JP2011201015A - ポリッシング装置及び方法 - Google Patents
ポリッシング装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011201015A JP2011201015A JP2011158797A JP2011158797A JP2011201015A JP 2011201015 A JP2011201015 A JP 2011201015A JP 2011158797 A JP2011158797 A JP 2011158797A JP 2011158797 A JP2011158797 A JP 2011158797A JP 2011201015 A JP2011201015 A JP 2011201015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- guide ring
- top ring
- pressing force
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】ポリッシング対象物を保持するトップリング1を回転させる際の軸中心となるトップリングシャフト8の周囲に別個に設けられ、ポリッシング対象物を研磨する際、トップリングシャフト8とは一緒に回転しないよう構成された部材21を備え、トップリング1の周囲に上下動自在に配置されたガイドリング3に押圧力を与えるための流体圧を調節する第2のレギュレータR2からガイドリング押え20を介してガイドリング3へ行われる押圧力の伝達が、トップリングシャフト8の周囲に別個に設けられた部材21を介して行われる。
【選択図】図4
Description
本発明の一態様は、前記第1の流体圧調節機構及び第2の流体圧調節機構に接続される流体源を有することを特徴とする。
本発明の一態様は、前記押圧手段はトップリングを支持するトップリングヘッドに固定されている。
図2(a),(b),(c)に示されるように、ガイドリング3に押圧力F2を加えた場合、研磨布6が圧縮され、半導体ウエハ4の周縁部に対する研磨布6の接触状態が変化していく。このため、F1とF2との関係を変更することにより半導体ウエハ4の研磨圧力の分布を内部側と周縁部とで種々に変えることができる。
F1≒F2の場合には半導体ウエハ4の中心部から周縁部、さらにはガイドリングの外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一になり、半導体ウエハ4は中心部から周縁部まで均一な研磨量が得られる。
F1<F2の場合には半導体ウエハ4の周縁部の研磨圧力が内部より低くなり、半導体ウエハ4の周縁部の研磨量を内部の研磨量より少なくすることができる。
図4および図5において、符号1はトップリングであり、トップリング1の下面には弾性マット2が貼着されている。またトップリング1の外周部にはガイドリング3が配置されている。またトップリング1の下方には、上面に研磨布6を貼ったターンテーブル5が設置されている。
本実施例においては、トップリング1の外周部にあるガイドリング3はガイドリング押え26により保持されており、ガイドリング押え26は複数のローラ27により押圧されるようになっている。ローラ27はシャフト28を介してトップリングヘッド9に固定されたガイドリング用エアシリンダ22に連結されている。ガイドリング3がトップリング1に対して上下動自在でトップリング1とともに回転できることは、図4及び図5に示す実施例と同様である。
上述のように、第1実施例及び第2実施例においては、トップリングシャフト8の周囲に別個に設けられ、トップリングシャフト8と一緒に回転することはしない部材21及び28を介してガイドリング押圧力が伝達されるので、研磨中すなわちトップリングが回転中であっても、ガイドリング押圧力を変更することが可能である。
本実施例においては、トップリング1の外周部にあるガイドリング3は、トップリング1に固定されたガイドリング用エアシリンダ31に連結されている。ガイドリング用エアシリンダ31はトップリングシャフト8内の連通路8a、ロータリージョイント32、レギュレータR2を介して圧縮空気源24に接続されている。
図8に示す例では、半導体デバイスは、シリコンからなる基材40と、基材40上の酸化膜41と、酸化膜41上の金属膜42と、金属膜42上の酸化膜43とから構成されている。図8(a)は研磨前の状態を示し、図8(b)は研磨後の状態を示す。研磨後には、半導体デバイスの周縁部で金属膜42が露出している。研磨後に薬液洗浄すると、図8(c)に示すように金属膜42が薬液によって侵される。金属膜42を薬液に侵されないようにするためには、図8(d)に示すように周縁部の研磨量を内部側より少なくして周縁部の酸化膜43を厚く残すことが好ましい。このような要請に本発明は好適である。
2 弾性マット
3 ガイドリング
4 半導体ウエハ
5 ターンテーブル
6 研磨布
7 ボール
8 トップリングシャフト
9 トップリングヘッド
10 トップリング用エアシリンダ
18 キー
19 ベアリング
20 ガイドリング押え
22 ガイドリング用エアシリンダ
24 圧縮空気源
25 砥液供給ノズル
26 ガイドリング押え
27 ローラ
31 ガイドリング用エアシリンダ
32 ロータリージョイント
33 演算器
R1,R2 レギュレータ
Claims (8)
- 上面に研磨布を貼ったテーブルと、
ポリッシング対象物を保持するトップリングと、
前記ポリッシング対象物に押圧力を与えるための流体圧を調節する第1のレギュレータと、
前記トップリングの周囲に上下動自在に配置されたガイドリングと、
前記ガイドリングに押圧力を与えるための流体圧を調節する第2のレギュレータと、
前記トップリングを回転させる際の軸中心となるトップリングシャフトと、
該ガイドリングを保持するガイドリング押えと、
前記トップリングシャフトの周囲に別個に設けられ、ポリッシング対象物を研磨する際、前記トップリングシャフトとは一緒に回転しないよう構成された部材を備え、
前記第2のレギュレータからガイドリング押えを介してガイドリングへ行われる押圧力の伝達が、前記トップリングシャフトの周囲に別個に設けられた部材を介して行われることを特徴とするポリッシング装置。 - 上面に研磨布を貼ったテーブルと、
ポリッシング対象物を保持するトップリングと、
弾性を有し前記ポリッシング対象物の上面と接して該ポリッシング対象物を均一に押圧する弾性体と、
前記ポリッシング対象物に押圧力を与えるための流体圧を調節するための第1の流体圧調節機構と、
前記トップリングの周囲に上下動自在に配置される前記研磨布を押圧するためのガイドリングと、
前記ガイドリングに押圧力を与えるための流体圧を調節するための第2の流体圧調節機構と、
前記ガイドリングに押圧力を与えるために該ガイドリングと前記第2の流体圧調節機構との間に設けられたガイドリング押えとを有することを特徴とするポリッシング装置。 - 前記第1の流体圧調節機構及び第2の流体圧調節機構に接続される流体源を有することを特徴とする請求項2記載のポリッシング装置。
- 上面に研磨布を貼ったテーブルと、
酸化膜を有するポリッシング対象物を保持するトップリングと、
前記ポリッシング対象物に押圧力F1を与えるための第1の流体圧を調整する第1のレギュレータと、
前記トップリングの周囲に上下動自在に配置されて前記研磨布を押圧するガイドリングと、
前記ガイドリングに押圧力F2を与えるための第2の流体圧を調整する第2のレギュレータを備え、
前記ポリッシング対象物を研磨する際、前記第1の流体圧と前記第2の流体圧は、前記ポリッシング対象物への押圧力F1よりも前記ガイドリングへの押圧力F2を小さくして、前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨量を該ポリッシング対象物の内部側より少なくして該ポリッシング対象物の周縁部の酸化膜を厚く残すように前記第1のレギュレータと前記第2のレギュレータにより調整されることを特徴とするポリッシング装置。 - 上面に研磨布を貼ったテーブルとトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて押圧し、研磨するポリッシング方法であって、
前記トップリングに前記ポリッシング対象物を保持したまま該トップリングをトップリングシャフトの軸中心に回転させ、調節された第1の流体圧を第1の押圧機構に供給してポリッシング対象物を前記研磨布に対して押圧し、
前記第1の流体圧と独立に調整された第2の流体圧を第2の押圧機構に供給し、該第2の押圧機構と前記ガイドリングとの間に設けられたガイドリング押えを介して、ガイドリングを前記研磨布に対して押圧することを特徴とするポリッシング方法。 - 上下動自在に配置されたガイドリングの内側に配置され、ポリッシング対象物の上面と接して該ポリッシング対象物を均一に押圧する、弾性を有する弾性マットを有し、
ガイドリング押えを介して前記ガイドリングを前記研磨布に対して押圧する押圧手段とは独立に、研磨布に対して押圧する押圧手段によって下方に押圧されるようにされたトップリングを用いてポリッシング対象物をポリッシングする方法において、
前記ポリッシング対象物を研磨する際、前記ポリッシング対象物への押圧力F1よりもガイドリングへの押圧力F2を小さくして、前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨量を該ポリッシング対象物の内部側より少なくして該ポリッシング対象物の周縁部の酸化膜を厚く残すようにしたことを特徴とするポリッシング方法。 - 上下動自在に配置されたガイドリングの内側に配置され、ポリッシング対象物の上面と接して該ポリッシング対象物を均一に押圧する、弾性を有する弾性マットと、
トップリングを軸中心に回転させるためのトップリングシャフトと、
前記トップリングシャフトと接合するボールとを有し、
前記ガイドリングを前記研磨布に対して押圧する押圧手段とは独立に、研磨布に対して押圧する押圧手段を有するトップリングを用いてポリッシング対象物をポリッシングする方法において、
前記ポリッシング対象物を研磨する際、前記ポリッシング対象物への押圧力F1よりもガイドリングへの押圧力F2を小さくして、前記ポリッシング対象物の周縁部の研磨量を該ポリッシング対象物の内部側より少なくして該ポリッシング対象物の周縁部の酸化膜を厚く残すようにしたことを特徴とするポリッシング方法。 - 前記トップリングと前記ガイドリングとが、一体に上下動および回転することができるように構成されたことを特徴とする請求項6又は7に記載のポリッシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011158797A JP5291151B2 (ja) | 1995-10-09 | 2011-07-20 | ポリッシング装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28797695 | 1995-10-09 | ||
JP1995287976 | 1995-10-09 | ||
JP2011158797A JP5291151B2 (ja) | 1995-10-09 | 2011-07-20 | ポリッシング装置及び方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161081A Division JP2008229846A (ja) | 1995-10-09 | 2008-06-20 | ポリッシング装置及び方法並びにトップリング |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011201015A true JP2011201015A (ja) | 2011-10-13 |
JP2011201015A5 JP2011201015A5 (ja) | 2012-10-11 |
JP5291151B2 JP5291151B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=39903230
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161081A Withdrawn JP2008229846A (ja) | 1995-10-09 | 2008-06-20 | ポリッシング装置及び方法並びにトップリング |
JP2011158797A Expired - Lifetime JP5291151B2 (ja) | 1995-10-09 | 2011-07-20 | ポリッシング装置及び方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161081A Withdrawn JP2008229846A (ja) | 1995-10-09 | 2008-06-20 | ポリッシング装置及び方法並びにトップリング |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2008229846A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014158548A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate precession mechanism for cmp polishing head |
KR101625434B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-05-30 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼 평탄도 조절 방법 |
CN112621458A (zh) * | 2020-11-29 | 2021-04-09 | 厦门理工学院 | 弹簧式重心可调抛光盘机构及抛光方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009030298B4 (de) | 2009-06-24 | 2012-07-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur lokalen Politur einer Halbleiterscheibe |
MY186275A (en) | 2016-08-23 | 2021-07-02 | Shinetsu Chemical Co | Method for producing substrate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56146667A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-14 | Hitachi Ltd | Mirror surface grinder |
JPS63300858A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | 空気軸受式ワ−クホルダ |
JPH08229808A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59187456A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の研摩方法 |
-
2008
- 2008-06-20 JP JP2008161081A patent/JP2008229846A/ja not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-07-20 JP JP2011158797A patent/JP5291151B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56146667A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-14 | Hitachi Ltd | Mirror surface grinder |
JPS63300858A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | 空気軸受式ワ−クホルダ |
JPH08229808A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014158548A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate precession mechanism for cmp polishing head |
KR101625434B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-05-30 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼 평탄도 조절 방법 |
CN112621458A (zh) * | 2020-11-29 | 2021-04-09 | 厦门理工学院 | 弹簧式重心可调抛光盘机构及抛光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008229846A (ja) | 2008-10-02 |
JP5291151B2 (ja) | 2013-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3724869B2 (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
US6350346B1 (en) | Apparatus for polishing workpiece | |
JP3807807B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
US20030104769A1 (en) | Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates | |
JP5291151B2 (ja) | ポリッシング装置及び方法 | |
US6322434B1 (en) | Polishing apparatus including attitude controller for dressing apparatus | |
US5980685A (en) | Polishing apparatus | |
WO2000045993A1 (fr) | Dispositif de maintien et de polissage de plaquette | |
JP3795128B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JP2003224095A (ja) | 化学機械研磨装置 | |
KR20080041408A (ko) | 화학적 기계적 연마장치 및 방법 | |
US6132295A (en) | Apparatus and method for grinding a semiconductor wafer surface | |
JP3045966B2 (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
JP4159558B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JPH09225820A (ja) | 研磨装置 | |
JP3944260B2 (ja) | 基板研磨方法及びその装置 | |
JP3575944B2 (ja) | 研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2000000757A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP2000084837A (ja) | 研摩ヘッド及び研摩方法 | |
JP3902715B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JPH11333677A (ja) | 基板の研磨装置 | |
JPH10286758A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP3681226B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP2000233360A5 (ja) | ||
JP2000233360A (ja) | ポリッシング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110801 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130426 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130606 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |