JP2011521783A - 蓄熱式選択触媒還元による、燃焼排気からの物質を除去するためのシステムおよび方法 - Google Patents

蓄熱式選択触媒還元による、燃焼排気からの物質を除去するためのシステムおよび方法 Download PDF

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Abstract

蓄熱式選択触媒還元(RSCR)システムおよびプロセスを提供する。これにより、気体を反応物質と混合し、次に該気体を、該気体の加熱を伴う処理のためにRSCR装置に導入し、該気体に1つもしくは複数の触媒反応を生じさせ、次に、該気体が、該RSCRプロセスの連続サイクルに関連して使用するための熱を提供する、熱伝導領域に、該気体を方向付けることによって、気体中のNOおよびCOレベルを減少させる。

Description

本発明は、燃焼排気から物質を除去するためのシステムおよび方法に関し、より具体的には、蓄熱式選択触媒還元(RSCR)による燃焼排気の脱窒(つまり、燃焼排気からの窒素酸化物の除去)のためのシステムおよび方法に関する。
高温燃焼プロセスおよび他の同様の技術は、産業界において重要な役割を果たしているが、多くの場合、こうしたプロセスの望ましくない副産物として、排出された燃焼排気内の汚染物質の生成および大気中への放出がある。これらの汚染物質のうちで最も悪質なものとしては窒素酸化物(本明細書では以降「NO」と称される)があり、これは、EPAによって汚染物質として分類されており、その排出は、スモッグおよびいわゆる酸性雨の発生と関係がある。このため、排出される燃焼排気中のNO等の汚染物質の量を許容可能なレベルに低減することが、当業者の共通の目標である。
何年にもわたってNO排出削減のために共通して利用されている技術は、燃焼プロセスそのもの、例えば燃焼排気の再循環を修正することであった。しかし、こうした技術を施した結果は概して期待に沿うものではない(NO除去の効率は50%以下である)ことがわかってきたことから、昨今では、代わって、種々の燃焼排気の脱窒プロセス(燃焼排気が大気中に排出される前の、燃焼排気からの窒素の除去プロセス)が注目されるようになった。
燃焼排気の脱窒プロセスは、いわゆる吸収技術を利用する「湿式」分析法および、それとは別の、吸着技術、触媒分解および/または触媒還元に依存する「乾式」分析法に分類される。現在、広く実施されている脱窒プロセスは選択触媒還元(SCR)であり、これは、反応物質(例えば、NH)の導入により、NOを、無害な反応生成物、例えば窒素および水に変化させて還元させる「乾式」脱窒方法である。SCRプロセス内の還元プロセスは、以下の化学反応によって定式化される。
4NO+4NH+O−−−−>4N+6H
2NO+4NH+O−−−−>3N+6H
SCRに関する技術のために、SCRプロセスを実行するための装置を物理的にどこに配置するかの決定には、多少の柔軟性がある。言い換えると、SCRプロセスの化学反応は、全体の燃焼システム内の特定の段階または部位で行われる必要はない。2つの最も一般的な配置部位とは、全体のシステムの中央内(つまり、「高温側」)、または全体のシステムのいわゆる「末尾」(つまり、「低温側」)である。
残念ながら、高温側および低温側の両方のSCR設置に関し、産業的な環境において、大きな問題が生じている。例えば、高温側のSCRプロセスは、薪を燃料とする燃焼器の使用にとって最適ではない。これは、薪内に存在する灰分が、SCRプロセス中の一方向の気体流のために触媒を損傷させる可能性のある、アルカリを含有するためである。低温側のSCRプロセスはこの不都合を回避するが、間接的な熱交換に依存しているため、熱効率が良くない。
このため、既存の生産工程に容易に実施することができ、かつ、高い熱効率を実現し、設置および/または稼動に関連するコストを大幅に削減しながら、燃焼排気からのNOの効果的な除去を可能にする、選択触媒還元プロセスが求められている。
本発明は、蓄熱式選択触媒還元(RSCR)によって、燃焼排気から物質を除去するためのシステムおよび方法を提供することにより、このニーズおよび他のニーズに対応する。こうしたシステムおよび方法は、その利点として高い除去効率を実現するが、実施のためにコストのかさむ設計上の変更は不要であり、また、実行時において容認できないレベルの熱的な非効率が生じることはない。
本発明のRSCRプロセスは、NO等の汚染物質を生じさせる大規模な装置の「高温側」または「低温側」(つまり、末尾)に配置可能な、RSCR装置を中心とする。RSCR装置は複数のチャンバを含み、これはそれぞれ、概して、1つもしくは複数の熱伝導領域および1つもしくは複数の触媒領域を含む。RSCR装置は、さらに、その中を、熱伝導領域および触媒領域へ流れ込む、および、これら領域から気体が流れ出る、空きスペース領域(例えば、ヘッドスペース領域)を含む。
各熱伝導領域の目的は、流入する気体に熱を提供し、かつ、流出する気体から熱を抽出することである。触媒領域の目的は、触媒還元によって、NO含有気体内のNOが無害な成分に変換される、触媒還元を生じさせることである。
RSCRプロセスは、複数回または多数回の処理サイクルを伴い、その各サイクルの間、NO含有気体は、装置に導入され、NOの除去のために処理され、大気に放出される。処理装置に導入される前に、処理される該気体は、該気体内にまだ存在しない少なくとも1つの反応物質(例えば、アンモニア)と混合される。
各サイクルは、汚染された気体をRSCR装置に導入することで開始する。該気体の温度を、触媒反応の発生のために十分高いものにするために、熱伝導領域によって、該気体に熱が伝達される。本発明の各サイクルに従い、熱伝導領域は、予熱されるまたは余熱を有すことになり、その熱の少なくともいくらかを該気体に伝達させる。
加熱された該気体は、熱伝導領域と同じチャンバ内の触媒領域に進み、次に、触媒反応が起こる。次に、該気体がチャンバから排出され、該気体の流れ方向が変わる別のチャンバに流入する。好適には、該気体は、この他のチャンバに達する前に、1つもしくは複数の熱発生デバイス(例えば、1つもしくは複数の燃焼器)によって熱せられる。ここで、該気体にさらなる触媒反応が生じ、次に、熱伝導領域よりも高い温度であるため、該気体によって熱が与えられる、別の熱伝導領域と接触する。この熱伝導領域内の余熱は、次に、本発明のRSCRプロセスの第2のサイクルに従い、処理のために装置に導入されるさらなるNO含有気体に熱を提供できる。
このため、RSCRプロセスの各サイクルは、気体からNOを除去するだけでなく、本プロセスの以降のサイクルの性能を向上させるために、熱を提供する。これにより、RSCRプロセスは、進行を継続することができる。
本発明のRSCRプロセスは、従来の選択触媒還元(SCR)プロセスと比較して、いくつかの重要な利点を有している。例えば、本プロセスの各サイクルは、触媒を通過する複数方向の気体流を伴う。したがって、本発明は、適した熱伝導レベルをもたらすために間接的な加熱装置に依存する必要のある、従来の「低温側」SCRプロセスでは実現されないレベルの熱伝導および熱回収を可能にする。さらに、アンモニアスリップのレベルは、処理される気体が複数の触媒領域を通って異なる方向に移動するにもかかわらず、本発明のRSCRプロセスに従い、過度に高くなることはない。これは想定外のことである。理論によって拘束されることを望むことなく、本発明の発明者は、過度なアンモニアスリップが生じないことの理由の少なくとも一部として、触媒に吸着したアンモニアが、予想よりも低効率で脱着するからであると考える。
さらに、RSCR装置は、混合された燃焼排気中のCOを削減するための手段を含むことができると考えられる。RSCRプロセスは、燃焼排気の混合物を混合気体中のCO削減のための手段に接触させることを含むことができる。
別の実施形態では、蓄熱式選択触媒プロセスは、既定の濃度の少なくとも1つの反応物質を既定の量の汚染物質含有気体と混合させて、混合された気体を形成し、この混合された気体を処理装置に導入するステップを含む。混合された気体は、混合気体中の汚染物質の濃度を低減するために処理装置内で処理され、処理装置は、第1および第2の熱伝導領域および第1のおよび第2の触媒領域を含む。この処理には、(i)該混合された気体に、該第1の熱伝導領域からの熱を受容させ、かつ、該第2の熱伝導領域へ熱を提供させるステップと、(ii)該混合された気体を、該第1の触媒領域および第2の触媒領域へ接触させるステップであって、該混合気体はそれぞれの該触媒領域で触媒還元を実行する、ステップと、(v)該混合された気体を、かかる処理の間、本装置内の少なくとも第1の方向および第2の方向に流入させるステップであって、該第1の方向は該第2の方向とは異なるステップと、を伴う。該混合された気体は、本装置の熱伝導領域のうちの少なくとも1つと連通する気体移動に作用するデバイスを作動させることで、装置から排出される。
本発明の種々の他の態様および実施形態を、以下に記載する。
本発明の本質および所望の目的をより深く理解するために、添付の図に関して記載される、以下の発明を実施するための形態を参照する。図において、同様の参照記号は、図内に示されるいくつかの図の対応する部分を指す。
本発明の例示的な実施形態に従う、RSCRプロセスの第1のサイクル中の蓄熱式選択触媒還元(RSCR)装置の概略図である。 本発明の例示的な実施形態に従う、RSCRプロセスの第2のサイクル中の図1のRSCR装置の概略図である。 本発明の例示的な実施形態に従う、RSCRプロセスの第3のサイクル中の図1および2のRSCR装置の概略図である。 各触媒チャンバ上のヘッドスペース領域に含まれる一酸化炭素の還元のための触媒床を示す、本発明に従うRSCR装置の別の例示的な実施形態の概略図である。 触媒チャンバ間のヘッドスペース領域内の一酸化炭素の還元のための触媒床を示す、本発明に従うRSCR装置の別の例示的な実施形態の概略図である。 触媒チャンバの触媒領域および熱伝導領域の間のスペースにおける一酸化炭素の還元のための触媒床を示す、本発明に従うRSCR装置の別の例示的な実施形態の概略図である。 2つのチャンバのみを有するシステムの第1のサイクルを示す、本発明に従うRSCR装置の別の例示的な実施形態の概略図である。 第2のサイクルを示す、図7のRSCR装置の概略図である。
(関連出願の相互参照)
本願は、それぞれ、本明細書中で参照することによりその全体が組み込まれる、2004年9月30日出願の、米国出願第10/957,499号、現在では米国特許番号第7,294,321号の継続出願である、2007年11月12日出願の米国出願第11/938,665号、現在では米国特許番号第7,494,625号の一部継続出願である、2008年5月27日出願の米国仮出願第61/056,310号の優先権の利益を主張する、2009年1月16日出願の米国特許出願第12/355,231号の、優先権の利益を主張するものである。
図1〜3は、蓄熱式選択触媒還元(RSCR)装置10を示す。RSCR装置10は、環境中に空中浮遊物質(例えば、燃焼排気)を排出する、他の産業装置(図示せず)内に配置される。こうした工業装置の例には、高温燃焼装置および発電装置が含まれるが、これらに制限されない。こうした産業装置内の装置10の特定の位置は様々である可能性があるが、本発明の現在好適な実施形態に従い、RSCR装置は、産業装置のいわゆる「末尾」(つまり、「低温側」)に配置される。RSCR装置の他の例示的な位置には、いわゆる「高温側」位置、例えば「高温側、ローダスト」を含むが、これに制限されない。
RSCR装置10は、以下に詳述するように、加熱されるまたは熱を放散させる、および触媒還元を実行するための、汚染物質含有(例えば、NO含有)気体が流入および流出する、複数のチャンバ(キャニスタ、ハウジング、ユニットまたはセグメントとしても公知である)20を含む。RSCR装置10内のチャンバ20の数は様々であってもよく、その特定の数は、RSCR装置10のサイズ、RSCR装置が配置される装置の次元、汚染物質含有気体内の汚染物質濃度、触媒の選択、および/または反応物質の選択を含むが、これに制限されないいくつかの要因に基づく。
本発明の例示的な実施形態に従い、チャンバ20の数は、2〜9(両方の数を含む)の範囲にあり得る。チャンバ20の数は、7以下が現在好適である。現在最も好適であるように、また、図1〜3で示されるように、RSCR装置は、3つのチャンバ20、つまり、第1のチャンバ20A、第2のチャンバ20Bおよび第3のチャンバ20Cを含む。
各チャンバ20は、1つもしくは複数の熱伝導領域30および/または1つもしくは複数の触媒領域40を含むことができる。概して、装置10内の熱伝導領域30の総数は、該装置内の触媒領域40の総数と等しいが、必ずしもこの通りでなくてもよい。装置10内の熱伝導領域30の総数が装置内の触媒領域40の総数とは異なる実施例では、熱伝導領域の総数が触媒領域の総数より大きいことが現在好適である。
各チャンバ20はさらに、気体が、1つのチャンバから別のチャンバに自由に流れることができる領域として定義される、1つもしくは複数のヘッドスペース領域50を含む、空きスペース領域を含む。図1〜3に図示される実施形態に示されるように、第1のチャンバ20Aは第1のヘッドスペース領域50Aを含み、第2のチャンバ20Bは第2のヘッドスペース領域50Bを含み、第3のチャンバ20Cは第3のヘッドスペース領域50Cを含む。熱伝導領域30の上記および/または以下のいずれかまたは全て、および触媒領域40の上記および/または以下のいずれかまたは全て等、他の空きスペースの領域も存在する可能性がある。
本発明の現在好適な実施形態に従い、ヘッドスペース領域50内には、熱伝導領域30も触媒領域30も配置されない。しかし、1つもしくは複数の他のデバイスまたは装置を、ヘッドスペース領域50のうちの1つもしくは複数に配置できる。例えば、および、図1〜3に示されるように、1つもしくは複数の熱発生デバイス60を、ヘッドスペース領域50のうちの1つもしくは複数に配置できる。熱発生デバイス60は、当業者に公知のもののいずれか、例えば1つもしくは複数の燃焼器にすることができる。
特に、反応物質がアンモニアである本発明の実施形態において、ヘッドスペース領域50内に1つもしくは複数の燃焼器60を配置することが現在好適である。これは、こうした構成は、さらなるNO含有気体を形成する、好ましくないアンモニア酸化のリスクを最小限にするためである。
ヘッドスペース領域50内に配置される燃焼器の数60は、いくつかの要因(例えば、チャンバ20に流入または流出する気体温度を変動させる必要性/程度)に応じて変わってもよいが、ヘッドスペース領域50内の燃焼器60の総数は、概して、チャンバの総数以下となる。1つもしくは複数の燃焼器60は、ヘッドスペース領域50に加えて、またはこれの代わりに、RSCR装置10の他の領域に配置でき、こうした他の領域は、熱伝導領域30および触媒領域40の間の領域、または熱伝導領域の下の領域を含むが、これらの領域に制限されないことに留意されたい。
熱伝導領域30は、2つの機能のうちの1つに役立ち、特定の機能は、実行されるRSCRプロセスの特定のサイクル/段階の両方およびこれらが配置されている特定のチャンバ20に依存する。例えば、以下に記載されるように、同一の熱伝導領域30は、流入する気体に熱を提供/伝達することができる、または、流出される気体から、熱を抽出/伝達することができる。
本発明の現在好適な実施形態に従い、さらに、図1〜3に示されるように、第1のチャンバ20が第1の熱伝導領域30Aを含み、第2のチャンバ20Bが第2の熱伝導領域30Bを含み、および第3のチャンバ20Cが第3の熱伝導領域30Cを含むように、各チャンバ20は1つの熱伝導領域30を含む。
熱伝導領域30は、高い熱容量を有し、効率的に熱を吸収かつ放出でき、気体がそこを流れるようにする1つもしくは複数の材料で構成する必要がある。すなわち、各熱伝導領域30は、(a)熱伝導領域を通過する気体が熱伝導領域よりも高い温度を有する場合に、熱伝導領域を通過する気体から熱を得られるだけでなく、さらに(b)熱伝導領域が熱伝導領域を通過する気体よりも低い温度を有する場合に、該気体に熱を提供できる、1つもしくは複数の材料で構成する必要がある。
熱伝導領域30を生成することができる例示的な材料には、シリカ、アルミニウムまたはそれらの混合物等のセラミック媒体を含むが、これに制限されず、現在好適な物質は、高シリカの構成率が高い媒体である。熱伝導領域30のいくつかまたは全ては、同じ材料で構成することができるが、同じ材料で構成する必要はない、つまり、熱伝導領域の一部を、同じ材料の組み合わせで形成できるが、その全てをそのように形成することはできない、または、各熱伝導領域は、異なる材料の組み合わせで形成できることに留意されたい。
熱伝導領域30のいずれかまたは全ては、略均一の温度(例えば、熱伝導領域の流入口、流出口および中間領域は略同一の温度を有する)または非均一の温度(例えば、熱伝導領域の流入口、流出口および/または中間領域のうちの1つもしくは複数の領域は異なる温度を有する)を有することができる。熱伝導領域30が非均一の温度を有する実施形態において、熱伝導領域の流入口(つまり、該気体が流入する流入口)は、熱伝導領域の流出口(つまり、該気体が流出する流出口)よりも高い温度を有することが現在好適である。
RSCR装置10はさらに、1つもしくは複数の熱伝導領域30と同様に、チャンバ20のうちの1つもしくは複数内に配置される、1つもしくは複数の触媒領域40を含む。触媒領域40の目的は、還元反応の実行に必要な温度を低下させることである。これにより、還元プロセスで必要なエネルギーを低下させ、こうして、RSCRプロセスをより経済的なものにする。
該気体が各触媒領域40に流入する(つまり、通過する)と、触媒還元が生じ、これによって、NO含有気体中のNOは以下の例示的な反応に従って無害の成分に変換されるが、ここでは、これらの代わりに、またはこれらに加えて、他の反応が行われる可能性があることに留意されたい。
4NO+4NH+O−−−−>4N+6H
2NO+4NH+O−−−−>3N+6H
以下のような特定の副反応が、さらに、触媒反応プロセス中に生じる可能性がある。
4NH+3O−−−−>2N+6H
4NH+5O−−−−>4NO+6H
触媒領域40の数は様々であってもよいが、本発明の現在好適な実施形態に従うと、また、図1〜3に示されるように、第1のチャンバ20Aが第1の触媒領域40Aを含み、第2のチャンバ20Bが第2の触媒領域40Bを含み、第3のチャンバ20Cが第3の触媒領域40Cを含むように、各チャンバ20は、1つの触媒領域40を含む。
触媒領域40は、種々の物質で形成されてもよく、種々の形および構成を想定することができる。触媒領域40は同一の物質で構成することができるが、そのように構成しなくてもよい、つまり、触媒領域の全てではなく、いくつかを同一の材料の組み合わせで形成することができる、または、触媒領域のそれぞれは、異なる材料の組み合わせで形成できることに留意されたい。
本発明の現在好適な実施形態に従うと、各触媒領域40は、セラミック材料で形成され、ハニカム形状またはプレート形状のいずれかを有する。セラミック材料は、概して、1つもしくは複数のキャリア材料(例えば、酸化チタン)および活性成分(例えば、バナジウムおよび/またはタングステンの酸化物)の混合物である。
概して、触媒領域40の形の選択は、他のその構成/形成の態様に影響する。例えば、触媒領域40がハニカム形状である場合、非制限的な例として、押し出しセラミックで形成でき、触媒は、構造全体に均一に組み込まれる、または基板上にコーティングされる。触媒領域40がプレート形状であることを想定する場合、支持材は、概して、触媒材料でコーティングされる。
触媒領域40はさらに、概して、2〜4(両方の数字を含む)の範囲の床の数を有する、1つもしくは複数の床/層の形状を採ることができる。
熱伝導領域30に対向する触媒領域40の配置も、様々にすることができる。本発明の現在好適な実施形態に従い、および図1〜3に示されるように、RSCR装置10は、チャンバ20に流入するNO含有気体が、まず、既定の熱伝導領域30に接触し、その熱伝導領域を通過後に、熱伝導領域と同じチャンバ内に配置される触媒領域40に接触するように、設計される。
図1〜3は、最初は、互いに略整合されているものとして、第1、第2および第3の熱伝導領域30A、30B、30Cを図示しているが、さらに、これも互いに略整合するものとして、第1、第2および第3の触媒領域40A、40B、40Cを図示しており、また、こうした構成のいずれかまたは両方を実行できるが、そのどちらも、本発明の必要条件ではないことに留意されたい。言い換えると、熱伝導領域30は互いに整合する必要はなく、触媒領域30は、互いに整合する必要はない。
装置10は、図1〜3に示されるように、蓄熱式選択触媒還元(RSCR)を実行することを可能にする。図1は、プロセスの第1のサイクルを図示し、図2は第2のサイクルを図示し、図3は第3のサイクルを図示する。完全なRSCRプロセスを構成するサイクル数は、サイクルを明確に構成するものの定義として、本発明に従って変更することができる。
RSCRプロセスのサイクルは、概して、NO含有気体の既定の量/体積が装置10に流入し、そこで選択触媒還元を実行し、該装置から排出される時間として定義される。サイクル数は前もって決定することができ、その場合には、10回単位のサイクル数から1000回単位のサイクル数の範囲にすることができる。さらに、装置10の設計により、RSCRプロセスはほぼ継続的/持続的にすることができ、これにより、固定されたサイクルの数というものはなくなる。
RSCRプロセスの第1のサイクルの開始前に、NO含有気体が最初に接触する熱伝導領域30を、既定の温度に予熱する必要がある。この既定の温度は、NO含有気体が、その事前選択された熱伝導領域を通過後に、同一のチャンバ20内の触媒領域に接触する際に、NO含有気体が触媒反応を実行できるようにする温度範囲内になるように選択される。言い換えると、NO含有気体が最初に第1の熱伝導領域30Aに接触する場合、第1の熱伝導領域は、該気体が第1の熱伝導領域を通過後に、該気体が第1の触媒領域40Aに達する場合に触媒還元を生じさせる温度となる、温度に予熱される必要がある。
触媒領域40において触媒反応を実行するために、および、本発明の例示的な実施形態に従い、NO含有気体は、該触媒領域への流入の際に、約450°F〜約800°Fの範囲にする必要がある。このため、該気体が最初に接触する熱伝導領域30を、約450°F〜約800°Fの範囲の既定の温度に熱する必要があり、ここで、約625°Fが現在好適な温度である。
該気体が最初に接触する熱伝導領域30の予熱のための種々の技術(つまり、指定された熱伝導領域)が、当業者に公知である。非制限的な例として、装置10内の周囲空気の温度を、該装置内に配置される燃焼器60のうちの1つ、いくつかまたは全てを作動させることで、上げることができる。あるいは、燃焼器60のうちの1つ、いくつかまたは全てによって加熱される装置10に、天然ガスを導入できる。1つもしくは複数の温度計(図示せず)または他の温度査定デバイスを、加熱された空気/気体が、指定された熱伝導領域30の温度を閾値温度まで上昇させることができたかどうかを決定するために、指定された熱伝導領域30内で、またはこの領域と連通して、配置することができる。
既定の量の1つもしくは複数の反応物質は、混合された気体および反応物質を形成するために、装置10に向かうNO含有気体と混合する必要がある。反応物質の選択は、特定の反応物質が、触媒領域30で所望の触媒反応を実行できるようにされている場合、変えてもよい。
概して、混合された気体および反応物質の導入前に、反応物質を含有しない既定の量の気体を装置10に導入し、ここで、反応物質を含まない気体の量および/またはこうした非混合の気体が装置10に導入される持続時間は、変えることができる。
本発明の好適な本実施形態に従い、1つの反応物質をNO含有気体に追加/導入し、その反応物質はアンモニア(つまり、NH)である。他の適した反応物質にはメタンおよびプロパンを含まれるが、これらに制限されない。
NO含有気体に追加される反応物質の量/濃度は、装置10への流入前の気体中の予期されるNO濃度等の、いくつかの要因によって変えることができる。本発明の例示的なRSCRプロセスに従い、NO含有気体に導入されるアンモニアの濃度は、約100百万分率(ppm)〜約300ppmの範囲であり、200ppmが現在好適な濃度である。
該反応物質は、概して当業者には公知であるように、NO含有気体と混合できる、または、NO含有気体と接触させて配置できる。非制限的な例として、複数の混合エレメント、例えば静的ミキサー(図示せず)を、反応物質源(図示せず)および気体源(図示せず)に近接して配置できる。動作時において、エレメントの混合は、概して当業者には公知であるように、気体源からのNO含有気体および反応物質源からの反応物質を共に混合させるが、それ故、該気体および反応物質が、適切に混合すると、略均一の温度および濃度を有する。
混合直後、混合された気体および反応物質の温度は、概して約200°F〜約400°Fの範囲であり、約300°F〜約350°Fの範囲の温度が現在好適であり、約325°Fの温度が現在最も好適である。その時点での混合された気体および反応物質の濃度は、概して約540ppm〜約270ppmの範囲であり、約416ppm〜約360ppmの濃度が現在好適である。
向かう熱伝導領域30を適温に予熱し、該反応物質をNO含有気体と混合すると、混合された気体および反応物質を、RSCRプロセスの第1のサイクルの開始のために、RSCR装置に導入可能である。
(RSCRプロセスの第1のサイクル(図1))
図1に示すように、また、本発明のRSCRプロセスの第1のサイクルに従い、NO含有の混合された気体および反応物質を、導管または他の同様の輸送媒体70Aを介して、装置10の第1のチャンバ20Aに導入する。該混合された気体および反応物質は、第1のダンパ/弁80Aを通過後、第1のチャンバ20Aに流入する。
NO含有の混合された気体および反応物質は、RSCRプロセスの第1のサイクルに従って、第1のチャンバ20Aに導入される必要はない、つまり、該混合された気体および反応物質は、代わりに、第2のチャンバ20Bまたは第3のチャンバ20Cに導入することができることに留意されたい。しかし、どのチャンバ20が最初に、該混合された気体およびチャンバを受け入れたかに関係なく、そのチャンバ内の熱伝導領域30は、上記で説明したように、予熱されている必要がある。
概して、および、図1〜3に図示されるように、1つもしくは複数の導管70は、RSCR装置の各チャンバ20と連通する。現在好適であるように、これらの導管のうちのいずれかまたは全ては、チャンバ20に流入する前に、弁/ダンパ80を通過する。このため、第1のチャンバ20Aは、それぞれ、第1のダンパ80A、第2のダンパ80B、および第3のダンパ80Cを通過する、第1の導管70A、第2の導管70B、および第3の導管70Cと連通する。第2のチャンバ20Bは、それぞれ、第4のダンパ80D、第5のダンパ80E、および第6のダンパ80Fを通過する、第4の導管70D、第5の導管70E、および第6の導管70Fと連通する。また、第3のチャンバ20Cは、それぞれ、第7のダンパ80G、第8のダンパ80H、および第9のダンパ80Iを通過する、第7の導管70G、第8の導管70H、および第9の導管70Iと連通する。
弁/ダンパの総数80は、本発明に従って変動する可能性がある。例えば、各ライン/導管70は、図1〜3において、1つのダンパ80を有するものとして示されているが、本発明に従い、各導管は2つ以上のダンパを有する、および/または、特定の導管はダンパを有さないことが可能である。
本発明に関連する使用に適するダンパとしては、Auburn,MaineのBachmann Industries Inc.によって市販されているもの、およびCincinnati,OhioのEffox Inc.によって市販されているものが挙げられるが、これらに制限されない。本発明に関連する使用に適した弁としては、Crystal Lake,IllinoisのEisenmann Corp.によって市販されるVRTO回転弁等の回転弁が挙げられるが、これらに制限されない。
第1のチャンバ20Aに流入する際に、混合された気体および反応物質は、図1に示すように、上方流である第1の方向に流れる。しかし、該第1の方向は、下向流にすることもできることが理解される。気体の流れの方向は、1つもしくは複数の気体移動に作用するデバイス90A(例えば、1つもしくは複数のファン)の存在、および種々のダンパ/弁80のどれが開かれているかの双方によって、決定または影響される。
例えば、第1のチャンバ20Aに導入される際に、NO含有の混合された気体および反応物質が所望の第1の方向(例えば、上方)に流れるようにするために、第5のダンパ80Eを除く、全てのダンパ80が閉じられる。このため、気体移動に作用するデバイス90Aが作動する(つまり、オンになる)場合、装置10内の気体は、開いたダンパ80Eの位置に基づき、気体が、第1の方向(つまり、上方)に、第1のチャンバ20Aを通って、第1のヘッドスペース50A、第2のヘッドスペース50Bへ、次に、第2の、反対方向(つまり、下方向)に、第2のチャンバ20Bへと、次に、第5の導管70Eを介して、第2のチャンバから流れ出るようにする、最も直接的なパスを通って、開いたダンパ80Eの方向に吸引される。
再び、RSCRプロセスの第1のサイクル(図1に図示される)を参照すると、NO含有の混合された気体および反応物質が装置10の第1のチャンバ20Aに導入された後、該気体は、上記のように、該混合された気体および反応物質の温度よりも高い温度に予熱される、第1の熱伝導領域30Aに接触する。NO含有の混合された気体および反応物質が第1の熱伝導領域30Aを通過すると、第1の熱伝導領域からの熱は、該混合された気体および反応物質に伝達され、こうして、該混合された気体および反応物質の温度が上昇する。
概して、該気体によって接触される直前の第1の熱伝導領域30Aの温度は、約300°F〜約700°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの平均温度が現在好適であり、約500°Fの流出温度が現在最も好適であり、一方で、熱が第1の熱伝導領域から第1の熱伝導領域を通る気体へと伝達された直後の第1の熱伝導領域の温度は、概して、約200°F〜約650°Fの範囲であり、約300°F〜約500°Fの平均温度が現在好適であり、約450°Fの排出温度が現在最も好適である。
第1の熱伝導領域30Aに接触する際の該気体の温度は、概して、約200°F〜約400°Fの範囲であり、約300°F〜約350°Fの温度が現在好適であり、約325°Fの温度が現在最も好適であり、一方で、該気体へ熱を伝達した後の第1の熱伝導領域を流出する際の該気体の温度は、概して約450°F〜約700°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの温度が現在好適であり、約500°Fの温度が現在最も好適である。
混合された気体および反応物質が第1の熱伝導領域30Aを通過する、またはこれを超えた後、同一の方向(つまり、図1に図示される実施形態の上方流)で、第1の触媒領域40Aへ進む(流れる)。混合された気体および反応物質の温度を第1の熱伝導領域30Aに上げたため、第1の触媒領域40Aで触媒反応が生じ得る。こうした例示的な反応を以下に示すが、ここでは、列記されているものの代わりに、またはこれに加えて、他の反応が生じる可能性があることに留意されたい。実行される反応は、該混合されたNO含有気体および反応物質内のNOの全体または少なくとも一部を無害の成分気体に変換させるのに効果的である。
4NO+4NH+O−−−−>4N+6H
2NO+4NH+O−−−−>3N+6H
触媒反応中において、以下のような特定の副反応がさらに生じる可能性がある。
4NH+3O−−−−>2N+6H
4NH+5O−−−−>4NO+6H
第1の触媒領域40Aから流出する際に、処理された気体は、第1のヘッドスペース領域50Aに入り、第2のヘッドスペース領域50Bに流入し、次に、第2のチャンバ20Bに流入する。第2のチャンバ20B内に入ると、該気体は、第1のチャンバ20Aの流れ方向と反対方向に流れる。本発明の第1のサイクルの現在好適な実施形態に従い、第1のチャンバ20Aの流れ方向は上向きであり、第2のチャンバ20Bの流れ方向は下向きである。しかし、該気体は、本発明の第1のサイクル中に、第1のチャンバ20Aおよび第2のチャンバ20Bの任意の方向に流れることができることに留意されたい。
第2のチャンバ20B内において、該流れる気体は、まず、第2の触媒領域40B、次に第2の熱伝導領域30Bに接触する。上述のとおり、該気体がこの特定のルートを採るようにするために、少なくとも1つのダンパ/弁を開き、気体移動に作用するデバイス90Aを作動させることが、現在好適である。第1のサイクルの場合、開いているダンパは、第2のチャンバ20Bと連通する、導管(例えば、第5の導管70E)と連通するダンパ(例えば、第5のダンパ80E)にする必要がある。これにより、最も直接的なパス/ルートによって、第1のチャンバ20Aから第2のチャンバ20Bへと該気体が確実に方向付けられるようにする。
本発明の第1のサイクルの選択的であるが現在好適な実施形態に従い、少なくとも1つの燃焼器60を、第1のヘッドスペース領域50A内、第2のヘッドスペース領域50B内またはそれらの間のうちの1つもしくは複数に配置する。少なくとも1つの燃焼器60によって、第2の触媒領域40Bにおけるさらなる触媒反応を実行するために、該気体を、該気体に適した温度に再加熱する。さらに、少なくとも1つの燃焼器60のうちのいずれかまたは全てを、該装置、特に、熱伝導領域30のうちの1つもしくは複数にさらなる熱を提供するために、作動することができる。
本発明の例示的な一実施形態に従い、燃焼器60に接触した際の該気体の温度は、約450°F〜約700°Fの範囲であり、約500°Fの温度が現在好適であり、一方で、該気体が接触した際の燃焼器60の温度は、概して約1200°F〜約2000°Fの範囲であり、約1500°Fの温度が現在好適である。第2の触媒領域40Bに達すると、燃焼器で加熱された気体の温度は、概して約460°F〜725°Fであり、約510°Fの温度が現在好適である。
第2の触媒領域40Bに達すると、該気体はさらなる触媒反応を行い、これは、該気体からのさらなるNOの除去を生じさせる。本発明の促進のために実行される実験に従い、該気体が第1および第2の触媒領域40A、40Bにおける連続する触媒反応を実行できるようにするために、該気体中のアンモニア濃度(NH3)が十分高いにも関わらず、アンモニアスリップのレベルは過度に高くはないことが観察されている。これは、大変大きい利点であり、かつ、想定外のことである。
第2の触媒領域40Bにおける触媒反応の発生後、該気体は第2の熱伝導領域30Bに進む。該気体が熱伝達領域30Bに達すると、第2の温度伝達領域の温度は、該気体の温度未満になる。このため、該気体が第2の熱伝導領域30Bを通過すると、該気体からの熱が第2の熱伝導領域に伝達され、第2の熱伝導領域の温度が上昇する。
概して、該気体によって接触される直前の第2の熱伝導領域30Bの温度は、約300°F〜約710°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの平均温度が現在好適であり、約325°Fの流出温度が現在最も好適であり、一方で、第2の熱伝導領域を通過する気体によって第2の熱伝導領域へ熱が伝達された直後の第2の熱伝導領域の温度は、概して約300°F〜約700°Fの範囲であり、約440°F〜約540°Fの平均温度が現在好適であり、約335°Fの排出温度が現在最も好適である。
第2の熱伝導領域30Bに接触する際の該気体の温度は、概して約450°F〜約725°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの温度が現在好適であり、約510°Fの温度が現在最も好適であり、一方で、熱を第2の熱伝導領域に伝達した後に第2の熱伝導領域を流出する際の該気体の温度は、概して、約215°F〜約415°Fの範囲であり、約315°F〜約365°Fの温度が現在好適であり、約335°Fの温度が現在最も好適である。
第2の熱伝導領域30Bの通過後、該気体は、第5のダンパ80Eが開いており、気体移動に作用するデバイス90が作動している(つまり、オンである)ために、第5の導管70Eに流入する。次に、該気体は第5の導管70Eに流入し、第5のダンパ80Eを通過して、最終的には、排出領域100(例えば、スタック)を通って、大気へ放出される。
処理された気体は、熱を第2の熱伝導領域30Bに伝達するため、該気体の温度は、処理のために最初に装置10へ流入する際のその温度と同様またはほぼ等しくなる。これは、RSCRシステムにおけるエネルギー損失をほとんどまたは全くなくすことを可能にするという利点がある。
さらに、処理された気体は、装置に流入したときのその温度と比べて高い温度になることはないため、排出領域100は、特別な材料で構成する必要はない。いくつかの「末尾」のSCRシステムでは、該気体は比較的高温になるため、排出領域を、より高温の気体に耐えられる特別な材料で形成する必要がある。対照的に、既存の排出領域100の設計またはこれらが構成される材料の変更は、本発明に従うと、不要である。
(RSCRプロセスの第2のサイクル(図2))
RSCRプロセスの第1のサイクルの完了後、第2のサイクルが開始され、これにより、処理のために、さらなるNO含有気体がRSCR装置10に流入する。第1のサイクルの完了後に第2のサイクル開始の時間フレームは設定されていないが、第1のサイクルの完了後、約3分以内に第2のサイクルを開始することが現在好適である。これは、第1のサイクル完了および第2のサイクル開始の間に一時的な近接性がある場合、本プロセスが、第1のサイクルの完了後に、第2の熱伝導領域30Bに残留する余熱の利点を利用することができるためである。
第2のサイクルの目的は、第1のサイクルと同じであり、これは、装置10に流入する気体から汚染物質を除去することである。第2のサイクルの開始前に、反応物質(例えば、NH3)が、該気体と混合される。この混合プロセス、装置および条件は、本プロセスの第1のサイクル前に実行されるものと、概して同一である。
しかし、第1のサイクルとは異なり、本プロセスの第2のサイクルの準備のために、装置10の伝導領域30を予熱または加熱することは不要である。これは、第1のサイクルからの処理された気体が装置10から流出する直前に通過する第2の熱伝導領域30Bが、処理された気体から保持される余熱を有するためである。結果として、および本発明の第2のサイクルに従い、混合された気体および反応物質が、まず、余熱のある第2の熱伝導領域30Bに接触するように、混合された気体および反応物質が第4の導管70Dを介して、該装置の第2のチャンバ20Bに供給される。
図2に示すように、また、本発明のRSCRプロセスの第2のサイクルに従い、NO含有の混合された気体および反応物質を、導管または他の同様の輸送媒体70Dを介して、装置10の第2のチャンバ20Bに導入する。該混合された気体および反応物質は、ダンパ/弁80Aを通過後、第2のチャンバ20Bに流入する。
第2のチャンバ20Bに流入する際に、該混合された気体および反応物質は、図2に示すように、上方流である第1の方向に流れる。しかし、該第1の方向は、下向流にすることもできることが理解される。該気体の流れの方向は、1つもしくは複数の気体移動に作用するデバイス90A(例えば、1つもしくは複数のファン)の存在、および種々のダンパ/弁80のどれが開かれているかの双方によって、決定または影響される。
例えば、第2のチャンバ20Bに導入される際に、NO含有の混合された気体および反応物質が所望の第1の方向(例えば、上方)に流れるようにするために、第5のダンパ80Hを除く、全てのダンパ80が閉じられる。このため、気体移動に作用するデバイス90Aが作動する(つまり、オンになる)場合、装置10内の該気体は、開いたダンパ80Hの位置に基づき、該気体が、第1の方向(つまり、上方)に、第2のチャンバ20Bを通って、第2のヘッドスペース50B、第2のヘッドスペース50Cへ、次に、第2の、反対方向(つまり、下方向)に、第3のチャンバ20Cへと、次に、第8の導管70Hを介して、第3のチャンバから流れ出るようにする、最も直接的なパスを通って、開いたダンパ80Hの方向に吸引される。
再び、RSCRプロセスの第2のサイクル(図2に図示される)を参照すると、NO含有の混合された気体および反応物質が装置10の第1のチャンバ20Bに導入された後、該気体は、上記のように、該混合された気体および反応物質の温度よりも高い温度に予熱される、第2の熱伝導領域30Bに接触する。NO含有の混合された気体および反応物質が第2の熱伝導領域30Bを通過すると、第2の熱伝導領域からの熱は、該混合された気体および反応物質に伝達され、こうして、該混合された気体および反応物質の温度が上昇する。
概して、該気体によって接触される直前の第2の熱伝導領域30Bの温度は、約300°F〜約700°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの平均温度が現在好適であり、約500°Fの流出温度が現在最も好適であり、一方で、熱が第2の熱伝導領域から第2の熱伝導領域を通る気体へと伝達された直後の第2の熱伝導領域の温度は、概して、約200°F〜約650°Fの範囲であり、約300°F〜約500°Fの平均温度が現在好適であり、約450°Fの温度が現在最も好適である。
第2の熱伝導領域30Bに接触する際の該気体の温度は、概して、約200°F〜約400°Fの範囲であり、約300°F〜約350°Fの温度が現在好適であり、約325°Fの温度が現在最も好適であり、一方で、該気体へ熱を伝達した後の第2の熱伝導領域を流出する際の該気体の温度は、概して約450°F〜約700°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの温度が現在好適であり、約500°Fの温度が現在最も好適である。
該混合された気体および反応物質が第2の熱伝導領域30Bを通過する、またはこれを超えた後、同一の方向(つまり、図2に図示される実施形態の上方流)で、第2の触媒領域40Bへ進む(流れる)。該混合された気体および反応物質の温度を第2の熱伝導領域30Bに上げたため、第2の触媒領域40Bで触媒反応が生じ得る。こうした例示的な反応を以下に示すが、ここでは、列記されているものの代わりに、またはこれに加えて、他の反応が生じる可能性があることに留意されたい。実行される反応は、該混合されたNO含有気体および反応物質内のNOの全体または少なくとも一部を無害の成分気体に変換させるのに効果的である。
4NO+4NH+O−−−−>4N+6H
2NO+4NH+O−−−−>3N+6H
触媒反応中において、以下のような特定の副反応がさらに生じる可能性がある。
4NH+3O−−−−>2N+6H
4NH+5O−−−−>4NO+6H
第2の触媒領域40Bから流出する際に、処理された気体は、第2のヘッドスペース領域50Bに流入し、第3のヘッドスペース領域50Cに流れ、次に、第3のチャンバ20Cに流入する。第3のチャンバ20C内に入ると、該気体は、第1のチャンバ20Bの流れ方向と反対方向に流れる。本発明の第2のサイクルの現在好適な実施形態に従い、第2のチャンバ20Bの流れ方向は上向きであり、第3のチャンバ20Cの流れ方向は下向きである。しかし、該気体は、第2のサイクル中に、第2のチャンバ20Bおよび第3のチャンバ20Cの任意の方向に流れることができることに留意されたい。
本発明の第2のサイクルの選択的であるが現在好適な実施形態に従い、少なくとも1つの燃焼器60を、第2のヘッドスペース領域50B内、第3のヘッドスペース領域50C内またはそれらの間のうちの1つもしくは複数に配置する。少なくとも1つの燃焼器60によって、第3の触媒領域40Cにおけるさらなる触媒反応を実行するために、該気体を、該気体に適した温度に再加熱する。
本発明の例示的な一実施形態に従い、燃焼器60に接触した際の該気体の温度は、約450°F〜約700°Fの範囲であり、約500°Fの温度が現在好適であり、一方で、該気体が接触した際の燃焼器60の温度は、概して約1200°F〜約2000°Fの範囲であり、約1500°Fの温度が現在好適である。第3の触媒領域40Cに達すると、燃焼器で加熱された気体の温度は、概して、約460°F〜約725°Fであり、約510°Fの温度が現在好適である。
第3のチャンバ20C内において、流れる気体は、まず、第3の触媒領域40C、次に第3の熱伝導領域30Cに接触する。第2のサイクル中に第3の触媒領域40Cに達すると、該気体はさらなる触媒反応を行い、これは、該気体からのさらなるNOの除去を生じさせる。本発明の促進のために実行される実験に従い、該気体が第2および第3の触媒領域40B、40Cにおける連続する触媒反応を確実に実行できるようにするために、該気体中のアンモニア濃度(NH3)が十分高いにも関わらず、本発明のRSCRプロセスに従い、アンモニアスリップのレベルは過度に高くはないことが観察されている。これは、大変大きい利点であり、かつ、想定外のことである。
第3の触媒領域40Cにおける触媒反応の発生後、該気体は第3の熱伝導領域30Cに進む。該気体が熱伝達領域30Cに達すると、第3の温度伝達領域の温度は、該気体の温度未満になる。このため、該気体が第3の熱伝導領域30Cを通過すると、該気体からの熱が第3の熱伝導領域に伝達され、第3の熱伝導領域の温度が上昇する。
概して、該気体によって接触される直前の第3の熱伝導領域30Cの温度は、約300°F〜約710°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの平均温度が現在好適であり、約325°Fの流出温度が現在最も好適であり、一方で、第2の熱伝導領域を通過する気体によって第2の熱伝導領域へ熱が伝達された直後の第2の熱伝導領域の温度は、概して約300°F〜約700°Fの範囲であり、約440°F〜約540°Fの平均温度が現在好適であり、約335°Fの排出温度が現在最も好適である。
第3の熱伝導領域30Cに接触する際の該気体の温度は、概して約450°F〜約725°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの温度が現在好適であり、約510°Fの温度が現在最も好適であり、一方で、熱を第3の熱伝導領域に伝達した後に第3の熱伝導領域を流出する際の気体温度は、概して、約215°F〜約415°Fの範囲であり、約315°F〜約365°Fの温度が現在好適であり、約335°Fの温度が現在最も好適である。
第3の熱伝導領域30Cの通過後、該気体は、第8のダンパ80Hが開いており、気体移動に作用するデバイス90Aが作動している(つまり、オンである)ために、第8の導管70Hに流入する。次に、該気体は第8の導管70Hに流入し、第8のダンパ80Hを通過して、最終的には、排出領域100(例えば、スタック)を通って、大気へ放出される。
処理された気体は、熱を第3の熱伝導領域30Cに伝達するため、該気体の温度は、処理のために最初に装置10へ流入する際のその温度と同様またはほぼ等しくなる。これには、第1のサイクルに関して上述される理由で、利点がある。
(RSCRプロセスの第3のサイクル(図3))
RSCRプロセスの第2のサイクルの完了後、第3のサイクルが開始され、これにより、処理のために、さらなるNO含有気体がRSCR装置10に流入する。第2のサイクルの完了後に第3のサイクル開始の時間フレームは設定されていないが、第2のサイクルの完了後、約3分以内に第3のサイクルを開始することが現在好適である。これは、第2のサイクル完了および第3のサイクル開始の間に一時的な近接性がある場合、本プロセスが、第2のサイクルの完了後に、第3の熱伝導領域30Cに残留する余熱の利点を利用することができるためである。
第3のサイクルの目的は、第1および第2のサイクルと同じであり、これは、装置10に流入する気体から汚染物質を除去することである。第1および第2のサイクルの場合と同様、第3のサイクルの開始前に、反応物質(例えば、NH3)が、NO含有気体と混合される。また、第3のサイクルの混合プロセス、装置および条件は、本プロセスの第1および第2のサイクル前に実行されるものと、概して同一である。
しかし、第2のサイクルと同様にかつ第1のサイクルとは異なり、本プロセスの第3のサイクルの準備のために、該装置の伝導領域30を予熱または加熱することは不要である。これは、第2のサイクルからの処理された気体が装置10から流出する直前に通過する第3の熱伝導領域30Cが、処理された気体から保持される余熱を有するためである。結果として、および本発明の第3のサイクルに従い、混合された気体および反応物質は混合された気体および反応物質が、まず、余熱のある第3の熱伝導領域30Cに接触するように、第7の導管70Gを介して、装置の第3のチャンバ20Cに供給される。
概して、第3のサイクルは第1のおよび第2のサイクルと同様に進むが、異なるチャンバを含む。特に、第3のサイクル中に、第3のチャンバは、第1のサイクル内の第1のチャンバおよび第2のサイクル内の第2のチャンバと同様に機能し、第3のサイクル中に、第1のチャンバは、第1のサイクル内の第2のチャンバおよび第2のサイクル内の第3のチャンバと同様に機能する。
図3に示すように、また、本発明のRSCRプロセスの第3のサイクルに従い、NO含有の混合された気体および反応物質を、導管または他の同様の輸送媒体70Gを介して、装置10の第3のチャンバ20Cに導入する。該混合された気体および反応物質は、ダンパ/弁80Gを通過後、第3のチャンバ20Cに流入する。
第3のチャンバ20Cに流入する際に、該混合された気体および反応物質は、図3に示すように、上方流である第1の方向に流れる。しかし、該第1の方向は、下向流にすることもできることが理解される。該気体の流れの方向は、1つもしくは複数の気体移動に作用するデバイス90A(例えば、1つもしくは複数のファン)の存在、および種々のダンパ/弁80のどれが開かれているかの双方によって、決定または影響される。
例えば、第3のチャンバ20Cに導入される際に、NO含有の混合された気体および反応物質が所望の第1の方向(例えば、上方)に確実に流れるようにするために、第2のダンパ80Bを除く、全てのダンパ80が閉じられる。このため、気体移動に作用するデバイス90Aが作動する(つまり、オンになる)場合、装置10内の該気体は、開いたダンパ80Bの位置に基づき、該気体が、第1の方向(つまり、上方)に、第3のチャンバ20Cを通って、第3のヘッドスペース50Cおよびそこを通って、第2のヘッドスペース50Bへおよびそこを通って、次に、第1のヘッドスペース領域50Aへおよびそこを通って流れるようにする、最も直接的なパスを通って、開いたダンパ80Bの方向に吸引される。次に、該気体は、第2の反対方向(下方向)に、第1のチャンバ20Aへと流れ、第2の導管70Bを介して、第1のチャンバから流出する。
再び、RSCRプロセスの第3のサイクル(図3に図示される)を参照すると、NO含有の混合された気体および反応物質が装置10の第3のチャンバ20Cに導入された後、該気体は第3の熱伝導領域30Cに接触するが、それは、上記のように、第2のサイクルからの余熱を保持したので、該第3の熱伝導領域は該混合された気体および反応物質の温度よりも高い温度を有する。該NO含有の混合された気体および反応物質が第3の熱伝導領域30Cを通過すると、該第3の熱伝導領域からの熱は、該混合された気体および反応物質に伝達され、こうして、該混合された気体および反応物質の温度が上昇する。
概して、該気体によって接触される直前の第3の熱伝導領域30Cの温度は、約300°F〜約700°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの平均温度が現在好適であり、約500°Fの流出温度が現在最も好適であり、一方で、熱が第3の熱伝導領域から第3の熱伝導領域を通る気体へと伝達された直後の第3の熱伝導領域の温度は、概して、約200°F〜約650°Fの範囲であり、約300°F〜約500°Fの平均温度が現在好適であり、約450°Fの排出温度が現在最も好適である。
第3の熱伝導領域30Cに接触する際の該気体の温度は、概して、約200°F〜約400°Fの範囲であり、約300°F〜約350°Fの温度が現在好適であり、約325°Fの温度が現在最も好適であり、一方で、該気体へ熱を伝達した後の第3の熱伝導領域を流出する際の該気体の温度は、概して約450°F〜約700°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの温度が現在好適であり、約500°Fの温度が現在最も好適である。
該混合された気体および反応物質が第3の熱伝導領域30Cを通過する、またはこれを超えた後、同一の方向(つまり、図3に図示される実施形態の上方流)で、第3の触媒領域40Cへ進む(流れる)。該混合された気体および反応物質の温度を第3の熱伝導領域30Cに上げたため、第3の触媒領域40Cで触媒反応が生じ得る。こうした例示的な反応を以下に示すが、ここでは、列記されているものの代わりに、またはこれに加えて、他の反応が生じる可能性があることに留意されたい。実行される反応は、該混合されたNO含有気体および反応物質内のNOの全体または少なくとも一部を無害の成分気体に変換させるのに効果的である。
4NO+4NH+O−−−−>4N+6H
2NO+4NH+O−−−−>3N+6H
触媒反応中において、以下のような特定の副反応がさらに生じる可能性がある。
4NH+3O−−−−>2N+6H
4NH+5O−−−−>4NO+6H
第3の触媒領域40Cから流出する際に、処理された気体は、第3のヘッドスペース領域50Cに流入し、第2のヘッドスペース領域50Bに流入し、次に、第1のヘッドスペース領域50Aに流入し、および第1のチャンバ20Aに流入する。第1のチャンバ20A内に入ると、該気体は、第3のチャンバ20Cの流れ方向と反対方向に流れる。本発明の第3のサイクルの現在好適な実施形態に従い、第3のチャンバ20Cの流れ方向は上向きであり、第1のチャンバ20Aの流れ方向は下向きである。しかし、該気体は、第3のサイクル中に、第3のチャンバ20Cおよび第1のチャンバ20Aの任意の方向に流れることができることに留意されたい。
本発明の第3のサイクルの選択的であるが現在好適な実施形態に従い、少なくとも1つの燃焼器60を、第3のヘッドスペース領域50C内、第2のヘッドスペース領域50B内、第1のヘッドスペース領域50Aまたはそれらの間のうちの1つもしくは複数に配置する。少なくとも1つの燃焼器60によって、第1の触媒領域40Aにおけるさらなる触媒反応を実行するために、該気体を、該気体に適した温度に再加熱する。
図3に示すように、第3のヘッドスペース領域50Cおよび第2のヘッドスペース領域50Bの間に配置される燃焼器60、および、第2のヘッドスペース領域および第1のヘッドスペース領域50Aの間に配置される別の燃焼器60が存在する。上述のとおり、第1のヘッドスペース領域50Aおよび第2のヘッドスペース領域50Bの間に配置される燃焼器60は、第1のサイクルにおいて、第2の触媒領域40Bに該気体が流入する前の該気体の加熱に関連しており、一方で、該第2のヘッドスペース領域および第3のヘッドスペース領域50Cの間に配置される燃焼器60は、第2のサイクルにおいて、第3の触媒領域40Cに気体が流入する前の該気体の加熱に関連している。
第3のサイクルに従い、さらなる処理のために、第3の触媒領域40Cから流出する時点および第1のチャンバ20Aに流入する時点の間で、該気体を加熱することが現在好適である。しかし、図3に図示される両燃焼器60で該気体を加熱しないことが、現在好適である。このため、本発明のRSCRプロセスの第3のサイクルの現在好適な実施形態に従い、第3のチャンバ20Cから流出する該気体は、第2のヘッドスペース領域50Bおよび第1のヘッドスペース領域50Aの間に配置される燃焼器60によってのみ加熱され、こうして、該気体が第1の触媒領域40Aに接触する前に適切な熱量を保持する可能性が最も高くなるようにする。
本発明のRSCRプロセスの第3のサイクルに従い、両燃焼器60を有する第3のチャンバ20Cから排出される該気体を加熱する、または、第3のヘッドスペース領域50Cおよび第2のヘッドスペース領域50Bの間に配置される燃焼器のみによって、加熱することも可能であることに留意されたい。しかし、両燃焼器で該気体を加熱することは、該気体が、第1の触媒領域40Aに接触する際に好ましくない高温を有することになるため、および、第3のヘッドスペース領域50Cおよび第2のヘッドスペース領域50Bの間に配置される燃焼器60のみで該気体を加熱することは、該気体が第1の触媒領域40Aに接触する際に好ましくない低温を有することになるため、これらの手法はいずれも、現在好適ではない。概して、燃焼器60を選択的に作動および非作動する能力が、当業者に公知であり、それは例えば、コンピュータ制御により、達成できる。
本発明の例示的な一実施形態に従い、第2のヘッドスペース領域50Bおよび第1のヘッドスペース領域50Aの間に配置される燃焼器60に接触した際の気体温度は、約450°F〜約700°Fの範囲であり、約500°Fの温度が現在好適であり、一方で、気体が接触した際の第2のヘッドスペース領域50Bおよび第1のヘッドスペース領域50Aの間に配置される燃焼器60の温度は、概して約1200°F〜約2000°Fの範囲であり、約1500°Fの温度が現在好適である。第2の触媒領域40Bに達すると、燃焼器で加熱された気体の温度は、概して約460°F〜725°Fであり、約510°Fの温度が現在好適である。
第1のチャンバ20A内において、流れる気体は、まず、第1の触媒領域40A、次に第1の熱伝導領域30Aに接触する。第3のサイクル中の第1の触媒領域40Aで、該気体はさらなる触媒反応を行い、これは、該気体からのさらなるNOの除去を生じさせる。本発明の促進のために実行される実験に従い、該気体が第3および第1の触媒領域40C、40Aにおける連続する触媒反応を実行できるようにするために、気体中のアンモニア濃度(NH3)が十分高いにも関わらず、本発明のRSCRプロセスに従い、アンモニアスリップのレベルが過度に高くはないことが観察されている。これは、大変大きい利点であり、かつ、想定外のことである。
第1の触媒領域40Aにおける触媒反応の発生後、該気体は第1の熱伝導領域30Aに進む。該気体が第1の熱伝達領域30Aに達すると、第1の温度伝達領域の温度は、該気体の温度未満になる。このため、該気体が第1の熱伝導領域を通過すると、該気体からの熱が第1の熱伝導領域30Aに伝達され、第1の熱伝導領域の温度が上昇する。
概して、該気体によって接触される直前の第1の熱伝導領域30Aの温度は、約300°F〜約710°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの平均温度が現在好適であり、約325°Fの流出温度が現在最も好適であり、一方で、第1の熱伝導領域を通過する気体によって第1の熱伝導領域へ熱が伝達された直後の第1の熱伝導領域の温度は、概して約300°F〜約700°Fの範囲であり、約440°F〜約540°Fの平均温度が現在好適であり、約335°Fの排出温度が現在最も好適である。
第1の熱伝導領域30Aに接触する際の気体温度は、概して約450°F〜約725°Fの範囲であり、約450°F〜約550°Fの温度が現在好適であり、約510°Fの温度が現在最も好適であり、一方で、熱を第1の熱伝導領域に伝達した後に第1の熱伝導領域を流出する際の該気体の温度は、概して、約215°F〜約415°Fの範囲であり、約315°F〜約365°Fの温度が現在好適であり、約335°Fの温度が現在最も好適である。
第1の熱伝導領域30Aの通過後、該気体は、第2のダンパ80Bが開いており、気体移動に作用するデバイス90Aが作動している(つまり、オンである)ために、第2の導管70Bに流入する。次に、該気体は第2の導管70Bに流入し、第2のダンパ80Bを通過して、最終的には、排出領域100(例えば、スタック)を通って、大気へ放出される。
処理された気体は、熱を第1の熱伝導領域30Aに伝達するため、該気体の温度は、処理のために最初に装置10へ流入する際のその温度と同様またはほぼ等しくなる。これには、第1のサイクルに関して上述される理由で、利点がある。
(以降のサイクル)
RSCRプロセスの以降のサイクルが存在する場合、これは、第1、第2および第3のサイクルの後でパターン化される。第3のサイクルの完了後に第1の熱伝導領域30A内に余熱が存在するため、第4のサイクル(これが行われる場合)は、第1のサイクルの開始の前に第1のチャンバが予熱されることを除き、第1のサイクルへ同様に進むが、一方で、第4のサイクルの開始前に余熱を処理する。
さらに、RSCRプロセスの第4のサイクルの完了後、第2の熱伝導領域30Bに余熱が存在するため、第5のサイクル(これが行われる場合)によって、気体が第2のチャンバ20Bに導入され、予熱される第2の熱伝導領域と接触し、第2のサイクルへ同様に進む。また、RSCRプロセスの第5のサイクルの完了後、第3の熱伝導領域30Cに余熱が存在するため、第6のサイクル(これが行われる場合)は同様に第3のサイクルに進み、これは、気体が第3のチャンバ20Cに導入され、予熱される第1の熱伝導領域と接触する。
加えて、(これらが行われる場合には)第7、第10、第13、...のサイクルは第1および第4のサイクルと同一であり、第8、第11、第14、...のサイクルは、第2および第5のサイクルと同一であり、第9、第12、第15、...のサイクルは、第3および第6のサイクルと同一である。このため、装置10は、複数回または多数回のサイクルを有するRSCRプロセスに従って、連続的に動作/利用することができる。
(残留反応物質のパージ)
選択的に、しかし本発明の現在好適な実施形態に従い、図1〜3のRSCRプロセスは、定期的なパージを行い、こうして、装置10から、残留反応物質(例えば、NH)が除去される。こうしたパージを実行する理由は、排出領域100を通って大気へ排出される反応物質の量を防ぐ、または少なくとも最小限にすることである。
RSCRプロセスの各サイクルは、概して、装置10に含まれるものよりも少ないチャンバ20に関するため、パージサイクルは、概して、こうしたチャンバがRSCRプロセスに関連して利用されない場合に、1つもしくは複数のチャンバがパージされるように時間設定される。例えば、第1のサイクル(および、実行される場合には、第4のサイクル、第7のサイクル、第10のサイクル等)は、第1のチャンバ20Aおよび第2のチャンバ20Bに関与する。故に、第1のサイクルにおいて、第3のチャンバ20C内の反応物質がそのチャンバからパージされるように、ダンパ80(例えば、第9のダンパ80I)が開かれ、気体移動に作用するデバイス90B(例えば、ファン)が作動される。
本発明の現在好適な実施形態に従い、気体移動に作用するデバイス90Bの作動が、第1のサイクルにおける該気体の所望のパスを妨げないように、時間設定される。例えば、第1のヘッドスペース領域50から第2のヘッドスペース領域50Bへと該気体が移動しているときに第9のダンパ80Iが開かれる場合、該気体は、第2のチャンバ20Bへの所望のパスに沿って流れない可能性がある。このため、該気体が第2のチャンバ20Bに流入した後でのみ、気体移動に作用するデバイス90Bを作動させることが、現在好適である。
コンピュータ制御を含むがこれに制限されない、当業者に公知の技術および装置によって、パージサイクルに関連する装置の時間設定および動作を制御することができる。
第1のサイクルのパージサイクルと同様に、第2および第3のサイクルのパージサイクルは、これらのサイクル時に使用されないチャンバ20からの反応物質の除去を中心とするものである。例えば、第2のサイクル(および、実行される場合には、第5のサイクル、第8のサイクル、第11のサイクル等)は、第2のチャンバ20Bおよび第3のチャンバ20Cに関連する。このため、第2のサイクル時に、第1のチャンバ20内の反応物質がそのチャンバからパージされるように、ダンパ80(例えば、第3のダンパ80C)が開かれ、気体移動に作用するデバイス90B(例えば、ファン)が作動される。同様に、第3のサイクル(および、実行する場合には、第6のサイクル、第9のサイクル、第12のサイクル等)が、第3のチャンバ20Cおよび第1のチャンバ20Aに主に関与する。このため、第3のサイクル中に、第2のチャンバ20B内の反応物質がそのチャンバからパージされるように、ダンパ80(例えば、第6のダンパ80F)が開かれ、気体移動に作用するデバイス90B(例えば、ファン)が作動される。
さらに、第1のサイクルのパージサイクルと同様に、RSCRプロセスの第2および第3のサイクルのパージサイクルが、該気体の所望のパス/ルートを妨げないように、時間設定される。このため、第2のサイクルのパージサイクルでは、該気体が第3のチャンバ20Cに流入した後でのみ、気体移動に作用するデバイス90Bを作動させることが現在好適であり、第3のサイクルのパージサイクルでは、該気体が第1のチャンバ20Aに流入した後でのみ、気体移動に作用するデバイス90Bを作動させることが現在好適である。
本発明の選択的であるが現在好適な実施形態に従い、装置10からパージされる残留反応物質は、RSCRプロセスの1つもしくは複数の以降のサイクルに関連して使用するために、抑制される。図1〜3に示されるように、導管70(第1のサイクルの導管70I、第2のサイクルの導管70C、および第3のサイクルの導管70F)を介して、該装置からパージされた反応物質を除去し、RSCRプロセスの将来のサイクルのために反応物質供給に追加できるように、反応物質供給源(図示せず)に供給される。こうした実施形態は、特に該反応物質がアンモニアである実施例において現在好適である。これは、装置10に残っている場合にアンモニアスリップの可能性を増加させる可能性のあるアンモニアの除去を可能にするのみでなく、本プロセスで必要な全アンモニア量を減らすことで、コストも削減できるからである。
本発明の代替の実施形態に従い、および、RSCRプロセスのいずれかまたは全てのサイクルの間、1つもしくは複数の反応物質を、RSCR装置10の上流(つまり、外側)に供給される反応物質の代わりに、またはこれに加えて、RSCR装置10のチャンバ20のうちの1つに、直接導入することができる。これが行われる場合、熱伝導領域30および触媒領域40の間の位置において、1つもしくは複数の反応物質を導入することが現在好適である。当業者に公知の種々の技術および装置は、グリッドを介した反応物質の導入を含むがこれに制限されないこうした技術によって、その位置に1つもしくは複数の反応物質を導入することに適している。
本発明の別の代替の実施形態に従い、NOに加えて(またはこれの代わりに)有害な汚染物質の還元を可能にするために、触媒領域を2ステップの触媒として機能することができるように、触媒領域40のうちの1つもしくは複数に複数の層/床を含むことができる。こうした一実施形態に従い、および、非制限的な例として、1つもしくは複数の触媒領域40は、一酸化炭素および/またはいわゆる揮発性有機化合物(VOC)を還元させるために、少なくとも1つの酸化触媒の層または床を含むことができる。例示的な酸化触媒は、貴金属酸化触媒である。
図4は、RSCR装置10が、各触媒チャンバ20上のヘッドスペース領域50に配置されている、一酸化炭素還元触媒110A、B、Cを有する実施例を示す。この構成は、上記の同一のプロセスサイクルを使用する単一のシステム内で、COおよびNO除去を同時に実現できる。RSCRプロセスはCO除去触媒の理想的な動作温度である約600°Fで動作するため、CO触媒およびNO触媒の混合により、燃焼排気からのNOおよびCOの同時の除去を実行できる。
CO触媒110は、COをCOに変換させる試薬なしで動作する酸化触媒である。CO触媒110A、B、Cは、ニッケル鋼またはセラミック基板上の少量のロジウムを有する、白金および/またはパラジウムを含む。市販されているCO触媒物質には、Munich,GermanyのSud Chemie AGのEnviCat(登録商標)2307およびEnviCat(登録商標)5304、およびKnoxville,TennesseeのEmeraChem,LLCのADCAT(登録商標)を含む。これらの材料は、揮発性有機化合物(「VOC」)の酸化のためにも役立つため、多くの場合、「VOC触媒」と称される。該触媒材料は、金属ハニカムアレイ上にコーティングされ、該装置に適合するように寸法決定されたスチールモジュールに入れられる。例えば、2フィート×1.5フィート×2インチの寸法のスチールモジュールは、図1〜3に示される例示的なRSCR装置と共に上記の同じ燃焼排気の適切なCO除去を提供できる。当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、任意の適したCO触媒材料、モジュール構成、およびサイズを使用できることを、容易に理解されよう。
図4に示される実施例において、SCR触媒40上に設置した、CO触媒110が示される。CO触媒110の定期的なクリーニングを可能にするために、CO触媒110の下に空気ヘッダを含むことができる。図5は、ヘッドスペース50の上部に燃焼器60を配置した、隣接する触媒チャンバ20間のヘッドスペース50にCO触媒が配置される、別の実施例を示す。図6は、CO触媒110A、B、Cが、触媒領域40および熱伝導領域30の間のスペース内の触媒チャンバ20内に配置される、さらに別の実施例を示す。便宜上、図6では示していないが、NO還元のためにアンモニアを提供するために、触媒領域40およびCO触媒110の間にアンモニアインジェクタも含むことができる。特定の例示的な構成に関連して上述したが、当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱しない限り、RSCRシステム内の任意の適した構成で、または位置にCO触媒を配置できることを、容易に理解されよう。
本発明のRSCRプロセスは、従来の選択触媒還元(SCR)プロセスと比較して、いくつかの重要な利点を有する。例えば、本発明に従い、最高で90%のサイクルごとのNO還元が観察されている。これは、概して従来のSCRプロセスの最も高い還元速度とみなされる75%の還元速度を超える著しい向上を示す。
従来のSCRプロセスに優る本発明の別の利点は、本発明のRSCRプロセスの各サイクルが、RSCR装置の1つのチャンバ20の第1の方向に、次に、異なるチャンバ内の略対向方向に流れるNO含有気体を伴うという事実に起因する。このため、本発明のRSCRプロセスは、一方向の気体の流れを必要とし、したがって、熱伝導の適したレベルをもたらすために、さらなる装置(管状プレート、熱交換機または他の間接的な装置の加熱等)に依存する必要がある、従来のSCRプロセスでは実現されなかった熱伝導および熱回収のレベルを可能にする。こうした余分な装置は、占有するスペースおよび必要なエネルギー利用のために、本プロセスに多大な費用を課す。
加えて、RSCR装置10の設計は、当業者が想定するような問題を生じさせていない。例えば、アンモニアをNO含有気体に追加させる反応物質として使用する場合、高い濃度のNOを除去する能力があるにもかかわらず、過度に高いアンモニアスリップのレベルは観察されていない。これは、本発明のRSCRプロセスに従い、アンモニアと混合されたNO含有気体が、複数の触媒領域の異なる方向へ移動する場合でも同じである。
過度に高いアンモニアスリップレベルを経験することなく、高レベルのNO還元を確実にできることは、本発明の予想されなかった、かつ重要な利点である。理論によって拘束されることを望むことなく、本発明の発明者は、本発明のRSCRプロセスに従い、アンモニアスリップの過度に高いレベルが存在しない理由の少なくとも一部は、触媒の上流にアンモニアが追加された、つまり、NO含有気体がRSCR装置10に追加される前に、NO含有気体に反応物質(例えば、アンモニア)が追加されたためであると確信している。
図7〜8は、2つのチャンバ20A/Bのみが使用される、蓄熱式選択触媒プロセスの別の実施形態を示す。このプロセスは、既定の濃度の少なくとも1つの反応物質(例えば、ポート11で注入されたアンモニアまたは尿素)の、既定の量の汚染物質含有気体(例えば、NOを含有する排気)との混合による、混合された気体の形成、および、該混合された気体の処理装置10への導入を含む。該混合された気体は、混合気体中の汚染物質濃度の低減のために処理装置10内で処理され、ここで、該処理装置は、第1および第2の熱伝導領域30Aおよび30B、ならびに第1および第2の触媒領域40Aおよび40Bを含む。
第1のサイクルでは、図7に図示されるように、当該処理は、(i)該混合された気体が、第1の熱伝導領域30Aからの熱を受容し、第2の熱伝導領域30Bへと熱を提供するステップと、(ii)該混合された気体を第1の触媒領域40Aおよび第2の触媒領域40Bに接触させ、ここで該混合された気体は各触媒領域において触媒還元を行う、ステップとを伴う。このため、第1のサイクル中では、気体は、概して、ポート11を通過してチャンバ20Aへ、次にチャンバ20Bへ、そしてスタック100へと流れる。導管70Aを通ってチャンバ20Aへ、そして、チャンバ20Bから出て、導管70Eおよび70Hを通って、スタック100へと気体が流れることができるように、弁80Aおよび80Eが開かれ、弁80Bおよび80Dが閉じられている。上記のように燃焼器60に熱を追加可能である。
第2のサイクル時において、図8に示すように、チャンバ20Aおよび20Bを通る流れは、逆方向になり、当該処理は、(i)該混合された気体に、第2の熱伝導領域30Bからの熱を受容し、第1の熱伝導領域30Aへ熱を提供させるステップと、(ii)該混合された気体を第2の触媒領域40Bおよび第2の触媒領域40Aに接触させ、該混合された気体が各触媒領域で触媒還元を実行するステップと、を伴う。こうして、第2のサイクル中において、気体は、概して、ポート11を通過してチャンバ20Bへ、チャンバ20Aへ、そして流出してスタック100へと流れる。故に、該混合された気体は、第1のサイクル中に、チャンバ20Aおよび20Bを通過し第1の方向に、およびこうした処理の第2のサイクル中に、チャンバ20Aおよび20Bを通過して第2の方向に流れる。流れが、導管70Dを介して、チャンバ20Bへ、および、チャンバ20Aを出て、導管70Bおよび70Hを介して、スタック100へと経路決定されるように、弁80Aおよび80Eは閉じられ、弁80Bおよび80Dは開かれている。該混合された気体は、図7および8に示されるように、気体移動に作用するデバイス90Bを作動させることにより、装置10から排出されるようになっている。
図7〜8に示されるプロセスは、図1〜6に示され、奇数のチャンバを提供するチャンバ/キャニスタ20のうちの1つを排除する。奇数のキャニスタを有するRSCRは、2つのメカニズム、つまり、NO還元の過度な実行およびNHの吸収効果によって、NOおよびNHに必要な排出口の排出を実現することができる。気体の流れ方向の切り替え中に以前に想定されていたNOの「急増」の可能性は、キャニスタのサイクルが行われるたびにNOの小さなバーストが起こっても、平均の性能が必要条件に適合するように、必要であるよりも少し高い除去効率でRSCRを動作することにより、解決される。例えば、210秒のサイクル時間および4秒のダンパ回転時間、157ppmの流入口NO、および72%の望ましい除去効率のためには、72%の除去の全出力を得るために、望ましい除去効率を73.4%にする必要がある。必要な過度代償を小さくするように、サイクル時間は、例えば210秒に、短くすることができる。NHでは、RSCRの動作およびSCR触媒の本質は、キャニスタのサイクルが実行される場合に、NHの期待されるバーストが起きないようにする、またはこれが大きなものはないようにするために、触媒の表面にアンモニアの吸収を生じさせる。これらの両効果の完全な結果は、奇数のキャニスタが不要になることであり、キャニスタ全体および関連付けられるダンパ、制御、および装置が排除されるため、資本コストが削減される。当業者は、図4〜6に関して上述されるように、図7〜8に示されるプロセスが、さらに、CO還元を提供できるように適応可能であることを容易に理解されよう。
現在好適な実施形態の詳細を参照し、本明細書において本発明を説明したが、こうした詳細は、これらが以下の請求項に含まれる程度のものとして、および、この程度まで、本発明の範囲を制限するものとみなされることを意図するものではない。すなわち、本発明の以上の記載は例示的なものにすぎず、以下の請求項に述べるように、本発明の範囲または精神から逸脱しない限り、変更および修正を実行可能であることを理解されたい。加えて、本明細書中で言及される文書は、本明細書中で言及される文書内で参照される任意の他の文書と同様に、参照することによってその全体が組み込まれる。

Claims (20)

  1. 蓄熱式選択触媒プロセスであって、
    (a)既定の濃度の少なくとも1つの反応物質を既定の量の汚染物質含有気体と混合させて、混合された気体を形成するステップと、
    (b)前記混合された気体を処理装置に導入するステップと、
    (c)前記混合された気体中の前記汚染物質の濃度を低減するために、前記処理装置内の前記混合された気体を処理するステップであって、前記処理装置が複数の熱伝導領域および複数の触媒領域を含み、かかる処理には、
    (i)前記混合された気体に、前記複数の熱伝導領域のうちの少なくとも第1の熱伝導領域からの熱を受容させ、かつ、前記複数の熱伝導領域のうちの少なくとも第2の熱伝導領域へ熱を提供させるステップと、
    (ii)前記混合された気体を、少なくとも前記複数の触媒領域のうちの第1の触媒領域および前記複数の触媒領域のうちの第2の触媒領域と接触させるステップであって、前記混合された気体が、少なくとも前記複数の触媒領域のうちの前記第1の触媒領域および前記複数の触媒領域のうちの前記第2の触媒領域のそれぞれにおいて、触媒還元を実行するステップと、
    (iii)前記混合された気体を、前記混合された気体中のCOを還元するための手段に接触させるステップと、
    (iv)前記混合された気体を、かかる処理の間、前記装置内の少なくとも第1の方向および第2の方向に流入させるステップであって、前記第1の方向が前記第2の方向とは異なるステップと、を伴うステップと、
    (d)前記装置の前記複数の熱伝導領域のうちの少なくとも1つと連通する第1の気体移動に作用するデバイスを作動させることにより、前記装置から前記混合された気体を排出するステップと、
    (e)処理ステップ(c)の間、前記装置から反応物質をパージするステップとを含む、蓄熱式選択触媒プロセス。
  2. 前記混合された気体が、前記複数の熱伝導領域のうちの前記第1の熱伝導領域から前記複数の触媒領域のうちの前記第1の触媒領域への前記第1の方向に、および、前記複数の熱伝導領域のうちの前記第2の熱伝導領域から前記複数の触媒領域のうちの前記第2の触媒領域への前記第2の方向に流入する、請求項1に記載のプロセス。
  3. 前記装置が複数のチャンバを含み、前記複数の熱伝導領域のうちの前記第1の熱伝導領域および前記複数の触媒領域のうちの前記第1の触媒領域の両方が、前記複数のチャンバのうちの第1のチャンバに配置され、前記複数の熱伝導領域のうちの前記第2の熱伝導領域および前記複数の触媒領域のうちの前記第2の触媒領域が、前記複数のチャンバのうちの第2のチャンバに配置される、請求項1に記載のプロセス。
  4. 前記複数の熱伝導領域のうちの前記第1の熱伝導領域が前記混合された気体へ熱を提供し、前記複数の熱伝導領域のうちの前記第2の熱伝導領域が前記混合された気体からの熱を受容する、請求項1に記載のプロセス。
  5. ステップ(b)の前に、前記複数の熱伝導領域のうちの前記第1の熱伝導領域を既定の温度に予熱するステップをさらに含む、請求項1に記載のプロセス。
  6. 前記既定の温度が約600°F〜約800°Fの範囲である、請求項5に記載のプロセス。
  7. 前記第1および第2の気体移動に作用するデバイスがそれぞれファンである、請求項1に記載のプロセス。
  8. 前記第1の気体移動に作用するデバイスが、導管を介して前記少なくとも1つのチャンバと連通する、請求項1に記載のプロセス。
  9. 前記導管がダンパを含み、前記ダンパは前記気体移動に作用するデバイスが作動すると開く、請求項8に記載のプロセス。
  10. 前記処理装置が少なくとも1つの熱発生デバイスを含む、請求項1に記載のプロセス。
  11. 前記少なくとも1つの熱発生デバイスが、前記混合された気体が前記複数の触媒領域のうちの1つと接触する前に、前記混合された気体へ熱を提供することができる既定の位置を有する、請求項10に記載のプロセス。
  12. 前記少なくとも1つの熱発生デバイスが燃焼器である、請求項10に記載のプロセス。
  13. 前記少なくとも1つの熱発生デバイスの温度が、前記混合された気体による接触の際に約900°F〜約1600°Fの範囲である、請求項10に記載のプロセス。
  14. 前記少なくとも1つの反応物質がアンモニアである、請求項1に記載のプロセス。
  15. 前記混合された気体の温度が、ステップ(a)の後で約200°F〜約400°Fの範囲である、請求項1に記載のプロセス。
  16. 前記混合された気体の温度が、ステップ(a)の後で約300°F〜約350°Fの範囲である、請求項15に記載のプロセス。
  17. 前記混合された気体の温度が、ステップ(a)の後で約325°Fである、請求項16に記載のプロセス。
  18. 前記汚染物質含有気体が窒素酸化物NOを含有する、請求項1に記載のプロセス。
  19. 前記装置から反応物質をパージする前記ステップには、前記処理ステップ(c)で使用されていない前記装置の前記複数の熱伝導領域のうちの少なくとも第3の熱伝導領域と連通する第2の気体移動に作用するデバイスを作動させることにより、前記装置から前記反応物質をパージするステップを含む、請求項1に記載のプロセス。
  20. 蓄熱式選択触媒プロセスであって、
    (a)既定の濃度の少なくとも1つの反応物質を既定の量の汚染物質含有気体と混合させて、混合された気体を形成するステップと、
    (b)前記混合された気体を処理装置に導入するステップと、
    (c)前記混合された気体中の前記汚染物質の濃度を低減するために、前記処理装置内の前記混合された気体を処理するステップであって、前記処理装置が第1および第2の熱伝導領域および第1および第2の触媒領域を含み、かかる処理には、
    (i)前記混合された気体に、前記第1の熱伝導領域からの熱を受容させ、かつ、前記第2の熱伝導領域へ熱を提供させるステップと、
    (ii)前記混合された気体を、前記第1の触媒領域および前記第2の触媒領域と接触させるステップであって、前記混合された気体が前記触媒領域のそれぞれにおいて触媒還元を実行するステップと、
    (iv)前記混合された気体を、かかる処理の間、前記装置内の少なくとも第1の方向および第2の方向に流入させるステップであって、前記第1の方向が前記第2の方向とは異なるステップと、を伴うステップと、
    (d)前記装置の前記熱伝導領域のうちの少なくとも1つと連通する、気体移動に作用するデバイスを作動させることにより、前記装置から前記混合された気体を排出するステップとを含む、蓄熱式選択触媒プロセス。
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