JP2011187867A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011187867A5 JP2011187867A5 JP2010054208A JP2010054208A JP2011187867A5 JP 2011187867 A5 JP2011187867 A5 JP 2011187867A5 JP 2010054208 A JP2010054208 A JP 2010054208A JP 2010054208 A JP2010054208 A JP 2010054208A JP 2011187867 A5 JP2011187867 A5 JP 2011187867A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- material layer
- processing chamber
- less
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Description
ここで、物質層の層厚を１ｎｍ未満とすることでより強い接合強度が得られることについて説明する。上述した本実施の形態における接合方法は、まず、高い真空状態のほぼ酸素がなく清浄な環境下で、基板の接合面に極薄い物質層を形成し、この物質層を構成する物質の拡散現象を利用して２つの基板を接合しているものと考えることができる。この接合方法では、物質層が一様な膜となる前の不完全な層の状態の方が、活性が高く拡散速度も高いため、より高い接合強度が得られるものと考えられる。ここで、接合を行う処理室の内部は、１０-6Ｐａ以下の圧力（真空度）としておけば、自然酸化膜の形成が抑制されて十分な清浄環境となり、上述した接合が行えることが実験の結果判明している。例えば、スパッタを開始する前の初期段階で、処理室内を１０-6Ｐａ以下の圧力としておけばよい。また、スパッタを停止してからスパッタガスの供給を停止してより高い真空度としてから、着接を行って接合してもよい。なお、物質層としてＡｕ，Ｐｔ，Ａｇなどの貴金属やＣｕなどの酸化しにくい金属を用いる場合、接合を行う処理室の内部圧力が、１０-4Ｐａ程度であっても上述した接合が行える。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010054208A JP2011187867A (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 接合方法および水晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010054208A JP2011187867A (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 接合方法および水晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011187867A JP2011187867A (ja) | 2011-09-22 |
| JP2011187867A5 true JP2011187867A5 (ja) | 2013-03-14 |
Family
ID=44793753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010054208A Pending JP2011187867A (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 接合方法および水晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011187867A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6258592B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2018-01-10 | 京セラ株式会社 | 光学機器用窓部材 |
| JP6395517B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2018-09-26 | 京セラ株式会社 | 光学セルの製造方法 |
| JP7230541B2 (ja) | 2019-01-31 | 2023-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスおよび振動モジュール |
| JP2020123926A (ja) | 2019-01-31 | 2020-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、振動モジュール、電子機器、移動体および振動デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5070557B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-11-14 | 武仁 島津 | 常温接合方法 |
| JP2009206759A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動片の製造方法 |
| JP5401661B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2014-01-29 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 原子拡散接合方法及び前記方法により接合された構造体 |
-
2010
- 2010-03-11 JP JP2010054208A patent/JP2011187867A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI726951B (zh) | 處理氮化物膜之方法 | |
| JP2012028755A5 (ja) | 分離方法および半導体素子の作製方法 | |
| JP2012531045A5 (ja) | ||
| JP2011187867A5 (ja) | ||
| WO2008139860A1 (ja) | 半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子 | |
| JP2011192693A5 (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法 | |
| SG134208A1 (en) | A method of fabricating a composite substrate | |
| MX336914B (es) | Metodo de deposicion de pelicula delgada. | |
| JP2012517690A5 (ja) | ||
| WO2009016795A1 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法 | |
| JP2012142543A5 (ja) | ||
| JP2013537254A5 (ja) | ||
| JP2014534336A5 (ja) | ||
| JP2013510442A5 (ja) | ||
| JP2010050444A5 (ja) | ||
| JP2007258634A5 (ja) | ||
| JP2009065181A5 (ja) | ||
| JP2015518270A5 (ja) | ||
| JP2010106327A5 (ja) | ||
| JP2012517529A5 (ja) | ||
| JP2005311199A5 (ja) | ||
| JP2008536296A5 (ja) | ||
| JP2012004275A5 (ja) | ||
| US8637148B2 (en) | Coated article and method of making the same | |
| JP2007073931A5 (ja) |