JP2011198542A - コネクタ - Google Patents

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Abstract

【課題】金属材料で形成されたフレームの接合部とコンタクトの接点部と端子部を除いた部位に絶縁膜を施して、絶縁膜同士を接合するが、電気的な絶縁性能を確保するための一定の膜厚を確保することが難しいばかりではなく、膜厚の精度を得ることにも問題があり、特に、個々の部品の反りや変形を組立冶工具にセットして矯正を行う際に、絶縁膜の膜厚の変形が著しいという問題がある。
【解決手段】フレーム(12)、及び/又はコンタクト(31、41)に絶縁膜を施し、両者を電気的に絶縁された状態で接合したコネクタにおいて、絶縁膜(60)にはスペーサー粒子(61)が配合されていることを特徴とする。
【選択図】 図4

Description

本発明は、コンタクトを取り付けるフレームを金属材料にて形成したコネクタに関する。
出願人は、特開2009−295351号公報にて以下の(1)〜(14)の特徴を有するコネクタを開示している。
(1)コネクタは、金属材料で形成されているコンタクトを、金属材料で形成されているフレームに、電気的に絶縁された状態で接合(以下、「絶縁接合」という。)したことである。
(2)絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいるフレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、シールドカバーとフレームで形成される空間にメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(1)に記載のコネクタ。
(3)コネクタは、コンタクトを絶縁接合する接合部を備えたフレームと、接点部と端子部を有するコンタクトとからなり、接合部に絶縁膜を施し、コンタクトの接点部と端子部を除いた部位に絶縁膜を施し、絶縁膜を施したコンタクトの部位を、絶縁膜を施した接合部に接合させたことである。
(4)絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいるフレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、シールドカバーとフレームで形成される空間にメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(3)に記載のコネクタ。
(5)コネクタは、コンタクトを絶縁接合するための部位を切り欠いて形成された接合部を備えたフレームと、コンタクトとからなり、接合部の裏面に絶縁膜を施し、コンタクトの接点部と端子部を除いた部位の表面に絶縁膜を施し、絶縁膜を施したコンタクトの部位表面を、絶縁膜を施した接合部の裏面から接点部を臨ませた状態にして接合したことである。
(6)絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいるフレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、シールドカバーとフレームで形成される空間にメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(5)に記載のコネクタ。
(7)接合部の裏面を肉薄に形成したことを特徴とする(5)に記載のコネクタ。
(8)フレームの表面に絶縁膜を施したことを特徴とする(5)に記載のコネクタ。
(9)コネクタは、コンタクトを絶縁接合するための部位を切り欠いて形成された接合部を備えたフレームと、コンタクトとからなり、接合部の表面に絶縁膜を施し、コンタクトの接点部と端子部を除いた部位の裏面に絶縁膜を施し、絶縁膜を施したコンタクトの部位裏面を、絶縁膜を施した接合部の表面に接合したことである。
(10)絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいるフレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、シールドカバーとフレームで形成される空間にメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(9)に記載のコネクタ。
(11)接合されたコンタクトの接点部と端子部を除く部位の表面に絶縁膜を施したことを特徴とする(9)に記載のコネクタ。
(12)コネクタは、コンタクトを絶縁接合するための部位を切り欠いて形成された接合部を備えたフレームと、コンタクトとからなり、接合部の破断面とコンタクトの側面との間に絶縁剤を充填して接合部にコンタクトを絶縁接合したことである。
(13)絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいるフレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、シールドカバーとフレームで形成される空間にメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(12)に記載のコネクタ。
(14)絶縁接合されたコンタクトの接点部と端子部を除く部位の表面に絶縁膜を施し、フレームの表面に絶縁膜を施したことを特徴とする(12)に記載のコネクタ。
特開2009−295351号公報
しかし、背景技術で説明したコネクタにおいては、金属材料で形成されたフレームの接合部とコンタクトの接点部と端子部を除いた部位に絶縁膜を施して、絶縁膜同士を接合するが、電気的な絶縁性能を確保するための一定の膜厚を確保することが難しいばかりではなく、膜厚の精度を得ることにも問題があり、解決しなければならない課題を有する。
特に、個々の部品の反りや変形を組立冶工具にセットして矯正を行う際に、絶縁膜の膜厚の変形が著しいという問題があった。
また、組立冶工具で矯正しない(できない)場合は、各部品の精度に問題があり、部品同士の電気的な絶縁が確保できないことがあった。
本発明のコネクタは、フレーム(12)、及び/又はコンタクト(31、41)に絶縁膜を施し、両者を電気的に絶縁された状態で接合したコネクタにおいて、絶縁膜(60)にはスペーサー粒子(61)が配合されていることを特徴としたことである。
本発明によれば、電気的な絶縁性能を確保するための一定の膜厚を確保できる。
また、膜厚の精度を得ることができる。
さらに、個々の部品の反りや変形を組立冶工具にセットして矯正を行っても、絶縁膜の膜厚の変形を防止できる。
組立冶工具にて矯正しない(できない)場合であっても、必要とする絶縁膜の膜厚を確保できる。
本発明のコネクタの表面側斜視図である。 同コネクタの裏面側斜視図である。 同コネクタのフレームとコンタクトの絶縁膜を施す領域を斜線で示した説明図である。 絶縁膜の断面参考図である。
本発明のコネクタは、図1乃至図3に示すように、コンタクト31、41をフレーム12に接合した構成となっている。
なお、商品構成としてシールドカバー38を被せるタイプもある。
フレーム12は、平板17と、平板17の左右両端と後端を折り曲げた左壁13と右壁14と後壁15を、金属材料をプレス加工することで形成される。
これらの平板17と、左壁13、右壁14、後壁15で挟まれた領域がメモリカード51のカード挿入路16となる。
このフレーム12には、メモリカード51の接点52に接触するコンタクト(第1のコンタクト31、第2のコンタクト41)が電気的に絶縁された状態で接合(以下、「絶縁接合」という。)される。
そして、左壁13と右壁14にまたがるようにシールドカバー38を被せて、カード挿入路16との間にメモリカード51を挿入する空間を形成する。
このカード挿入路16には、フレーム12の手前側に第1のコンタクト31を絶縁接合する貫通孔25を形成した第1の接合部21と、フレーム12の奥側に第2のコンタクト41を絶縁接合す貫通孔26を形成した第2の接合部22を設ける。
第1の接合部21には、貫通孔25の周囲の板厚を薄くした第1の接合凹部23(図3における斜線の部分)を形成し、絶縁膜を施す。
絶縁膜の加工工程は、フレーム12を脱脂し、マスキングを施した後に、例えば下記の方法にて行う。
なお、脱脂、マスキングは必須の工程ではない。
(1) 転写
(2) ディスペンス(塗布)
(3) インクジェット印刷
(4) 電着
同様に、第2の接合部22には、貫通孔26の周囲の板厚を薄くした第2の接合凹部24(図3における斜線の部分)を形成し、絶縁膜を施す。
電着による絶縁膜の加工としては、国際公開公報WO98/03701にて開示されている方法が利用できる。
なお、絶縁膜に代えて、絶縁性接着剤、絶縁テープを利用してもよい。
第1のコンタクト31は、金属材料を長方形のフレーム状に形成した枠体32と、枠体32の一辺から外方向に導き出された端子部33と、枠体32に連設して枠体32の中央に向かって端子部33と逆方向に舌片状の接点部34を形成する。
なお、接点部34はバネ性を持たせるために反り返らせている。
この枠体32が貫通孔25の縁部に装着される部位となる。
この枠体32の接点部34と端子部33を除いた表面35(図3における斜線の部分)には、フレーム12と同様に絶縁膜が施されるが、絶縁膜として絶縁性接着剤や絶縁テープを利用してもよい。
第2のコンタクト41は、金属材料を長方形のフレーム状に形成した枠体42と、枠体42の一辺から外方向に導き出された端子部43と、枠体42に連設して枠体32の中央に向かって端子部43と同方向に舌片状の接点部44を形成する。
なお、接点部34はバネ性を持たせるために反り返らせている。
この枠体42が貫通孔26の縁部に装着される部位となる。
この枠体42の接点部44と端子部43を除いた表面45(図3における斜線の部分)には、第1のコンタクト31と同様に絶縁膜が施されるが、絶縁膜として絶縁性接着剤や絶縁テープを利用してもよい。
本発明における絶縁膜に使用される絶縁樹脂は、図4に模式的に示すように、スペーサー粒子を含有していることが特徴である。
このスペーサー粒子は、プラスチック、シリカ、炭酸カルシウム等の導電性が無い球状の粒子であり、例えば、積水化学工業株式会社製のミクロパール(登録商標)を用いることができる。
本実施例においては、スペーサー粒子の直径は20μm程度であるが、コネクタに求められる電気的な絶縁性能、所定の膜厚、並びに組立寸法により適宜に選択する。
実施例のコネクタに求められる電気的な絶縁性能は以下の通りである。
ただし、他のコネクタ、コネクタを使用する製品によっては異なる性能が求められることがある。
絶縁抵抗:隣接するコンタクト間、及びコンタクトとシールドカバー間にDC250Vを1分間印加して測定し、絶縁抵抗が1000MΩ以上であること。
耐電圧:隣接するコンタクト間、及びコンタクトとシールドカバー間にAC250Vを1分間印可して測定し、リーク電流2mA以下であること。
なお、絶縁膜として使用する絶縁性接着剤や絶縁テープにもスペーサー粒子が含有されている。
以下に組立方法を説明する。
(1)セッティング工程
絶縁膜を施したフレーム12と、第1のコンタクト31と第2のコンタクト41を、位置合わせして組立冶工具にセットする。
その際、個々の部品の反りや変形の矯正を行うために力が加えられるが、絶縁膜にスペーサー粒子が含まれているので、絶縁膜の膜厚変形を防止することができる。
また、組立冶工具にて矯正しない(できない)場合であっても、必要とする絶縁膜の膜厚を確保できる。
(2)洗浄
(3)硬化処理
硬化処理としては、例えば以下の方法がある。
・リフロー加熱硬化
・オーブン加熱硬化
・パルスヒート加熱硬化
・ホットプレス硬化
・UV硬化
(4)冷却
この様にして、金属材料で形成されたフレーム12に、金属材料で形成された第1及び第2のコンタクト31、41が電気的に絶縁された状態で取り付けることができる。
その後、商品構成上の必要に応じて、平板17を覆うようにシールドカバー38を被せてもよい。
なお、フレーム12自体をシールドカバーも兼ねた構造のケースに形成してもよい。
前述したコネクタは、フレーム12の裏面18に第1及び第2のコンタクト31、41を取り付けたが、フレーム12の表面に取り付けてもよい。
また、フレーム12及びコンタクト31、41に絶縁膜を施した例で説明したが、フレーム12又はコンタクト31、41のどちらかに絶縁膜が施されていてもよい。
また、接合部21、22に接合凹部23、24を形成した例で説明したが、コネクタの超薄型化には有効であるが、形成しなくて場合もある。
金属材料で形成されたコンタクトを、やはり金属材料で形成したフレームに絶縁接合することで、従来の如く樹脂性部材で形成されたフレームと異なり樹脂では限界であった薄型及び薄型に伴い発生する剛性等が確保され、薄型・小型化が容易に達成できるコネクタを提供できる。
12 フレーム
13 左壁
14 右壁
15 後壁
16 カード挿入路
17 平板
18 裏面
21 第1の接合部
22 第2の接合部
23 第1の接合凹部
24 第2の接合凹部
25 貫通孔
26 貫通孔
31 第1のコンタクト
32 枠体
33 端子部
34 接点部
35 表面
38 シールドカバー
41 第2のコンタクト
42 枠体
43 端子部
44 接点部
45 表面
51 メモリカード
52 接点
60 絶縁膜
61 スペーサー粒子

Claims (3)

  1. フレーム(12)、及び/又はコンタクト(31、41)に絶縁膜を施し、両者を電気的に絶縁された状態で接合したコネクタにおいて、絶縁膜(60)にはスペーサー粒子(61)が配合されていることを特徴とするコネクタ。
  2. フレーム(12)とコンタクト(31、41)は、金属材料で形成されていることを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
  3. 金属材料で形成されている部材、及び/又は金属材料で形成されている他の部材に絶縁膜を施し、両者を電気的に絶縁された状態で接合した電子部品において、前記絶縁膜には粒子が配合されていることを特徴とするコネクタ。
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