JP2015174819A - 硫化物複合薄膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】1段の薄膜形成工程により金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物の残留なく形成し得る硫化物複合薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属源および硫黄源を含む混合溶液に基板を浸漬し、この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板に金属硫化物と単体金属とを同時に析出させる混合薄膜の形成方法。
【選択図】なし
【解決手段】金属源および硫黄源を含む混合溶液に基板を浸漬し、この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板に金属硫化物と単体金属とを同時に析出させる混合薄膜の形成方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、硫化物複合薄膜の形成方法に関し、さらに詳しくは特定量の還元剤を用いたCBD法による金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜の形成方法に関する。
硫化物複合薄膜は、半導体や太陽電池など今後様々な用途に適用され得る新規な材料である。
従来、金属硫化物薄膜あるいは金属単体薄膜、およびこれらを形成する技術は公知である。
例えば、特許文献1には、無電解メッキ法により硫化スズ膜を形成するに際し、塩化第一スズを含む混合溶液にホルムアルデヒド溶液を添加してメッキ溶液を作製し、硫化スズを成膜する硫化スズ膜の製造方法が記載されている。
また、特許文献2には、焼結助剤が存在する環境下において、Cu、Zn、SnおよびSを含有する被焼結体を焼成するCZTS化合物半導体の製造工程で、焼結助剤としてSnSが含まれることが記載されている。
従来、金属硫化物薄膜あるいは金属単体薄膜、およびこれらを形成する技術は公知である。
例えば、特許文献1には、無電解メッキ法により硫化スズ膜を形成するに際し、塩化第一スズを含む混合溶液にホルムアルデヒド溶液を添加してメッキ溶液を作製し、硫化スズを成膜する硫化スズ膜の製造方法が記載されている。
また、特許文献2には、焼結助剤が存在する環境下において、Cu、Zn、SnおよびSを含有する被焼結体を焼成するCZTS化合物半導体の製造工程で、焼結助剤としてSnSが含まれることが記載されている。
さらに、特許文献3には、導電性を有する透明導電性基板と該基板に隣接し電子を輸送するバッファ層と、前記バッファ層に隣接し光を吸収するSnSを含む光吸収層とを有する光電極と、対極と、正孔輸送層とを備えた太陽電池が記載されており、前記SnSを含む光吸収層は電子ビーム蒸着、スパッタ蒸着などの物理蒸着法、CVD又はCBD(Chemical Bath Deposition)法により薄膜を形成して得られることが記載され、具体例としてRFマグネトロンスパッタ法によりSnS薄膜を形成した例が示されている。
しかし、公知の技術によればCBD法を用いて金属硫化物薄膜の形成は可能であるが金属単体の形成はできない。また、Snなどの金属を水溶液中で成膜する場合は、無電解メッキ法が用いられる。このため、硫化物と金属単体との混合薄膜を水溶液中で形成する場合は、無電解メッキ法とCBD法の別々の成膜法が必要であり、生産性が低く、また無電解メッキ法においてはPt等の貴金属を触媒として用いる必要があり、触媒成分が成膜後の薄膜中に不純物として残存し得る。
従って、従来公知の技術によっては1段の薄膜形成工程により金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく形成することは不可能であった。
従って、従来公知の技術によっては1段の薄膜形成工程により金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく形成することは不可能であった。
従って、本発明の目的は、1段の薄膜形成工程により金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく形成し得る硫化物複合薄膜の形成方法を提供することである。
本発明は、金属源および硫黄源を含む混合溶液に基板を浸漬し、
この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板に金属硫化物と単体金属とを同時に析出させる混合薄膜の形成方法に関する。
この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板に金属硫化物と単体金属とを同時に析出させる混合薄膜の形成方法に関する。
本発明によれば、1段の薄膜形成工程により金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく形成し得る。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳説する。
本発明の実施態様の金属源の1種である塩化スズおよび硫黄源の1種であるチオ尿素を含む混合溶液に基板を浸漬し、
この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板にSnSと単体金属Snとを同時に析出させる混合薄膜の形成方法により、図1に示すように、硫化スズ(SnS)薄膜中に単体スズ金属(Sn)を含有する複合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく1段のCBD法により形成することが可能となる。
ここでCBD法とは、前駆体となる化学種を含む溶液に基板を浸し、溶液と基板表面との間で不均一反応を進行させることによって薄膜を基材上に析出させるという方法である。
本発明の実施態様の金属源の1種である塩化スズおよび硫黄源の1種であるチオ尿素を含む混合溶液に基板を浸漬し、
この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板にSnSと単体金属Snとを同時に析出させる混合薄膜の形成方法により、図1に示すように、硫化スズ(SnS)薄膜中に単体スズ金属(Sn)を含有する複合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく1段のCBD法により形成することが可能となる。
ここでCBD法とは、前駆体となる化学種を含む溶液に基板を浸し、溶液と基板表面との間で不均一反応を進行させることによって薄膜を基材上に析出させるという方法である。
本発明の実施態様によれば、後述の図3に示すように、複雑な装置を必要とせず、比較的低温条件での薄膜作製が可能であり、溶液組成を制御することにより所望の薄膜を得ることができ、基板に対する薄膜の化学吸着という強い結合が期待し得る。
本発明における金属硫化物としては、前記のSnSに限定されず、ZnS、CdS、CuSなどのホルムアルデヒドの存在下の反応時に金属水酸化物との競合反応を生じ得て、金属硫化物と単体金属とを生じ得る系に適用可能である。
また、本発明においては、金属源および硫黄源を含む混合溶液に基板を浸漬し、この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより、金属源の反応過程で生じる水酸化物が還元剤で還元され、金属を含有する複合薄膜が形成されると考えられる。
前記の金属源としては、前記金属硫化物における金属の塩、例えば塩化物、硫酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、シアン化塩などの水溶性塩が挙げられる。
また、前記硫黄源としては、チオアセトアミド、チオセミカバジド、ジメチルチオ尿素、チオ尿素などの含窒素硫黄化合物やアルキルチオール、例えばデカンチオールなどが挙げられる。
また、前記硫黄源としては、チオアセトアミド、チオセミカバジド、ジメチルチオ尿素、チオ尿素などの含窒素硫黄化合物やアルキルチオール、例えばデカンチオールなどが挙げられる。
これら金属源および硫黄源の混合溶液の溶媒としては、水溶液、アルコール溶液、例えばメタノール、エタノールあるいはケトン、例えばアセトンなどの溶媒溶液、好適には水を含む混合溶媒溶液が挙げられる。
前記の混合液にはpH調整剤、例えば炭酸ナトリウム、アンモニア、塩酸、好適にはアンモニアを添加し得る。
前記の混合液にはpH調整剤、例えば炭酸ナトリウム、アンモニア、塩酸、好適にはアンモニアを添加し得る。
また、前記の混合液には錯化剤、例えばグリセリン、トリエタノールアミン、エタノールアミン、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、シュウ酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウムやグルコヘプトン酸ナトリウムを添加し得る。
本発明における混合液は、溶媒に金属源および硫黄源を同時に添加して調製してもよいが、金属源を含む混合液および硫黄源を含む混合液を予め調製しておき、両混合液を混合して調製してもよい。
本発明における混合液は、溶媒に金属源および硫黄源を同時に添加して調製してもよいが、金属源を含む混合液および硫黄源を含む混合液を予め調製しておき、両混合液を混合して調製してもよい。
本発明においては、金属源および硫黄源を含む混合溶液に基板を浸漬し、この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上、好適には0.25〜2M(モル)、特に0.25〜1M(モル)(いずれも金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加し得る。ホルムアルデヒドの添加量が少ないと金属水酸化物の還元が十分に行われない。
本発明において、前記混合溶液中の両成分の割合(モル比)は、金属源1モルに対して硫化物源が0.1〜10モル、特に1〜10モルであり得る。
本発明において、前記混合溶液中の両成分の割合(モル比)は、金属源1モルに対して硫化物源が0.1〜10モル、特に1〜10モルであり得る。
また、本発明における基板としては、特に制限はなく、例えばシリコン基板、ガラス基板、石英ガラス基板、SiC基板、GaAs基板、サファイア基板などが挙げられる。
前記の基板は混合液に浸漬する前に必要であれば前処理され得る。前記の前処理法として、水、エタノール、アセトン、エタノール−水の順に各々1分間以上、例えば1〜10分間、特に1〜3分間程度超音波洗浄を行う方法が挙げられる。
前記の基板は混合液に浸漬する前に必要であれば前処理され得る。前記の前処理法として、水、エタノール、アセトン、エタノール−水の順に各々1分間以上、例えば1〜10分間、特に1〜3分間程度超音波洗浄を行う方法が挙げられる。
本発明においては、前記の混合液に基板を浸漬し、50℃以下の温度、例えば0〜50℃程度の温度、1〜10時間撹拌下に反応を続けることにより、基板上に混合薄膜を形成し得る。
本発明の混合薄膜の形成方法によれば、任意の面積の基板に1段の薄膜形成工程により、金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物の残留なく形成し得る。
本発明の混合薄膜の形成方法によれば、任意の面積の基板に1段の薄膜形成工程により、金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物の残留なく形成し得る。
以下、本発明の実施例を示す。
以下に示す例は、本発明の形成方法を確認するためのものであって、本発明を限定するものではない。
以下の各例において、基板に混合薄膜を形成するために図3に模式図を示す実験装置を用いた。
以下に示す例は、本発明の形成方法を確認するためのものであって、本発明を限定するものではない。
以下の各例において、基板に混合薄膜を形成するために図3に模式図を示す実験装置を用いた。
実施例1
以下の手順に従って混合薄膜を形成した。
(1)溶液の予備調製
溶液1
アセトン:10mL、塩化スズ2水和物:2g(0.009M(モル))
溶液2
水:25mL、トリエタノールアミン(TEA):25mL
溶液3
水:152mL、アンモニア10%水:12mL、チオ尿素:1.2g
溶液1に溶液2を入れ、錯体[Sn(TEA)]2+を形成させるために12時間、常温、300rpmで撹拌を行った。
(2)石英ガラス基板の洗浄
水、エタノール、アセトン、エタノール−水 の順に各々3分間超音波洗浄を行った。
(3)基板の固定
前工程で洗浄した基板を、図3に示す実験装置において樹脂テープで直接貼り付けた。
(4)混合薄膜の形成
前工程(1)で調製した溶液と溶液3とを混合した後、ホルムアルデヒド30mLを添加し、50℃に設定したウォーターバスで6時間保持して、薄膜を形成した。
なお、分析のために、薄膜形成後、W保護膜で薄膜を保護した。
以下の手順に従って混合薄膜を形成した。
(1)溶液の予備調製
溶液1
アセトン:10mL、塩化スズ2水和物:2g(0.009M(モル))
溶液2
水:25mL、トリエタノールアミン(TEA):25mL
溶液3
水:152mL、アンモニア10%水:12mL、チオ尿素:1.2g
溶液1に溶液2を入れ、錯体[Sn(TEA)]2+を形成させるために12時間、常温、300rpmで撹拌を行った。
(2)石英ガラス基板の洗浄
水、エタノール、アセトン、エタノール−水 の順に各々3分間超音波洗浄を行った。
(3)基板の固定
前工程で洗浄した基板を、図3に示す実験装置において樹脂テープで直接貼り付けた。
(4)混合薄膜の形成
前工程(1)で調製した溶液と溶液3とを混合した後、ホルムアルデヒド30mLを添加し、50℃に設定したウォーターバスで6時間保持して、薄膜を形成した。
なお、分析のために、薄膜形成後、W保護膜で薄膜を保護した。
得られた基板に形成された薄膜について、薄膜の断面TEM像測定、EDXによる定量分析、およびXPSによるSn3d狭域光電子スペクトル測定を行った。得られた結果を図4および図5に示す。
図4から、薄膜中に球状の物質が観察された。また、EDXの結果から、薄膜はSnS、球状はSnと同定された。
また、薄膜の任意の3箇所について分析したところ、どの点においてもSnS中のSn−S結合に由来するピークと金属Snに由来するピークが確認できた。このピーク強度から、薄膜中における金属Snの量を計算すると、およそ20%となった。
図4から、薄膜中に球状の物質が観察された。また、EDXの結果から、薄膜はSnS、球状はSnと同定された。
また、薄膜の任意の3箇所について分析したところ、どの点においてもSnS中のSn−S結合に由来するピークと金属Snに由来するピークが確認できた。このピーク強度から、薄膜中における金属Snの量を計算すると、およそ20%となった。
実施例2〜7
ホルムアルデヒドの添加量を変えた他は実施例1と同様にして、薄膜を形成した。
得られた結果を、他の結果とまとめて図2に示す。
ホルムアルデヒドの添加量を変えた他は実施例1と同様にして、薄膜を形成した。
得られた結果を、他の結果とまとめて図2に示す。
比較例1〜3
還元剤としてホルムアルデヒドに代えて公知の還元剤であるジメチルアミノボラン、乳酸又は次亜リン酸塩を用いた他は実施例1と同様にして、薄膜を形成した。
得られた結果を、他の結果とまとめて図2に示す。
還元剤としてホルムアルデヒドに代えて公知の還元剤であるジメチルアミノボラン、乳酸又は次亜リン酸塩を用いた他は実施例1と同様にして、薄膜を形成した。
得られた結果を、他の結果とまとめて図2に示す。
図2から、ホルムアルデヒド以外の還元剤では金属Snは分析されなかった。
また、添加するホルムアルデヒドの添加量を変えることにより、薄膜中の金属Sn両を変化させることが可能であることが理解される。
また、添加するホルムアルデヒドの添加量を変えることにより、薄膜中の金属Sn両を変化させることが可能であることが理解される。
本発明の混合薄膜の形成方法によって、1段の薄膜形成工程により金属硫化物と単体金属との硫化物混合薄膜を、薄膜中に触媒成分に基づく不純物が残留することなく形成し得る。
Claims (1)
- 金属源および硫黄源を含む混合溶液に基板を浸漬し、
この混合溶液に、還元剤として0.25M(モル)以上(金属源1M(モル)に対して)のホルムアルデヒドを添加することにより反応過程で生じる金属水酸化物を還元して、基板に金属硫化物と単体金属とを同時に析出させる混合薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014055224A JP2015174819A (ja) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 硫化物複合薄膜の形成方法 |
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JP (1) | JP2015174819A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109650734A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-04-19 | 华夏易能(广东)新能源科技有限公司 | 一种水浴法镀膜装置及采用其的镀膜工艺 |
CN114380324A (zh) * | 2021-12-11 | 2022-04-22 | 上海工程技术大学 | P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用 |
-
2014
- 2014-03-18 JP JP2014055224A patent/JP2015174819A/ja active Pending
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