JP2011511995A - メモリ装置およびメモリ熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的は、非揮発性メモリ装置の使用期限を増加させることができる装置および方法を提供することにある。
本発明は、非揮発性メモリ装置の使用期限を増加させることができる装置および方法を提供することができる。
メモリセル周辺に適切な熱が加えられれば、フローティングゲート周辺の絶縁体に対する物理的なダメージを回復できることが知られている。
図1を参照すれば、メモリ装置100は、非揮発性メモリ装置110、4個の加熱装置121〜124および制御部130を含む。
加熱装置1(121)は非揮発性メモリ装置110内のブロック1(111)と接触してブロック1(111)を加熱し、加熱装置2(122)は非揮発性メモリ装置110内のブロック2(112)と接触してブロック2(112)を加熱する。加熱装置3(123)は非揮発性メモリ装置110内のブロック3(113)と接触してブロック3(113)を加熱し、加熱装置4(124)は非揮発性メモリ装置110内のブロック4(114)と接触してブロック4(114)を加熱する。
非揮発性メモリ装置110がブロック111〜114にデータを格納する過程をプログラム動作と呼ぶこともある。プログラム動作は、ブロック111〜114のメモリセルの閾値電圧(threshold voltage)を変化させる動作であってもよい。プログラム動作はメモリセルの浮遊ゲート(Floating Gate、FG)に電荷を充電させたりFGから電荷を放電(discharge)させる動作であり、消去動作はプログラム動作と反対にメモリセルのFGから電荷を放電させたりFGに電荷を充電する動作であってもよい。
図1の実施形態では、各加熱装置が各ブロックと接触し、接触した各ブロックを加熱するものと記述したが、実施形態によっては、各加熱装置は各ページと接触し、接触した各ページを加熱するように構成することもできる。
制御部130は、ブロック1(111)が消去された回数を格納し、ブロック1(111)が消去される時ごとに格納された回数を増加させてもよい。ブロック1(111)が消去された回数が基準値より大きければ、制御部130は加熱装置1(121)がブロック1(111)を加熱するように加熱装置1(121)を制御してもよい。
実施形態によっては、加熱装置4(124)は温水などの流体を供給する装置であってもよい。
図2を参照すれば、横軸はメモリセルの閾値電圧を示し、縦軸は該当閾値電圧を有するメモリセルの数を示す。
閾値電圧状態211は、データ「11」に対応する。
閾値電圧状態212は、プログラムされた直後のデータ「10」に対応する。
閾値電圧状態213は、プログラムされた直後のデータ「00」に対応する。
閾値電圧状態214は、プログラムされた直後のデータ「01」に対応する。
消去された回数が基準値以上である場合の非揮発性メモリ装置のメモリセルは、劣化したデータ維持特性(data retention characteristic)を有してもよい。メモリセルのFG周辺の絶縁体層に形成された電荷漏洩経路によってFGに充電された電荷が時間の経過に伴って放電する可能性がある。
閾値電圧状態221は、十分な時間が経過した後のデータ「11」に対応する。
閾値電圧状態222は、十分な時間が経過した後のデータ「10」に対応する。
閾値電圧状態223は、十分な時間が経過した後のデータ「00」対応する。
閾値電圧状態224は、十分な時間が経過した後のデータ「01」に対応する。
メモリセルの閾値電圧が時間の経過に伴って減少すれば、閾値電圧状態の幅が大きくなることがあり、格納されたデータが汚染されることがある。
本発明のメモリ装置によれば、劣化したデータ維持特性を復元させることによってデータの汚染を防止することができる。
図3を参照すれば、メモリ装置300は、非揮発性メモリ装置310、制御部320、加熱装置330、冷却装置340、およびバックアップメモリ350を含んでもよい。
加熱装置330は、非揮発性メモリ装置310と接触して、非揮発性メモリ装置310を加熱する。
冷却装置340は、非揮発性メモリ装置310と接触して、非揮発性メモリ装置310を冷却する。
制御部320は、非揮発性メモリ装置310の動作情報に基づいて加熱装置330および冷却装置340の動作を制御する。
制御部320は、加熱装置330が非揮発性メモリ装置310を加熱する前に非揮発性メモリ装置310に格納されたデータをバックアップメモリ350にバックアップしてもよい。
冷却装置340は、非揮発性メモリ装置310が設置されたパッケージの放熱板であってもよい。
図4を参照すれば、メモリ熱処理方法は、非揮発性メモリ装置が消去された回数をカウントして格納する(S410)。
メモリ熱処理方法は、格納された回数が基準値より大きいかを判定する(S420)。
メモリ熱処理方法は、判定の結果、格納された回数が基準値より大きければ、加熱装置が非揮発性メモリ装置を加熱するように加熱装置を制御する(S430)。
メモリ熱処理方法は、加熱装置が非揮発性メモリ装置を加熱した後に格納された回数を初期化する(S440)。
110 非揮発性メモリ
111 ブロック1
112 ブロック2
113 ブロック3
114 ブロック4
121 加熱装置1
122 加熱装置2
123 加熱装置3
124 加熱装置4
130 制御部
211〜214、221〜224 閾値電圧状態
310 非揮発性メモリ装置
320 制御部
330 加熱装置
340 冷却装置
350 バックアップメモリ
Claims (13)
- 非揮発性メモリ装置と、
前記非揮発性メモリ装置と接触して、前記非揮発性メモリ装置を加熱する1つ以上の加熱装置と、
前記非揮発性メモリ装置の動作情報に基づいて前記加熱装置の動作を制御する制御部と、
を含むメモリ装置。 - 前記動作情報は、前記非揮発性メモリ装置が消去された回数であり、
前記制御部は、
前記動作情報が基準値より大きければ、前記一つ以上の加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱するように制御する請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記制御部は、
前記一つ以上の加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱した後、前記動作情報を初期化する請求項2に記載のメモリ装置。 - 前記動作情報は、
前記非揮発性メモリ装置のメモリセルの閾値電圧の変化であり、
前記制御部は、
前記非揮発性メモリ装置のメモリセルの閾値電圧の変化をモニターして前記動作情報を生成し、前記動作情報が基準値以上であれば前記一つ以上の加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱するように制御する請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記制御部は、
前記非揮発性メモリ装置から読み出したデータをエラー制御コード(ECC)復号化し、前記エラー制御コード復号化されたデータのエラー比率から前記動作情報を生成し、前記動作情報が基準値以上であれば、前記一つ以上の加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱するように制御する請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記一つ以上の加熱装置は前記非揮発性メモリ装置の各ブロックごとに設置され、
前記制御部は前記一つ以上の加熱装置を個別的に制御する請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記制御部は、
前記一つ以上の加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱する前に前記非揮発性メモリ装置に格納されたデータをバックアップする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記非揮発性メモリ装置と接触して、前記非揮発性メモリ装置を冷却し、前記非揮発性メモリ装置の動作情報に基づいて動作が制御される1つ以上の冷却装置をさらに含む請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記一つ以上の加熱装置は、前記非揮発性メモリ装置に熱を伝達する光学装置である請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記一つ以上の加熱装置は、流れる電流によって発熱する炭素ナノチューブである請求項1に記載のメモリ装置。
- 非揮発性メモリ装置に接触した加熱装置を制御するメモリ熱処理方法において、
前記非揮発性メモリ装置が消去された回数をカウントして格納するステップと、
前記格納された回数が基準値より大きいのか判定するステップと、
前記判定の結果、前記格納された回数が基準値より大きければ、前記加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱するように制御するステップと、
前記加熱装置が前記非揮発性メモリ装置を加熱した後に前記格納された回数を初期化するステップと、
を含むメモリ熱処理方法。 - 前記非揮発性メモリ装置のメモリセルの閾値電圧の変化をモニターして前記基準値を設定するステップをさらに含む請求項11に記載のメモリ熱処理方法。
- 請求項11〜12のうちのいずれか一項の方法を実行するためのプログラムが記録されていることを特徴とするコンピュータで読み出し可能な記録媒体。
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