JP2011193093A - 磁性薄膜を用いた伝送線路デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】伝送線路デバイスの導体ライン1の表皮効果や近接効果を抑制するために、導体ライン1の線路方向に沿ってスリットを設けて導体ライン1を分割する。また、磁性薄膜2の渦電流損失を抑制するために、磁性薄膜2の面内にスリット10−1、10−2を設けて磁性薄膜2を分割する。そして、導体ライン1のスパイラル線路構造に上記の少なくともいずれか一方の構成を組み合わせて挿入損失を低減することにより解決する。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1に係る伝送線路デバイスの導体ライン1の形状および磁性薄膜2の形状を示す構造図である。図1は伝送線路デバイスの上面図であり、図2は伝送線路デバイスの断面図である。
図9は、この発明の実施の形態2に係る伝送線路デバイスの導体ライン1の形状および磁性薄膜2の形状を示す構造図である。図9は伝送線路デバイスの上面図であり、伝送線路デバイスの断面図は、図2と同様である。
Claims (8)
- 導体ラインと、該導体ラインに対して誘電体を介して積層された磁性薄膜とを構成要素として有する伝送線路デバイスにおいて、前記導体ラインはスパイラル線路構造を有するとともに、該スパイラル線路構造の平面形状において前記磁性薄膜の磁化困難軸方向に励磁する線路方向の線路長成分の合計が磁化容易軸方向に励磁する線路方向の線路長成分の合計よりも大きく、前記磁性薄膜は、前記導体ラインの少なくとも一部の線路部分に沿ったスリットにより分断されていることを特徴とする伝送線路デバイス。
- 前記磁性薄膜のスリットは前記磁化困難軸方向に励磁する前記導体ラインの線路部分に沿って形成される部分を有することを特徴とする請求項1に記載の伝送線路デバイス。
- 前記導体ラインはダブルスパイラル線路構造を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の伝送線路デバイス。
- 前記導体ラインはその線路方向に伸びるスリットにより幅方向に分割されていることを特徴とする請求項3に記載の伝送線路デバイス。
- 前記磁性薄膜のスリットは、電流の向きが相互に逆方向である隣接する前記導体ラインの間を通過することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の伝送線路デバイス。
- 磁性薄膜のスリットは、前記導体ラインの幅方向端縁に対し外側に隣接する位置に形成されていることを特徴とする請求項1又は5に記載の伝送線路デバイス。
- 導体ラインと、該導体ラインに対して誘電体を介して積層された磁性薄膜とを構成要素として有する伝送線路デバイスにおいて、前記導体ラインはダブルスパイラル線路構造を有し、前記導体ラインはその線路方向に沿って伸びるスリットにより幅方向に分断されていることを特徴とする伝送線路デバイス。
- 前記導体ラインの前記ダブルスパイラル線路構造の平面形状において、前記磁性薄膜の磁化困難軸方向に励磁する線路方向の線路長成分の合計が磁化容易軸方向に励磁する線路方向の線路長成分の合計よりも大きいことを特徴とする請求項7に記載の伝送線路デバイス。
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