JP2011215870A - 書き込み装置、書き込み方法、及び書き込みプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】書き込み装置1は、情報の書き込み先となるクラスタを含むブロックに記憶されている情報をバックアップ情報として読み出し、バックアップ領域に書き込むバックアップ部4aと、バックアップ部4aがバックアップ情報をバックアップ領域に書き込んだ後に、情報を書き込み先となるクラスタに書き込む書き込み部4bと、書き込み先となるクラスタを含むブロックに含まれる情報が破壊された可能性がある場合、バックアップ情報をバックアップ領域から読み出し、当該バックアップ情報に対応するブロックに書き込む復旧部4cとを備える。
【選択図】図1
Description
まず、実施の形態に係る書き込み装置の構成を説明する。図1は、実施の形態に係る書き込み装置を例示するブロック図である。書き込み装置1は、書き込み対象の情報をフラッシュメモリ2に書き込むための装置であって、図1に示すように、DRAM3、及び制御部4を備えている。
DRAM3は、書き込み装置1によるバックアップに関する情報が書き込まれる揮発性記録手段であり、公知のDRAMを用いることができる。具体的には、DRAM3には、書き込み装置1によってバックアップされた情報(以下、「バックアップ情報」)の正当性やバックアップの状態を特定するためのヘッダ情報が書き込まれる。図2は、ヘッダ情報の内容を例示した表である。図2に示すように、ヘッダ情報には、「マジックコード」、「CID/CSD」、「LBA」、「ブロックサイズ」、「チェックサム」、「ビットマップ」、「バックアップステータス」、及び「ヘッダのチェックサム」が含まれている。
制御部4は、書き込み装置1を制御する制御手段である。具体的には、CPU、当該CPU上で解釈実行される各種のプログラム(OSなどの基本制御プログラムや、OS上で起動され特定機能を実現するアプリケーションプログラムを含む)、及びプログラムや各種のデータを格納するためのRAMの如き内部メモリを備えて構成されるコンピュータである。特に、実施の形態に係る書き込みプログラムは、任意の記録媒体又はネットワークを介して書き込み装置1にインストールされることで、制御部4の各部を実質的に構成する。
フラッシュメモリ2は、書き込み装置1による情報の書き込み先となる記憶手段であり、NAND型のフラッシュメモリが用いられる。このフラッシュメモリ2の記憶領域は複数のブロックに分割されており、さらにこのブロックは複数のクラスタによって構成されている。また、記憶領域の一部にはバックアップ情報が書き込まれるバックアップ領域が設けられている。このバックアップ領域は、他の記憶領域よりも書き込み限度回数が多い領域である。従って、バックアップ情報を繰り返しこのバックアップ領域に書き込むことが可能である。
次に、このように構成される書き込み装置1によって実行される処理について説明する。書き込み装置1によって実行される処理は、フラッシュメモリ2に格納されている情報のバックアップを行うバックアップ処理と、情報が破壊された可能性がある場合にこれを復旧する復旧処理とに大別される。これらの処理について、以下説明する。
まず、バックアップ処理について説明する。図3はバックアップ処理のフローチャートである(以下の各処理の説明ではステップを「S」と略記する)。このバックアップ処理は、フラッシュメモリ2に格納されている情報をバックアップするための処理であり、例えば書き込み装置1に対してフラッシュメモリ2への情報の書き込み要求がされた場合に起動される。
次に、復旧処理について説明する。図6は復旧処理のフローチャートである。この復旧処理は、書き込み装置1の電源がONされた場合に起動される。
このように実施の形態によれば、書き込み対象の情報をフラッシュメモリ2に書き込む際、当該書き込み対象の情報の書き込み先となるクラスタを含む複数のクラスタで構成されたブロック単位で、当該ブロックに記憶されている情報をバックアップ情報として読み出し、バックアップ領域に書き込む。そして、書き込み対象の情報の書き込み先となったクラスタを含むブロックに含まれる情報が破壊された可能性がある場合、バックアップ部4aによって書き込まれたバックアップ情報をバックアップ領域から読み出し、バックアップ情報に対応するブロックに書き込むので、電源遮断等の障害に起因して書き込み対象の情報が書き込まれるクラスタを含むブロックに格納されている他の情報が破壊された場合であっても、バックアップ情報に基づいてこれを復旧することができる。
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明の具体的な構成及び手段は、特許請求の範囲に記載した各発明の技術的思想の範囲内において、任意に改変及び改良することができる。以下、このような変形例について説明する。
まず、発明が解決しようとする課題や発明の効果は、上述の内容に限定されるものではなく、発明の実施環境や構成の細部に応じて異なる可能性があり、上述した課題の一部のみを解決したり、上述した効果の一部のみを奏することがある。
上述の実施の形態では、バックアップ領域はフラッシュメモリ2の記憶領域の一部に設けられていると説明したが、他の記憶手段にバックアップ領域を設けてもよい。例えば、DRAM3にバックアップ領域を設け、ヘッダ情報とバックアップ情報とをDRAM3に書き込むようにしてもよい。
2 フラッシュメモリ
3 DRAM
4 制御部
4a バックアップ部
4b 書き込み部
4c 復旧部
Claims (6)
- NAND型のフラッシュメモリに情報を書き込むための書き込み装置であって、
書き込み対象の情報を前記フラッシュメモリに書き込む際、当該情報の書き込み先となるクラスタを含む複数のクラスタで構成されたブロック単位で、当該ブロックに記憶されている情報をバックアップ情報として読み出し、所定のバックアップ領域に書き込むバックアップ手段と、
前記バックアップ手段が前記バックアップ情報を前記バックアップ領域に書き込んだ後に、前記情報を前記書き込み先となるクラスタに書き込む書き込み手段と、
前記書き込み先となるクラスタを含む前記ブロックに含まれる情報が破壊された可能性がある場合、前記バックアップ手段によって書き込まれた前記バックアップ情報を前記バックアップ領域から読み出し、当該バックアップ情報に対応する前記ブロックに書き込む復旧手段と、
を備える書き込み装置。 - 前記復旧手段は、
前記書き込み先となるクラスタへの前記書き込み手段による情報の書き込みが中断された場合、当該クラスタを含むブロックに含まれる情報が破壊された可能性があるものとする、
請求項1に記載の書き込み装置。 - 前記バックアップ手段は、
前記書き込み先となるクラスタを含む前記ブロックを構成するクラスタのうち、使用されていないクラスタについては前記バックアップ情報を読み出さない、
請求項1又は2に記載の書き込み装置。 - 前記バックアップ領域は、前記フラッシュメモリに設けられている領域であって、当該フラッシュメモリに設けられている他の記憶領域よりも書き込み限度回数が多い領域である、
請求項1から3のいずれか一項に記載の書き込み装置。 - NAND型のフラッシュメモリに情報を書き込むための書き込み方法であって、
書き込み対象の情報を前記フラッシュメモリに書き込む際、当該情報の書き込み先となるクラスタを含む複数のクラスタで構成されたブロック単位で、当該ブロックに記憶されている情報をバックアップ情報として読み出し、所定のバックアップ領域に書き込むバックアップステップと、
前記バックアップステップで前記バックアップ情報を前記バックアップ領域に書き込んだ後に、前記情報を前記書き込み先となるクラスタに書き込む書き込みステップと、
前記書き込み先となるクラスタを含む前記ブロックに含まれる情報が破壊された可能性がある場合、前記バックアップステップで書き込まれた前記バックアップ情報を前記バックアップ領域から読み出し、当該バックアップ情報に対応する前記ブロックに書き込む復旧ステップと、
を含む書き込み方法。 - 請求項5に記載の方法をコンピュータに実行させる書き込みプログラム。
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