JP2011518951A5 - - Google Patents
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Claims (34)
- 複数の堆積サイクルを含む、反応チャンバーの中で基体上にTeまたはSeを含有する薄膜を形成するための原子層堆積(ALD)方法であって、各サイクルは、
第1の気相反応物質のパルスを前記反応チャンバーに提供して、前記基体上に前記第1の反応物質のわずかに約1単分子層を形成する工程と、
過剰の第1の反応物質を前記反応チャンバーから除去する工程と、
第2の気相TeまたはSe反応物質のパルスを前記反応チャンバーに提供して、その結果、前記第2の気相反応物質は前記基体上で前記第1の反応物質と反応して、TeまたはSeを含有する薄膜を形成する工程であって、前記TeまたはSe反応物質は2つのSi原子に結合している工程と、
過剰の第2の反応物質および(もしあるなら)反応副生成物を前記反応チャンバーから除去する工程と
を含む、方法。 - 前記TeまたはSe反応物質はTe(SiR 1 R 2 R 3 ) 2 またはSe(SiR 1 R 2 R 3 ) 2 (式中、R 1 、R 2 、およびR 3 は1以上の炭素原子を有するアルキル基である)である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の気相反応物質は、Te(SiR 1 R 2 R 3 ) 2 またはSe(SiR 1 R 2 R 3 ) 2 (式中、R 1 、R 2 、およびR 3 は1以上の炭素原子を有するアルキル基である)ではない、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の気相反応物質は、R 1 R 2 R 3 Si−Si−A−Si−SiR 4 R 5 R 6 、R 1 R 2 N−Si−A−Si−NR 3 R 4 、またはR 1 −O−Si−A−Si−O−R 2 (式中、AはTeまたはSeであり、R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 およびR 6 は、アルキル、水素、アルケニル、アルキニル、またはアリール基からなる群から選択される)の式を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の気相反応物質は複数のTe原子または複数のSe原子を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の気相反応物質は、TeまたはSe原子および複数のSi原子を含む環または環状構造を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記TeまたはSe反応物質の中のTeまたはSeは水素原子に結合していない、請求項1に記載の方法。
- 前記TeまたはSe反応物質は、Te(SiEt 3 ) 2、 Te(SiMe 3 ) 2 、Se(SiEt 3 ) 2 、またはSe(SiMe 3 ) 2 である、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はSbを含み、前記第2の気相反応物質はTeを含み、これによりSb−Te堆積サイクルにおいてSb−Teを含む薄膜が堆積される、請求項2に記載の方法。
- 前記堆積温度は約80℃未満である、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はSbCl 3 である、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質パルスはGeを含み、堆積された薄膜はGe−Teを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はGeBr 2 またはGeCl 2 −C 4 H 8 O 2 である、請求項12に記載の方法。
- 複数のGe−Te堆積サイクルをさらに含み、前記Ge−Te堆積サイクルは、
Ge前駆体を含む第1の気相反応物質パルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、前記基体上に前記Ge前駆体のわずかに約1単分子層を形成する工程と、
過剰の第1の反応物質を前記反応チャンバーから除去する工程と、
Te前駆体を含む第2の気相反応物質パルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、その結果、前記Te前駆体は前記基体上で前記Ge前駆体と反応する工程であって、前記Te前駆体は式Te(SiR1R2R3)2(式中、R1、R2、およびR3はアルキル基である)を有する工程と、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記Ge−Te堆積サイクルおよびSb−Te堆積サイクルは約1:1の比で実施される、請求項14に記載の方法。
- 前記Ge前駆体はGeX2(式中、Xはハロゲンである)またはGeCl2−C4H8O2を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はBiX3(式中、Xはハロゲンである)である、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はZnX2(式中、Xはハロゲンである)である、請求項2に記載の方法。
- 堆積された膜は相変化メモリを構成する、請求項2に記載の方法。
- 堆積された膜は、Sb−Te、Ge−Te、Ge−Sb−Te、Bi−Te、Zn−Te、Cu−Sb、Sb−Se、Ge−Se、Ge−Sb−Se、Cu−Se、Bi−Se、またはZn−Seのうちの1以上を含む、請求項2に記載の方法。
- 堆積された膜はGe−Sb−Teを含む、請求項2に記載の方法。
- 堆積された薄膜は、O、N、Si、S、In、Ag、Sn、Au、As、Bi、Zn、Se、Te、Ge、Sb、およびMnから選択される1以上のドーパントでドーピングされたSb−Te、Ge−Te、Ge−Sb−Te、Bi−Te、またはZn−Teのうちの1以上を含む、請求項2に記載の方法。
- 堆積された膜は太陽電池吸収体を構成する、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はBiを含み、前記第2の気相反応物質はSeを含み、これによりBi−Se堆積サイクルにおいてBi−Seを含む薄膜が堆積される、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はBiX3(式中、Xはハロゲンである)である、請求項24に記載の方法。
- 前記第1の気相反応物質はCuを含み、堆積された膜はCu−Seを含む、請求項2に記載の方法。
- 複数のIn−Se堆積サイクルをさらに含み、前記In−Se堆積サイクルは、
In前駆体を含む第1の気相反応物質パルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、前記基体上に前記In前駆体のわずかに約1単分子層を形成する工程と、
過剰の第1の反応物質を前記反応チャンバーから除去する工程と、
Se前駆体を含む第2の気相反応物質パルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、その結果、前記Se前駆体は前記基体上で前記In前駆体と反応する工程であって、前記Se前駆体は、式Se(SiR1R2R3)2(式中、R1、R2、およびR3はアルキル基である)を有する工程と、
を含む、請求項26に記載の方法。 - 前記In−Se堆積サイクルおよびCu−Se堆積サイクルは約1:1の比で実施される、請求項27に記載の方法。
- 複数の堆積サイクルを含む、反応チャンバーの中で基体上にSb含有薄膜を形成するための原子層堆積(ALD)方法であって、各サイクルは、
第1の気相Sb反応物質のパルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、前記基体上に前記Sb反応物質のわずかに約1単分子層を形成する工程であって、前記Sb反応物質はSbX3(式中、Xはハロゲンである)を含む工程と、
過剰の第1の反応物質を前記反応チャンバーから除去する工程と、
第2の気相反応物質のパルスを前記反応チャンバーに提供して、その結果、前記第2の気相反応物質は前記基体上で前記Sb反応物質と反応して、Sb含有薄膜を形成する工程と、
過剰の第2の反応物質および(もしあるなら)反応副生成物を前記反応チャンバーから除去する工程と、
を含む方法。 - 反応チャンバーの中で基体上にGe含有薄膜を形成するための方法であって、
Ge前駆体を含む第1の気相反応物質パルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、前記基体上に前記Ge前駆体のわずかに約1単分子層を形成する工程であって、前記Ge前駆体は、GeX2(式中、Xはハロゲン化物(F、Cl、BrまたはI)である)の式を有する工程と、
過剰の第1の反応物質を前記反応チャンバーから除去する工程と、
第2の気相反応物質パルスを前記反応チャンバーの中へと提供して、その結果、前記第2の気相反応物質は前記基体上で前記Ge前駆体と反応する工程と、
過剰の第2の反応物質および(もしあるなら)反応副生成物を前記反応チャンバーから除去する工程と、
所望の厚さの膜が形成されるまで前記提供する工程および除去する工程を繰り返す工程と、
を含む方法。 - TeまたはSe前駆体を製造するための方法であって、
IA族金属をTeまたはSeを含む化合物と反応させることにより、第1の生成物を形成する工程と、
その後、ハロゲン原子に結合されたケイ素原子を含む第2の反応物質を加え、これにより2つのケイ素原子に結合したTeまたはSeを含む化合物を形成する工程と、
を含む方法。 - 第1の生成物を形成する工程は、溶媒としてTHFを、触媒としてナフタレンを使用することを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記第2の反応物質はR1R2R3SiX(式中、R1、R2およびR3は1以上の炭素原子を有するアルキル基である)を含む、請求項31に記載の方法。
- 前記IA族金属はLiである、請求項31に記載の方法。
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