JP2011233758A - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011233758A JP2011233758A JP2010103665A JP2010103665A JP2011233758A JP 2011233758 A JP2011233758 A JP 2011233758A JP 2010103665 A JP2010103665 A JP 2010103665A JP 2010103665 A JP2010103665 A JP 2010103665A JP 2011233758 A JP2011233758 A JP 2011233758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- resist pattern
- resist
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 114
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 105
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 71
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 69
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 35
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 341
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 45
- 238000011161 development Methods 0.000 description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 15
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 15
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 5
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- -1 (thio) isocyanate compound Chemical class 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- NONOKGVFTBWRLD-UHFFFAOYSA-N isocyanatosulfanylimino(oxo)methane Chemical group O=C=NSN=C=O NONOKGVFTBWRLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N acetone oxime Chemical compound CC(C)=NO PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の表面に表面処理剤を塗布する塗布工程S151と、塗布工程S151の後、基板の周縁部における基板の表面から表面処理剤を除去する第1の除去工程S152と、第1の除去工程S152の後、塗布されている表面処理剤により第1のレジストパターンの表面を表面処理するとともに、周縁部における基板の表面を疎水化処理する処理工程S153と、処理工程S153の後、表面処理されている第1のレジストパターンの表面に残存する表面処理剤を除去する第2の除去工程S154とを有する。
【選択図】図12
Description
(実施の形態)
始めに、図1から図14を参照し、実施の形態に係る基板処理方法、その基板処理方法を行うための塗布現像処理システムについて説明する。
(実施の形態の変形例)
次に、図15及び図16を参照し、本発明の実施の形態の変形例に係る基板処理方法について説明する。
133 第1のレジスト膜
135 第2のレジスト膜
FR 表面処理剤
P1 第1のレジストパターン
P2 第2のレジストパターン
WE 周縁部
Claims (6)
- 基板の表面に第1のレジスト膜よりなる第1のレジストパターンを形成した後、前記基板の表面に第2のレジストパターンを形成するための第2のレジスト膜を成膜する前に、前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の表面に表面処理剤を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後、前記基板の周縁部における前記基板の表面から前記表面処理剤を除去する第1の除去工程と、
前記第1の除去工程の後、塗布されている前記表面処理剤により前記第1のレジストパターンの表面を表面処理するとともに、前記周縁部における前記基板の表面を疎水化処理する処理工程と、
前記処理工程の後、表面処理されている前記第1のレジストパターンの表面に残存する前記表面処理剤を除去する第2の除去工程と
を有する、基板処理方法。 - 前記処理工程は、前記基板を疎水化処理剤の蒸気を含む雰囲気で熱処理することによって、前記表面処理剤により前記第1のレジストパターンの表面を表面処理するとともに、前記周縁部における前記基板の表面を疎水化処理するものである、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記処理工程は、
前記基板を熱処理することによって、前記表面処理剤により前記第1のレジストパターンの表面を表面処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後、前記周縁部における前記基板の表面を疎水化処理剤により疎水化処理する疎水化処理工程と
を有する、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記処理工程は、前記第1のレジストパターンの表面と前記第1のレジストパターンの表面に塗布されている前記表面処理剤とを反応させることによって、前記第1のレジストパターンの表面を硬化させるものである、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記塗布工程は、前記基板を回転させ、回転する前記基板の表面に前記表面処理剤を供給することによって、前記表面処理剤を塗布するものであり、
前記第1の除去工程は、前記基板を回転させ、回転する前記基板の前記周縁部に洗浄液を供給し、供給された前記洗浄液により前記表面処理剤を除去するものである、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法。 - 前記基板は、前記基板の表面に前記第1のレジストパターンが形成されるとともに、前記周縁部における前記基板の表面から前記第1のレジスト膜が除去されており、
前記第1の除去工程は、前記周縁部における前記基板の表面であって、前記第1のレジスト膜が除去されている領域から前記表面処理剤を除去するものである、請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010103665A JP5501085B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010103665A JP5501085B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011233758A true JP2011233758A (ja) | 2011-11-17 |
JP5501085B2 JP5501085B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=45322780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010103665A Active JP5501085B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5501085B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233799A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP2019057569A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004031662A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
JP2008277748A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | レジストパターンの形成方法とその方法により製造した半導体デバイス |
JP2010509783A (ja) * | 2006-11-14 | 2010-03-25 | エヌエックスピー ビー ヴィ | フィーチャ空間集積度を高めるリソグラフィのためのダブルパターニング方法 |
-
2010
- 2010-04-28 JP JP2010103665A patent/JP5501085B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004031662A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
JP2010509783A (ja) * | 2006-11-14 | 2010-03-25 | エヌエックスピー ビー ヴィ | フィーチャ空間集積度を高めるリソグラフィのためのダブルパターニング方法 |
JP2008277748A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | レジストパターンの形成方法とその方法により製造した半導体デバイス |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233799A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP2019057569A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5501085B2 (ja) | 2014-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4853536B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
KR101447759B1 (ko) | 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 | |
US9214363B2 (en) | Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method | |
JP4601079B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5099054B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4101740B2 (ja) | 塗布・現像装置及びレジストパターンの形成方法 | |
JP5067432B2 (ja) | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4912180B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP5107329B2 (ja) | 現像処理方法 | |
JP5501085B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR100493132B1 (ko) | 레지스트막의형성방법및레지스트막의형성장치 | |
JP4678740B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP2003109897A (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
JP4733192B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP2004055766A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JP2010182715A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP3559219B2 (ja) | 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法 | |
JP3909028B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP4807749B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP5501086B2 (ja) | 現像処理方法 | |
JP5159913B2 (ja) | 基板の塗布処理方法 | |
JP2011049353A (ja) | 塗布膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5501085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |