JP2011513174A - ガラスエンベロープの封止法 - Google Patents
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Abstract
Description
閉じた経路を、レーザービームでトラバースして、第1及び第2のガラスプレートの間に配置されたフリットを加熱する工程を含んでなり、第1及び第2のガラスプレートが、フリットの熱膨張係数と実質的に異なる熱膨張係数を有することを特徴とする、該方法が記載される。この方法はさらに;
a)位置Aにおける第1の出力から、トラバースの方向を基準として位置Aから下流の位置Bにおける第2の出力まで、レーザービームの出力を増大すること;
b)ビームが、位置Aを通過して、トラバースの方向を基準として位置Bから予め決められた距離を過ぎた位置Cに達するまで、レーザービームを第2の出力に維持すること;
c)位置Cから、ビームが、トラバースの方向を基準としてCから予め決められた距離を過ぎた位置Dにおける第3の出力に達するまで、レーザービームの出力を低減すること;を含んでなり、かつ
これにおいて、加熱することでフリットを溶解し、かつガラスアセンブリを封止して、ガラスエンベロープを形成する。
レーザートラバース速度が、2mm/s(10W)から、10mm/s(20W)まで、レーザービーム出力が30Wのときは20mm/sまで増大するとき、
・ 底部ガラス基板における応力は、20MPaから26MPaまで、29MPaまで増大する。
レーザートラバース速度が、2mm/s(10W)から、10mm/s(20W)まで、再度、レーザービーム出力が30Wのときは20mm/sまで増大するとき、
・ 底部ガラス基板における応力は、19から、22、23MPaまで増大する。
レーザー速度が、2mm/s(10W)から、10mm/s(20W)、再度、レーザービーム出力が30Wのときは20mm/sまで増大するとき、
・ 底部ガラス基板における応力は、51から、59、60MPaまで増大する。
・ 底部ガラス基板では、60MPaから、52MPaまで低減する。
Claims (10)
- 電子又は光電子デバイス用のガラスエンベロープを形成する方法であって:
第1及び第2のガラスプレートを含んでなるガラスアセンブリの表面上の閉じた経路を、レーザービームでトラバースして、前記第1及び第2のガラスプレートの間に配置されたフリットを加熱する工程であって、前記第1及び第2のガラスプレートが、約40×10−7/℃以上の熱膨張係数を有しており、前記フリットが、約40×10−7/℃以下の熱膨張係数を有している工程;
を有してなり、該トラバースする工程がさらに;
a)位置Aにおける第1の出力から、トラバースの方向を基準として位置Aから下流の位置Bにおける第2の出力まで、前記レーザービームの出力を増大すること;
b)前記ビームが、位置Aを通過して、トラバースの方向を基準として位置Bから予め決められた距離を過ぎた位置Cに達するまで、前記レーザービームを第2の出力に維持すること;
c)位置Cから、前記ビームが、トラバースの方向を基準としてCから予め決められた距離を過ぎた位置Dにおける第3の出力に達するまで、前記レーザービームの出力を低減すること;
を含んでなり、かつ
これにおいて、加熱することで前記フリットを溶解し、かつ前記ガラスアセンブリを封止して、ガラスエンベロープを形成することを特徴とする前記方法。 - 前記閉じた経路が多角形を形成し、かつA、B、及びCが、前記多角形の第1の辺上に位置していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2のガラスプレートのCTEが、約50×10−7/℃以上であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2のガラスプレートのCTEが、約70×10−7/℃ないし90×10−7/℃であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記レーザービームの速度が、前記ビームが前記多角形の前記第1の辺をトラバースしている間は、前記多角形の別の辺をトラバースするときよりも低いことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記アセンブリの平均温度が、シーリングプロセスの間に周辺温度を超える温度に高められ、かつ高められた平均温度が、前記レーザービーム以外の熱源によって引き起こされることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 高められたアセンブリ温度が、約65℃ないし85℃であることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第1及び第2の基板の間に、環境感受性材料を配置することを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記環境感受性材料が有機材料であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記電子又は光電子デバイスが、OLEDデバイス又は光起電性デバイスであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
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