TWI504782B - 無電沉積溶液及製程控制 - Google Patents

Description

無電沉積溶液及製程控制

本發明關於製造電子元件，如積體電路；具體而言，本發明關於無電電鍍溶液之管理方法及無電電鍍溶液。

製程控制為製造複雜元件(如電子元件)之關鍵部分。對於如積體電路之元件而言，為了保證積體電路之期望效能，製程規格及製程結果必須滿足精確之規格。不只達成期望的製程規格及製程結果具有挑戰性，維持那些規格及結果以在經濟條件下(最好)處理許多基板為進一步之挑戰。

為了滿足電子元件之要求，已採用如無電沉積之製程作為應用，例如對銅-介電質金屬化結構沉積遮蔽層。無電沉積製程提供遮蔽層之選擇性沉積(如鈷基遮蔽層及鎳基遮蔽層)。某些更佳遮蔽層為多元素合金，如鈷合金、鈷-鎢合金、鈷-鎢-磷-硼合金、鈷-鎳合金、及鎳合金。遮蔽層之某些期望組成之複雜度需要複雜的反應化學物以產生那些層，且關於製程設備(如無電沉積設備及相關的無電沉積浴槽)之製程控制中會有相對複雜的問題存在。

無電沉積設備之成功製程控制包含使無電沉積浴槽維持在需求規格內，俾能達到期望的製程結果。一般無電沉積浴槽之運作有一規格可接受範圍。無電沉積實施期間欲維持的重要參數為：沉積速率、浴槽穩定度、薄膜組成、薄膜涵蓋範圍、及薄膜粗糙度。通常藉由控制無電沉積浴槽之組成，特別是反應物(如金屬離子源、還原劑、及pH調節劑)之量來維持這些參數。當與消耗之浴槽成份的濃度相比，沉積溶液中的負載為高時，則當電鍍溶液用於循環模式或批次模式時，副產品之濃度能在電鍍浴槽中快速增進。在無電浴槽組成中的上述變化能改變沉積製程及，必然地，沉積速率及薄膜之某些特徵性質。

已知監控及維持無電沉積浴槽之運作的方法。在大部分的情況下，監控還原劑濃度、金屬離子濃度、及電鍍浴槽之pH值以及浴槽之溫度。為了將浴槽維持在預定的製程範圍(process window)內，假如還原劑濃度、金屬離子濃度、及/或pH值超出規格，則必須添加化學品至浴槽。可藉由添加需要的pH調節劑、還原劑、及金屬離子來維持浴槽。除了濃度調節，新鮮的溶液可不時添加至電鍍溶液中，因為當電鍍基板被移出電鍍腔室時，一部分溶液可能會由於拖出而浪費掉。

雖然無電沉積溶液之管理方法及無電沉積溶液為已知，本發明者已認定關於用於製造電子元件之遮蔽層的無電沉積需要管理無電沉積溶液之新及/或改良的方法以及新及/或改良的無電沉積溶液。

本發明關於處理基板，如用於製造電子元件之基板。本發明之一實施樣態為處理基板之方法。本發明之一實施例為藉由無電沉積來沉積遮蔽層的方法以及無電沉積浴槽之維持方法。本發明之另一實施樣態包含用來處理基板之溶液及組成。本發明之實施例包含用於遮蔽層之無電沉積溶液。本發明之另一實施例為一組成，用以補充無電沉積浴槽以沉積遮蔽層。

應了解本發明並不限定其應用於下列說明中所提出之構造之細節及成分之配置。本發明能有其他實施例且能以各種方式被實施及完成。此外，應了解在此使用之措辭及術語乃為了說明之目的，且不應認定為限制性。

就其本身而言，基於上述揭露，通常技術者將察知可輕易利用此概念作為實現本發明之實施樣態之其他結構、方法、及系統之設計基礎。因此，在不離開本發明之精神及範疇下將申請專利範圍視為包含上述等效構造為重要。

本發明有關處理基板，如用來製造電子元件之基板。本發明之實施例之運作將說明如下，主要在處理半導體晶圓，如用於製造積體電路之矽晶圓。積體電路之金屬化層包含作為金屬線路之銅，其被形成於金屬鑲嵌或雙重金屬鑲嵌之介電質結構內。可選擇地，介電質為低介電係數(low k)之介電質材料，如碳摻雜矽氧化物(SiOC：H)。以下揭露乃針對在銅之上無電沉積遮蔽層(至少包含鈷)的較佳製程及溶液。然而，應了解依據本發明之實施例可用於其他半導體元件、除了銅之金屬、除了鈷之遮蔽層、及除了半導體晶圓之晶圓。

以下定義將用於說明本發明之較佳實施例。由於執行化學反應以在基板上形成遮蔽層而在無電沉積溶液中形成的成分為副產品。在反應期間被消耗以形成遮蔽層的無電沉積溶液之成分為反應物。例如，反應物包含金屬離子源及還原劑。補充劑為無電沉積溶液中之成分，其不直接產生副產品。補充劑之例子包含但不限於：錯合劑、穩定劑、界面活性劑等等。補充成分為任何一種以上之反應物、任何一種以上之副產品、及/或任何一種以上之補充劑之組合，其被加入無電沉積浴槽以使無電沉積浴槽之執行效能維持在規格內。

以下為依據本發明之較佳實施例的無電沉積溶液。無電沉積溶液包含反應物、副產品，且可包含補充劑。對於一實施例而言，無電沉積溶液包含一金屬離子源、一種以上之還原劑、從金屬離子源與還原劑之間之反應而來的一種以上之副產品，且可包含一種以上之pH調節劑、一種以上之錯合劑、一種以上之次要元素源、及一種以上之緩衝劑(如果需要)。

金屬離子源一般為組成遮蔽層的最大量成分。對於本發明之較佳實施例而言，金屬離子源為作為鈷或鈷合金遮蔽層之鈷源。鈷源實際上能為任何可溶解的鈷(II)鹽類。某些例子為鈷硫酸鹽與鈷氯化物。使用高純度鈷(II)氫氧化物會更適當。上述之化合物少溶於水，但若錯合劑或酸存在則容易溶解。利用金屬氫氧化物之採用代替普遍使用之可溶性金屬鹽類(如金屬硫酸鹽、氯化物、或硝酸鹽)，無電沉積層中的污染程度更能減至最小。在本發明之某些實施例中作為鈷之替代品，鎳源可用來產生鎳基遮蔽層。

還原劑還原溶液中的金屬離子以在基板表面上形成遮蔽層。較佳的還原劑為次磷酸鹽(hypophosphite)，其以化合物(如次磷酸(hypophosphorous acid)、次磷酸之無鹼金屬鹽類、及連二磷酸(hypophosphoric acid)之錯合體)之形式被引入浴槽。次磷酸鹽亦作為沉積層中的磷源。另一可用的還原劑為二甲胺硼烷(DMAB)，其亦可作為遮蔽層之硼源。適合在沉積溶液中作為還原劑的其他硼烷包含但不限於：烷基胺硼烷、二烷基胺硼烷、三烷基胺硼烷。無電沉積溶液之另一可用的還原劑為聯胺(hydrazine)。

從金屬離子源與還原劑之間之反應而來之一種以上的副產品將依據用於達成無電沉積之製程化學物而定。依據本發明之較佳實施例，還原劑包含次磷酸鹽，其產生亞磷酸鹽(phosphite)作為金屬離子源與還原劑之間之反應的副產品。這意味著對於本發明之較佳實施例而言，某些量的亞磷酸鹽乃包含於無電沉積溶液中。

同樣地，使用胺硼烷作為還原劑之本發明之較佳實施例將具有胺作為副產品。這意味者對於本發明之較佳實施例而言，某些量的胺乃包含於無電沉積溶液中。具體而言，使用二甲胺硼烷作為還原劑之本發明之實施例會產生二甲胺作為金屬離子與該還原劑之間之反應的副產品。因此，使用二甲胺硼烷作為反應物之本發明之實施例亦包含本發明之較佳實施例之無電沉積溶液中的反應副產品二甲胺。

可被包含於本發明之較佳實施例中之其他可能的副產品可為藉由酸之中和作用(在無電沉積期間所產生)而形成之鹽類。

對於本發明之較佳實施例而言，pH調節劑包含四級氫氧化銨(quaternary ammonium hydroxide)以調節溶液之pH值。在此說明之在無電沉積溶液中調節溶液之pH值的四級氫氧化銨可從種種化合物中選取。pH調節劑之例子包含但不限於：四級銨氫氧化物(tetra-ammonium hydroxide)、四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide)、四乙基氫氧化銨(tetraethylammonium hydroxide)、四丙基氫氧化銨(tetrapropylammonium hydroxide)、四丁基氫氧化銨(tetrabutylammonium hydroxide)、甲基三乙基氫氧化銨(methyltriethylammonium hydroxide)、乙基三甲基氫氧化銨(ethyltrimethylammonium hydroxide)、苯基三甲基氫氧化銨(benzyltrimethylammonium hydroxide)及適合維持溶液pH值之任何其他較長鏈的烷基氫氧化銨。

一種以上之錯合劑最好使溶液中的金屬離子之pH值保持一致，否則金屬離子會形成不溶解的金屬氫氧化物。常用的錯合離子包含但不限於：檸檬酸鹽(citrate)、酒石酸鹽(tartrate)、甘胺酸(glycine)、焦磷酸鹽(pyrophosphate)、及乙烯二胺四乙酸(EDTA,ethylene diamine tetra-acetic acid)。錯合劑被引入浴槽作為酸。具體而言，採用檸檬酸鹽作為檸檬酸，採用酒石酸鹽作為酒石酸，或採用焦磷酸鹽作為焦磷酸。本發明之較佳實施例使用檸檬酸作為錯合劑，但使用其他錯合劑或它們的組合亦為可能。

可包含次要金屬離子源以增進遮蔽層之抗腐蝕性。對於鈷鎢合金而言，上述離子最好為鎢(VI)化合物，如鎢(VI)氧化物(WO₃ )或鎢磷酸H₃ [P(W₃ O₁₀ )₄ ]，然而鎢在其他氧化狀態下(如V或IV)亦為合適。上述之次要金屬能從週期表之第四週期、週期表之第五週期、及週期表之第六週期中選取。從週期表之第四週期選取之較佳的次要金屬為Cr及Ni。從週期表之第五週期選取之較佳的次要金屬為Mo、Ru、Rh、及Pd。從週期表之第六週期選取之較佳的次要金屬為W、Re、Os、Ir、及Pt。本發明之較佳實施例使用鎢酸鹽作為鎢源。

如以上所述，對於本發明之某些實施例而言，緩衝劑可能不需要。緩衝劑之需求將依據用來形成遮蔽層之製程化學物而定。對於本發明之實施例而言，較佳的緩衝劑包含硼酸鹽，其可包含於溶液中作為硼酸。具體而言，用於pH值範圍8到10之緩衝溶液之最普遍的化合物為硼酸。作為選擇，除了硼酸鹽/硼酸以外之緩衝劑亦可用於本發明之實施例。

假如必要，為了如改變沉積薄膜之特性、沉積速率、溶液穩定性，及改良抗腐蝕性之目的，其他非必要之化合物亦能被加入 浴槽。這些輔助成分及其功能為此一技術領域之通常技術者所熟知；例如察看美國專利第6,911,067號(屬於Kolics等人)以得知細節。美國專利第6,911,067號(屬於Kolics等人)係藉由參考文獻之方式整體合併於此。

本發明之一實施例為用來無電沉積遮蔽層的溶液。具體而言，配置溶液俾能維持形成遮蔽層之無電沉積反應。該溶液包含：識別為無電沉積反應之副產品的一些胺及/或識別為無電沉積反應之副產品的一些亞磷酸鹽。對於本發明之較佳實施例而言，胺包含二甲胺。關於特殊應用，本發明之實施例使用濃度為每升約0.01克莫耳之二甲胺。對於本發明之較佳實施例而言，亞磷酸鹽之濃度為每升約0.01克莫耳。在又另一實施例中，胺包含濃度為每升約0.01克莫耳之二甲胺，且亞磷酸鹽濃度為每升約0.01克莫耳。在本發明之較佳實施例中，遮蔽層包含鈷，俾能形成鈷遮蔽層。作為本發明之其他實施例之選擇，遮蔽層可包含一金屬，如鎳。

依據本發明之更佳實施例，配置無電沉積溶液以沉積遮蔽層，遮蔽層包含鈷、鎢、磷、及硼。無電沉積溶液包含一些鈷、一些硼烷、一些次磷酸鹽、一些鎢酸鹽、一些檸檬酸鹽、一些硼酸鹽、一些胺、及一些亞磷酸鹽。對於無電沉積溶液之成份之每一者而言，量相當於完成沉積之有效量。依據一實施例，無電沉積溶液包含：每升約0.012克莫耳之鈷濃度、每升約0.015克莫耳之硼烷濃度、每升約0.083克莫耳之次磷酸鹽濃度、每升約0.023克莫耳之鎢酸鹽濃度、每升約0.123克莫耳之檸檬酸鹽濃度、每升約0.077克莫耳之硼酸鹽濃度、每升約0.01克莫耳之二甲胺濃度、及每升約0.01克莫耳之亞磷酸鹽濃度。

本發明之另一實施樣態包含用以補充無電沉積浴槽以沉積包含一金屬之遮蔽層的組成。作為本發明之實施例之選擇，無電沉積浴槽可包含如上所述之無電沉積溶液。在本發明之一實施例中，補充無電沉積浴槽以沉積遮蔽層的組成包含從無電沉積浴槽之數學模型而導出的金屬濃度。作為選擇，金屬濃度從針對無電沉積浴槽運作之質量平衡而導出。在本發明之一實施例中，金屬濃度比無電沉積浴槽中的金屬反應物濃度高約3倍到約10倍。依據本發明之另一實施例，金屬濃度比無電沉積浴槽中的金屬反應物濃度高約5倍到約10倍。對於本發明之另一實施例而言，金屬濃度比無電沉積浴槽中的金屬反應物濃度高約5.1倍。

本發明之較佳實例使用鈷作為金屬。特定應用之較佳實施例使用鈷作為金屬，且組成包含每升約0.0612克莫耳之鈷濃度。當然，本發明之其他實施例可使用除了鈷以外之金屬。另一較佳實施例使用鎳以形成鎳層。

依據本發明之另一較佳實施例，用以補充無電沉積浴槽之組成更包含識別為無電沉積反應之副產品的一些胺及/或識別為無電沉積反應之副產品的一些亞磷酸鹽。較佳之胺為二甲胺，其產生作為溶液中的金屬離子與還原劑(如二甲胺硼烷)之間之無電沉積反應之副產品。亞磷酸鹽包含於組成中，由於其產生作為無電沉積溶液中的金屬離子被包含於無電沉積溶液中之次磷酸鹽所還原之間之反應的副產品。作為選擇，二甲胺濃度為每升約0.038克莫耳，而亞磷酸鹽濃度為每升約0.037克莫耳。

本發明之更佳實施例包含用以補充無電沉積浴槽以沉積遮蔽層之組成，該遮蔽層具有鈷、鎢、磷、及硼。補充無電沉積浴槽之組成包含：一些鈷、一些次磷酸鹽、一些鎢酸鹽、一些檸檬酸鹽、一些硼酸鹽、一些二甲胺、及一些亞磷酸鹽。對於補充無電沉積溶液之組成成份之每一者而言，量相當於完成浴槽之補充之有效量，俾能本質上維持無電沉積浴槽之執行效能。

組成之某些特定性質可依據浴槽之操作狀態而定。重要之狀態包含但不限於：無電電鍍浴槽之組成、浴槽中之溶液量、各基板之拖出(drag-out)量、各基板之拖入(drag-in)量。為了應用，如將鈷鎢磷硼遮蔽層沉積在直徑300 mm之基板(如矽晶圓)上，以每基板20毫升之拖入以及每基板100毫升之浴槽拖出，及10升容積之無電沉積溶液，用以補充無電沉積浴槽之組成的較佳實施例包含：每升約0.0612克莫耳之鈷濃度作為金屬、每升約0.325克莫耳之次磷酸鹽濃度、每升約0.09克莫耳之鎢酸鹽濃度、每升約0.481克莫耳之檸檬酸鹽濃度、每升約0.287克莫耳之硼酸鹽濃度、每升約0.038克莫耳之二甲胺濃度、及每升約0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。同樣地，為了應用，以每基板60毫升之質量拖出，本發明之較佳實施例之組成包含：每升約0.061克莫耳之鈷濃度作為金屬、每升約0.32克莫耳之次磷酸鹽濃度、每升約0.077克莫耳之鎢酸鹽濃度、每升約0.414克莫耳之檸檬酸鹽濃度、每升約0.240克莫耳之硼酸鹽濃度、每升約0.032克莫耳之二甲胺濃度、及每升約0.031克莫耳之亞磷酸鹽濃度。

本發明之另一實施樣態為處理基板之方法，如用於製造電子元件之基板。該方法關於無電沉積、無電沉積溶液、及無電沉積浴槽之維持。在一實施例中，該方法為在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積遮蔽層(包含一金屬)的方法。該方法包含：(i)提供無電沉積浴槽，其具有進行無電沉積反應之反應物以沉積遮蔽層，且具有無電沉積反應之副產品，及(ii)利用無電沉積浴槽以沉積遮蔽層於基板上。無電沉積浴槽可為之前未被使用之起始浴槽，或為已被使用且被回復成本質上與起始浴槽特性相同之浴槽。該方法更包含：(iii)藉由添加一種以上之反應物之計算有效量以及一種以上之副產品之計算有效量來補充無電沉積浴槽。最好執行無電沉積浴槽之補充以使遮蔽層能利用具有本質上與(i)相同特性之無電沉積浴槽而被沉積在額外的基板上。具體而言，補充無電沉積浴槽係用以維持無電沉積浴槽之執行效能，俾能延長無電沉積浴槽之使用。

依據本發明之較佳實施例，一種以上之反應物之計算有效量以及一種以上之副產品之計算有效量係從無電沉積浴槽之數學模型而導出。作為選擇，一種以上之反應物之計算有效量以及一種以上之副產品之計算有效量係從針對無電沉積浴槽運作之質量平衡而導出。對於本發明之一實施例而言，一種以上之反應物之計算有效量包含金屬反應物之濃度，其比無電沉積浴槽中的金屬反應物之濃度高約3倍到約10倍。在本發明之另一實施例中，一種以上之反應物之計算有效量包含金屬反應物之濃度，其比無電沉積浴槽中的金屬反應物之濃度高約5倍到約10倍。依據本發明之較佳實施例，一種以上之反應物之計算有效量包含金屬反應物之濃度，其比無電沉積浴槽中的金屬反應物之濃度高約5.1倍。

對於本發明之某些實施例而言，最好藉由從具有不同成分之至少兩貯存器添加反應物及副產品至沉積浴槽來完成無電沉積浴槽之補充。對於使用鈷作為金屬之本發明之實施例而言，補充無電電鍍浴槽包含從第一貯存器添加鈷至浴槽以及從第二貯存器添加其他反應物及副產品。藉由從第一貯存器添加鈷至浴槽，以及從第二貯存器添加鎢、磷、硼、及副產品，利用無電沉積浴槽而沉積之包含鈷、鎢、磷、及硼的遮蔽層能利用本發明之實施例而被修復。使用兩貯存器以供給組成以回復無電沉積浴槽之本發明之實施例提供更多選擇以調整金屬(如鈷)量之比率(相對於其餘的反應物及副產品)。

依據本發明之另一實施例，該方法包含使用一補充組成，其包含：比無電沉積浴槽中的鈷濃度高約5.1倍之鈷濃度作為金屬、一些無電沉積反應之胺副產品、及一些無電沉積反應之亞磷酸鹽副產品。本發明之較佳實施例使用胺副產品如二甲胺。作為本發明之某些實施例之選擇，該方法包含使用一補充組成，其包含比無電沉積浴槽中的鈷濃度高約5.1倍之鈷濃度作為金屬、每升0.038克莫耳之二甲胺濃度、及每升0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。

依據本發明之另一實施例之方法包含使用一補充組成，其包含：比無電沉積浴槽中的鈷濃度高約5.1倍之鈷濃度作為金屬；一些次磷酸鹽；一些鎢酸鹽；一些檸檬酸鹽；一些硼酸鹽；一些二甲胺；及一些亞磷酸鹽。

為了應用，如將鈷鎢磷硼遮蔽層沉積在直徑300 mm之基板(如矽晶圓)上，以每基板20毫升之拖入以及每基板100毫升之浴槽拖出，及10升容積之無電沉積溶液，該方法之較佳實施例包含使用一補充組成，其包含：每升約0.0612克莫耳之鈷濃度作為金屬、每升約0.325克莫耳之次磷酸鹽濃度、每升約0.09克莫耳之鎢酸鹽濃度、每升約0.481克莫耳之檸檬酸鹽濃度、每升約0.287克莫耳之硼酸鹽濃度、每升約0.038克莫耳之二甲胺濃度、及每升約0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。同樣地，為了應用，以每基板60毫升之浴槽拖出，該方法包含使用一補充組成，其包含：每升約0.061克莫耳之鈷濃度作為金屬、每升約0.32克莫耳之次磷酸鹽濃度、每升約0.077克莫耳之鎢酸鹽濃度、每升約0.414克莫耳之檸檬酸鹽濃度、每升約0.240克莫耳之硼酸鹽濃度、每升約0.032克莫耳之二甲胺濃度、及每升約0.031克莫耳之亞磷酸鹽濃度。

在上述之說明中，本發明已參考具體實施例說明。然而，此一技術領域之通常技術者察知能在不離開本發明之範疇(如以下在申請專利範圍中所提出)下進行各種修改及變更。因此，說明書及圖式視為舉例性而非限制性，且所有上述修改被包含在本發明之範疇內。

上述已說明關於特定實施例之好處、其他優點、及問題之解法。然而，好處、優點、問題之解法，以及可導致任何好處、優點、或解法產生或變得更明顯之任何元件並非解釋為任何或所有申請專利範圍之關鍵的、必要的、或基本的特徵或元件。

在此所使用之措辭：『包含(comprises)』、『包含(comprising)』、『包含(includes)』、『包含(including)』、『具有(has)』、『具有(having)』、『至少其中一者(at least one of』，或任何其他變化意欲涵蓋一非排外之包含。例如，包含一系列元件之製程、方法、物品、或設備並非必需僅限於那些元件，而可包含未被明確列出或上述之製程、方法、或設備固有之其他元件。再者，除非明確陳述相反者，否則『或(or)』指包含或(inclusive or)而非互斥或(exclusive or)。例如，下列任何一者滿足狀態A或(or)B：A為真(或存在)且B為假(或不存在)、A為假(或不存在)且B為真(或存在)、及A及B兩者為真(或存在)。

Claims (16)

1. 一種在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，該方法包含：(i)提供一無電沉積浴槽，其具有無電沉積反應之反應物以沉積該遮蔽層，且具有該無電沉積反應之副產品；(ii)利用該無電沉積浴槽以沉積該遮蔽層於該基板上；及(iii)藉由添加一種以上之反應物之計算有效量以及一種以上之副產品之計算有效量來補充該無電沉積浴槽，俾利用具有本質上與(i)相同特性之該無電沉積浴槽而使遮蔽層能被沉積在額外的基板上，其中(iii)包含使用一補充成份，包含：比該無電沉積浴槽中的鈷濃度高實質上5.1倍之鈷濃度作為該金屬；每升0.038克莫耳之二甲胺濃度；及每升0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。
2. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該一種以上之反應物之該計算有效量以及該一種以上之副產品之該計算有效量係從該無電沉積浴槽之數學模型而導出。
3. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該一種以上之反應物之該計算有效量以及該一種以上之副產品之該計算有效量係從該無電沉積浴槽之質量平衡而導出。
4. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該反應物從具有不同成分之至少兩貯存器被添加至該沉積浴槽。
5. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該無電沉積浴槽包含作為鈷遮蔽層之鈷；該無電沉積浴槽之該補充步驟包含從一第一貯存器添加該鈷至該浴槽以及從一第二貯存器添加其他反應物及該副產品。
6. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該無電沉積浴槽包含鈷、鎢、磷、及硼；該無電沉積浴槽之該補充步驟包含從一第一貯存器添加該鈷至該浴槽以及從一第二貯存器添加該鎢、該磷、該硼、及該副產品。
7. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中(iii)包含使用一補充成份，包含：比該無電沉積浴槽中的鈷濃度高實質上5.1倍之鈷濃度作為該金屬；次磷酸鹽；鎢酸鹽；檸檬酸鹽；硼酸鹽；每升0.038克莫耳之二甲胺濃度；及每升0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。
8. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該浴槽拖出量為每基板100毫升且(iii)包含使用一補充成份，包含：每升0.0612克莫耳之鈷濃度作為該金屬；每升0.325克莫耳之次磷酸鹽濃度；每升0.09克莫耳之鎢酸鹽濃度； 實質上每升0.481克莫耳之檸檬酸鹽濃度；實質上每升0.287克莫耳之硼酸鹽濃度；實質上每升0.038克莫耳之二甲胺濃度；及實質上每升0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。
9. 如申請專利範圍第1項之在具有銅及介電質結構之基板上無電沉積含有金屬之遮蔽層的方法，其中該浴槽拖出量為每基板60毫升且(iii)包含使用一補充成份，包含：比該無電沉積浴槽中的鈷濃度高實質上5.1倍之鈷濃度；每升0.061克莫耳之鈷濃度；每升0.32克莫耳之次磷酸鹽濃度；實質上每升0.077克莫耳之鎢酸鹽濃度；實質上每升0.414克莫耳之檸檬酸鹽濃度；實質上每升0.240克莫耳之硼酸鹽濃度；實質上每升0.032克莫耳之二甲胺濃度；及實質上每升0.031克莫耳之亞磷酸鹽濃度。
10. 一種用於遮蔽層之無電沉積的溶液，包含：識別為該無電沉積反應之副產品的胺；及識別為該無電沉積反應之副產品的亞磷酸鹽，其中該胺包含濃度為實質上每升0.01克莫耳之二甲胺，該亞磷酸鹽濃度為實質上每升0.01克莫耳。
11. 如申請專利範圍第10項之用於遮蔽層之無電沉積的溶液，其中該遮蔽層包含鈷。
12. 如申請專利範圍第10項之用於遮蔽層之無電沉積的溶液，其中該遮蔽層包含鎳。
13. 如申請專利範圍第10項之用於遮蔽層之無電沉積的溶 液，其中該遮蔽層包含鈷、鎢、磷、及硼；該無電沉積溶液更包含：鈷；硼烷；次磷酸鹽；鎢酸鹽；檸檬酸鹽；以及硼酸鹽。
14. 如申請專利範圍第10項之用於遮蔽層之無電沉積的溶液，其中該遮蔽層包含鈷、鎢、磷、及硼；該無電沉積溶液更包含：實質上每升0.012克莫耳之鈷濃度；實質上每升0.015克莫耳之硼烷濃度；實質上每升0.083克莫耳之次磷酸鹽濃度；實質上每升0.023克莫耳之鎢酸鹽濃度；實質上每升0.123克莫耳之檸檬酸鹽濃度；實質上每升0.077克莫耳之硼酸鹽濃度；該胺為二甲胺，濃度為實質上每升0.01克莫耳；及該亞磷酸鹽濃度為實質上每升0.01克莫耳。
15. 一種用以補充無電沉積浴槽以沉積包含金屬之遮蔽層的組成物，其用於浴槽拖出量為每基板100毫升之鈷鎢磷硼遮蔽層沉積，該組成物包含從該無電沉積浴槽之數學模型而導出的該金屬之濃度，該金屬包含鈷，該組成物包含：實質上每升0.0612克莫耳之鈷濃度作為該金屬；實質上每升0.325克莫耳之次磷酸鹽濃度；實質上每升0.09克莫耳之鎢酸鹽濃度；實質上每升0.481克莫耳之檸檬酸鹽濃度；實質上每升0.287克莫耳之硼酸鹽濃度； 實質上每升0.038克莫耳之二甲胺濃度；及實質上每升0.037克莫耳之亞磷酸鹽濃度。
16. 一種用以補充無電沉積浴槽以沉積包含金屬之遮蔽層的組成物，其用於浴槽拖出量為每基板60毫升之鈷鎢磷硼遮蔽層沉積，該組成物包含從該無電沉積浴槽之數學模型而導出的該金屬之濃度，該金屬包含鈷，該組成物包含：實質上每升0.061克莫耳之鈷濃度作為該金屬；實質上每升0.32克莫耳之次磷酸鹽濃度；實質上每升0.077克莫耳之鎢酸鹽濃度；實質上每升0.414克莫耳之檸檬酸鹽濃度；實質上每升0.240克莫耳之硼酸鹽濃度；實質上每升0.032克莫耳之二甲胺濃度；及實質上每升0.031克莫耳之亞磷酸鹽濃度。