JP2011192765A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板110にトランジスタ等を形成した後、メモリセル形成領域及びロジック回路形成領域にそれぞれ強誘電体膜127を電極126a,128aで挟んだ構造の強誘電体キャパシタを形成する。その後、強誘電体キャパシタを覆う層間絶縁膜131を形成し、更にその上にアルミナからなる保護膜132を形成する。そして、ロジック回路形成領域の保護膜132を除去する。これにより、半導体装置の製造工程が完了するまでの間にロジック回路形成領域の強誘電体膜127に水素及び水分が侵入して強誘電体特性が劣化し、強誘電体キャパシタが常誘電体キャパシタとなる。一方、メモリセル形成領域の強誘電体キャパシタは、保護膜132により強誘電体特性が保持される。
【選択図】図3
Description
但し、P、U、N、Dは、図8に示す強誘電体特性(ヒステリシス特性)におけるPターム、Uターム、Nターム、Dタームの値(C/cm2)である。
前記第1の絶縁膜の上に第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを相互に離隔して形成する工程と、
前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタを覆う第3の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜の上方に第2の層間絶縁膜を形成する工程とを有し、
更に前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタを形成する工程と前記第2の層間絶縁膜を形成する工程との間、及び前記第2の層間絶縁膜を形成する工程と前記第3の層間絶縁膜を形成する工程との間の少なくとも一方に、前記第1の強誘電体キャパシタの上方を覆って水素及び水分の侵入を防止する保護膜を設け、前記第2の強誘電体キャパシタの上方には前記保護膜を設けない工程を有し、
前記保護膜により前記第1の強誘電体キャパシタの強誘電体特性を保持しつつ、前記第3の層間絶縁膜から前記第2の層間絶縁膜を介して前記第2の強誘電体キャパシタの強誘電体膜に水素又は水分を侵入させて前記強誘電体膜の強誘電体特性を劣化させ、前記第2の強誘電体キャパシタを常誘電体キャパシタに変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の上方に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に相互に離隔して形成された強誘電体キャパシタ及び常誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタ及び前記常誘電体キャパシタを覆う第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の上に形成された第3の層間絶縁膜と、
前記強誘電体膜の上方であって前記強誘電体キャパシタ及び前記常誘電体キャパシタと前記第2の層間絶縁膜との間、及び前記第2の層間絶縁膜と前記第3の層間絶縁膜との間の少なくとも一方に配置され、前記強誘電体キャパシタへの水素及び水分の侵入を防止する保護膜とを有し、
前記常誘電体キャパシタの上方には前記保護膜がなく、前記常誘電体キャパシタの誘電体膜が前記強誘電体キャパシタの誘電体膜と同一材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
Claims (5)
- 半導体基板上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを相互に離隔して形成する工程と、
前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタを覆う第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜の上方に第3の層間絶縁膜を形成する工程とを有し、
更に前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタを形成する工程と前記第2の層間絶縁膜を形成する工程との間、及び前記第2の層間絶縁膜を形成する工程と前記第3の層間絶縁膜を形成する工程との間の少なくとも一方に、前記第1の強誘電体キャパシタの上方を覆って水素及び水分の侵入を防止する保護膜を設け、前記第2の強誘電体キャパシタの上方には前記保護膜を設けない工程を有し、
前記保護膜により前記第1の強誘電体キャパシタの強誘電体特性を保持しつつ、前記第3の層間絶縁膜から前記第2の層間絶縁膜を介して前記第2の強誘電体キャパシタの強誘電体膜に水素又は水分を侵入させて前記強誘電体膜の強誘電体特性を劣化させ、前記第2の強誘電体キャパシタを常誘電体キャパシタに変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜が、アルミナからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第2の強誘電体キャパシタの誘電体膜が、Pb、Zr、及びTiを含むペロブスカイト構造を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に相互に離隔して形成された強誘電体キャパシタ及び常誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタ及び前記常誘電体キャパシタを覆う第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の上に形成された第3の層間絶縁膜と、
前記強誘電体膜の上方であって前記強誘電体キャパシタ及び前記常誘電体キャパシタと前記第2の層間絶縁膜との間、及び前記第2の層間絶縁膜と前記第3の層間絶縁膜との間の少なくとも一方に配置され、前記強誘電体キャパシタへの水素及び水分の侵入を防止する保護膜とを有し、
前記常誘電体キャパシタの上方には前記保護膜がなく、前記常誘電体キャパシタの誘電体膜が前記強誘電体キャパシタの誘電体膜と同一材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記強誘電体キャパシタは記憶素子の一部であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020188038A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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JPH09321227A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Nec Corp | 誘電体膜の製造方法 |
JPH11354727A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
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