JP2011506958A - 薄膜フラックスゲートセンサー - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
・絶縁基板(例えばガラス、シリコン)上に導電性シード層を蒸着するステップと、
・シード層をパターニングして、第一層において、励磁電流導体の部分及びセンサーコイルの部分をパターニングするステップと、
・例えば銅を用いて下部導電層を電気めっきして、第一層において、励磁電流導体の部分及びセンサーコイルの部分を形成するステップと、
・例えばポリイミドの絶縁層を蒸着して、励磁電流導体及びセンサー導体を磁性材層から絶縁するステップと、
・導電性シード層を蒸着するステップと、
・このシード層を磁性層の所望の形状にパターニングするステップと、
・パーマロイ又は他の軟質の磁性材を電気めっきして、磁性材クラッディング層を形成するステップと、
・例えばポリイミドの絶縁層を蒸着して、励磁電流導体及びセンサー導体を磁性材層から絶縁するステップと、
・導電性のフィードスルー(ビア(vias))が所望される場所においては、絶縁層を除去するステップと、
・導電性シード層を蒸着且つパターニングして、第二層において、励磁電流導体の部分及びセンサーコイルの部分をパターニングするステップと、
・例えば銅を用いて上部導電層を電気めっきして、第二層において、励磁電流導体の部分及びセンサーコイルの部分を形成するステップ。
・絶縁基板(例えばガラス、シリコン)上に導電性シード層を蒸着するステップと、
・シード層をパターニングして、励磁電流導体の第一層部分24及びセンサーコイルの第一層部分32をパターニングするステップと、
・例えば銅を用いて下部導電層を電気めっきして又は他の手段によって蒸着して、励磁電流導体の部分24及びセンサーコイルの部分32を形成するステップと、
・例えばポリイミドの絶縁層を蒸着して、励磁電流導体及びセンサー導体を磁性材層から絶縁するステップと、
・導電性シード層を蒸着するステップと、
・このシード層を磁性材層の所望の形状にパターニングするステップと、
・パーマロイ又は他の軟質の磁性材を電気めっきして又は他の手段によって蒸着して、磁性材クラッディング層6を形成するステップと、
・例えばポリイミドの絶縁層を蒸着して、励磁電流導体及びセンサー導体を磁性材層から絶縁するステップと、
・導電性のフィードスルー26、34(ビア(vias))が所望される場所においては、絶縁層を除去するステップと、
・導電性シード層を蒸着且つパターニングして、励磁電流導体の第二層部分22及びセンサーコイルの第二層部分30をパターニングするステップと、
・例えば銅を用いて第二導電性シード層を電気めっきして、励磁電流導体の第二層部分22及びセンサーコイルの第二層部分30を形成するステップ。
Claims (15)
- 励磁電流導体(4)と、可飽和の磁性材クラッディング層(6)とを含むフラックスゲート磁界センサーであって、
前記クラッディング層の対向する面同士の間に複数のフィードスルーチャンネル(16)が延在し、前記励磁電流導体は複数の連続する隣接した前記フィードスルーチャンネルを縫うように貫通するフラックスゲート磁界センサー。 - 前記フィードスルーチャンネルは、略一定間隔で並置される請求項1記載の磁界センサー。
- 前記フィードスルーチャンネルは、直線状に配置される請求項1又は2記載の磁界センサー。
- 前記磁性材クラッディング層は、フィードスルーチャンネルが形成されたクラッディングの複数の個別のライン(14)を備える前出の請求項のいずれかに記載の磁界センサー。
- 磁性材クラッディングのラインの長さが異なる請求項4記載の磁界センサー。
- 前記励磁電流導体は、複数のラインを縫うように貫通する請求項3乃至5のいずれかに記載の磁界センサー。
- 前記励磁電流導体は、第一層における部分(22)と、第二層における部分(24)と、前記第一層部分及び第二層部分(22、24)を相互接続し前記磁性材クラッディング層の前記フィードスルーチャンネル(16)を貫通するフィードスルー部分(26)とを有する前出の請求項のいずれかに記載の磁界センサー。
- 前記磁性材クラッディング層の周囲に螺旋状に設けられた検出コイルを更に備える前出の請求項のいずれかに記載の磁界センサー。
- 前記検出コイルによる螺旋は、前記磁性材クラッディング層を跨いで設けられたフィードスルー部分によって相互接続され前記磁性材クラッディング層の両面にそれぞれ形成される部分を備える請求項8記載の磁界センサー。
- 前記検出コイルの各部分は、前記磁性クラッディング層の両面において、前記励磁電流導体の各部分とそれぞれ略同一の面に位置する請求項9記載の磁界センサー。
- 一体化された材料層蒸着プロセスによるフラックスゲート磁界センサーの製造方法であって、
励磁電流導体の部分を備える第一導電層を蒸着するステップと、
軟質の磁性材の層であって、該軟質の磁性材層の対向する外面同士の間に複数のフィードスルーチャンネルを有する層を蒸着するステップと、
前記励磁電流導体の部分の第二導電層を蒸着するステップとを含むフラックスゲート磁界センサーの製造方法。 - 前記第一導電層を蒸着するステップ及び第二導電層を蒸着するステップが実行される間に、検出コイルの部分が形成される請求項11記載のフラックスゲート磁界センサーの製造方法。
- 絶縁基板上に導電性シード層を蒸着するステップと、
前記シード層をパターニングして、前記励磁電流導体の前記第一層部分(24)及びセンサーコイルの第一層部分(32)をパターニングするステップと、
前記第一導電層を蒸着して、前記励磁電流導体の前記部分(24)及び前記センサーコイルの部分(32)を形成するステップとを更に含む請求項11又は12記載のフラックスゲート磁界センサーの製造方法。 - 前記第一導電層及び第二導電層それぞれと前記軟質の磁性材層との間に絶縁層を蒸着して、前記励磁電流導体及びセンサー導体を前記磁性材層から絶縁するステップと、
前記導電性のフィードスルーチャンネル(26、34)が位置する場所においては、前記絶縁層を除去する又は蒸着しないステップとを更に含む請求項11、12、又は13記載のフラックスゲート磁界センサーの製造方法。 - 前記軟質の磁性材層上に蒸着された絶縁層上に導電性シード層を蒸着かつパターニングして、前記励磁電流導体の第二層部分(22)及びセンサーコイルの第二層部分(30)をパターニングするステップと、
前記第二導電層を蒸着して、前記励磁電流導体の前記第二層部分(22)及び前記センサーコイルの第二層部分(30)を形成するステップとを更に含む請求項11〜14のいずれかに記載のフラックスゲート磁界センサーの製造方法。
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