KR101890165B1

KR101890165B1 - 폐가스에 포함된 n2o 저감용 스크러버 장치

Info

Publication number: KR101890165B1
Application number: KR1020160052971A
Authority: KR
Inventors: 김현호; 노학재; 장원철; 권원태; 가명진; 이민우; 김진영; 양창희; 김대수; 박완근
Original assignee: (주)명성씨.엠.아이
Priority date: 2016-04-29
Filing date: 2016-04-29
Publication date: 2018-08-21
Also published as: KR20170123470A

Abstract

본 발명은 전자산업에서 발생하는 폐가스 내 N₂O를 저감시키기 위한 스크러버로서, 환원 또는 분해 촉매를 적용한 장치 관한 것이다. 본 장치는 크게 공정상에서 발생되는 폐가스가 유입되어 가열되는 가열부, 폐가스가 촉매와 반응하는 반응부로 구성된다. 본 장치는 전자산업 분야에서 주로 사용하는 스크러버 방식인 열분해방식, 연소방식, 플라즈마방식으로 저감이 어려운 N₂O 및 NO_x을 제거하기 위한 스크러버이다. 발생되는 폐가스의 성상은 다양하지만, 공정에서 발생한 암모니아를 열분해한 후 발생하는 N₂O 및 NO_x 계열과 F-성분 가스 중 N 성분을 함유한 물질의 연소 및 플라즈마 처리에 의해 발생하는 N₂O 및 NO_x이 대상이다. 적용되는 환원촉매 물질은 제올라이트 성분이 35 내지 55 중량%, 수분 함량은 40 내지 65 중량%, Fe는 0.1 내지 5.0 중량%, 유기바인더 성분은 0.1 내지 10 중량%, 무기바인더 성분은 0.1 내지 10 중량% 해당하는 범위의 촉매가 적합하며 적용되는 촉매의 형태는 펠렛, 허니컴, 플레이트 등이 가능하다. 또한 저온영역 분해 촉매물질은 K/CoCe 적용이 가능하다.

Description

폐가스에 포함된 N2O 저감용 스크러버 장치{Scrubber for removing N2O contained in the waste gas}

본 발명은 전자산업 분야에서 발생하는 N₂O를 저감시키는 방법 중 촉매를 통한 저감방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 반도체, LED, LCD 공정에서 발생하는 폐가스를 처리하는 과정에서 발생하는 부생성물 가스 중에 저감되지 않고 배출되는 N₂O 및 NO_x를 환원 또는 분해 방식을 적용하여 처리하는 스크러버에 관한 것이다.

일반적으로 반도체, LED, LCD 제조공정에서 사용되는 가스는 매우 다양하며, N 성분을 함유한 가스로는 NH₃나 NF₃와 같은 F-gas 등이 이용되고 있다. 전자산업 분야의 제조공정에서 사용되는 다양한 가스 성분들은 스크러버 장치(열분해, 연소, 플라즈마 방식)에 의해 처리되고 무해한 성분의 가스만 최종 배출된다. 그러나 이러한 방식에 의해서도 완전히 처리되지 못하고 배출될 수 있는 성분이 있는데, (1) 열분해의 경우에는 폐가스 내 산소와 N 성분이 반응한 NO_x, (2) 연소에 의한 방식일 경우에는, 산화용 공기 주입으로 인한 NO_x, (3) 플라즈마 방식일 경우에는, NH₃이나 NF₃의 분해에 의한 NO_x는 완전히 처리되지 않게 되는데, 이러한 NO_x의 주요 성분이 온실가스인 N₂O 및 NO_x이다.

기존의 기술은 크게 건식과 습식 기술로 구분되며, 필요에 따라 별도의 필터 및 흡착장치를 추가될 수도 있다. 일반적인 구성방식은 Main 처리장치(Heater, Burner, Plasma)와 전/후에 부수적인 처리장치를 추가하여 구성되며, 구체적인 구성방식은 처리대상 가스의 종류와 성분에 따라 다양할 수 있다. 스크러버 구성의 한 가지 예로서 Pre-Wet, Heater 또는 Burner, Main-Wet의 방식의 경우는 NH₃ 가스 처리 시에 2차적으로 폐수가 발생된다. 다른 예로서, Burner, 건식흡착 방식의 경우는 고온(500 내지 800 ℃)에서 1차 처리한 배기가스가 흡착장치를 통과하며 처리되지 않은 유해 가스를 흡착 제거하는데, 추가적인 흡착장치를 설치해야 하는 문제점과 더불어 연소에 의해 발생되는 NO_x 또한 완전히 제거되지 않는다는 문제점이 지적될 수 있다. Main 처리장치 중 Plasma를 적용한 방식의 경우 기존의 다른 방식에 비해 여러가지 가스를 분해 처리할 수 있지만, 플라즈마 발생에 상당히 많은 에너지가 필요하고 이는 전력 사용량이 증가하는 문제점이 있다. 또한 플라즈마 방식의 경우 N성분이 있을 경우 N₂O 및 NO_x와 더불어 다양한 분해 부생성물이 발생할 수 있다는 문제점도 지적된다.

이와 같이, 기존 여러 가지 처리방식이 적용되고 있지만, 최종적으로 N₂O 및 NO_x가 처리되지 않고 배출될 수 있는 문제점을 안고 있다.

한국 특허등록 제10-1022247호 한국 등록특허 제10-1401421호 한국 등록특허 제10-0519461호

본 발명은 전자산업 분야 공정에 적용된 저감장치에서 발생할 수 있는 N₂O 및 NO_x를 저감시키기 위한 방법으로 기존의 처리 방식에서 저감할 수 없는 폐가스 내 처리 대상 성분을 환원 및 분해 촉매를 적용한 장치를 이용하여 해결하고자 한다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 본 발명의 일 측면은 (a) 가열부, (b) 전단에 믹서와 후단에 촉매층를 내부에 포함하고, 상기 가열부 후단에 위치한 반응부, 및 (c) 상기 가열부와 상기 반응부 사이에 위치한 환원제 투입구를 포함하는 N₂O 제거용 스크러버로서, 상기 촉매층은 환원반응용 촉매 또는 분해반응용 촉매인 질소 산화물 제거용 스크러버에 관한 것이다.

본 발명의 다른 측면은 (a) 가열부, (b) 전단에 믹서와 후단에 촉매층 장착부를 내부에 포함하고, 상기 가열부 후단에 위치한 반응부, 및 (c) 상기 가열부와 상기 반응부 사이에 위치한 환원제 투입구를 포함하는 N₂O 제거용 스크러버를 이용한 질소 산화물 저감방법에 관한 것이다.

본 발명은 전자산업 분야의 반도체, LCD, LED 공정에 적용된 저감장치에서 처리 후에도 발생할 수 있는 N₂O 및 NO_x을 저감시키기 위한 방법으로 기존의 처리 방식에서 저감할 수 없는 폐가스 내 대상 물질을 촉매 적용하여 처리하는데 효과가 있다. 환원 방식을 적용한 스크러버의 경우 N₂O/NO_x를 촉매와 환원제를 이용하여 동시 저감하는 효과가 있으며, N₂O만 단독으로 발생하는 경우는 분해 촉매만을 이용하여 저감하는 효과가 있다. 최종적으로 기존의 열분해, 연소, 플라즈마 방식에서 저감 효율의 차이가 있지만 완전히 제거되지 않는 NO_x 계열을 저감하는데 효과가 있다.

도 1과 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 스크러버의 개략도이다.
도 3a 내지 3e는 본 발명의 실시예 및 비교예의 실험 결과를 보여주는 그래프이다. 3a: 저감효율(환원촉매, N₂O), 3b: 저감효율(환원촉매, NO_x), 3c: 저감효율(분해촉매, N₂O), 3d: 저감효율(열분해, NH₃), 3e: 저감방식별 배출가스 최소농도 비교

이하에서, 본 발명의 여러 측면 및 다양한 구현예에 대해 더욱 구체적으로 살펴보도록 한다.

본 발명의 일 측면은 (a) 가열부, (b) 전단에 믹서와 후단에 촉매층를 내부에 포함하고, 상기 가열부 후단에 위치한 반응부, 및 (c) 상기 가열부와 상기 반응부 사이에 위치한 환원제 투입구를 포함하는 N₂O 제거용 스크러버로서, 상기 촉매층은 환원반응용 촉매 또는 분해반응용 촉매인 질소 산화물 제거용 스크러버에 관한 것이다.

본 발명에 따른 질소 산화물 저감방법은 (A) 반도체 공정, LED 공정, LCD 공정 중에서 선택된 1종의 전자산업 공정에서 발생된 폐가스 내에 NO_x가 함량을 분석하는 단계, (B) 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 상기 촉매층 장착부에 환원반응용 촉매층을 장착하고, 폐가스 내 NO_x가 함유되지 않은 경우에는 상기 촉매층 장착부에 분해반응용 촉매층을 장착하는 단계, (C) 상기 폐가스를 상기 가열부와 상기 반응부를 차례로 통과시키며, 상기 촉매층을 통과하는 폐가스의 온도를 조절하되, 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 350 내지 450 ℃로 조절하고, 폐가스 내 NO_x가 함유되지 않은 경우에는 300 내지 400 ℃로 조절하는 단계를 포함한다.

또한, 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 (D) 상기 환원제 투입구를 개방하여 상기 반응부 내로 상기 환원제를 투입하고, 상기 믹서를 가동하여 상기 환원제와 상기 폐가스를 혼합하는 단계를 추가로 포함한다.

이때, 아래와 같은 조건을 모두 만족하는 경우에는 사용되는 분해촉매나 환원촉매의 성능저하가 최소화될 수 있음을 확인하였다. 추가로, 통상의 SCR 환원촉매는 NO_x 저감만 가능할 뿐 N₂O 저감은 미미하고, 통상의 N₂O 분해촉매는 500 ℃ 이상의 온도에서만 실질적으로 N₂O 저감 효과를 보이는 반면, 아래 조건을 모두 만족하게 되면, 본 발명에 따라 환원촉매를 사용하는 경우 N₂O와 NO_x를 동시에 저감할 수 있고, 본 발명에 따라 분해촉매를 사용하는 경우에는 저온 영역에서 낮은 에너지 사용량으로 거의 모든 N₂O의 배출을 저감할 수 있음을 확인하였다.

(1) 환원반응용 촉매: Fe-제올라이트

(2) 분해반응용 촉매: K/CoCe
(Co 산화물과 Ce 산화물의 혼합물인 CoCe에 K를 담지시킨 촉매)

(3) 환원제: 암모니아

(4) 환원제/(N₂O + NO_x) 몰비: 0.8 내지 1

(5) 믹서: 타공판 (홀 크기 7.5 내지 15 mm)

(6) 환원반응일 때 가열부 온도: 375 내지 400 ℃

(7) 분해반응일 때 가열부 온도: 325 내지 350 ℃

이하에서는 이와 같은 본 발명의 내용을 더욱 구체적으로 설명하되, 다만 본 발명의 내용이나 범위가 아래 내용에 의해 축소되어 해석될 수는 없다는 점은 명백하다.

본 발명은 N₂O를 포함하는 폐가스를 가열하여 적정 반응온도를 유도하는 가열부; 및 상기 가열된 가스가 촉매와 반응하여 저감되는 반응부로 구성되는 스크러버 장치에 관한 것으로서, 특히 폐가스 내 N₂O와 NO_x가 동시에 발생할 경우 촉매층에서 환원제를 이용하여 저감할 수 있는 방식과 N₂O만 발생하는 경우 저온 영역에서 분해 처리하는 방식으로 활용할 수 있도록 한다.

여기서 전처리 저감용 스크러버(열분해, 연소, 플라즈마)의 처리 온도는 500 내지 1,200 ℃ 영역이며, N₂O 저감용 스크러버 장치를 이러한 스크러버 후단의 적정한 영역에 위치시켜 적용할 수 있다. 또한 적정 반응온도 이하일 경우 폐가스를 가열부에서 승온시켜 반응을 유도할 수도 있다.

이하 첨부된 구성도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같으며, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

본 발명의 가스 스크러버는 기존의 스크러버에서 처리되지 않은 N 계열의 물질 성분만 선택적으로 처리 가능하여 최종 배출되는 폐가스 내에서 잔존하는 N₂O 또는 NO_x만 처리하여 별도의 추가적 처리 설비는 필요하지 않다.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 스크러버는 전자산업에서 발생한 폐가스가 유입되어 가열되는 가열부가 1차 공정으로 전단에 위치하게 된다. 가열부에서는 촉매층이 적정 반응온도에 도달할 수 있도록 일정 온도로 우선 승온을 시켜주며, 환원 공정의 경우 350 내지 450 ℃ 범위가 적합하고 분해 공정만 적용할 경우 300 내지 400 ℃ 범위가 적합하다.

도 1에 도시된 바와 같이 가열부는 승온 속도와 열전달 효과를 증진시키기 위해 가열부 챔버 내부에 히터를 장착하는 방식이며, 히터의 배열형태는 Coil 방식이 가장 효과적이다. 가열부 챔버의 재질은 고온영역에서 사용가능한 재질이하면 특별히 제한되지 않지만 STS310S 또는 인코넬이 적합하다. 또한 내부 히터는 폐가스와 직접 접촉하는 부분으로 고온 및 산가스에 내구성이 우수한 재질이라면 제한되지 않지만 인코넬 히터가 적합하다.

가열부의 반응 온도가 높아질수록 처리대상 가스의 저감 효율은 높아지지만 목적한 저감 효율을 유지하기 위한 온도로 설정 운전하는 것이 바람직하며 저온 영역으로 운전하는 것이 가열부의 부하 및 에너지 손실을 최소화할 수 있다. 환원 공정을 예로서, 80% 저감 효율을 목표로 할 경우 375 ℃ 수준이 적합하며, 이는 허니컴 형태(50 Cell)의 적용할 때의 조건이다. 단 적용하는 촉매의 형태에 따라 접촉면적과 저감효율이 차이가 있고 이에 따른 가열부의 온도는 차이가 발생할 수 있다.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이 반응부는 환원 또는 분해용 촉매가 위치하게 되며 적용 가능한 촉매의 형태는 펠렛, 허니컴, 플레이트 등 모든 촉매 형태가 적용 가능하다. 환원 촉매(Fe-제올라이트)를 적용할 경우 가열부와 반응부 사이에 환원제를 주입하는 라인을 활용하여 적정 몰비(< 1.0) 로 환원제(NH₃)를 주입할 수 있으며 분해 촉매(K/CoCe)를 적용할 경우에는 미주입하도록 하는 장치를 포함한다. 환원제를 연결부에서 주입함으로써 발생할 수 있는 분산의 불균일화를 막기 위하여 반응부 챔버 내부 전단에 믹서를 설치하는 형태를 포함한다. 믹서의 형태는 차압 발생이 최소화 될 수 있는 형태로 타공판이 적합하며 홀 사이즈는 7.5 내지 15 mm 범위가 가능하다. 홀 사이즈는 처리 유량에 따라 변경 가능하고, 일예로서 유량이 5 N㎥/hr일 경우 10 mm가 적합하다. 이 조건에서 이보다 홀 사이즈가 커지면 분산이 균일화 되지 못하고, 작아지면 차압이 증가하게 된다.

반응기 형태는 펠렛, 허니컴, 플레이트 등 여러 가지 형태의 촉매를 적용 가능하기 위해서 장방형(rectangular type)이 적합하다. 반응기 규격(내부 촉매 기준) 150ㅧ150(WㅧD)이 적합하고, 반응기 길이는 처리 유량에 따라 촉매량이 변경되어 차이가 발생할 수 있다. 반응기의 재질은 고온에 내구성이 있는 것이면 제한이 없고, 일예로서 STS310S, 인코넬 등이 적합하다. 반응부의 가열 방식은 챔버 내부에 촉매 및 믹서가 위치하게 되어 외부에서 가열 하는 방식이 적합하고 가열부에서 가열되어 온 폐가스의 온도를 유지 또는 보완적으로 승온시키는 역할을 하게 된다.

가열부 및 반응부를 제외한 기타의 장치 구성은 밸브, By-Pass 라인, 유량조절장치 및 계기(TC, PI)로 구성되어 있다. 밸브는 가열부 전단과 반응부 후단에 액추에이터 형태로 각 1개씩 설치되고 By-Pass 라인에 1개가 설치된다. 가열부 전단, 반응부 후단, By-Pass 라인에 설치된 3개의 액추에이터는 상호 연동되어 작동하게 되며 폐가스(Waste gas)가 유입되면 반응부 전단 밸브(AV001)과 가열부 후단 밸브(AV002)가 개방상태가 되어 흐름이 형성되어 흐르게 되고 비상 시에 AV001과 AV002가 폐쇄상태로 되고 가열장치는 전원 차단됨과 동시에 By-Pass 라인 밸브(AV003)가 개방상태가 되어 유입가스가 배출되도록 되는 장치를 포함한다. 유량 조절장치(FCV-001)은 적정 수준으로 유입가스가 흐르도록 제어하는 부분으로서, 처리 유량에 따라 조절 범위를 설정해야 하며, 일예로서, 5 N㎥/hr 수준으로 폐가스를 처리할 경우 0 내지 10 N㎥/hr 범위를 제어할 수 있는 것이 적합하다. 계기 부분은 온도를 측정하는 TC(TC001 내지 007) 및 압력을 측정하는 PI(PI001, PI002)로 구성된다. TC001은 폐가스 온도 indicating, TC002는 가열부 heater 제어 및 indicating, TC003은 연결라인 온도 indicating, TC004는 반응부 heater 제어, TC005/006은 반응부 내부 전/후단 온도 indicating, TC007은 처리 후 배출가스 온도 indicating을 한다. PI001/002는 반응기 내부 전/후단의 차압을 확인하는 역할을 하며 차압이 급격히 증가하는 비상 상황에서 By-Pass 라인과 연동되어 작동되도록 한다.

본 발명은 Fe-제올라이트 촉매 또는 K/CoCe 촉매를 적용한 촉매방식의 스크러버로서, 전자산업분야 제조공정의 기존 처리 방식으로도 완전히 제거되지 않는 N₂O 및 NO_x 성분을 저감하는 장치를 제작하는 방법에 해당한다. 적용되는 촉매의 형태는 펠렛, 허니컴, 플레이트 등 모든 형태가 가능하지만, 바람직하게는 저압차를 유도하기 위하여 허니컴 및 플레이트 형태가 적합하다. 일예로서, 허니컴 형태의 촉매는 high cell 형태(100 Cell 이상)를 적용할 경우 처리효율은 증가하지만 처리장치의 차압이 증가하게 되어, 바람직하게는 50 Cell 수준의 허니컴 형태가 적합하다.

본 발명의 저감용 스크러버에 적용되는 촉매가 사용되는 가스 공간 속도인 GHSV가 바람직하게는 3,000 내지 20,000 h^-1, 더욱 바람직하게는 5,000 내지 10,000 h^-1 범위이다. 반응 온도는 환원 촉매의 경우 350 내지 450 ℃, 분해 촉매의 경우 300 내지 400 ℃ 범위가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 환원 촉매의 경우 375 내지 400 ℃, 분해 촉매의 경우 325 내지 350 ℃ 범위가 적합하다.

이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하기로 한다. 그러나 하기의 실시예는 오로지 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로 이들 실시예에 의해 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. Inlet 조건과 반응온도는 적용 공정(개선공정 : 촉매 환원 또는 분해 방식, 기존공정 : 열분해 방식)에 따라 동일한 조건이 아니기 때문에 동일한 실험 조건을 적용할 수 없다. 각각의 실시예 및 비교예는 기존공정에서 미처리 되는 가스 농도를 확인하고 개선 공정별 처리 효율을 확인하고자 하는데 있다.

실시예

실시예 1

(1) 직경이 3 mm인 1.0 중량%, Fe-제올라이트 펠렛을 준비한 후, 반응장치에 장착을 한다.

(2) 반응온도를 300℃부터 450 ℃까지 50 ℃ 간격으로 변경하면서 반응 온도별 효율을 측정한다.

(3) 반응에 사용되는 Inlet 가스 조건은 환원 촉매 적용 기준으로, N₂O 100 ppm, NO_x 300 ppm, SO₂ 100 ppm, O₂ 2.5%, H₂O 10% (N₂ Balance)로 주입하며 환원제 주입 몰비는 NH₃/(N₂O+NO_x) = 1.0 이다. 이 때

(4) 반응온도별 측정한 농도를 이용하여 N₂O 및 NO_x의 저감효율을 측정하고 발생되는 N₂O 및 NO_x의 농도를 측정한다.

실시예 2

(1) 직경이 3mm인 1.0 중량%, K/CeCo 펠렛을 준비한 후, 반응장치에 장착을 한다.

(2) 반응온도를 275 ℃부터 375 ℃까지 25 ℃간격으로 변경하면서 반응 온도별 효율을 측정한다.

(3) 반응에 사용되는 Inlet 가스 조건은 분해 촉매 적용 기준으로, N₂O 500 ppm (N₂ Balance)만 주입하며 환원제 주입하지 않는다.

(4) 반응온도별 측정한 농도를 이용하여 N₂O의 저감 효율을 측정하고 발생되는 N₂O 및 NO_x의 농도를 측정한다.

비교예 1

(1) 동일한 반응장치에서 환원 또는 분해 촉매를 장착하지 않고 열분해 처리를 할 수 있도록 준비한다.

(2) 반응온도를 880 ℃부터 1,030 ℃까지 50 ℃ 간격으로 변경하면서 반응 온도별 효율을 측정한다.

(3) 반응에 사용되는 Inlet 가스 조건은 NH₃ 열분해 방식 적용 기준으로, NH₃ 2.4%, O₂ 4.0% (N₂ Balance)로 주입되도록 한다.

(4) 반응온도별 측정한 농도를 이용하여 NH₃ 저감효율을 측정하고 발생되는 N₂O 및 NO_x의 농도를 측정한다.

그에 따라, 저감 효율와 발생가스 농도에 대해서 아래 표 1과 더불어서, 표 3a 내지 3e와 같은 결과를 얻었다.

Claims

삭제
삭제
(a) 가열부, (b) 전단에 믹서와 후단에 촉매층 장착부를 내부에 포함하고, 상기 가열부 후단에 위치한 반응부, 및 (c) 상기 가열부와 상기 반응부 사이에 위치한 환원제 투입구를 포함하는 N₂O 제거용 스크러버를 이용한 질소 산화물 저감방법으로서;
(A) 반도체 공정, LED 공정, LCD 공정 중에서 선택된 1종의 전자산업 공정에서 발생된 폐가스 내에 NO_x의 함량을 분석하는 단계,
(B) 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 상기 촉매층 장착부에 환원반응용 촉매층을 장착하고, 폐가스 내 NO_x가 함유되지 않은 경우에는 상기 촉매층 장착부에 분해반응용 촉매층을 장착하는 단계,
(C) 상기 폐가스를 상기 가열부와 상기 반응부를 차례로 통과시키며, 상기 촉매층을 통과하는 폐가스의 온도를 조절하되, 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 350 내지 450 ℃로 조절하고, 폐가스 내 NO_x가 함유되지 않은 경우에는 300 내지 400 ℃로 조절하는 단계를 포함하며;
(D) 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 상기 환원제 투입구를 개방하여 상기 반응부 내로 상기 환원제를 투입하고, 상기 믹서를 가동하여 상기 환원제와 상기 폐가스를 혼합하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 질소 산화물 저감방법.
제3항에 있어서, 상기 환원반응용 촉매는 Fe-제올라이트이고, 상기 분해반응용 촉매는 K/CoCe이며,
상기 믹서는 홀 크기가 7.5 내지 15 mm인 타공판인 것을 특징으로 하는 질소 산화물 저감방법.
제4항에 있어서, 상기 환원제는 암모니아이고, 상기 환원제는 상기 폐가스 내 N₂O와 NO_x 함량의 0.8 내지 1의 몰비로 투입되며,
상기 촉매층을 통과하는 폐가스의 온도는, 폐가스 내 NO_x가 함유된 경우에는 375 내지 400 ℃로 조절되고, 폐가스 내 NO_x가 함유되지 않은 경우에는 325 내지 350 ℃로 조절되는 것을 특징으로 하는 질소 산화물 저감방법.