RU2010134880A - Неэлектрическое осаждение барьерных слоев - Google Patents
Неэлектрическое осаждение барьерных слоев Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010134880A RU2010134880A RU2010134880/02A RU2010134880A RU2010134880A RU 2010134880 A RU2010134880 A RU 2010134880A RU 2010134880/02 A RU2010134880/02 A RU 2010134880/02A RU 2010134880 A RU2010134880 A RU 2010134880A RU 2010134880 A RU2010134880 A RU 2010134880A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solution
- reducing agent
- mol
- amount
- compound
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
- C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
1. Раствор для осаждения барьерных слоев на металлические поверхности, содержащий ! - соединения элементов никеля и молибдена, ! - по крайней мере один первый восстановитель, выбираемый из вторичных и третичных циклических аминоборанов, ! - по крайней мере один второй восстановитель, в частности фосфорноватистую кислоту или ее соль, и ! - по крайней мере один комплексообразователь, ! при этом раствор имеет значение рН от 8,5 до 12. ! 2. Раствор по п.1, содержащий в качестве первого восстановителя гетероциклический аминоборан, в частности морфолиноборан. ! 3. Раствор по п.1, где по крайней мере один комплексообразователь представляет собой гидроксикарбоновую кислоту. ! 4. Раствор по п.1, содержащий ! - соединение никеля в количестве от 0,01 до 0,2 моль/л, ! - соединение молибдена в количестве от 0,001 до 0,01 моль/л, ! - комплексообразователь в количестве от 0,01 до 0,3 моль/л, ! - первый восстановитель в количестве от 0,005 до 0,05 моль/л, ! - второй восстановитель в количестве от 0,1 до 0,3 моль/л. ! 5. Раствор по одному из пп.1-4, где молярное отношение соединения никеля к не менее чем одному комплексообразователю составляет от 1:1 до 1:2. ! 6. Применение раствора по одному из пп.1-5 для неэлектролитического осаждения слоев на металлические поверхности интегрированных проводящих схем, в состав которых входит медь. ! 7. Способ получения барьерных слоев неэлектролитическим осаждением на металлические поверхности полупроводниковых субстратов, включающий ! а) получение раствора, содержащего соединение элемента, выбираемого из никеля и кобальта, соединение элемента, выбираемого из молибдена, вольфрама и рения, и содержащего первый восстановитель, выбираемы
Claims (12)
1. Раствор для осаждения барьерных слоев на металлические поверхности, содержащий
- соединения элементов никеля и молибдена,
- по крайней мере один первый восстановитель, выбираемый из вторичных и третичных циклических аминоборанов,
- по крайней мере один второй восстановитель, в частности фосфорноватистую кислоту или ее соль, и
- по крайней мере один комплексообразователь,
при этом раствор имеет значение рН от 8,5 до 12.
2. Раствор по п.1, содержащий в качестве первого восстановителя гетероциклический аминоборан, в частности морфолиноборан.
3. Раствор по п.1, где по крайней мере один комплексообразователь представляет собой гидроксикарбоновую кислоту.
4. Раствор по п.1, содержащий
- соединение никеля в количестве от 0,01 до 0,2 моль/л,
- соединение молибдена в количестве от 0,001 до 0,01 моль/л,
- комплексообразователь в количестве от 0,01 до 0,3 моль/л,
- первый восстановитель в количестве от 0,005 до 0,05 моль/л,
- второй восстановитель в количестве от 0,1 до 0,3 моль/л.
5. Раствор по одному из пп.1-4, где молярное отношение соединения никеля к не менее чем одному комплексообразователю составляет от 1:1 до 1:2.
6. Применение раствора по одному из пп.1-5 для неэлектролитического осаждения слоев на металлические поверхности интегрированных проводящих схем, в состав которых входит медь.
7. Способ получения барьерных слоев неэлектролитическим осаждением на металлические поверхности полупроводниковых субстратов, включающий
а) получение раствора, содержащего соединение элемента, выбираемого из никеля и кобальта, соединение элемента, выбираемого из молибдена, вольфрама и рения, и содержащего первый восстановитель, выбираемый из вторичных и третичных циклических аминоборанов, и второй восстановитель,
б) установление в растворе значения рН от 8,5 до 12,
в) установление температуры раствора от 50°С до 85°С,
г) контактирование металлических поверхностей с раствором при температуре от 50°С до 85°С, приводящее к осаждению барьерного слоя на полупроводниковом субстрате.
8. Способ по п.7, где температура составляет от 55°С до 65°С.
9. Способ по п.7, где скорость осаждения превышает 10 нм/мин, в частности, составляет от 10 до 50 нм/мин.
10. Способ по п.7, где перед введением металлической поверхности в контакт с раствором металлическая поверхность не подвергается каталитической активации.
11. Способ по п.7, где металлическая поверхность содержит медь, в частности, когда она состоит из меди.
12. Способ по одному из пп.7-11, где второй восстановитель представлен, в частности, фосфорноватистой кислотой или ее солью.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP08150612.3 | 2008-01-24 | ||
| EP08150612 | 2008-01-24 | ||
| PCT/EP2009/050589 WO2009092706A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-01-20 | Electroless deposition of barrier layers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010134880A true RU2010134880A (ru) | 2012-02-27 |
| RU2492279C2 RU2492279C2 (ru) | 2013-09-10 |
Family
ID=40901477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010134880/02A RU2492279C2 (ru) | 2008-01-24 | 2009-01-20 | Неэлектролитическое осаждение барьерных слоев |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110059611A1 (ru) |
| EP (1) | EP2255024A2 (ru) |
| JP (1) | JP2011510177A (ru) |
| KR (1) | KR20100102738A (ru) |
| CN (1) | CN101925691A (ru) |
| IL (1) | IL206719A (ru) |
| RU (1) | RU2492279C2 (ru) |
| TW (1) | TW200949010A (ru) |
| WO (1) | WO2009092706A2 (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2449076B1 (en) | 2009-06-30 | 2016-09-21 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
| US20110192316A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | E-Chem Enterprise Corp. | Electroless plating solution for providing solar cell electrode |
| US8895441B2 (en) * | 2012-02-24 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Methods and materials for anchoring gapfill metals |
| US9551074B2 (en) * | 2014-06-05 | 2017-01-24 | Lam Research Corporation | Electroless plating solution with at least two borane containing reducing agents |
| ES2826441T3 (es) * | 2017-06-02 | 2021-05-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Baños de metalizado no electrolítico de aleación de níquel, un método de deposición de aleaciones de níquel, depósitos de aleación de níquel y usos de dichos depósitos de aleación de níquel formados |
| WO2019145336A1 (en) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | Université de Mons | Nickel alloy plating |
| US20210371985A1 (en) | 2018-11-06 | 2021-12-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Electroless nickel plating solution |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4002778A (en) * | 1973-08-15 | 1977-01-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Chemical plating process |
| US6645567B2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Electroless plating bath composition and method of using |
| US6605874B2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-08-12 | Intel Corporation | Method of making semiconductor device using an interconnect |
| US6902605B2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-06-07 | Blue29, Llc | Activation-free electroless solution for deposition of cobalt and method for deposition of cobalt capping/passivation layer on copper |
| RU2374359C2 (ru) * | 2003-05-09 | 2009-11-27 | Басф Акциенгезельшафт | Составы для обесточенного осаждения тройных материалов для промышленности полупроводников |
| US6924232B2 (en) * | 2003-08-27 | 2005-08-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor process and composition for forming a barrier material overlying copper |
| US7531463B2 (en) * | 2003-10-20 | 2009-05-12 | Novellus Systems, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structure |
| US7268074B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-09-11 | Enthone, Inc. | Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices |
| US7332193B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-02-19 | Enthone, Inc. | Cobalt and nickel electroless plating in microelectronic devices |
| US7176133B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-02-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Controlled electroless plating |
| US7476616B2 (en) * | 2004-12-13 | 2009-01-13 | Fsi International, Inc. | Reagent activator for electroless plating |
| US20060188659A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Enthone Inc. | Cobalt self-initiated electroless via fill for stacked memory cells |
| US7410899B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-08-12 | Enthone, Inc. | Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications |
| US7658790B1 (en) * | 2007-07-03 | 2010-02-09 | Intermolecular, Inc. | Concentrated electroless solution for selective deposition of cobalt-based capping/barrier layers |
-
2009
- 2009-01-20 RU RU2010134880/02A patent/RU2492279C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-01-20 WO PCT/EP2009/050589 patent/WO2009092706A2/en active Application Filing
- 2009-01-20 US US12/863,114 patent/US20110059611A1/en not_active Abandoned
- 2009-01-20 CN CN2009801029184A patent/CN101925691A/zh active Pending
- 2009-01-20 JP JP2010543475A patent/JP2011510177A/ja active Pending
- 2009-01-20 EP EP09703297A patent/EP2255024A2/en not_active Withdrawn
- 2009-01-20 KR KR1020107018826A patent/KR20100102738A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-01-22 TW TW098102624A patent/TW200949010A/zh unknown
-
2010
- 2010-06-30 IL IL206719A patent/IL206719A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011510177A (ja) | 2011-03-31 |
| WO2009092706A3 (en) | 2010-01-07 |
| WO2009092706A2 (en) | 2009-07-30 |
| EP2255024A2 (en) | 2010-12-01 |
| TW200949010A (en) | 2009-12-01 |
| RU2492279C2 (ru) | 2013-09-10 |
| IL206719A (en) | 2014-06-30 |
| CN101925691A (zh) | 2010-12-22 |
| IL206719A0 (en) | 2010-12-30 |
| US20110059611A1 (en) | 2011-03-10 |
| KR20100102738A (ko) | 2010-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010134880A (ru) | Неэлектрическое осаждение барьерных слоев | |
| Zhuang et al. | Electrochemical properties and applications of nanocrystalline, microcrystalline, and epitaxial cubic silicon carbide films | |
| JP5374526B2 (ja) | 太陽電池電極を提供するための無電解めっき溶液 | |
| EP2978873B1 (en) | Electroless copper plating solution | |
| TW200424023A (en) | Electroless plating solution and process | |
| JP2011510177A5 (ru) | ||
| WO2010071364A3 (ko) | 금속 박막 또는 금속 산화물 박막 증착용 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 | |
| TWI709663B (zh) | 用於金之無電電鍍之鍍浴組合物、沉積金層之方法及乙二胺衍生物之用途 | |
| CN104995335A (zh) | 将第一金属层沉积在非导电聚合物上的方法 | |
| JP2015514873A5 (ru) | ||
| EP3049550B1 (en) | Method for depositing a copper seed layer onto a barrier layer and copper plating bath | |
| JP2013108170A (ja) | 無電解パラジウムめっき液 | |
| CN103151424B (zh) | 一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法 | |
| US9441299B2 (en) | Method for activating a copper surface for electroless plating | |
| KR102282657B1 (ko) | 금 이온들 및 불화물 이온들을 함유하는 용액을 이용하여 금속 규화물을 형성하기 위한 방법 | |
| TWI479048B (zh) | 無電解鈀敷液 | |
| US20150284857A1 (en) | ELECTROLESS DEPOSITION OF CONTINUOUS PLATINUM LAYER USING COMPLEXED Co2+ METAL ION REDUCING AGENT | |
| JP2015174819A (ja) | 硫化物複合薄膜の形成方法 | |
| KR102274349B1 (ko) | 갈륨 니트라이드 반도체의 비-활성화 표면 상에 팔라듐을 직접 침착하는 방법 | |
| JP4605074B2 (ja) | 無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法 | |
| JP5348379B2 (ja) | 多孔質体、および多孔質体の製造方法 | |
| Lysczek et al. | Selective deposition of ohmic contacts to p-InGaAs by electroless plating | |
| CN104716089A (zh) | 在金属层上进行无电金属沉积的方法及应用 | |
| WO2013179138A4 (en) | Sulfur-molybdenum cluster and method for manufacturing the same | |
| JP2008156733A (ja) | 無電解銅めっき膜形成セラミックスおよび無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170121 |