JP2011510177A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 金属表面上にバリア層を析出するための溶液であって、
   該溶液が：
   ニッケル元素の化合物、及びモリブデン元素の化合物、
   第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも１つの第一の還元剤、及び
   少なくとも１つの錯化剤
   を含み、該溶液が、８．５〜１２のｐＨを有し、かつ、少なくとも１つの第二の還元剤、とりわけホスフィン酸又はその塩を含む、前記溶液。
2. 前記第一の還元剤が、複素環式アミノボラン、とりわけモルホリンボランである、請求項１に記載の溶液。
3. 少なくとも１つの錯化剤が、ヒドロキシカルボン酸である、請求項１又は２に記載の溶液。
4. ニッケル化合物を０．０１〜０．２ｍｏｌ／ｌの量で、
   モリブデン化合物を０．００１〜０．０１ｍｏｌ／ｌの量で、
   錯化剤を０．０１〜０．３ｍｏｌ／ｌの量で、
   第一の還元剤を０．００５〜０．０５ｍｏｌ／ｌの量で、
   第二の還元剤を０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの量で、
   含む、請求項１から３までのいずれか１項に記載の溶液。
5. ニッケル化合物対少なくとも１つの錯化剤のモル比が、１：１〜１：２である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の溶液。
6. 銅含有集積回路の金属表面上に、層を無電解析出させるための、請求項１から５までのいずれか１項に記載の溶液の使用。
7. 半導体基板の金属表面上に、無電解析出によりバリア層を製造するための方法であって、
   ａ）Ｎｉ及びＣｏから選択される１つの元素の化合物、Ｍｏ、Ｗ及びＲｅから選択される１つの元素の化合物、並びに第二級及び第三級の環式アミノボランから選択される第一の還元剤及び第二の還元剤を含む溶液を調製する工程、
   ｂ）溶液のｐＨを８．５〜１２に調整する工程、
   ｃ）溶液の温度を５０℃〜８５℃に調整する工程、
   ｄ）金属表面を、５０℃〜８５℃の温度で溶液と接触させ、半導体基板上にバリア層を析出させる工程
   を含む、バリア層の製造方法。
8. 前記温度が５５℃〜６５℃である、請求項７に記載の方法。
9. 析出速度が、１０ｎｍ／分より大きい、とりわけ１０〜５０ｎｍ／分である、請求項７又は８に記載の方法。
10. 金属表面を溶液と接触させる前に、金属表面の触媒活性化を起こさない、請求項７から９までのいずれか１項に記載の方法。
11. 金属表面が、銅を含む、とりわけ銅から成る、請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。
12. 前記第二の還元剤が、ホスフィン酸又はその塩である、請求項７から１１までのいずれか１項に記載の方法。