JP2011222584A - 半導体素子及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子及び半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明は、半導体基板と、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって形成された不純物含有部と、を備えた半導体素子である。本発明のように、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって、半導体基板に直接不純物を注入せずに不純物含有部を形成することが可能となる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第一実施形態に係る半導体素子10の概略断面図である。半導体素子10は、半導体基板1及び不純物含有部4を備える。
図6は、本発明の第二実施形態に係る半導体素子における半導体基板片の配置の一例を示す図である。本発明の第二実施形態に係る半導体素子においては、不純物含有部4における半導体基板片5の不純物濃度に基づく取り付け位置が、本発明の第一実施形態に係る半導体素子と相違する。本発明の第二実施形態に係る半導体素子は、2つの半導体素子10c、10dを並列接続で使用する場合のものであり、2つの半導体素子10c、10dを並列接続で使用すると、半導体素子10c及び半導体素子10d間の熱干渉で近接した部分の素子温度が上昇してしまう。
Claims (6)
- 半導体基板と、
あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を前記半導体基板に取り付けることによって形成された不純物含有部と、
を備えた半導体素子。 - 前記不純物含有部は、複数の前記半導体基板片を取り付けることによって形成されている請求項1記載の半導体素子。
- 前記不純物含有部は、前記不純物の濃度が異なる前記半導体基板片を取り付けることによって形成されている請求項2記載の半導体素子。
- 前記不純物含有部は、前記不純物の濃度が高い前記半導体基板片ほど前記不純物含有部の中央に取り付けられている請求項2又は3記載の半導体素子。
- 前記不純物含有部は、前記半導体基板に対して前記半導体基板片を接着により取り付けることによって形成された請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体素子。
- 半導体基板に不純物含有部を形成してなる半導体素子の製造方法において、
あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を前記半導体基板に取り付ける不純物含有部形成工程を備えた、半導体素子の製造方法。
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DE102014003988A1 (de) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Fanuc Corporation | Gaslaseroszillator mit Funktion zum Beurteilen des Beginns der Entladung |
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---|---|---|---|---|
JP2008205512A (ja) * | 2008-05-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
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DE102014003988A1 (de) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Fanuc Corporation | Gaslaseroszillator mit Funktion zum Beurteilen des Beginns der Entladung |
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