JP2011243927A - 集光型太陽光発電装置 - Google Patents
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 52
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
【解決手段】太陽光を集光するための集光装置12と、太陽電池セル14と、下端面が太陽電池セル14に対向するように太陽電池セル14の真上位置に立設されたホモジナイザー16と、ホモジナイザー16の下側の側面及び太陽電池セル14を覆う封止材18と、封止材18とホモジナイザー16との間に設けられた透過防止層20とを備え、ホモジナイザー16は錐台形状を有し、ホモジナイザー16の屈折率nh、封止材18の屈折率nf及び透過防止層20の屈折率ntの間にnh>nf>ntの関係があり、透過防止層20の厚さHは0.1mm以上1.2mm以下であり、透過防止層20の高さbと、透過防止層20が形成されている位置の封止材18の高さaの間に0.5≦b/a<1.0の関係がある集光型太陽光発電装置。
【選択図】図1
Description
例えば、特許文献1には、柱状光学部材(ホモジナイザー)及びその下端面に対向する太陽電池セルを覆う封止樹脂(封止材)として、10重量%以上のフッ素化シリコーン樹脂を含む材料を用いた集光型太陽光発電ユニットが開示されている。
同文献には、
(a)封止樹脂として10重量%以上のフッ素化シリコーン樹脂を含む材料を用いると、フッ素化シリコーン樹脂の水蒸気低透過性によって水蒸気の侵入が抑制される点、及び、
(b)ホモジナイザーの側面に、厚さが数十nm〜20nm程度のフッ素樹脂(屈折率1.34)からなり、保護部材又は撥水膜として機能する薄膜を形成しても良い点、
が記載されている。
同文献には、
(a)遮光部材によって透明樹脂の光劣化が抑制されるので、侵入する水分に起因する太陽電池の劣化が抑制される点、及び、
(b)ホモジナイザーの側面に、厚さが数十nm〜20nm程度のフッ素樹脂(屈折率1.34)からなり、保護部材又は撥水膜として機能する薄膜を形成しても良い点、
が記載されている。
一方、ホモジナイザーの形状が、太陽電池セル側の断面積が小さい錐台状である場合、反射を繰り返す毎に光の入射角(反射面の法線方向と光の入射方向とのなす角)が小さくなる。そのため、ホモジナイザーの下側の側面を高屈折率材料で封止すると、ホモジナイザーの下側の側面近傍では、入射角が臨界角以下になる確率(すなわち、光が漏れる確率)が高くなる。
この問題を解決するために、封止材として、屈折率が相対的に小さな材料を用いることも考えられる。しかしながら、低屈折率で、かつ耐熱性及び耐候性に優れた材料は、知られていない。
(1)前記集光型太陽光発電装置は、
太陽光を集光するための集光装置と、
太陽電池セルと、
下端面が前記太陽電池セルに対向するように前記太陽電池セルの真上位置に立設され、前記集光装置により集光された太陽光を前記太陽電池セルへ導くためのホモジナイザーと、
前記ホモジナイザーの下側の側面及び前記太陽電池セルを覆う封止材と、
前記封止材と前記ホモジナイザーとの間に設けられた透過防止層と
を備えている。
(2)前記ホモジナイザーは、前記集光装置側の断面積が前記太陽電池セル側の断面積より大きい錐台形状を有する。
(3)前記ホモジナイザーの屈折率nh、前記封止材の屈折率nf、及び、前記透過防止層の屈折率ntの間には、nh>nf>ntの関係がある。
(4)前記透過防止層の厚さHは、0.1mm以上1.2mm以下である。
(5)前記透過防止層の高さbと、前記透過防止層が形成されている位置の前記封止材の高さaとの間に、0.5≦b/a<1.0の関係がある。
[1. 集光型太陽光発電装置]
図1に、本発明の一実施の形態に係る集光型太陽光発電装置の概略断面図を示す。図1において、集光型太陽光発電装置10は、集光装置12と、太陽電池セル14と、ホモジナイザー16と、封止材18と、透過防止層20とを備えている。
集光装置12は、太陽光を集光し、集光された太陽光を太陽電池セル14に照射するためのもの(一次光学系)である。集光には、フレネルレンズのような集光レンズを使う方式と、凹面鏡のような集光反射鏡を使う方式が知られている。本発明においては、いずれの方式を用いても良い。
図1に示す例において、集光装置12は、集光レンズからなる。集光レンズは、塵埃や汚れに強い、耐久性に優れる、放熱が容易である、等の利点がある。集光装置12は、図示しない支持手段を用いて、太陽電池セル14の上方に固定されている。
太陽電池セル14は、照射された光を電力に変換するためのセルである。本発明において、太陽電池セル14の構造や、これを構成する材料は、特に限定されるものではなく、種々の構造及び材料からなるセルを用いることができる。
太陽電池セルは、一般に、裏面電極、光起電力効果を奏する半導体層、及び上部電極がこの順で積層された構造を備えている。半導体層の表面には、反射防止膜が形成される場合もある。半導体層としては、例えば、結晶シリコン、InGaP/InGaAs/Geに代表されるIII-V族化合物半導体などが知られている。
(a)ガラス繊維、アルミナ粉などが分散した樹脂材料、
(b)アルミナなどの高熱伝導率のセラミックス、
などがある。
ホモジナイザー(二次光学系)16は、集光装置12により集光された太陽光を太陽電池セル14に導くためのものである。また、ホモジナイザー16は、導かれた光を側面で繰り返し全反射させることにより、光のエネルギーを均一化させるためのものでもある。ホモジナイザー16は、その下端面が太陽電池セル14に対向するように、太陽電池セル14の真上位置に立設される。
集光型太陽光発電装置10は、太陽光を集光装置12で曲げるため、太陽電池セル14を常に太陽の方向に正確に向けておく必要がある。そのため、集光型太陽光発電装置10は、一般に、太陽電池セル14を太陽の方向に向けるための追尾装置を備えている。しかしながら、ホモジナイザー16の形状が柱状である場合、追尾ズレが生じたときに変換効率が著しく低下する。これに対し、ホモジナイザー16の形状を錐台状とすると、僅かな追尾ズレが生じても変換効率が大きく低下しないという利点がある。
(a)ほう珪酸塩ガラス、ケイ酸塩ガラスなどのナトリウム含有ガラス、
(b)アルミノケイ酸ガラス、ソーダカリバリウムガラス、
などがある。特に、ナトリウム含有ガラスは、安価で加工が容易であるため、ホモジナイザー16の材料として好適である。
ホモジナイザー16は、その屈折率nhが所定の条件を満たしている必要がある。この点については、後述する。
例えば、ホモジナイザー16の上端面(光の入射面)には、反射防止膜が形成されていても良い。反射防止膜としては、例えば、
(a)アルミナとチタニアの多層構造からなるTiO2/Al2O3反射防止膜、
(b)フッ化マグネシウム層やフッ化カルシウム層からなる反射防止膜、
などがある。
保護膜には、透光性が高く、かつ、耐熱性の高い材料を用いるのが好ましい。透過防止層20とは別に保護膜を形成する場合、保護膜の材料としては、例えば、ゲル状のシリコーン樹脂、アクリル樹脂フィルム、などがある。
封止材18は、ホモジナイザー16の下側の側面及び太陽電池セル14の露出部分を覆うためのものである。封止材18は、太陽電池セル14への水の侵入を長期間に渡って防止する必要があるため、耐熱性及び耐候性の高い材料を用いる必要がある。封止材18の材料としては、例えば、
(a)微粉ガラス入りシリコン樹脂、
(b)高い熱伝導性及び光反射性を有する白色かつ不透明の無機材料粉末(例えば、炭酸カルシウム、酸化チタン、高純度アルミナ、高純度酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウムなど)を充填した自己接着性RTVゴム、
(c)(b)の材料に、さらに10重量%以上のフッ素化シリコン樹脂を添加した材料、
(d)エポキシ樹脂、
などがある。
封止材18は、その屈折率nf及び高さaが所定の条件を満たしている必要がある。この点については、後述する。
透過防止層20は、ホモジナイザー16の下側の側面からの光の透過を防止するためのものであり、封止材18とホモジナイザー16との間に設けられている。透過防止層20は、ホモジナイザー16の下側の側面にのみ形成されていても良い。あるいは、図1に示すように、透過防止層20は、ホモジナイザー16の下側の側面及び底面にかけて一体的に形成されていても良い。すなわち、透過防止層20は、上述した保護膜を兼ねていても良い。
透過防止層20が保護膜を兼ねている場合、透過防止層20には、耐熱性が高く、かつ、透光性に優れた材料を用いる必要がある。一方、透過防止層20がホモジナイザー16の下側の側面にのみ形成される場合には、透過防止層20は、必ずしも光透過性を有する材料である必要はない。透過防止層20の材料としては、例えば、シリコン樹脂、フッ素樹脂などがある。
透過防止層20は、その屈折率nt、高さb、及び、厚さHが所定の条件を満たしている必要がある。この点については、後述する。
太陽電池セル14への水の侵入を防止することができ、かつ、耐熱性及び/又は耐候性を有する材料として、上述した種々の材料が知られている。上述した材料の耐候性と屈折率との間には相関があり、一般に、耐候性の高い材料ほど、屈折率が高くなる傾向がある。すなわち、低屈折率と高耐候性とを同時に満たし、かつ、太陽電池セル14の封止材として使用可能な材料は、知られていない。
そのため、本発明においては、太陽電池セル14への水の侵入を防止するために、封止材18には、耐候性の高い高屈折材料を用いる。一方、ホモジナイザー16の下側の側面からの光の漏れを防止するために、ホモジナイザー16と封止材18の間に透過防止層20を介在させ、透過防止層20には、耐候性は劣るが、屈折率の低い低屈折率材料を用いる。
すなわち、本発明において、ホモジナイザー16の屈折率nh、封止材18の屈折率nf、及び、透過防止層20の屈折率ntの間には、nh>nf>ntの関係がある。この点が、従来の集光型太陽光発電装置とは異なる。
例えば、ホモジナイザー16がナトリウム含有ガラス(屈折率:1.6)である場合、
(a)封止材18として、微粉ガラス入りシリコン樹脂(屈折率:1.5)、アクリル樹脂(屈折率:1.5)、ポリエステル樹脂(屈折率:1.5)などを用い、
(b)透過防止層20として、シリコン樹脂(屈折率:1.3〜1.39)、フッ素樹脂(屈折率:1.3〜1.4)などを用いるのが好ましい。
透過防止層20の厚さHは、発電効率及び耐候性に影響を与える。透過防止層20の厚さHが薄すぎると、ホモジナイザー16の下側の側面から光が漏れやすくなる。光の漏れを抑制するためには、透過防止層20の厚さHは、0.1mm以上である必要がある。透過防止層20の厚さHは、さらに好ましくは、0.2mm以上、さらに好ましくは、0.3mm以上、さらに好ましくは、0.4mm以上である。
透過防止層20の厚さHが厚くなると、やがて発電効率に及ぼす効果が飽和する。また、透過防止層20の厚さHが厚くなりすぎると、耐候性が低下し、太陽電池セル14に水分が到達しやすくなる。従って、透過防止層20の厚さHは、1.2mm以下である必要がある。透過防止層20の厚さHは、さらに好ましくは、1.0mm以下、さらに好ましくは、0.8mm以下である。
透過防止層20の高さbと、透過防止層20が形成されている位置の封止材18の高さaの比(=b/a)は、発電効率及び耐候性に影響を与える。b/a比が小さくなりすぎると、ホモジナイザー16の下側の側面から光が漏れやすくなる。従って、b/a比は、0.5以上である必要がある。b/a比は、さらに好ましくは、0.6以上、さらに好ましくは、0.7以上、さらに好ましくは、0.8以上である。
一方、b/a比が大きくなり過ぎると、耐候性が低下する。また、透過防止層20の屈折率は空気より大きいので、透過防止層20の高さbが封止材18の高さaを超えると、透過防止層20のみで覆われた部分からの光の漏れが増大する。また、透過防止層20が大気に露出するので、耐候性が低下する。従って、b/a比は、1.0未満である必要がある。b/a比は、さらに好ましくは、0.98以下、さらに好ましくは、0.96以下である。
ここで、「透過防止層20の高さb」とは、ホモジナイザー16の下端面から透過防止層20の上端までの距離をいう。
また、「封止材18の高さa」とは、ホモジナイザー16の下端面から封止材18の上端までの距離をいう。封止材18の高さaが一定でないときは、少なくとも透過防止層20が形成されている位置において、上述したb/a比の条件を満たしていればよい。
ホモジナイザー16の下側の側面に透過防止層20を形成する場合、まず、透過防止層20を構成する材料を適当な溶媒に溶かして溶液とする。次いで、浸漬、刷毛塗り等の方法により、ホモジナイザー16の下側(太陽電池セル14側)の側面に溶液を塗布する。この時、ホモジナイザー16の下側の端面に溶液を塗布しても良い。塗布後、溶媒を除去すると、少なくともホモジナイザー16の下側の側面に透過防止層20を形成することができる。さらに、ホモジナイザー16の下側の端面を基板22上に固定された太陽電池セル14の表面に密着させ、ホモジナイザー16の下側の側面及び太陽電池セル14を封止材18で封止する。
例えば、透過防止層20がシリコン樹脂である場合、ホモジナイザー16の下側をシリコン樹脂の溶液に、室温で1〜5秒浸漬する。ホモジナイザー16を溶液から引き上げ、太陽電池セル14に取り付け、120〜180℃で硬化(乾燥)させる。このような方法により、ホモジナイザー16の下側の側面及び底面に、保護膜を兼ねた透過防止層20を形成することができる。
さらに、集光装置12を基板22又は基板22が固定された枠に固定すると、本発明に係る集光型太陽光発電装置10が得られる。
錐台状のホモジナイザー16と封止材18が直接、接する状態の場合、ホモジナイザー16に入ってきた光の一部がホモジナイザー16と封止材18の界面から外部に漏れだし、太陽電池セル14の発電効率が低下していた。
これは、ホモジナイザー16の屈折率nhと封止材18の屈折率nfとの関係から説明できる。すなわち、スネルの法則により、光が全反射する条件は、
sinθ=nf/nh
と表せる。ここで、θは、光の入射角(反射面の法線方向と光の入射方向とのなす角)である。
例えば、nhが1.6である場合において、nfが1.5であるときには、θ=69.6°となる。また、nhが1.6である場合において、nfが1.3であるときには、θ=54.3°となる。すなわち、ホモジナイザー16の屈折率nhと、ホモジナイザー16と接する物質(空気や封止材18)の屈折率の差が大きいほど、スネルの法則によりホモジナイザー16内で光が全反射する確率が高くなり、発電効率が向上する。
ホモジナイザー16を錐と仮定したときの錐の頂角をαとし、光がk回目及び(k+1)回目の反射をするときの入射角を、それぞれ、θk及びθk+1とすると、これらの間には、θk+1=θk−αの関係がある。
そのため、ホモジナイザー16の下側の側面を高屈折材料からなる封止材18で封止すると、封止材18近傍での光の入射角θnが光の全反射の臨界角より小さくなり、光が封止材18側へ漏れる場合がある。また、これによって、太陽電池セル14に到達する光が減少し、発電効率が低下する。一方、これを避けるために封止材18として低屈折率材料を用いると、封止材18の耐候性が低下し、太陽電池セル14が劣化しやすくなる。
[1. 試料の作製]
図1に示す構造を備えた集光型太陽光発電装置10を作製した。ホモジナイザー16には、屈折率nhが1.6であるナトリウム含有ガラスを用い、ホモジナイザー16の寸法(mm)は、□11×□7×L22とした。封止材18には、屈折率nfが1.5である微粉ガラス入りシリコン樹脂を用いた。透過防止層20には、屈折率ntが1.3〜1.39であるシリコン樹脂を用いた。透過防止層20の厚さHは、0mm(比較例1)又は1.0mm(実施例1)とし、透過防止層20の高さbと封止材18の高さbの比(b/a)は、0(比較例1)又は0.9(実施例1)とした。太陽電池セル14の個数は、合計250個とした。
[2.1. 発電効率]
ホモジナイザー16に約60SUNの光を当て、各太陽電池セル14毎に、その時の短絡電流を測定した。得られた短絡電流から、相対短絡電流を算出した。
「相対短絡電流」とは、比較例1の短絡電流の平均値(im0)に対する、個々の太陽電池セルの短絡電流(i)の比(=i/imo)をいう。
[2.2. 耐候性試験]
UV照射装置を用いて、作製した太陽電池セル14にUVを照射した。UV照射のエネルギーは400mW/cm2とし、照射時間は20分とした。所定時間経過後、UV照射を止め、太陽電池セル14に3分間の水散布を行った。以下、このような操作を、10時間繰り返した。試験終了後、ホモジナイザー周辺の封止材に亀裂やべたつきがあるか否かを目視で判定した。
[3.1. 発電効率]
図2に、太陽電池セル14の測定数と相対短絡電流との関係を示す。「太陽電池セル14の測定数」とは、合計250個の太陽電池セルを相対短絡電流値が高い順に並べたときの順位を表す。
図2より、
(1)太陽電池セル14毎に相対短絡電流が異なる、
(2)測定数(順位)が0〜約200の範囲においては、実施例1の相対短絡電流は比較例1より約2.5%高い、
ことがわかる。
相対短絡電流は発電効率と相関があることから、ホモジナイザー16と封止材18の界面に透過防止層20を設けると、発電効率が向上することがわかった。
[3.2. 耐候性]
実施例1及び比較例1のいずれも、封止材に亀裂やべたつきはなく、良好な耐候性を示した。
[1. 試料の作製]
b/a=0.9とし、透過防止層20の厚さHを0〜1.2mmの範囲で変化させた以外は、実施例1と同様にして集光型太陽光発電装置10を作製した。太陽電池セル14の個数は、7水準×10個=合計70個とした。
[2. 試験方法]
[2.1. 発電効率]
実施例1と同一条件下で、各太陽電池セル14毎に、その時の短絡電流を測定した。得られた短絡電流から短絡電流相対増加量を算出した。
「短絡電流相対増加量(%)」とは、b/a=0.9、H=0.0mmの太陽電池セル14の短絡電流の平均値(im1)に対する、各水準の太陽電池セル14の短絡電流の平均値(im2)の増分(=(im2−im1)×100/im1)をいう。
[2.2. 耐候性]
実施例1と同一条件下で、耐候性を評価した。
[3.1. 発電効率]
図3に、b/a=0.9である透過防止層20の厚さHと短絡電流相対増加量との関係を示す。
図3より、
(1)Hが0.1mm以上になると、短絡電流相対増加量は0.5%以上になる、
(2)Hが1.0mm以上になると、短絡電流相対増加量はほぼ飽和する、
(3)短絡電流相対増加量を1.0%以上にするためには、Hを0.25mm以上にする必要がある、
(4)短絡電流相対増加量を1.5%以上にするためには、Hを0.42mm以上にする必要がある、
(5)短絡電流相対増加量を2.0%以上にするためには、Hを0.73mm以上にする必要がある、
ことがわかる。
[3.2. 耐候性]
いずれの太陽電池セルも、封止材に亀裂やべたつきがなく、良好な耐候性を示した。
[1. 試料の作製]
H=1.0mmとし、透過防止層20のb/a比を0.1〜1.2の範囲で変化させた以外は、実施例1と同様にして集光型太陽光発電装置10を作製した。太陽電池セル14の個数は、12水準×10個=合計120個とした。
[2. 試験方法]
[2.1. 発電効率]
実施例1と同一条件下で、各太陽電池セル14毎に、その時の短絡電流を測定した。得られた短絡電流から短絡電流相対増加量を算出した。
「短絡電流相対増加量(%)」とは、b/a=0、H=1.0mmの太陽電池セル14の短絡電流の平均値(im3)に対する、各水準の太陽電池セル14の短絡電流の平均値(im4)の増分(=(im4−im3)×100/im3)をいう。
[2.2. 耐候性]
実施例1と同一条件下で、耐候性を評価した。
[3.1. 発電効率]
図4に、H=1.0mmである透過防止層20のb/a比と短絡電流相対増加量との関係を示す。
図4より、
(1)b/a比が0.5以上になると、短絡電流相対増加量は0.45%以上になる、
(2)短絡電流相対増加量は、b/a比が1のときに最大となる、
(3)b/a比が1を超えると、ホモジナイザー16と空気との接触部分が減るために、短絡電流相対増加量が減少する、
(4)短絡電流相対増加量を1.0%以上にするためには、b/a比を0.75以上にする必要がある、
(5)短絡電流相対増加量を1.5%以上にするためには、b/a比を0.85以上1.16以下にする必要がある、
(6)短絡電流相対増加量を2.0%以上にするためには、b/a比を0.95以上1.05以下にする必要がある、
ことがわかる。
[3.2. 耐候性]
b/a比が1以上である場合、封止材に亀裂やべたつきが認められた。これに対し、b/a比が1未満である場合、いずれも封止材に亀裂やべたつきは認められなかった。
12 集光装置(一次光学系)
14 太陽電池セル
16 ホモジナイザー(二次光学系)
18 封止材
20 透過防止層
Claims (3)
- 以下の構成を備えた集光型太陽光発電装置。
(1)前記集光型太陽光発電装置は、
太陽光を集光するための集光装置と、
太陽電池セルと、
下端面が前記太陽電池セルに対向するように前記太陽電池セルの真上位置に立設され、前記集光装置により集光された太陽光を前記太陽電池セルへ導くためのホモジナイザーと、
前記ホモジナイザーの下側の側面及び前記太陽電池セルを覆う封止材と、
前記封止材と前記ホモジナイザーとの間に設けられた透過防止層と
を備えている。
(2)前記ホモジナイザーは、前記集光装置側の断面積が前記太陽電池セル側の断面積より大きい錐台形状を有する。
(3)前記ホモジナイザーの屈折率nh、前記封止材の屈折率nf、及び、前記透過防止層の屈折率ntの間には、nh>nf>ntの関係がある。
(4)前記透過防止層の厚さHは、0.1mm以上1.2mm以下である。
(5)前記透過防止層の高さbと、前記透過防止層が形成されている位置の前記封止材の高さaとの間に、0.5≦b/a<1.0の関係がある。 - 前記透過防止層の厚さHは、0.2mm以上1.0mm以下である請求項1に記載の集光型太陽光発電装置。
- 前記透過防止層の高さbと、前記透過防止層が形成されている位置の前記封止材の高さaの間に、0.6≦b/a≦0.98の関係がある請求項1又は2に記載の集光型太陽光発電装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010117417A JP5445327B2 (ja) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | 集光型太陽光発電装置 |
US13/110,531 US8748737B2 (en) | 2010-05-21 | 2011-05-18 | Concentrator photovoltaic device |
MX2011005357A MX2011005357A (es) | 2010-05-21 | 2011-05-20 | Dispositivo fotovoltaico concentrador. |
EP11004201.7A EP2388832B1 (en) | 2010-05-21 | 2011-05-20 | Concentrator photovoltaic device |
CN201110132199XA CN102254980A (zh) | 2010-05-21 | 2011-05-20 | 聚光器型光伏装置 |
AU2011202365A AU2011202365B2 (en) | 2010-05-21 | 2011-05-20 | Concentrator photovoltaic device |
ES11004201.7T ES2572659T3 (es) | 2010-05-21 | 2011-05-20 | Dispositivo fotovoltaico concentrador |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010117417A JP5445327B2 (ja) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | 集光型太陽光発電装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243927A true JP2011243927A (ja) | 2011-12-01 |
JP5445327B2 JP5445327B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44209954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010117417A Expired - Fee Related JP5445327B2 (ja) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | 集光型太陽光発電装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748737B2 (ja) |
EP (1) | EP2388832B1 (ja) |
JP (1) | JP5445327B2 (ja) |
CN (1) | CN102254980A (ja) |
AU (1) | AU2011202365B2 (ja) |
ES (1) | ES2572659T3 (ja) |
MX (1) | MX2011005357A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026353A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Daido Steel Co Ltd | 集光型太陽光発電装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (12)
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JP4821033B2 (ja) | 2006-01-25 | 2011-11-24 | 石塚硝子株式会社 | 集光型太陽光発電ユニットおよびその柱状光学ガラス部材 |
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JP5197311B2 (ja) | 2008-11-11 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 記録材判別装置及びそれを用いた画像形成装置 |
-
2010
- 2010-05-21 JP JP2010117417A patent/JP5445327B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-18 US US13/110,531 patent/US8748737B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-20 EP EP11004201.7A patent/EP2388832B1/en not_active Not-in-force
- 2011-05-20 ES ES11004201.7T patent/ES2572659T3/es active Active
- 2011-05-20 MX MX2011005357A patent/MX2011005357A/es active IP Right Grant
- 2011-05-20 CN CN201110132199XA patent/CN102254980A/zh active Pending
- 2011-05-20 AU AU2011202365A patent/AU2011202365B2/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006313809A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Daido Steel Co Ltd | 集光型太陽光発電装置 |
JP2010003969A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Sharp Corp | 太陽電池、集光型太陽光発電モジュール、および太陽電池製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2572659T3 (es) | 2016-06-01 |
EP2388832A3 (en) | 2015-04-01 |
US20110284076A1 (en) | 2011-11-24 |
CN102254980A (zh) | 2011-11-23 |
AU2011202365B2 (en) | 2014-02-20 |
JP5445327B2 (ja) | 2014-03-19 |
MX2011005357A (es) | 2011-11-21 |
US8748737B2 (en) | 2014-06-10 |
EP2388832B1 (en) | 2016-03-09 |
EP2388832A2 (en) | 2011-11-23 |
AU2011202365A1 (en) | 2011-12-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131118 |
|
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