JP2011520298A - 自動作成マスク及び多重マスク層を利用した単一集積回路層のパターン形成 - Google Patents
自動作成マスク及び多重マスク層を利用した単一集積回路層のパターン形成 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】 図6
Description
T ≦ Bloat/2 ≦ Pmin − Fmin − Tであり、
式中、Tは、マスク不整合公差であり、Pminは、所望レイアウトの最小ピッチであり、Fminは、微小寸法(critical dimension)である。1実施例では、第2のマスク用の設計は、電子設計自動化(EDA)ツール(又はコンピュータ又はプロセッサを使用してランする他のソフトウェア・ツール)を使用して自動的に作成される。
T≦Bloat/2≦Pmin−Fmin−Tであり、
この式中、Tは、マスク不整合公差であり、これは、典型的には、使用される露光ツールによって決定される(例えば、Fminの1/3よりも小さなオーダーで)。便宜なことに、このBloat/2の拡張は、細線図形の所望部分の保護を確実にし、一方、隣接する所望されない細線図形は保護しない。さらに、このBloat/2の拡張は、格段の不整合公差を確保する。その結果形成された拡張図形521、522、523、及び524が、図5D内に示されている。第2のマスクは、第1のマスクを使用してウエハ上にパターン形成された細線図形に対して整合され、それにより、マスク不整合公差Tが最小化されることが好ましいことにご留意願います。そうでなければ、第2のマスクが細線図形下側のウエハ上の図形に整合した場合にTは2倍の大きさになる。
RC/XT製品が含まれる。
各コンピュータプログラムは、高次手続き型又はオブジェクト指向型プログラミング言語で、或いは所望に応じてアセンブリ言語又は機械語で実装することができる。いずれにせよ、その言語は、コンパイラ型言語又はインタープリタ型言語である。適切なプロセッサには、例えば、汎用マイクロプロセッサ及び特定用途向けマイクロプロセッサの両者のほか、他の種類のマイクロコントローラが含まれる。一般的に、プロセッサは、読み出し専用メモリ及び/又はランダムアクセスメモリから命令及びデータを受信する。一般的に、コンピュータは、データファイルの保存用として1つ或いは複数の大容量記憶装置を有しており、その大容量記憶装置には、磁気ディスク(例えば、内蔵されたハードディスク及びリムーバブルディスク)、光磁気ディスク、及び光ディスクが含まれる。コンピュータプログラム命令及びデータを具体的に実施するのに適合する記憶装置には、全ての形態の不揮発性メモリ(例えば、EPROM、EEPROMなどの半導体メモリ装置、及びフラッシュメモリ装置)、磁気ディスク(例えば、内蔵されたハードディスク及びリムーバブルディスク)、光磁気ディスク、及びCD−ROMディスクが含まれる。前述したいずれのものも、特定用途向け集積回路(ASIC)により補足することができる又はそれに組み込むことができる。
202 マスク・ステージ
203 ウエハ・ステージ
204,205,206 図形
207 設計図形
208 マスク図形
209 補正マスク図形
210、211、215、216、217 ウエハ図形
214 位相シフト・マスク図形
300 レイアウト
301 マスク
302 位相シフター
303 並列図形
310 幾何学的標準パターン
311 細線図形
331 フォトレジスト層
331A フォトレジスト
332 犠牲的ハード・マスク層
332A 犠牲的ハード・マスク層
333 IC層
334 第1のハード・マスク層
335 スペーサ
340A 図形
340B 図形
400 マスク層
401 細線図形
402 細線図形
410 領域
411 除去領域
500 レイアウト・パターン
501、502、503、504 レイアウト図形
510、511、512、513 細線図形
521、522、523、524 拡張図形
531、532、534 細線図形
541、542、543、544 粗大図形
700 図形レイアウト
701 細線図形
702 粗大図形
710 レイアウト
720 レイアウト
730 レイアウト
Claims (23)
- 集積回路(IC)の層に回路設計レイアウトを転写する方法であって、
第1のマスク層内に1以上の細線パターンを画定するべく解像度向上技法(RET)を使用する過程であって、第1のマスク層は前記IC層上に形成され、各細線パターンの各図形は細線パターンを画定するのに使用される光の波長未満の寸法を有しており、各細線パターンのピッチは、前記波長以下である、該過程と、
細線パターンを除去し又は細線パターンの除去する部分を指定し且つ第1のマスク層内に画定される細線図形の所望される図形を保護する過程であって、前記細線パターンの除去又は細線パターンの除去する部分の指定は、IC層の所望レイアウトにアクセスし且つ所望レイアウト内の各レイアウト図形を所望レイアウトの微小寸法に沿った方向のみで拡張する、該過程と、
前記第1のマスク層をパターン形成して、これにより、パターン形成された第1のマスク層を形成する過程と、
前記パターン形成された第1のマスク層上に第2のマスク層を形成する過程と、
前記第2のマスク層内の回路設計レイアウトの複数個の粗大図形を画定する過程であって、2つの細線図形を接続するべく少なくとも1つの粗大図形を形成する、該過程と、
前記第2のマスク層をパターン形成する過程と、
前記パターン形成された第1のマスク層及び前記パターン形成された第2のマスク層によって形成された複合マスクを使用して前記IC層をパターン形成する過程とを含むことを特徴とする方法。 - 各レイアウト図形は、量Bloat/2で拡張され、ここで、
T≦Bloat/2≦Pmin−Fmin−Tであり、
式中、Tはマスク不整合公差であり、Pminは前記所望レイアウトの最小ピッチであり、Fminは微小寸法であることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複数個の粗大図形を画定する過程は、
所望のレイアウトにアクセスする過程と、
所望のレイアウト上の細線図形のいずもが消滅するまで縮小操作を実行する過程と、
粗大図形のいずれもが所望のレイアウト上の寸法と実質的に同一の寸法を有するように、縮小されたレイアウトに拡張操作を実行する過程を含み、
前記縮小操作及び拡張操作は、細線図形の微小寸法に直角の方向のみで実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記RETは、位相シフト・マスク(PSM)、干渉リソグラフィー、ナノインプリント・リソグラフィー、及びスペーサ・リソグラフィーの1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のマスク層をパターン形成する過程は、フォトレジスト現像又はフォトレジスト現像とエッチングの組合せの一方を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2のマスク層は、フォトレジスト層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 複数個の粗大図形を画定する過程が、粗大図形マスクを使用して実行され、所定の粗大図形の寸法と形状に依拠して1以上のRETが粗大図形マスクで使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記IC層をパターン形成する過程が、前記IC層のエッチングを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記IC層のパターン形成の後に、少なくとも、前記第1及び第2のマスク層のフォトレジスト層を除去する過程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- フォトレジスト層の除去の後に、前記第1及び第2のマスク層内で使用されるICデバイス製造に不要な他の層を除去する過程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 集積回路(IC)の層をパターン形成するのに使用される多重マスク層をパターン形成するためのリソグラフィー工程に使用されるマスク・セットであって、
第1のマスク層内に細線図形のみを画定するための第1のマスクであって、各細線図形は該細線図形を画定するのに使用される光の波長未満の寸法を有している該第1のマスクと、
細線図形の除去及び除去部分の指定の一方のための第2のマスクであって、この第2のマスクは、膨張図形を含み、各膨張図形は、レイアウト図形の微小寸法に沿った方向のみで拡張した所望レイアウトのレイアウト図形に対応しており、前記所望レイアウト内の少なくとも1つのレイアウト図形は、細線図形と粗大図形を含む、該第2のマスクと、
パターン形成された第1のマスク層上に形成された第2のマスク層内に前記IC層の複数個の粗大図形を画定するための第3のマスクであって、2つの細線図形を接続するべく少なくとも1つの粗大図形が形成された、該第3のマスクとを含むことを特徴とするマスク・セット。 - 各レイアウト図形は、量Bloat/2で拡張され、ここで、
T≦Bloat/2≦Pmin−Fmin−Tであり、
式中、Tはマスク不整合公差であり、Pminは前記所望レイアウトの最小ピッチであり、Fminは微小寸法であることを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記複数個の粗大図形は、縮小/拡張操作を使用して前記所望のレイアウトから得られ、各粗大図形は、前記細線図形の微小寸法に直角の方向のみで縮小/拡張されることを特徴とする請求項11に記載のマスク・セット。
- 前記第1のマスクが、位相シフト領域を含むことを特徴とする請求項11に記載のマスク・セット。
- 所定の粗大図形の寸法及び形状に依拠して、第3のマスクが1以上のRETを使用して作成されることを特徴とする請求項11に記載のマスク・セット。
- 光源とこの光源を使用して多重マスク層をパターン形成するためのマスク・セットを含む、集積回路(IC)層をパターン形成するためのリソグラフィー装置であって、
前記マスク・セットが、
第1のマスク層内に細線図形のみを画定するための第1のマスクであって、各細線図形は光の波長未満の寸法を有しており、細線図形のセットを含む細線パターンのピッチは波長以下である、該第1のマスクと、
細線図形の除去及び除去部分の指定の一方のための第2のマスクであって、この第2のマスクは、膨張図形を含み、各膨張図形は、レイアウト図形の微小寸法に沿った方向のみで拡張した所望レイアウトのレイアウト図形に対応しており、前記所望レイアウト内の少なくとも1つのレイアウト図形は、細線図形と粗大図形を含む、該第2のマスクと、
パターン形成された第1のマスク層上に形成された第2のマスク層内に前記IC層の複数個の粗大図形を画定するための第3のマスクであって、2つの細線図形を接続するべく少なくとも1つの粗大図形が画定された、該第3のマスクとを含むことを特徴とする装置。 - 各レイアウト図形は、量Bloat/2で拡張され、ここで、
T≦Bloat/2≦Pmin−Fmin−Tであり、
式中、Tはマスク不整合公差であり、Pminは前記所望レイアウトの最小ピッチであり、Fminは微小寸法であることを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記複数個の粗大図形は、縮小/拡張操作を使用して所望のレイアウトから得られ、各粗大図形は、前記細線図形の微小寸法に直角の方向のみで縮小/拡張されることを特徴とする請求項16に記載のマスク・セット。
- 前記第1のマスクが、位相シフト領域を含むことを特徴とする請求項16に記載のマスク・セット。
- 所定の粗大図形の寸法及び形状に依拠して、前記第3のマスクが1以上のRETを使用して作成されることを特徴とする請求項16に記載のマスク・セット。
- 集積回路(IC)の層をパターン形成するに使用される多重マスク層をパターン形成するリソグラフィー工程に使用されるマスク・セットであって、
第1のマスク層内に画定される細線図形の除去及び除去部分の指定の一方を行うための第1のマスクであって、この第1のマスクは、膨張図形を含み、各膨張図形は、所望レイアウトの微小寸法に沿った方向のみに拡張した所望レイアウトのレイアウト図形に対応している、該第1のマスクと、
パターン形成された第1のマスク層上に形成された第2のマスク層内に回路設計の複数個の粗大図形を画定するための第2のマスクとを含み、
前記パターン形成された第1のマスク層は、第1のマスクを使用した第1のマスク層の露光によって少なくとも部分的に生成され、2つの細線図形を接続するべく少なくとも1つの粗大図形が画定されることを特徴とするマスク・セット。 - 各レイアウト図形は、量Bloat/2で拡張され、ここで、
T≦Bloat/2≦Pmin−Fmin−Tであり、
式中、Tはマスク不整合公差であり、Pminは前記所望レイアウトの最小ピッチであり、Fminは微小寸法であることを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 前記複数個の粗大図形は、縮小/拡張操作を使用して前記所望レイアウトから得られ、各粗大図形は、前記細線図形の微小寸法に直角の方向のみに縮小/拡張されることを特徴とする請求項21に記載のマスク・セット。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010266643A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sony Corp | マスクパターンの設計方法、マスクセットの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8448120B2 (en) * | 2011-05-09 | 2013-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RC extraction for single patterning spacer technique |
US8997026B1 (en) * | 2012-05-11 | 2015-03-31 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for self alignment of pad mask |
US9240321B2 (en) * | 2013-08-05 | 2016-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask having separated line patterns connected by a connecting pattern |
KR102163187B1 (ko) * | 2013-10-21 | 2020-10-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 및 이를 구현하기 위한 컴퓨팅 시스템 |
US9761450B1 (en) * | 2016-09-26 | 2017-09-12 | International Business Machines Corporation | Forming a fin cut in a hardmask |
CN117406544A (zh) * | 2016-10-24 | 2024-01-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于优化图案化装置图案的方法 |
CN107039298B (zh) * | 2016-11-04 | 2019-12-24 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备 |
EP3588190A1 (en) * | 2018-06-25 | 2020-01-01 | ASML Netherlands B.V. | Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses |
CN113939897A (zh) * | 2019-06-05 | 2022-01-14 | 维耶尔公司 | 垂直固态器件的图案化技术 |
CN113985526B (zh) * | 2021-10-26 | 2023-07-21 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 | 一种基于套刻的铌酸锂薄膜波导微环制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07226362A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Ricoh Co Ltd | フォトレジストパターン形成方法 |
JP2000138159A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Canon Inc | マスクパターン作成方法および装置 |
JP2001042545A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007123342A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法。 |
JP2007243177A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層プロセス |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6297110B1 (en) * | 1994-07-29 | 2001-10-02 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of forming a contact in an integrated circuit |
SG137657A1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-12-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
US20050073671A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Intel Corporation | Composite optical lithography method for patterning lines of substantially equal width |
US7253118B2 (en) * | 2005-03-15 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Pitch reduced patterns relative to photolithography features |
US7816262B2 (en) * | 2005-08-30 | 2010-10-19 | Micron Technology, Inc. | Method and algorithm for random half pitched interconnect layout with constant spacing |
US7572572B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-08-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming arrays of small, closely spaced features |
US7488685B2 (en) * | 2006-04-25 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays |
US7560201B2 (en) | 2006-05-24 | 2009-07-14 | Synopsys, Inc. | Patterning a single integrated circuit layer using multiple masks and multiple masking layers |
US8018070B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-09-13 | Qimonda Ag | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor devices and mask systems used in the manufacturing of semiconductor devices |
US7759242B2 (en) * | 2007-08-22 | 2010-07-20 | Qimonda Ag | Method of fabricating an integrated circuit |
US8399183B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-03-19 | Synopsys, Inc. | Patterning a single integrated circuit layer using automatically-generated masks and multiple masking layers |
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-
2013
- 2013-02-25 US US13/776,634 patent/US8592109B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07226362A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Ricoh Co Ltd | フォトレジストパターン形成方法 |
JP2000138159A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Canon Inc | マスクパターン作成方法および装置 |
JP2001042545A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007123342A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法。 |
JP2007243177A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層プロセス |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010266643A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sony Corp | マスクパターンの設計方法、マスクセットの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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