JP2011501341A - アクセスとプリチャージが独立したメモリ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 現在のアクセスサイクル中に、現在のアクセスアドレスに関連する複数のメモリセルの第1部分集合にアクセスするためのアクセス回路と;
前記アクセス回路に並列に配置され、前記現在のアクセスサイクル中に、次のプリチャージアドレスに関連する前記複数のメモリセルの第2部分集合の全体又は一部をプリチャージするためのプリチャージ回路と
を具えていることを特徴とする装置。 - 前記プリチャージ回路が、前記次のプリチャージアドレスを、メモリコントローラから受信するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 更に、前記メモリコントローラを具えていることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記メモリコントローラが、前記次のプリチャージアドレスを、少なくとも部分的に前記メモリセルの過去のアクセスに基づいて決定するように構成されていることを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記メモリコントローラが、前記次のプリチャージアドレスを、空間的又は時間的なプリフェッチに基づいて決定するように構成されていることを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 更に、前記複数のメモリセルを具えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記複数のメモリセルが、複数のメモリバンクの形に編成されていることを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 前記複数のメモリセルの前記第1部分集合及び前記第2部分集合が、前記複数のメモリバンクの、それぞれ第1メモリバンク及び第2メモリバンク上に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記メモリバンクが、デュアルインライン・メモリモジュール(DIMM)を形成することを特徴とする請求項6に記載の装置。
- デジタルメモリを動作させる方法において、
前記デジタルメモリのアクセス回路によって、現在のアクセスサイクル中に、現在のアクセスアドレスに関連する複数のメモリセルの第1部分集合にアクセスするステップと;
前記アクセス回路に並列に配置されたプリチャージ回路によって、前記現在のアクセスサイクル中に、次のプリチャージアドレスに関連する前記複数のメモリセルの第2部分集合の全体又は一部をプリチャージするステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記プリチャージ回路によって、前記次のプリチャージアドレスを、メモリコントローラから受信するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記メモリコントローラによって、前記次のプリチャージアドレスを、少なくとも部分的に前記メモリセルの過去のアクセスに基づいて決定するステップを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記メモリコントローラによって、前記次のプリチャージアドレスを、空間的又は時間的なプリフェッチに基づいて決定するステップを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記複数のメモリセルの前記第1部分集合及び前記第2部分集合が、複数のメモリバンクの、それぞれ第1メモリバンク及び第2メモリバンク上に配置されていることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記メモリバンクが、デュアルインライン・メモリモジュール(DIMM)を形成することを特徴とする請求項14に記載の装置。
- デジタルメモリユニットと;
データバスを介して前記デジタルメモリユニットに結合され、前記データバスを経由して、前記メモリユニットからデータを読み出し、前記メモリユニットにデータを書き込むように構成されたメモリコントローラとを具えたシステムにおいて、
前記メモリユニットが、
現在のアクセスサイクル中に、現在のアクセスアドレスに関連する複数のメモリセルの第1部分集合にアクセスするためのアクセス回路と;
前記アクセス回路に並列に配置され、前記現在のアクセスサイクル中に、次のプリチャージアドレスに関連する前記複数のメモリセルの第2部分集合の全体又は一部をプリチャージするためのプリチャージ回路と
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記メモリコントローラが、前記次のプリチャージアドレスを、少なくとも部分的に前記メモリセルの過去のアクセスに基づいて決定するように構成されていることを特徴とする請求項16に記載のシステム。
- 前記メモリコントローラが、前記次のプリチャージアドレスを、空間的又は時間的なプリフェッチに基づいて決定するように構成されていることを特徴とする請求項16に記載のシステム。
- 前記メモリバンクが、デュアルインライン・メモリモジュール(DIMM)を形成することを特徴とする請求項16に記載のシステム。
- 更に、他のDIMMを具え、
このDIMMが、
他の現在のアクセスサイクル中に、他の現在のアクセスアドレスに関連する他の複数のメモリセルの他の第1部分集合にアクセスするための他のアクセス回路と;
前記他のアクセス回路に並列に配置され、前記他の現在のアクセスサイクル中に、他の次のプリチャージアドレスに関連する前記他の複数のメモリセルの他の第2部分集合の全体又は一部をプリチャージするための他のプリチャージ回路と
含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。 - 現在のアクセスサイクル中に、現在のアクセスアドレスに関連する複数のメモリセルの第1部分集合にアクセスするための手段と;
前記現在のアクセスサイクル中に、次のプリチャージアドレスに関連する前記複数のメモリセルの第2部分集合の全体又は一部をプリチャージするための手段と;
を具えていることを特徴とする装置。 - 前記次のプリチャージアドレスを、少なくとも部分的に前記メモリセルの過去のアクセスに基づいて決定するための手段を具えていることを特徴とする請求項21に記載の装置。
- 前記メモリコントローラによって、前記次のプリチャージアドレスを空間的又は時間的なプリフェッチに基づいて決定するための手段を具えていることを特徴とする請求項21に記載の装置。
- 装置において、
前記装置をバスラインに接続するように構成された入出力(I/O)ピンと;
前記バスラインを経由して、デジタルメモリデバイスに、
現在のアクセスコマンド及びこれに関連する現在アクセスアドレスと;
次のプリチャージコマンド及びこれに関連する次のプリチャージアドレスとを送信する論理回路と;
前記デジタルメモリデバイスの過去のアクセス、空間的プリフェッチ、又は時間的プリフェッチのいずれかに基づいて、前記次のプリチャージコマンドを決定するための論理回路と
を具え、
前記現在アクセスアドレスは、現在のアクセスサイクル中にアクセスすべきメモリセルの第1部分集合に対応し、
前記次のプリチャージアドレスは、前記現在のアクセスサイクル中にプリチャージすべき、前記メモリセルの前記第1部分集合とは異なる第2部分集合に対応することを特徴とする装置。 - コンピュータ可読の複数のハードウェア設計言語又は該ハードウェア設計言語のコンパイル結果を含み、前記ハードウェア設計言語が、請求項1に記載の装置の集積回路としての実現を記述することを特徴とする製品。
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