JP2011517074A - マイクロリソグラフィ投影露光用の装置および基板の表面を検査するための装置 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影露光用の装置および基板の表面を検査するための装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
11 マスクテーブル
12 照明システム
13 露光光線
14 マスク
14a 表面
15 結像光線
16 マスクパターン
17 基準軸線
17a 結像方向
18 光学系
19 基板平面
20 基板
20a 基板テーブル
21 基板表面
22−1〜22−6 反射光学素子
23 縁部領域
24 結像光路
25 結像光線の個別光線
26 開口部
27 光学面
28 第1瞳平面
29 遮光膜
30 第2瞳平面
32 測定光線源
34 測定光線
36 測定光路
38 第1偏向ミラー
40 第2偏向ミラー
42 検出器システム
43 露光領域
44 スリット状の露光面
45 評価手段
46 先行する部分
48 後続する部分
50 基板のスキャン方向
52 露光面の効果的なスキャン方向
110 検査装置
113 照明光線
154 検出手段
156 検出平面
158 検出面
Claims (55)
- マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)において、
結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することにより基板(20)の表面(21)に前記マスクパターン(16)を結像するための光学系(18)であって、EUV波長領域および/または高周波数波長領域で作動するように構成された光学系と、
測定光線(34)を案内するための測定光路(36)であって、前記光学系(18)の少なくとも2つの光学素子(22)が前記測定光路(36)に含まれ、前記光学系(18)が、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)によって部分的にのみ照射されるように、前記光学系(18)の内部に延在する測定光路(36)と備えることを特徴とする装置(10)。 - 基板(20)の表面を検査するための装置(110)において、
結像光線(15)によって検出平面に前記基板(20)の検査すべき表面(21)の少なくとも一部を結像するための光学系(18)であって、EUV波長領域および/または高周波数波長領域で作動するように構成された光学系と、
測定光線(34)を案内するための測定光路(46)であって、前記装置(10)の作動時に前記光学系(18)が前記測定光線(34)によって部分的にのみ照射されるように前記光学系(18)の内部に延在する測定光路(46)とを備えることを特徴とする装置。 - 請求項2に記載の装置において、
顕微鏡として構成されている装置。 - 請求項2に記載の装置において、
マイクロリソグラフィ投影露光用の装置によって露光された基板を検査するための光学検査システムとして構成されている装置。 - 請求項2に記載の装置において、
マイクロリソグラフィ用のマスク(14)を検査するための光学検査システムとして構成されている装置。 - 請求項1から5までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光線(34)を前記光学系(18)に結合するために設けられた光学的な結合素子(38)をさらに備える装置。 - 請求項1から6までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)から前記測定光線(34)を分離するための光学的な分離素子(40)をさらに備える装置。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)が少なくとも1つの反射光学素子(22)を備え、前記測定光路(34)が、前記装置(10)の作動時に少なくとも1つの反射光学素子(22−6;22−3,22−4,22−5,22−6)で前記測定光線(34)が反射されるように前記光学系(18)の内部に延在している装置。 - 請求項1から8までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)が少なくとも1つの反射光学素子(22)を備え、前記測定光路(34)が、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)が少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)における開口(26)を通過するように前記光学系(18)の内部に延在している装置。 - 請求項1から9までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)が、反射光学系として構成されている装置。 - 請求項1から10までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光線(34)から、前記装置(110)と前記基板(20)とを備えるシステムの特性を決定するように構成された評価手段をさらに備える装置。 - 請求項1から11までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記装置(10;110)の作動時に、前記測定光路(36)を案内される前記測定光線(34)によって前記基板表面(21)の少なくとも1点をその位置に関して測定するように構成されている装置。 - 請求項12に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記装置(10;110)の作動時に、前記測定光線(34)によって、前記光学系(18)の結像方向(17a)における位置に関して、前記基板表面(21)の少なくとも1点を測定するように構成されている装置。 - 請求項12または13に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記装置(10;110)の作動時に、前記測定光路(36)を案内される測定光線(34)によって、前記光学系(18)の前記結像方向(17a)に対して横方向の位置に関して、前記基板表面(21)の少なくとも1点を測定するように構成されている装置。 - 請求項14に記載の装置において、
マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)として構成されており、前記結像方向(17a)に対して横方向に変位可能な基板テーブル(20a)と、制御手段とを備え、該制御手段が、前記装置(10)の作動時に前記基板表面(21)の少なくとも1点が2つの異なる時点で前記結像方向(17a)に対して横方向の位置に関して測定されるように前記装置(10)を制御するように構成されており、該装置(10)が、これにより、前記基板テーブル(20a)の側方変位速度を決定するように設定されている装置。 - 請求項1から15までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記装置(10;110)の作動時に前記測定光線(34)が前記基板(20)の表面(21)で反射されるように構成されている装置。 - 請求項16に記載の装置において、
少なくとも2つの異なる波長を有する前記測定光線(34)を生成する測定光線源(32)と、波長を分解する光線検出器(42)とを備え、該光線検出器が、前記基板(20)における反射後に前記測定光線(34)のそれぞれの強度を少なくとも2つの異なる波長それぞれについて測定し、これにより、前記基板表面(21)の温度を決定するように構成されている装置。 - 請求項1から17までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記装置(10)の作動時に前記光学系(18)への結合と前記光学系(18)からの分離との間に前記基板(20)の前記表面(21)または前記マスク(14)の表面(14a)で前記測定光線(34)が反射されるように構成されている装置。 - 請求項1または請求項6から18までのいずれか一項に記載の装置において、
結像すべき前記マスクパターン(16)が前記マスク(14)に配置されており、前記測定光路(36)が、前記装置(10)の作動時に前記マスク(14)における前記光学系(18)に向いた前記表面(14a)で前記測定光線(34)が反射されるように構成されている装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記結像方向(17a)に対して横方向に変位可能なマスクテーブル(11)と、制御手段とを備え、該制御手段が、前記マイクロリソグラフィ投影用の露光装置(10)を制御し、該装置(10)の作動時に、前記基板表面(21)における少なくとも1点が2つの異なる時点で前記結像方向(17a)に対して横方向の位置に関して測定されるように構成されており、前記装置(10)が、これにより、前記マスクテーブル(11)の側方変位速度を決定するように設定されている装置。 - 請求項19または20に記載の装置において、
少なくとも2つの異なる波長を有する前記測定光線(34)を生成する測定光線源(32)と、波長を分解する光線検出器(42)とを備え、該光線検出器が、マスク表面(14a)における反射後に前記測定光線(34)のそれぞれの強度を少なくとも2つの異なる波長それぞれについて測定し、これにより、前記基板表面(21)の温度を決定するように構成されている装置。 - 請求項1から21までのいずれか一項に記載の装置において、
前記装置(10;110)の作動時に前記光学系(18)を通過した際の前記測定光線(34)の強度低下を検出し、これにより、前記光学系(18)に含まれるガスの濃度を決定するように構成されている装置。 - 請求項1から22までのいずれか一項に記載の装置において、
該装置(10)の作動時に前記基板(20)が配置される基板平面(19)をさらに備え、前記測定光路(36)が、該測定光線(34)が前記基板平面(19)に集束されるように構成されている装置。 - 請求項1から23までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)の瞳平面(28)に遮光膜(29)が配置されている装置。 - 請求項24に記載の装置において、
少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)が開口部(26)を備え、該開口部(26)を備える前記反射光学素子(22−5,22−6)が、結像光線(15)の光路(24)で前記遮光膜(29)に関して下流側に配置されており、前記開口部(26)が、前記反射光学素子(22−5,22−6)における、前記遮光膜(29)によって前記結像光線(15)に関して少なくとも部分的に遮光された領域に配置されている装置。 - 請求項1から25までのいずれか一項に記載の装置において、
第1の前記瞳平面(28)に前記遮光膜(29)が配置されており、前記光学系(18)が、前記結像光線(15)の前記光路(24)で遮光膜に関して下流側に配置され、かつ前記遮光膜(29)により部分的に遮光された別の瞳平面(30)を有し、前記測定光路(36)は、少なくとも一回、遮光された領域で少なくとも部分的に前記別の瞳平面(30)を通って延在している装置。 - 請求項1から26までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記光学系(18)の前記瞳平面(30)を少なくとも1回通って延在する装置。 - 請求項8から27までのいずれか一項に記載の装置において、
少なくとも1つの前記反射光学素子(22−5,22−6)が前記開口部(26)を備え、前記測定光路(36)が前記開口部(26)を通って延在しており、該開口部(26)が、少なくとも1つの前記反射光学素子(22−5,22−6)の中央領域に配置されている装置。 - 請求項1から28までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)が、少なくとも2つの前記反射光学素子(22−5,22−6)を備え、該反射光学素子(22−5,22−6)が、それぞれの開口(26)を備え、前記測定光路(36)が前記2つの開口(26)を通って延在する装置。 - 請求項8から29までのいずれか一項に記載の装置において、
少なくとも1つの反射光学素子(22−5)が前記開口部(26)を備え、前記測定光路(36)が、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)が前記開口部(26)を通過し、前記光学系(18)における少なくとも1つの別の反射光学素子(22−6)で反射されるように構成されている装置。 - 請求項8から30までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)が少なくとも1つの前記反射光学素子(22−6)で反射されるように構成されており、該反射光学素子(22−6)が、前記結像光線(15)の前記光路(24)の外部に配置された縁部領域(23)を備え、前記測定光路(36)が、前記測定光線(34)が前記縁部領域(23)で反射されるように構成されている装置。 - 請求項8から31までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、前記測定光線(34)が少なくとも1つの前記反射光学素子(22−6;22−3,22−4,22−5,22−6)で2回反射されるように構成されている装置。 - 請求項1から23までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)が複数の前記光学素子(22)を備え、前記測定光路(36)が、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)が、少なくとも2個、好適には4個の前記反射光学素子(22)で反射されるように構成されている装置。 - 請求項1から33までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)におけるいずれの反射光学素子(22)も、光学面の光学的に使用される領域に前記開口部(26)を備えないものである装置。 - 請求項1から34までのいずれか一項に記載の装置において、
前記測定光路(36)が、該測定光路を案内された前記測定光線(34)によって前記基板(20)の前記表面(21)における少なくとも2点の相対位置が測定可能となるように構成されている装置。 - 請求項1または請求項6から35までのいずれか一項に記載の装置において、
該装置(10)の作動時に所定の時点で前記基板表面(21)における限定された面(44)が前記結像光線(15)によって露光され、前記測定光路(36)が、前記基板表面(21)の露光時点で前記測定光線(34)が露光される面(44)に向けられるように構成されている装置。 - 請求項1または請求項6から36までのいずれか一項に記載に記載の装置において、
スキャナーとして構成されており、作動時に前記基板表面(21)におけるスリット状の面(44)が前記結像光線(15)の露光光線によって露光され、前記基板(20)が、該基板における露光された前記面(44)が変位されるように露光光線に対して相対移動され、前記測定光路(36)が、露光動作時に露光される前記面(44)に先行および/または後続する前記基板(20)の部分(46,48)に測定光線(34)が向けられるように構成されている装置。 - 請求項1または請求項6から37までのいずれか一項に記載に記載の装置において、
前記基板表面(21)へのマスクパターンの結像を行うと同時に、前記基板表面(21)における少なくとも1点の位置を決定するように構成されている装置。 - マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)において、
結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することにより基板(20)の表面(21)に前記スクパターン(16)を結像するための光学系(18)であって、少なくとも1つの反射光学素子(22)を備える光学系と、
測定光線(34)を案内するための測定光路(36)であって、前記装置(10)の作動時に少なくとも1つの反射光学素子(22−3,22−4,22−5,22−6)で前記測定光線(34)が反射されるように構成されている測定光路とを備えることを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光用の装置。 - マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)において、
結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することによって基板(20)の表面(21)に前記マスクパターン(16)を結像するための光学系(18)であって、少なくとも1つの反射光学素子(22)を備える光学系と、
測定光線(34)を案内するための測定光路(36)であって、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)が少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)における開口を通過し、さらに前記基板(20)の表面(21)で反射されるように、特に部分的に前記光学系(18)の内部に延在する測定光路(36)とを備えることを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光用の装置。 - 基板(20)の表面を検査するための装置(110)において、
結像光線(15)によって検出平面(156)に前記基板(20)の検査すべき表面(21)の少なくとも一部を結像するための光学系(18)であって、少なくとも1つの反射光学素子(22)を備える光学系と、
測定光線(34)を案内するための測定光路(36)であって、前記装置(10)の作動時に少なくとも1つの反射光学素子(22−6)で反射されるように、または少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)における開口(26)を通過するように、前記光学系(18)の内部に延在する測定光路とを備えることを特徴とする装置。 - 請求項39から41までのいずれか一項に記載の装置において、
前記光学系(18)が、少なくとも1つの反射光学素子(22−6;22−3,22−4,22−5,22−6)の他に、少なくとも1つの屈折性または回折性の光学素子を備える反射屈折系として構成されている装置。 - 請求項39から42までのいずれか一項に記載の装置において、
請求項1または請求項6から38までのいずれか一項に記載の少なくとも1つの特徴を備える装置。 - 請求項1または請求項6から43までのいずれか一項に記載の装置において、
マイクロフィリソグラフィ用投影露光装置として構成された装置。 - マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)と、該装置(10)の露光位置に配置された基板(20)とを備えるシステムの特性を決定するための方法において、
前記装置(10)が、EUV波長領域および/または高周波数波長領域の結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することにより前記基板(20)の表面(21)に前記マスクパターン(16)を結像するための光学系(18)を備え、前記方法が、
前記光学系(18)の少なくとも2つの光学素子(22)が測定光路(36)に含まれ、前記光学系(18)が測定光線(34)によって部分的にのみ照射されるように、前記光学系(18)の内部で前記測定光線(34)を案内するステップと、
該測定光線(34)から前記システムの特性を決定するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 検査装置(110)と、該検査装置における検査位置に配置された基板(20)とを備えるシステムの特性を決定するための方法において、
前記検査装置(110)が、検出平面(156)に前記基板(20)の検査すべき表面(21)の少なくとも一部をEUV波長領域および/または高周波数波長領域の結像光線(15)によって結像するための光学系(18)を備え、前記方法が、
前記光学系(18)が前記測定光線(34)によって部分的にのみ照射されるように前記光学系(18)の内部で前記測定光線(34)を案内するステップと、
前記測定光線(34)から前記システムの特性を決定するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 請求項45または46に記載の方法において、
前記基板(20)の表面(21)における少なくとも1点で前記測定光線(34)を反射するステップと、
反射された前記測定光線(34)から前記基板表面(21)における少なくとも1点の位置を決定するステップとを含む方法。 - 請求項47に記載の方法において、
前記光学系(18)の結像方向(17a)に関して前記基板表面(21)における少なくとも1点の位置を決定する方法。 - 請求項45から48までのいずれか一項に記載の方法において、
光学的な結合素子(38)によって、前記測定光線(34)を前記光学系(18)に結合する方法。 - 請求項45から49までのいずれか一項に記載の方法において、
分離素子(40)によって、前記光学系(18)から前記測定光線(34)を分離する方法。 - 請求項45から50までのいずれか一項に記載の方法において、
前記基板(20)の前記表面(21)における少なくとも2点で前記測定光線(34)を反射し、反射された前記測定光線(34)から、前記基板(20)の前記表面(21)における少なくとも一部のトポグラフィーを決定する方法。 - 請求項45または請求項47から51までのいずれか一項に記載の方法において、
前記基板表面(21)への前記マスクパターン(16)の結像を行うと同時に、前記システムの特性を決定する方法。 - マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)と、該装置(10)の露光位置に配置された基板(20)とを備えるシステムの特性を決定するための方法において、
前記装置(10)が、結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することにより前記基板(20)の表面(21)に前記マスクパターン(16)を結像するための光学系(18)であって、少なくとも1つの反射光学素子(22)を備える光学系(18)を備え、上記方法が、
測定光線(34)が少なくとも1つの反射光学素子(22−6;22−3,22−4,22−5,22−6)で反射されるように、または少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)における開口(26)を通過するように、前記光学系(18)の内部で前記測定光線(34)を案内するステップと、
前記基板(20)の前記表面(21)で前記測定光線(34)を反射するステップと、
反射された前記測定光線(34)から前記システムの特性を決定するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 検査装置(10)と、該検査装置(10)の検査位置に配置された基板(20)とを備えるシステムの特性を決定するための方法において、
前記装置(10)が、結像光線(15)によって前記基板(20)の検査すべき表面(21)の少なくとも一部を結像するための光学系(18)であって、少なくとも1つの反射光学素子(22)を備える光学系(18)を備え、前記方法が、
測定光線(34)が少なくとも1つの反射光学素子(22−6;22−3,22−4,22−5,22−6)で反射されるように、または少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)における開口(26)を通過するように、前記光学系(18)の内部で前記測定光線(34)を案内するステップと、
前記基板(20)の表面(21)で前記測定光線(34)を反射するステップと、
反射された前記測定光線(34)から前記システムの特性を決定するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 請求項45から54までのいずれか一項に記載の方法において、
請求項1から44までのいずれか一項に記載の装置(10)によって構成する方法。
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