JPH11354322A - プレーナインダクタおよびその磁性体膜の磁化容易化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インダクタンスの低下を抑制しつつ、直流重
畳特性の安定性を改善できるプレーナインダクタを提供
すること。 【解決手段】 巻き線方向が互いに逆向きとされた第
１、第２のスパイラル部を有するコイル１と、このコイ
ル１を絶縁物を介して挟む磁性体膜３、４（４LEFT、４
CENTER-1、４CENTER-2、４RIGHT ）とを具備する。そし
て、第１、第２のスパイラルに挟まれた領域CENTERに応
じた磁性体膜４CENTERを、複数の部分４CENTER-1、４CE
NTER-2に分割したことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はプレーナインダク
タに係わり、特にプレーナインダクタの磁性体膜の着磁
強度の向上に関する。

【０００２】

【従来の技術】プレーナインダクタは、巻き線コイルを
使用した一般的なインダクタに比べて小形、かつ薄くで
きる利点を有している。この利点より、インダクタが使
用される電子機器、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ（直流
電源）等に利用され、その小型化等に貢献している。

【０００３】図８（Ａ）は従来のプレーナインダクタの
平面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）中の８Ｂ−８Ｂ線に沿
う断面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、プ
レーナインダクタは、巻き線方向が互いに逆向きとさ
れ、平面から見て長軸、短軸を有する矩形状の第１、第
２のスパイラルを持つコイル１０１を有している。第
１、第２のスパイラルの中心部をそれぞれ参照符号Ｓ
１、Ｓ２により示す。このようなコイル１０１は、“長
方形ダブルスパイラルコイル”とも呼ばれている。長方
形ダブルスパイラルコイル１０１は、層間絶縁膜１０２
を介して下層磁性体膜１０３と上層磁性体膜１０４とに
より挟まれている。これら下層磁性体膜１０３、上層磁
性体膜１０４はともに磁気異方性を有しており、その磁
化容易軸は、第１、第２のスパイラルの長軸に沿った方
向に設定されている。上層磁性体膜１０４は、３つの上
層磁性体膜１０４LEFT、１０４CENTER、１０４RIGHT に
分割されており、それぞれ第１のスパイラルの中心部Ｓ
１から紙面左側の領域“LEFT”、第１のスパイラルの中
心部Ｓ１と第２のスパイラルの中心部Ｓ２とに挟まれた
領域“CENTER”、第２のスパイラルの中心部Ｓ２から紙
面右側の領域“RIGHT ”を覆っている。

【０００４】このようなプレーナインダクタにおいて、
コイル１０１に直流電流ＩDCを流すと、領域“LEFT”、
“CENTER”、“RIGHT ”それぞれに磁界が発生する。こ
の磁界の分布を図９に示す。

【０００５】図９は磁界の分布を図８（Ｂ）に示す断面
と対応させながら示した図である。図９に示すように、
コイル１０１に直流電流ＩDCを流した時、最も大きな磁
界が発生する領域は、第１、第２のスパイラルそれぞれ
の中心部Ｓ１、Ｓ２に挟まれた領域“CENTER”である。
その上部に形成された上層磁性体膜１０４CENTERは、領
域“CENTER”に発生した磁界Ｈ１によって磁化される。
そして、コイル１０１に流す直流電流ＩDCを増加させて
いくと、領域“CENTER”に発生する磁界Ｈ１は大きくな
り、これに伴って上層磁性体膜１０４CENTERはより大き
く磁化され、やがて飽和する。上層磁性体膜１０４CENT
ERの磁化曲線を図１０に示す。

【０００６】図１０は上層磁性体膜１０４CENTERの磁化
曲線を示す図である。図１０の縦軸Ｍは磁化で横軸Ｈは
磁界である。図１０に示すように、上層磁性体膜１０４
CENTERの磁化が飽和した時の磁界を“Ｈｋ”とする。こ
こで、直流電流ＩDCを増加させると、領域“CENTER”に
発生した磁界Ｈ１はやがて飽和した磁界Ｈｋを越える。
磁界Ｈ１が磁界Ｈｋを越えると、プレーナインダクタの
インダクタンスＬが減少し出すようになる。図１１にこ
の様子を示す。

【０００７】図１１は直流電流ＩDCとインダクタンスＬ
との関係（直流重畳特性）を示す図である。図１１には
磁界Ｈ１が磁界Ｈｋを越えた時の直流電流値を、臨界値
Ｉｋとして示している。同図中の特性曲線（Ｉ）に示す
ように、直流電流ＩDCが臨界値Ｉｋを越えると、それま
で安定していたインダクタンスＬは急速に減少し出し、
直流重畳特性の安定性が損なわれだす。

【０００８】このようなインダクタの直流重畳特性の安
定性を改善するための手段としては、層間絶縁膜１０２
の厚みｔ（図８（Ｂ）参照）を薄くする方法がある。図
１１中の特性曲線（II）は、層間絶縁膜１０２の厚みｔ
を薄くした時のものである。

【０００９】図１１中の特性曲線（II）に示すように、
層間絶縁膜１０２の厚みｔを薄くすることにより臨界値
Ｉｋ’は、臨界値Ｉｋよりも高くすることができる。こ
の結果、直流重畳特性の安定性は改善される。しかしな
がら、層間絶縁膜１０２の厚みｔを薄くしない場合に比
べて、そのインダクタンスＬは極度に低くなり、インダ
クタの直流重畳特性は、かえって劣化する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように従来のプ
レーナインダクタでは、直流重畳特性の安定性が悪くな
る傾向を有する。しかも、この安定性を改善しようとす
るとインダクタンスＬが極度に低下し、直流重畳特性が
かえって劣化する、という事情があった。

【００１１】この発明は上記の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、インダクタンスの低下
を抑制しつつ、直流重畳特性の安定性を改善できるプレ
ーナインダクタおよびその磁性体膜の磁化容易化方法を
提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、巻き線方向が互いに逆向きとされた
第１、第２のスパイラル部を有するコイルと、前記コイ
ルを、絶縁物を介して挟む磁性体膜とを具備する。そし
て、前記磁性体膜を、前記第１、第２のスパイラル部に
挟まれた領域に応じた部分において、複数に分割するこ
とを特徴としている。

【００１３】上記構成を有するプレーナインダクタによ
れば、第１、第２のスパイラル部に挟まれた領域に応じ
た部分において、磁性体膜を複数に分割するので、磁性
体膜を分割にしない場合に比べて、磁性体膜の面積を小
さくできる。面積の小さい磁性体膜は面積の大きい磁性
体膜よりも磁化しやすい。このため、磁性体膜各々が磁
化されることによって生ずる磁界は、磁性体膜を複数に
分割しない場合に比べて強くなる。これにより、直流電
流ＩDCの臨界値をより高めることができ、直流重畳特性
の安定性を高めることが可能である。しかも絶縁膜を薄
くする必要もないので、インダクタンスの低下も抑制可
能である。したがって、直流重畳特性の安定性を改善で
きると同時に、インダクタンスの低下を抑制できるプレ
ーナインダクタを得ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を、図
面を参照して説明する。 ［第１の実施形態］図１（Ａ）はこの発明の第１の実施
形態に係るプレーナインダクタの平面図、図１（Ｂ）は
図１（Ａ）中の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面図である。

【００１５】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、この発
明の第１の実施形態に係るプレーナインダクタは、巻き
線方向が互いに逆向きとされ、平面から見て長軸、短軸
を有する矩形状の第１、第２のスパイラルを持つコイル
１を有している。第１、第２のスパイラルの中心部をそ
れぞれ参照符号Ｓ１、Ｓ２により示す。

【００１６】コイル１は、層間絶縁膜２を介して下層磁
性体膜３と上層磁性体膜４（４LEFT、４CENTER-1、４CE
NTER-2、４RIGHT ）とにより挟まれている。これら下層
磁性体膜３、上層磁性体膜４はともに磁気異方性を有し
ており、その磁化容易軸は、第１、第２のスパイラルの
長軸に沿った方向に設定されている。

【００１７】上層磁性体膜４は、３つの上層磁性体膜４
LEFT、４CENTER、４RIGHT に分割されており、それぞれ
第１のスパイラルの中心部Ｓ１から紙面左側の領域“LE
FT”、第１のスパイラルの中心部Ｓ１と第２のスパイラ
ルの中心部Ｓ２とに挟まれた領域“CENTER”、第２のス
パイラルの中心部Ｓ２から紙面右側の領域“RIGHT ”を
覆っている。コイル１に直流電流ＩDCを流した時、最も
大きな磁界が発生する領域は、第１、第２のスパイラル
の中心部Ｓ１、Ｓ２に挟まれた領域“CENTER”である。
この第１の実施形態では、最も大きな磁界が発生する領
域“CENTER”を覆う上層磁性体膜４CENTERを、上記第
１、第２のスパイラルの長軸に沿って上層磁性体膜４CE
NTER-1、４CENTER-2の２つに分割している。

【００１８】この第１の実施形態に係るプレーナインダ
クタのコイル１に直流電流ＩDCを流した時に発生する磁
界の分布を図２に示す。図２は磁界の分布を図１（Ｂ）
に示す断面と対応させながら示した図である。

【００１９】図２に示すように、コイル１に直流電流Ｉ
DCを流すと、領域“CENTER”の上部に形成された上層磁
性体膜４CENTER-1、４CENTER-2はそれぞれ、領域“CENT
ER”に発生した磁界Ｈ１によって磁化される。そして、
コイル１に流す直流電流ＩDCを増加させていくと、領域
“CENTER”に発生する磁界Ｈ１は大きくなり、これに伴
って上層磁性体膜４CENTER-1、４CENTER-2はともに作用
する磁界が大きくなる。上層磁性体膜４CENTER-1の磁化
曲線を図３に示す。

【００２０】図３は上層磁性体膜４CENTER-1の磁化曲線
を示す図である。図３の縦軸Ｍは磁化で横軸Ｈは磁界で
ある。図３に示すように、上層磁性体膜４CENTER-1の磁
化は、あるところで飽和する。上層磁性体膜４CENTER-1
の磁化が飽和した時の磁界を“Ｈｋ’”とする。

【００２１】ここで、直流電流ＩDCを増加させると、領
域“CENTER”に発生した磁界Ｈ１は、従来の飽和した時
の磁界Ｈｋを越える。しかしながら、この第１の実施形
態では、磁性体膜４CENTER-1、４CENTER-2をそれぞれよ
り強く磁化できる。このため、従来、飽和した時の磁界
Ｈｋを越えるような直流電流ＩDCをコイル１に流したと
しても、図３に示すように、飽和した時の磁界Ｈｋ’を
越えないようにできる。これにより、直流重畳特性の安
定性を改善することができる。

【００２２】なお、この第１の実施形態に係るプレーナ
インダクタにおける上層磁性体膜４CENTER-1、４CENTER
-2はともに、同じ軟磁性材料により構成され、同方向に
設定された磁化容易軸を持つ。しかもこの第１の実施形
態ではコイル１の巻き線方向が変わる軸、例えば領域
“CENTER”の中心線１０に沿って左右対称の形状であ
る。このため、上層磁性体膜４CENTER-1、４CENTER-2は
どちらも実質的に同じ磁化曲線を有する。

【００２３】図４は直流電流ＩDCとインダクタンスＬと
の関係（直流重畳特性）を示す図である。この図４に示
す特性曲線（Ｉ）、（II）はそれぞれ、図１１中に示し
た特性曲線（Ｉ）、（II）と同じものである。特性曲線
（III ）が第１の実施形態に係るプレーナインダクタの
特性曲線である。

【００２４】図４中の特性曲線（III ）に示すように、
直流電流ＩDCの臨界値Ｉｋ’は、従来の特性極性（Ｉ）
よりも高く、直流重畳特性の安定性は改善される。ま
た、臨界値Ｉｋ’を越えると、安定していたインダクタ
ンスＬは、従来の特性曲線（II）と同様に低下し出す。
しかしながら、安定するインダクタンスＬの値は、従来
の特性曲線（II）よりも高い値を保っており、実用上、
問題のない直流重畳特性を実現できる。これは、例えば
層間絶縁膜２の厚みｔ（図１（Ｂ）参照）を薄くする必
要が特にないためである。

【００２５】このように第１の実施形態に係るプレーナ
インダクタでは、直流重畳特性の安定性を改善できると
同時に、インダクタンスＬの低下をも抑制できる、とい
う効果を得ることができる。

【００２６】なお、この第１の実施形態では上層磁性体
膜４CENTER−１、４CENTER−２それぞれの第１、第２の
スパイラルの長軸に沿った長さは、特に図１（Ａ）に示
す平面から明らかなように、第１、第２のスパイラルの
短軸に沿った幅よりも大きい。即ちより長尺な長方形で
ある。このような形状は、正方形に近い形状よりも磁化
され易い。したがって、上層磁性体膜４CENTERを分割す
る際には、この第１の実施形態のように、長軸に沿った
長さを、短軸に沿った幅よりも大きくし、より長尺な長
方形とされることが好ましい。

【００２７】［第２の実施形態］第２の実施形態は、上
層磁性体膜４CENTERの他の分割方法に関する。この第２
の実施形態は、より長尺な長方形をした磁性体膜の方が
磁化し易いという事項に着目し、コイルに電流を流すこ
とによって領域“CENTER”に発生する磁界のうち、もっ
とも磁界が強いところに、より長尺な長方形をした磁性
体膜を配置するようにしたものである。これにより、磁
性体膜をより強く磁化できるとともに、磁化された磁性
体膜によって発生する磁界をより強くできる。

【００２８】図５（Ａ）はこの発明の第２の実施形態に
係るプレーナインダクタの平面図、同図（Ｂ）は同図
（Ａ）中の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図である。図５
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第２の実施形態に係るプ
レーナインダクタでは、例えば領域“CENTER”において
コイル１の巻き線方向が変わる軸、例えば領域“CENTE
R”の中心線１０に近いものから順に、スパイラルの短
軸に沿った幅が広くなるように、上層磁性体膜４CENTER
を“４CENTER-11 〜４CENTER-13 ”、および“４CENTER
-21 〜４CENTER-23 ”に分割している。

【００２９】上層磁性体膜４CENTER-11 〜４CENTER-13
の短軸に沿った幅はそれぞれ“ｗ１〜ｗ３”である。ま
た、図５（Ｂ）には特に示さないが、上層磁性体膜４CE
NTER-21 〜４CENTER-23 の短軸に沿った幅もまた、例え
ばそれぞれ“ｗ１〜ｗ３”である。即ち第２の実施形態
では、上層磁性体膜４CENTER-11 〜４CENTER-13 と、上
層磁性体膜４CENTER-21 〜４CENTER-23 とが、コイル１
の巻き線方向が変わる軸、例えば中心線１０を境にして
対象なパターンになっている。

【００３０】この第２の実施形態に係るプレーナインダ
クタの、コイル１に直流電流ＩDCを流した時に発生する
磁界の分布を図６に示す。なお、以下の説明では、上層
磁性体膜４CENTER-11 〜４CENTER-13 についてのみ説明
するが、この第２の実施形態では、上層磁性体膜４CENT
ER-21 〜４CENTER-23 についても説明と同様であること
はもちろんである。

【００３１】図６は磁界の分布を図５（Ｂ）に示す断面
と対応させながら示した図である。図６に示すように、
コイル１に直流電流ＩDCを流すと、領域“CENTER”の上
部に形成された上層磁性体膜４CENTER-11 〜４CENTER-1
3 、４CENTER-21 〜４CENTER-23 はそれぞれ、第１の実
施形態と同様に領域“CENTER”に発生した磁界によって
磁化される。

【００３２】この時の磁界は、上層磁性体膜４CENTER-1
1 の下において“Ｈ１”、上層磁性体膜４CENTER-12 の
下において“Ｈ２”、上層磁性体膜４CENTER-13 の下に
おいて“Ｈ３”となる。これらコイル１に直流電流ＩDC
を流すことによって発生した各箇所における磁界Ｈ１〜
Ｈ３の関係は“Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３”である。

【００３３】また、上層磁性体膜４CENTER-11 〜４CENT
ER-13 の磁化が飽和した時の磁界をそれぞれ“Ｈｋ
１”、“Ｈｋ２”、“Ｈｋ３”とする。なお、図６には
磁界Ｈｋ１のみを示す。

【００３４】この場合に、上記磁界Ｈ１〜Ｈ３と上記磁
界Ｈｋ１〜Ｈｋ３とが、下記の式（１）に示す関係を満
足するように、上層磁性体膜４CENTER-11 〜４CENTER-1
3 の幅ｗ１〜ｗ３をそれぞれ設定する。

【００３５】 ０≧（Ｈ１−Ｈｋ１）≧（Ｈ２−Ｈｋ２）≧（Ｈ３−Ｈｋ３） … （１） 即ち、幅ｗ１〜ｗ３の関係を“ｗ１≦ｗ２≦ｗ３”とす
る。このようにコイル１の巻き線方向が変わる軸、例え
ば領域“CENTER”の中心線１０に近いものから順に、幅
が広くなるように上層磁性体膜４CENTERを“４CENTER-1
1 〜４CENTER-13 ”に分割することにより、磁性体膜４
CENTER-11 〜４CENTER-13 をそれぞれ強く磁化できると
ともに、磁化された磁性体膜４CENTER-11 〜４CENTER-1
3 によって発生する磁界Ｈｋ’（磁界Ｈｋ１〜Ｈｋ３が
合成された磁界）をより強くできる。上層磁性体膜４CE
NTER-11 の磁化曲線を図７に示す。

【００３６】図７は上層磁性体膜４CENTER-11 の磁化曲
線を示す図である。図７の縦軸Ｍは磁化で横軸Ｈは磁界
である。図７に示すように、上層磁性体膜４CENTER-11
の磁化は、第１の実施形態と同様にあるところで飽和す
る。上層磁性体膜４CENTER-11 の磁化が飽和した時の磁
界を上記の通り“Ｈｋ１”とする。

【００３７】ここで、直流電流ＩDCを増加させると、領
域“CENTER”に発生した磁界Ｈ１は、従来の飽和した時
の磁界Ｈｋを越える。しかしながら、この第２の実施形
態では、第１の実施形態と同様に磁性体膜４CENTER-11
をより強く磁化できる。このため、従来、飽和した時の
磁界Ｈｋを越えるような直流電流ＩDCをコイル１に流し
たとしても、図７に示すように、飽和した時の磁界Ｈｋ
１を越えないようにできる。これにより、直流重畳特性
の安定性を改善することができる。

【００３８】なお、この第２の実施形態に係るプレーナ
インダクタにおける上層磁性体膜４CENTER-12 、４CENT
ER-13 、４CENTER-21 〜４CENTER-23 もまた、上層磁性
体膜４CENTER-11 と同様に、図８（Ａ）、（Ｂ）に示し
た磁性体膜４CENTERよりもより長尺な長方形を為してい
る。よって、これらの磁化の強さはそれぞれ、図８
（Ａ）、（Ｂ）に示した磁性体膜４CENTERよりも強くで
きる。

【００３９】したがって、第２の実施形態においても、
第１の実施形態と同様に、直流重畳特性の安定性を改善
できると同時に、インダクタンスＬの低下をも抑制でき
る、という効果を得ることができる。

【００４０】また、第２の実施形態においては、磁性体
膜４CENTERを、例えば中心線１０を境にして左右３つの
部分に分割したが、左右３つ以上の部分、例えばｎ個に
分割することも可能である。この場合には、下記の式
（２）に示す関係を満足するように、上層磁性体膜４CE
NTER-11 〜４CENTER-1n の幅ｗ１〜ｗｎをそれぞれ設定
れば良い。

【００４１】 ０≧（Ｈ１−Ｈｋ１）≧（Ｈ２−Ｈｋ２）≧…≧（Ｈｎ−Ｈｋｎ）…（２） このようにスパイラルの短軸に沿った幅“ｗ１〜ｗｎ”
を、コイル１の巻き線方向が変わる軸、例えば領域“CE
NTER”の中心線１０に近いもの、即ち領域“CENTER”の
うち、コイル１に直流電流ＩDCを流した時に発生する磁
界が最も強い箇所から弱い箇所に向かって順に“ｗ１≦
ｗ２≦…≦ｗｎ”の関係を有して磁性体膜４CENTERを分
割すれば良い。

【００４２】また、磁性体膜４CENTERを、例えば中心線
１０を境にして左右２つの部分に分割することも可能で
ある。この場合には、下記の式（３）に示す関係を満足
するように、上層磁性体膜４CENTER-11 、４CENTER-12
の幅ｗ１、ｗ２をそれぞれ設定れば良い。

【００４３】 ０≧（Ｈ１−Ｈｋ１）≧（Ｈ２−Ｈｋ２） …（３） 即ち、磁性体膜４CENTERは、第１、第２のスパイラルの
中心部Ｓ１、Ｓ２に挟まれた領域“CENTER”において、
スパイラルの短軸に沿った幅ｗが、コイルに電流を流し
た時に発生する磁界が最も強い箇所から弱い箇所に向か
って順に広くなる関係を有して分割されていれば良い。

【００４４】［製造方法］この発明に係るプレーナイン
ダクタの製造方法は、例えば図８（Ａ）、図８（Ｂ）に
示した従来のプレーナインダクタと同様の工程を経て形
成することができる。異なるところは、層間絶縁膜２上
にスパッタ法等を用いて形成した上層磁性体膜４のパタ
ーニングを、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、例えば
巻き線方向が変わる軸、例えば中心線１０に沿ってさら
に分割するか、あるいは図５（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、スパイラルの短軸に沿った幅が、コイル１に直流電
流ＩDCを流した時に発生する磁界が最も強い箇所から弱
い箇所に向かって順に広くなる関係を有して分割するか
である。

【００４５】即ち、この発明に係るプレーナインダクタ
を得るために、格別製造工程を増やす必要は無く、例え
ば製造コストが増加はすることもない。また、上記実施
形態では、上層磁性体膜４CENTERを分割する例を説明し
たが、下層磁性体膜３を、第１、第２の実施形態により
説明したパターンで分割するようにしても良い。

【００４６】さらに、上層磁性体膜４CENTERとともに、
下層磁性体膜３を第１、第２の実施形態により説明した
パターンで分割するようにして良い。また、この場合に
は、上層磁性体膜４CENTERの分割パターンと、下層磁性
体膜３の分割パターンとは、上記第１、第２の実施形態
を様々に組み合わせることが可能である。

【００４７】また、この発明に係るプレーナインダクタ
は、上記第１、第２の実施形態により説明した構造のプ
レーナインダクタに限定されることはなく、公知のプレ
ーナインダクタであれば、上記の効果を有して適用する
ことはもちろんである。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、インダクタンスの低下を抑制しつつ、直流重畳特性
の安定性を改善できるプレーナインダクタおよびその磁
性体膜の磁化容易化方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）はこの発明の第１の実施形態に係る
プレーナインダクタの平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）
中の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面図。

【図２】図２は磁界の分布を断面に対応させて示す図。

【図３】図３は磁性体膜の磁化曲線を示す図。

【図４】図４はコイルに流れる直流電流とインダクタン
スとの関係を示す図。

【図５】図５（Ａ）はこの発明の第２の実施形態に係る
プレーナインダクタの平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）
中の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図。

【図６】図６は磁界の分布を断面に対応させて示す図。

【図７】図７は磁性体膜の磁化曲線を示す図。

【図８】図８（Ａ）は従来のプレーナインダクタの平面
図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）中の８Ｂ−８Ｂ線に沿う断
面図。

【図９】図９は磁界の分布を断面に対応させて示す図。

【図１０】図１０は磁性体膜の磁化曲線を示す図。

【図１１】図１１はコイルに流れる直流電流とインダク
タンスとの関係を示す図。

【符号の説明】

１…コイル、２…層間絶縁膜、３…下層磁性体膜、４CE
NTER-1、４CENTER-2、４CENTER-11 、４CENTER-12 、４
CENTER-13 、４CENTER-21 、４CENTER-22 、４CENTER-2
3 …分割された上層磁性体膜。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 巻き線方向が互いに逆向きとされた第
   １、第２のスパイラル部を有するコイルと、 前記コイルを、絶縁物を介して挟む磁性体膜とを具備
   し、 前記磁性体膜が、前記第１、第２のスパイラル部に挟ま
   れた領域に応じた部分において、複数に分割されている
   ことを特徴とするプレーナインダクタ。
2. 【請求項２】 前記磁性体膜は、前記第１、第２のスパ
   イラル部に挟まれた領域に応じた部分において、前記コ
   イルの巻き線方向が変わる軸に沿って分割されているこ
   とを特徴とするプレーナインダクタ。
3. 【請求項３】 前記第１、第２のスパイラル部はそれぞ
   れ、平面から見て長軸、短軸を有する形状を有し、 前記磁性体膜は、前記長軸に沿って分割されていること
   を特徴とする請求項１および請求項２いずれかに記載の
   プレーナインダクタ。
4. 【請求項４】 前記磁性体膜は、前記第１、第２のスパ
   イラル部に挟まれた領域に応じた部分において、前記短
   軸に沿った幅が、前記コイルに電流を流した時に発生す
   る磁界が最も強い箇所から弱い箇所に向かって順に広く
   なる関係を有して分割されていることを特徴とする請求
   項３に記載のプレーナインダクタ。
5. 【請求項５】 巻き線方向が互いに逆向きとされた第
   １、第２のスパイラル部を有するコイルと、 前記コイルを、絶縁物を介して挟む磁性体膜とを具備す
   るプレーナインダクタの磁性体膜の磁化容易化方法であ
   って、 前記磁性体膜を、前記第１、第２のスパイラル部に挟ま
   れた領域に応じた部分において複数に分割することを特
   徴とするプレーナインダクタの磁性体膜の磁化容易化方
   法。