JP2011178726A - (R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法、及び製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体状金属Mと気体状化合物R1R2R3R4R5Cp(R1,R2,R3,R4,R5はH又は炭化水素基、Cpはシクロペンタジエニル基)との反応において、反応空間と保存空間との境界部に設けられた連通部を有する仕切板17上に固体状金属M2が供給されるM供給工程と、反応空間に気体状化合物が供給されるR1R2R3R4R5Cp供給工程と、前記仕切板上に存する固体状金属Mの下方側が加熱される加熱工程と、前記仕切板上に存する固体状金属Mの上方側が冷却される冷却工程と、前記仕切板上に存する固体状金属Mが少なくなった場合、固体状金属Mが仕切板上に補給されるM補給工程とを具備する製造方法とその装置。
【選択図】図1
Description
MgCl2+2CpNa→Cp2Mg+2NaCl
BeCl2+2CpNa→Cp2Be+2NaCl
固体状金属M(MはMg又はBe)と気体状化合物R1R2R3R4R5Cp(R1,R2,R3,R4,R5はH又は炭化水素基。Cpはシクロペンタジエニル基)との反応により(R1R2R3R4R5Cp)2Mで表される化合物が製造される方法において、
反応空間と保存空間との境界部に設けられた連通部を有する仕切板上に固体状金属Mが供給されるM供給工程と、
反応空間に気体状化合物R1R2R3R4R5Cpが供給されるR1R2R3R4R5Cp供給工程と、
前記仕切板上に存する固体状金属Mの下方側が加熱される加熱工程と、
前記仕切板上に存する固体状金属Mの上方側が冷却される冷却工程と、
前記仕切板上に存する固体状金属Mが少なくなった場合、固体状金属Mが仕切板上に補給されるM補給工程
とを具備することを特徴とする(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法によって解決される。
固体状金属M(MはMg又はBe)と気体状化合物R1R2R3R4R5Cp(R1,R2,R3,R4,R5はH又は炭化水素基。Cpはシクロペンタジエニル基)との反応が行われる反応空間と、
前記反応空間の下側に設けられ、固体状金属Mと気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応により出来た反応生成物が保存される保存空間と、
前記反応空間と前記保存空間との間に設けられた上下連通部を有する固体状金属Mが置かれる仕切手段と、
前記反応空間に気体状化合物R1R2R3R4R5Cpを不活性ガスキャリアによって供給する供給手段と、
前記反応空間に固体状金属Mを供給する為に該固体状金属Mを保存しておく予備空間と、
前記仕切手段上に存する固体状金属Mの下方側が加熱される加熱手段と、
前記仕切手段上に存する固体状金属Mの上方側が冷却される冷却手段
とを具備してなり、
固体状金属Mと気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応により出来た反応生成物(R1R2R3R4R5Cp)2Mが仕切手段の上下連通部を介して下方の保存空間に移送されるよう構成されてなる
ことを特徴とする(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造装置によって解決される。
一般式[I]
大きさが212〜600μmで24.3gの固形粉末状Mgが反応管1の目皿17上に供給された。この供給は上方からの落下による。そして、反応系内が窒素で置換された。この後も導入口16より窒素が流された。捕集器5は冷却浴7によって0℃に冷却された。排気塔8も冷却器9によって冷却された。冷却器3にも冷却水が流され、目皿17上に供給された粉末状Mgは冷却されている。この冷却温度は0℃と言った温度である必要は無い。すなわち、固体状金属M(Mg)と気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応は、通常、400〜1000℃の反応温度で行われる。従って、前記反応が促進されない温度であれば良い。例えば、室温程度の温度でも十分である。しかしながら、冷却器3の直下位置には加熱器4が設置されていて、加熱が行われる。例えば、500℃の温度に加熱された。この加熱の影響を受けることから、積極的に、冷却器3が設けられたのである。
実施例1において、シクロペンダジエンの代わりに、メチルシクロペンタジエン(実施例2)、エチルシクロペンタジエン(実施例3)、イソプロピルシクロペンタジエン(実施例4)、ノルマルシクロペンタジエン(実施例5)、ターシャリーブチルシクロペンタジエン(実施例6)が用いられ、実施例1に準じて行なわれた。その結果は実施例1と同様な結果であった。
実施例1において、冷却器3による冷却が行われず、かつ、振動装置19はスイッチオフであり、更にMgの補給が行われなかった以外は、実施例1に準じて行なわれた。
実施例1における反応の為の500℃の加熱は、単なる、ヒータによる加熱であった。本実施例ではコイルに高周波電流を流すことによる誘導加熱で500℃に加熱された。それ以外は実施例1に準じて行なわれた。尚、本実施例では、Mgの補給は行われなかった。
9.0gの薄片状固形粉末状Beが反応管1の目皿17上に供給された。この供給は上方からの落下による。そして、反応系内が窒素で置換された。この後も導入口16より窒素が流された。捕集器5は冷却浴7によって0℃に冷却された。排気塔8も冷却器9によって冷却された。冷却器3にも冷却水が流され、目皿17上に供給された粉末状Beは冷却されている。この冷却温度は0℃と言った温度である必要は無い。すなわち、固体状金属M(Be)と気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応は、通常、400〜1000℃の反応温度で行われる。従って、前記反応が促進されない温度であれば良い。例えば、室温程度の温度でも十分である。しかしながら、冷却器3の直下位置には加熱器4が設置されていて、加熱が行われる。例えば、誘導加熱によって500℃の温度に加熱された。この加熱の影響を受けることから、積極的に、冷却器3が設けられたのである。
実施例8において、シクロペンダジエンの代わりに、メチルシクロペンタジエンが用いられ、実施例8に準じて行なわれた。その結果は実施例8と同様な結果であった。
2 金属M(M=Mg,Be)
3 冷却器
4 加熱器
5 保存室
6 反応生成物(R1R2R3R4R5Cp)2M
12 予備室
17 目皿(仕切板)
19 振動装置
Claims (6)
- 固体状金属M(MはMg又はBe)と気体状化合物R1R2R3R4R5Cp(R1,R2,R3,R4,R5はH又は炭化水素基。Cpはシクロペンタジエニル基)との反応により(R1R2R3R4R5Cp)2Mで表される化合物が製造される方法において、
反応空間と保存空間との境界部に設けられた連通部を有する仕切板上に固体状金属Mが供給されるM供給工程と、
反応空間に気体状化合物R1R2R3R4R5Cpが供給されるR1R2R3R4R5Cp供給工程と、
前記仕切板上に存する固体状金属Mの下方側が加熱される加熱工程と、
前記仕切板上に存する固体状金属Mの上方側が冷却される冷却工程と、
前記仕切板上に存する固体状金属Mが少なくなった場合、固体状金属Mが仕切板上に補給されるM補給工程
とを具備することを特徴とする(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法。 - 仕切板に振動が作用させられる振動工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項1の(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法。 - M補給工程は仕切板の上方から固体状金属Mが補給される工程であり、
固体状金属Mと気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応により出来た反応生成物(R1R2R3R4R5Cp)2Mは連通部を介して下方の保存空間に移送される
ことを特徴とする請求項1又は請求項2の(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法。 - 加熱工程は高周波誘導加熱による工程である
ことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法。 - 請求項1〜請求項4いずれかの(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造方法によって製造されてなる(R1R2R3R4R5Cp)2M。
- 固体状金属M(MはMg又はBe)と気体状化合物R1R2R3R4R5Cp(R1,R2,R3,R4,R5はH又は炭化水素基。Cpはシクロペンタジエニル基)との反応が行われる反応空間と、
前記反応空間の下側に設けられ、固体状金属Mと気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応により出来た反応生成物が保存される保存空間と、
前記反応空間と前記保存空間との間に設けられた上下連通部を有する固体状金属Mが置かれる仕切手段と、
前記反応空間に気体状化合物R1R2R3R4R5Cpを不活性ガスキャリアによって供給する供給手段と、
前記反応空間に固体状金属Mを供給する為に該固体状金属Mを保存しておく予備空間と、
前記仕切手段上に存する固体状金属Mの下方側が加熱される加熱手段と、
前記仕切手段上に存する固体状金属Mの上方側が冷却される冷却手段
とを具備してなり、
固体状金属Mと気体状化合物R1R2R3R4R5Cpとの反応により出来た反応生成物(R1R2R3R4R5Cp)2Mが仕切手段の上下連通部を介して下方の保存空間に移送されるよう構成されてなる
ことを特徴とする(R1R2R3R4R5Cp)2Mの製造装置。
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