス。 - 前記第2の領域(B)において、前記表在層(7)は、表面層(7a)の上に被覆層(7b)を重畳することにより形成され、
前記第1の領域(A)において、前記表在層(7)は、前記表面層(7a)の厚さ部分の一部(7a’)の上に前記被覆層(7b)を重畳することによって形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス。 - 前記表面層(7a)および前記被覆層(7b)の材料は、III族のうちの少なくとも1つの材料と窒素とを含むことを特徴とする請求項3または4に記載の電子デバイス。
- 前記表面層(7a)は、0から5・1017atoms/cm3の間のドーパント含有量を有し、
前記被覆層(7b)は、5・1017から5・1019atoms/cm3の間のドーパント含有量を有し、
前記被覆層(7b)のドーパント含有量は、前記表面層(7a)のドーパント含有量よりも高いことを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の電子デバイス。 - 前記表面層(7a)および前記被覆層(7b)は、同一の材料から作製されていることを特徴とする請求項6に記載の電子デバイス。
- 前記第1の領域(A)において、前記表面層(7a)の厚さは、0から10nmの間であり、前記被覆層(7b)の厚さは、1から20nmの間であることを特徴とする請求項3から7のいずれかに記載の電子デバイス。
- 前記第1の領域(A)の下方において、前記バリア層(4)は、前記第2の領域(B)の下方においてよりも薄いことを特徴とする請求項3に記載の電子デバイス。
- 少なくとも1つのオーミック接触電極(5)およびショットキー接触電極(8)をさらに備えることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の電子デバイス。
- 前記ショットキー接触電極は、前記表在層(7)の前記第1の領域(A)の上に配置され、
前記第2の領域(B)は、前記オーミック接触電極(5)と前記ショットキー接触電極(8)との間に位置する前記表在層(7)の領域であることを特徴とする請求項10に記載の電子デバイス。 - 前記被覆層(7b)の表面は、2nmを上回る幅を有するプレートにより隔てられた原子ステップを有することを特徴とする請求項3から11のいずれかに記載の電子デバイス。
- III族窒化物材料を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記電子デバイスは、基部から表面の方向に、
支持基板(1)と、
電子ガスを包含するように適合された層(2、3)と、
バリア層(4)と
を逐次備え、
表在層(7)の少なくとも1つの第1の領域(A)において、前記表在層(7)の第2の領域(B)においてよりも電界が弱くなるように電界が制御された表在層(7)を、前記バリア層(4)の上に形成するステップを含むことを特徴とする製造方法。 - 前記表在層(7)を形成するステップは、
a)前記バリア層(4)の上に表面層(7a)をエピタキシャル成長させるステップと、
b)前記表面層(7a)の前記第1の領域(A)中にトレンチ(10)をエッチングするステップと、
c)結果として得られる構造の上にドープされた被覆層(7b)が成長するようにエピタキシャル再成長させるステップと
を含み、
前記トレンチ(10)の深さは、前記表面層(7a)の厚さよりも小さく、したがって前記表面層に残留厚さ部分(7a’)が残され、
前記表在層(7)は、前記第1の領域(A)においては、前記表面層の前記残留厚さ部分(7a’)と前記被覆層(7b)とを重畳することによって形成され、前記第2の領域(B)においては、前記表面層(7a)と前記被覆層(7b)とを重畳することによって形成されることを特徴とする請求項13に記載の製造方法。 - 前記表在層(7)を形成するステップは、
a)前記バリア層(4)の上に表面層(7a)をエピタキシャル成長させるステップと、
b)前記表面層(7a)の前記第1の領域(A)においてトレンチ(10)をエッチングするステップと、
c)結果として得られる構造の上にドープされた被覆層(7b)が成長するようにエピタキシャル再成長させるステップと
を含み、
前記トレンチ(10)の深さは、前記表面層(7a)の厚さ以上であり、
前記表在層(7)は、前記第1の領域(A)においては、前記被覆層(7b)によってのみ形成され、前記第2の領域(B)においては、前記表面層(7a)と前記被覆層(7b)との重畳により形成されることを特徴とする請求項13に記載の製造方法。 - 前記ステップb)において、前記第1の領域(A)の下方の前記バリア層(4)の厚さの一部がエッチングされることを特徴とする請求項15に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0759330A FR2924271B1 (fr) | 2007-11-27 | 2007-11-27 | Dispositif electronique a champ electrique controle |
FR0759330 | 2007-11-27 | ||
PCT/EP2008/066244 WO2009068566A1 (en) | 2007-11-27 | 2008-11-26 | Electronic device with controlled electrical field |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011523197A true JP2011523197A (ja) | 2011-08-04 |
JP5589189B2 JP5589189B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=39338565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010535368A Active JP5589189B2 (ja) | 2007-11-27 | 2008-11-26 | 制御された電界を有する電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8431964B2 (ja) |
JP (1) | JP5589189B2 (ja) |
KR (1) | KR20100094467A (ja) |
CN (1) | CN101878533B (ja) |
DE (1) | DE112008002818B9 (ja) |
FR (1) | FR2924271B1 (ja) |
WO (1) | WO2009068566A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013125126A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5724339B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2015-05-27 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161971A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2005509274A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-04-07 | クリー インコーポレイテッド | バリア/スペーサ層を有するiii族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(hemt) |
JP2005244072A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2005096365A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nec Corporation | 半導体装置 |
WO2006025006A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for producing a multi-stage recess in a layer structure and a field effect transistor with a multi-recessed gate |
US20060124962A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field effect transistor and method for fabricating the same |
JP2006324514A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
US20070114569A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-05-24 | Cree, Inc. | Robust transistors with fluorine treatment |
JP2007165590A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
US20070224710A1 (en) * | 2005-11-15 | 2007-09-27 | The Regents Of The University Of California | Methods to shape the electric field in electron devices, passivate dislocations and point defects, and enhance the luminescence efficiency of optical devices |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7382001B2 (en) | 2004-01-23 | 2008-06-03 | International Rectifier Corporation | Enhancement mode III-nitride FET |
JP4751150B2 (ja) | 2005-08-31 | 2011-08-17 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体装置 |
-
2007
- 2007-11-27 FR FR0759330A patent/FR2924271B1/fr active Active
-
2008
- 2008-11-26 JP JP2010535368A patent/JP5589189B2/ja active Active
- 2008-11-26 KR KR1020107010780A patent/KR20100094467A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-26 CN CN200880118063XA patent/CN101878533B/zh active Active
- 2008-11-26 WO PCT/EP2008/066244 patent/WO2009068566A1/en active Application Filing
- 2008-11-26 DE DE112008002818.4T patent/DE112008002818B9/de active Active
-
2010
- 2010-05-27 US US12/788,976 patent/US8431964B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161971A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2005509274A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-04-07 | クリー インコーポレイテッド | バリア/スペーサ層を有するiii族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(hemt) |
JP2005244072A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2005096365A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nec Corporation | 半導体装置 |
WO2006025006A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for producing a multi-stage recess in a layer structure and a field effect transistor with a multi-recessed gate |
US20060124962A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field effect transistor and method for fabricating the same |
JP2006324514A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
US20070114569A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-05-24 | Cree, Inc. | Robust transistors with fluorine treatment |
US20070224710A1 (en) * | 2005-11-15 | 2007-09-27 | The Regents Of The University Of California | Methods to shape the electric field in electron devices, passivate dislocations and point defects, and enhance the luminescence efficiency of optical devices |
JP2007165590A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013125126A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
JPWO2013125126A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2015-07-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009068566A1 (en) | 2009-06-04 |
US8431964B2 (en) | 2013-04-30 |
DE112008002818B4 (de) | 2022-06-30 |
KR20100094467A (ko) | 2010-08-26 |
FR2924271A1 (fr) | 2009-05-29 |
DE112008002818T5 (de) | 2011-02-17 |
FR2924271B1 (fr) | 2010-09-03 |
JP5589189B2 (ja) | 2014-09-17 |
DE112008002818B9 (de) | 2022-09-22 |
CN101878533B (zh) | 2012-06-13 |
US20100258846A1 (en) | 2010-10-14 |
CN101878533A (zh) | 2010-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6701282B2 (ja) | 抵抗率増強領域を有する半導体デバイスおよびその製造方法 | |
US7714359B2 (en) | Field effect transistor having nitride semiconductor layer | |
JP4592938B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20100258898A1 (en) | Process for fabricating an electronic device | |
US6639255B2 (en) | GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer | |
US10644142B2 (en) | Semiconductor devices with doped regions functioning as enhanced resistivity regions or diffusion barriers, and methods of fabrication therefor | |
US20110042719A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device | |
US10424643B2 (en) | Diamond air bridge for thermal management of high power devices | |
CN103608923A (zh) | 电流孔径垂直电子晶体管 | |
JP6279296B2 (ja) | エンハンスメントモードヘテロ接合トランジスタの製造方法 | |
US20150014696A1 (en) | Gallium nitride power semiconductor device having a vertical structure | |
US9768258B1 (en) | Substrate structure, semiconductor component and method | |
US20130306980A1 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof | |
CN111613535A (zh) | 一种半导体结构及其制备方法 | |
US20140209920A1 (en) | High Electron Mobility Transistor Structure | |
US10164081B2 (en) | Method for forming an implanted area for a heterojunction transistor that is normally blocked | |
JP5589189B2 (ja) | 制御された電界を有する電子デバイス | |
JP6447231B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
EP2933827B1 (en) | Transistor having nitride semiconductor used therein and method for manufacturing transistor having nitride semiconductor used therein | |
US20190198655A1 (en) | Semiconductor device | |
TW201445737A (zh) | 增強型氮化鎵電晶體及其形成方法 | |
WO2024040465A1 (en) | Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same | |
CN118302864A (en) | Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140410 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20140411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140411 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5589189 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |